JP2003017669A - 部材の分離方法及び分離装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】貼り合わせ基板のゆがみや等に関らず、貼り合
わせ基板を適正に分離する。 【解決手段】この分離装置は、流体を噴射する噴射ノズ
ル１２０に反復運動をさせる反復駆動機構１４０を備え
ている。貼り合わせ基板は、噴射ノズル１２０を反復駆
動機構１４０により反復運動させながら分離される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、貼り合わせ基板等
の部材の分離装置及び処理方法、半導体基板の製造方
法、並びに、半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】絶縁層上に単結晶Ｓｉ層を有する基板と
して、ＳＯＩ（silicon on insulator)構造を有する基
板（ＳＯＩ基板）が知られている。このＳＯＩ基板を採
用したデバイスは、通常のＳｉ基板では到達し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 （１）誘電体分離が容易で高集積化に適している。 （２）放射線耐性に優れている。 （３）浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 （４）ウェル工程が不要である。 （５）ラッチアップを防止できる。 （６）薄膜化による完全な空乏型電界効果トランジスタ
の形成が可能である。

【０００３】ＳＯＩ構造は、上記のような様々な優位点
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められている。

【０００４】単結晶Ｓｉ基板を、熱酸化した別の単結晶
Ｓｉ基板に、熱処理又は接着剤により貼り合わせて、Ｓ
ＯＩ構造を形成する方法がある。この方法では、デバイ
スを形成するための活性層を均一に薄膜化する必要があ
る。すなわち、数百ミクロンもの厚さを有する単結晶Ｓ
ｉ基板をミクロンオーダー或いはそれ以下に薄膜化する
必要がある。

【０００５】薄膜化の方法としては、研磨による方法
と、選択エッチングによる方法とがある。

【０００６】研磨による方法では、単結晶Ｓｉを均一に
薄膜化することが困難である。特にサブミクロンオーダ
ーへの薄膜化では、ばらつきが数十％になる。ウェハの
大口径化が進めば、その困難性は増す一方である。

【０００７】本出願人は、特開平５−２１３３８号公報
において、新たなＳＯＩ技術を開示した。この技術は、
単結晶Ｓｉ基板に多孔質層を形成し、その上に非多孔質
層単結晶層を形成した第１の基板を、絶縁層を介して第
２の基板に貼り合わせ、その後、貼り合わせ基板を多孔
質層の部分で２枚に分離することにより、第２の基板に
非多孔質単結晶層を移し取るものである。この技術は、
ＳＯＩ層の膜厚均一性が優れていること、ＳＯＩ層の結
晶欠陥密度を低減し得ること、ＳＯＩ層の表面平坦性が
良好であること、高価な特殊仕様の製造装置が不要であ
ること、数１００Å〜１０μｍ程度の範囲のＳＯＩ膜を
有するＳＯＩ基板を同一の製造装置で製造可能なこと等
の点で優れている。

【０００８】貼り合わせられた第１及び第２の基板の双
方を破壊することなく２枚に分離する方法としては、例
えば、貼り合わせ面に対して垂直な方向に力が加わるよ
うにして両基板を互いに反対方向に引っ張る方法、貼り
合わせ面に対して平行に剪断応力を加える方法（例え
ば、貼り合わせ面に平行な面内で両基板を互いに反対方
向に移動させる方法や、円周方向に力が加わるようにし
て両基板を反対方向に回転させる方法など）、貼り合わ
せ面に対して垂直な方向に加圧する方法、分離領域に超
音波などの波動エネルギーを印加する方法、分離領域に
対して貼り合わせ基板の側面側から貼り合わせ面に平行
に剥離用部材（例えばナイフのような鋭利なブレード）
を挿入する方法、分離領域として機能する多孔質層に染
み込ませた物質の膨張エネルギーを利用する方法、分離
領域として機能する多孔質層を貼り合わせ基板の側面か
ら熱酸化させることにより、該多孔質層を体積膨張させ
て分離する方法、分離領域として機能する多孔質層を貼
り合わせ基板の側面から選択的にエッチングして分離す
る方法などがある。

【０００９】貼り合わせ基板の分離方法として、本出願
人は、特開平１０−７７３４７号公報（特許第２８７７
８００号）において画期的な技術を開示した。特開平１
０−７７３４７号公報に記載された分離方法では、分離
層として機能する多孔質層やイオン注入層を有する貼り
合わせ基板の側面に流体を吹き付けることにより該貼り
合わせ基板を２枚の基板に分離する方法である。

【００１０】より具体的な例を挙げると、特開平１０−
７７３４７号公報に記載された分離方法では、例えば、
貼り合わせ基板よりも径が小さい一対のホルダ（基板保
持部）で該貼り合わせ基板を保持し、該貼り合わせ基板
を回転させながら該貼り合わせ基板の側面に流体を吹き
付けることにより、該貼り合わせ基板を多孔質層の部分
で２枚の基板に分離する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】貼り合わせ基板よりも
径が小さい一対のホルダで該貼り合わせ基板を保持した
場合に、自重等により外周部に歪みが生じたり、貼り合
わせ基板の製造工程で生じたゆがみが矯正されない状態
で保持される可能性がある。ホルダによって保持された
貼り合わせ基板にゆがみが存在すると、該貼り合わせ基
板を回転させながらその全周に対して流体を打ち込む際
に、該貼り合わせ基板に流体が打ち込まれる位置が適正
な位置（例えば、貼り合わせ界面又は分離層）からずれ
る箇所が生じ得る。

【００１２】理解を容易にするために極端な例を挙げる
と、例えば、貼り合わせ基板のゆがみが大きいと、ゆが
みがないことを想定して位置が調整されたノズルから噴
射された流体は、貼り合わせ基板の分離層又は貼り合わ
せ界面に打ち込まれず、このため分離が全く進まないこ
とが予想される。これを図９を参照して説明する。

【００１３】図９は、ゆがみの大きな貼り合わせ基板５
０を分離層１２の部分で２枚の基板に分離する様子を示
す図である。図９に示す例では、ゆがみがない状態の分
離層の位置（理想的な分離層の位置）から実際の分離層
１２の位置が大きくずれている。この場合において、分
離層１２が理想的な位置にあることを想定してノズル１
２０の位置を調整し、その状態で分離を実施すると、ノ
ズル１２０から噴射された流体は、分離層１２に打ち込
まれず、分離が円滑に進まない。このようなゆがみが大
きい部分が貼り合わせ基板５０の外周上に存在すると、
その部分の分離が速やかに進まず、分離不良が発生する
可能性がある。

【００１４】以上のような分離不良の可能性は、要求さ
れるＳＯＩ基板の大口径化に伴って貼り合わせ基板が大
口径化することによって一層顕著になると考えられる。

【００１５】また、貼り合わせ基板をホルダによって保
持する際に該貼り合わせ基板とホルダとの間に異物が挟
まる可能性がある。この場合においても、ノズルから噴
射された流体は、貼り合わせ基板の分離層又は貼り合わ
せ界面からずれた位置に吹き付けられる可能性がある。

【００１６】本発明は、上記の背景に鑑みてなされたも
のであり、例えば、貼り合わせ基板等の、分離層を有す
る部材の分離において、例えば、該部材のゆがみや、該
部材を保持する際の精度の不足等に関らず、該部材が適
正に分離されることを保証することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面は、
内部に分離層を有する部材を噴流により分離する分離方
法に係り、前記部材の少なくとも外周部分を分離する際
に、前記噴流を形成する噴射ノズル及び前記部材の少な
くとも一方に反復運動をさせる制御工程を有することを
特徴とする。

【００１８】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
制御工程では、前記部材の前記分離層に直交する方向
に、前記噴流を形成する噴射ノズル及び前記部材の少な
くとも一方に往復運動をさせることが好ましい。くれに
加えて、又は、これとは別に、前記制御工程では、前記
噴流を形成する噴射ノズルに首振り運動を含む運動をさ
せてもよい。

【００１９】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
分離層に直交する軸を中心として前記部材を回転させる
ことが好ましい。

【００２０】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
部材の回転の周期は、前記反復運動の周期の５０倍以上
であることが好ましい。

【００２１】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
制御工程では、前記部材の外周部分が実質的に全周にわ
たって分離されるまで、前記噴流を形成する噴射ノズル
及び前記部材の少なくとも一方に反復運動をさせること
が好ましい。

【００２２】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
制御工程は、前記部材の外周部分が実質的に全周にわた
って分離された後に、前記反復運動を停止させる工程を
有することが好ましい。

【００２３】本発明の好適な実施の形態によれば、この
分離方法は、分離層上に半導体層を有するシード基板
と、ハンドル基板とを、絶縁層を介在させて貼り合わせ
て得られる貼り合わせ基板の分離に好適である。

【００２４】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
噴流は、例えば、噴射部から液体又は気体を噴射させて
得られる。

【００２５】本発明の第２の側面は、内部に分離層を有
する部材を噴流により分離する分離装置であって、部材
を保持する保持部と、噴流を形成する噴射ノズルと、前
記部材の少なくとも外周部分を前記分離層の部分で分離
する際に、前記噴射ノズル及び前記部材を保持した前記
保持部の少なくとも一方に反復運動をさせる駆動機構と
を備えることを特徴とする。

【００２６】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
駆動機構は、前記保持部の保持面に直交する方向に、前
記噴射ノズル及び前記部材の少なくとも一方に往復運動
をさせることが好ましい。これに代えて、又は、これに
加えて、前記駆動機構は、前記噴射ノズルに首振り運動
を含む運動をさせてもよい。

【００２７】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
分離層に直交する軸を中心として、前記部材を保持した
前記保持部を回転させる回転機構を更に備えることが好
ましい。

【００２８】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
回転の周期は、前記反復運動の周期の５０倍以上である
ことが好ましい。

【００２９】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
駆動機構は、前記部材の外周部分が実質的に全周にわた
って分離されるまで、前記噴射ノズル及び前記部材を保
持した前記保持部の少なくとも一方に反復運動をさせる
ことが好ましい。

【００３０】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
駆動機構は、前記部材の外周部分が実質的に全周にわた
って分離された後に、前記反復運動を停止することが好
ましい。

【００３１】本発明の好適な実施の形態によれば、この
分離装置は、分離層上に半導体層を有するシード基板
と、ハンドル基板とを、絶縁層を介在させて貼り合わせ
て得られる貼り合わせ基板の分離に好適である。

【００３２】本発明の好適な実施の形態によれば、前記
噴流は、例えば、噴射部から液体又は気体を噴射させて
得られる。

【００３３】本発明の第３の側面は、半導体基板の製造
方法に係り、内部に分離層を有し、その上に移設層を有
する第１の基板の表面と、第２の基板とを貼り合わせ
て、分離対象の部材としての貼り合わせ基板を作成する
工程と、上記の分離方法を適用して前記貼り合わせ基板
を分離層の部分で分離する工程とを含むことを特徴とす
る。

【００３４】本発明の第４の側面は、半導体装置の製造
方法に係り、上記の製造方法を適用して製造されたＳＯ
Ｉ基板を準備する工程と、前記ＳＯＩ基板のＳＯＩ層を
素子分離して、素子分離されたＳＯＩ層にトランジスタ
を作り込む工程とを含むことを特徴とする。

【００３５】前記トランジスタは、部分空乏型のＦＥＴ
であってもよいし、完全空乏型のＦＥＴであってもよ
い。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の好適な実施の形態を説明する。

【００３７】本発明の好適な実施の形態に係る分離装置
は、流体を噴射する噴射ノズルと、貼り合わせ基板を保
持する基板保持部（ホルダ）とを備える。この分離装置
は、貼り合わせ基板の少なくとも外周部分を分離層の部
分で分離する際に、噴射ノズル及び貼り合わせ基板（基
板保持部）の少なくとも一方に、好適にはいずれか一方
に、所定範囲内で反復運動をさせる。

【００３８】貼り合わせ基板がゆがみを有する場合や、
基板保持部と貼り合わせ基板との間に異物が挟まること
によって貼り合わせ基板の保持位置が適正位置（設計上
の位置）からずれてしまう場合がある。このような場
合、貼り合わせ基板の分離層或いは貼り合わせ界面が適
正な位置にあることを前提として位置決めされた噴射ノ
ズル（噴射機構）から噴射された流体（噴流）は、該分
離層或いは貼り合わせ界面からずれた位置に打ち込まれ
る。

【００３９】そこで、上記のように、貼り合わせ基板の
少なくとも外周部分を分離層の部分で分離する際に、噴
射ノズル及び貼り合わせ基板（基板保持部）の少なくと
も一方に所定範囲内で反復運動をさせることにより、適
正位置からの分離層或いは貼り合わせ界面のずれに関ら
ず、該外周部分を確実に分離することができる。しか
も、このような反復運動の採用により、貼り合わせ基板
のゆがみの程度に比べて幅が狭い噴流を利用しつつ貼り
合わせ基板の外周部分を確実に分離することができる。
ここで、幅が狭い噴流を利用した場合、貼り合わせ基板
の内部に打ち込まれる、或いは注入される流体の量を少
量に抑えることができるため、貼り合わせ基板の内部に
過度の圧力が加わることを効果的に防止することができ
る。

【００４０】上記の反復運動は、貼り合わせ基板の外周
部分を分離する際は変位量（変位範囲）を１ｍｍ以内と
して行うことが好ましく、その内部を分離する際は０．
５ｍｍ以内として行うことが好ましい。例えば、貼り合
わせ基板の外周部分の分離は、０．５ｍｍ〜１ｍｍの変
位量（第１の変位量）で反復運動を行い、その後、内部
の分離は、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの変位量で反復運
動を行うことができる。

【００４１】分離対象の貼り合わせ基板はその外周側面
に凹部を有することが好ましく、上記反復運動は、貼り
合わせ基板の全周にわたって、凹部に流体が打ち込まれ
るようになされる。べべリング部が断面形状において丸
くなっているウェハを利用して第１の基板（seed wafe
r）及び第２の基板（handle wafer）を利用して貼り合
わせ基板を作製することにより、上記凹部を形成するこ
とができる。

【００４２】図２は、本発明の好適な実施の形態に係る
分離装置の構成を示す図である。この分離装置１００
は、分離対象の板部材である貼り合わせ基板５０を水平
に保持し、これを回転させながら、貼り合わせ基板５０
の外周側面に向けて流体（例えば、水等の液体、空気等
の気体）を噴射することによって、貼り合わせ基板５０
を多孔質層（分離層）の部分で２枚の基板に分離する。

【００４３】貼り合わせ基板５０は、中心軸が共通の一
対の基板保持部１０５及び１０６によって保持される。
貼り合わせ基板５０は、一対の基板保持部１０５及び１
０６の保持面に吸着機構を設け、これにより保持されて
もよいし、一対の基板保持部１０５及び１０６によって
挟持されてもよい。

【００４４】上方の基板保持部１０５は、回転シャフト
１０３及びカップリング１０２を介してモータ１０１に
連結されている。モータ１０１は、コントローラ１６０
により回転速度が任意に制御される。回転シャフト１０
３は、ベアリング１０４を介して上部テーブル１１３に
よって軸支されている。

【００４５】下方の基板保持部１０６は、回転シャフト
１０８及びカップリング１０９を介してエアシリンダ１
１０に連結されている。したがって、下方の基板保持部
１０６は、エアシリンダ１１０によって昇降される。エ
アシリンダ１１０は、貼り合わせ基板５０を本分離装置
１００にセットする際及び分離された基板を本分離装置
１００から取り外す際に駆動される他、分離処理の際に
必要に応じて貼り合わせ基板５０に押圧力又は引張力
（貼り合わせ基板を吸着している場合）を印加するため
にも駆動され得る。エアシリンダ１１０は、コントロー
ラ１６０により制御される。回転シャフト１０８は、ベ
アリング１０７を介して下部テーブル１１４によって軸
支されている。

【００４６】下部テーブル１１４上には、流体（噴流）
を噴射する噴射ノズル１２０が配置されている。噴射ノ
ズル１２０は、反復駆動機構１４０により、例えば、貼
り合わせ基板５０の軸方向（分離層に直交する方向）
に、噴射ノズル１２０に反復運動（往復運動）をさせ
る。反復駆動機構１４０としては、例えばリニアモータ
や振動素子等を採用することができる。反復駆動機構１
４０は、貼り合わせ基板５０の軸方向に平行な方向（上
下方向）及び／又は貼り合わせ基板５０の面方向に平行
な方向（水平方向）の位置調整機構を兼ねてもよいし、
そのような位置調整機構によって位置調整がなされるよ
うに構成されてもい。

【００４７】噴射ノズル１２０は、耐高圧ホース１２
１、バルブ１２３、高圧配管１２４を介してサーボ駆動
式ポンプ２００の出口に接続されている。サーボ駆動式
ポンプ２００は、出口における流体の圧力を検知する圧
力計２１０を有し、圧力計２１０の出力に基づいて、流
体の圧力変動を所定値（例えば、目標圧力の１０％）以
内に抑える。

【００４８】図３は、噴射ノズル１２０及び貼り合わせ
基板５０を拡大して示した図である。図３に示すよう
に、分離対象の貼り合わせ基板５０は、断面においてγ
形状の凹部５１を有することが好ましい。貼り合わせ基
板５０に凹部５１を設けることにより、ノズル１２０か
ら噴射された流体が効率的に多孔質層１２に打ち込ま
れ、多孔質層１２での分離を円滑に進めることができ
る。前述のように、このような凹部５１は、べべリング
部が断面形状において丸くなっている一般的なウェハを
利用して第１の基板（seed wafer）及び第２の基板（ha
ndle wafer）を利用して貼り合わせ基板を作成すること
により形成される。

【００４９】貼り合わせ基板５０を構成する第１の基板
１０及び第２の基板２０の厚さは、それぞれ、100〜200
0μｍであることが好ましく、典型的には７００μｍ程
度である。第１の基板１０及び第２の基板２０の厚さが
それぞれ７００μｍである場合に形成される凹部５１の
幅Ｇは約７００μｍである。ノズル１２０から噴射させ
る流体の径Ｄは、50〜1000μｍであることが好ましく、
典型的には１００μｍ程度である。ここで、流体の径
（幅）Ｄは、凹部の幅Ｇの１／20〜１／2であることが
好ましい。なお、外周部に分離層が露出していない場合
には、外周部をエッチングして分離層を露出させたり、
分離層付近に鋭利なブレードを差し込んでもよい。

【００５０】次に、図４及び図５を参照しながら図２に
示す分離装置による分離処理を説明する。図４は、第１
段階の分離処理を示す図であり、図５は、第２段階の分
離処理を示す図である。この例では、分離処理の第１段
階において、貼り合わせ基板５０の外周部分５０ａが分
離層で分離され、分離処理の第２段階において、該外周
部分５０ａの内側５０ｂが分離層で分離される。

【００５１】第１段階の分離処理は、貼り合わせ基板５
０をモータ１０１により回転させると共に噴射ノズル１
２０から流体を噴射（すなわち、噴流を形成）させなが
ら実施される。ここで、第１段階の分離処理では、コン
トローラ１６０による制御の下、図４に示すように、反
復駆動機構１４０により、噴射ノズル１２０は、貼り合
わせ基板５０の分離層に直交する方向（すなわち、基板
保持部の保持面に直交する方向）に往復駆動される。こ
れにより、噴射ノズル１２０によって形成される噴流も
反復運動し、貼り合わせ基板の凹部が存在しうる範囲を
反復的に走査する。このような反復運動により、貼り合
わせ基板がゆがみを有する場合や、基板保持部と貼り合
わせ基板との間に異物が挟まることによって貼り合わせ
基板の保持位置が適正位置（設計上の位置）からずれて
いる場合であっても、貼り合わせ基板５０の外周部分の
凹部に対してその全周にわたって確実に噴流が打ち込ま
れ、該外周部分は全周にわたって確実に分離される。こ
こで、貼り合わせ基板５０の回転の周期は、反復運動の
周期の５０倍以上であることが好ましく、５０〜６００
０倍であることが更に好ましい。

【００５２】第２段階の分離処理もまた、噴射ノズル１
２０から流体をさせながら実施される。また、典型的に
は、貼り合わせ基板５０は、回転されながら分離され
る。ここで、第２段階の分離処理は、典型的には、コン
トローラ１６０による制御の下、図５に示すように、往
復駆動機構１４０による噴射ノズル１２０の反復駆動を
行わず、噴射ノズル１２０を静止させた状態で実施され
る。ただし、この代わりに、反復量を第１段階の分離処
理よりも小さくしてもよい。図５に示すように、貼り合
わせ基板５０の外周部分５０ａが既に分離されており、
この分離された部分に少量の流体が打ち込まれることに
より深いγ状の凹部が形成されるため、噴射ノズル１２
０の反復運動と止めても、或いは、反復運動の反復量を
小さくしても、分離層の未分離部分（凹部の深部）に効
果的に噴流の圧力を作用させることができる。この第２
段階の分離処理により、貼り合わせ基板５０は、その分
離層の全域で２枚の基板に完全に分離される。

【００５３】ここまで述べた図２に示す分離装置１００
では、貼り合わせ基板５０の軸方向（鉛直方向）の位置
を固定した状態で、噴射ノズル１２０のみに反復運動を
させる。しかしながら、噴射ノズル１２０に反復運動を
させる代わりに、又は、噴射ノズル１２０に反復運動を
させることに加えて、図６に示すように、貼り合わせ基
板５０（基板保持部１０５及び１０６）に反復運動をさ
せてもよい。

【００５４】また、噴射ノズル１２０に首振り（回動運
動）をさせる機構を反復駆動機構１４０に追加してもよ
い。図７は、噴射ノズル１２０に首振り運動及び往復運
動の双方を伴う反復運動をさせる機構を備えた反復駆動
機構１４０の一例を示す図である。図７に示す反復駆動
機構１４０は、噴射ノズル１２０に鉛直方向（及び面方
向位置）の往復運動をさせる第１駆動機構１４１と、噴
射ノズル１２０に首振り運動をさせる第２駆動機構１４
２とを有する。なお、第１駆動機構１４１を設けず、第
２駆動機構１４２のみを設けてもよい。

【００５５】また、図２に示す分離装置１００では、貼
り合わせ基板５０を水平に保持するが、貼り合わせ基板
５０は、例えば、垂直に保持されてもよい。ただし、貼
り合わせ基板５０を水平に保持する場合、他の装置との
間での貼り合わせ基板５０の受渡が容易である。

【００５６】次に、分離装置１００を使用した分離方法
の全体的な流れについて説明する。

【００５７】まず、エアシリンダ１１０を作動させて、
下方の基板保持部１０６を降下させ、搬送ロボット等に
より一対の基板保持部１０５及び１０６の間の所定位置
に貼り合わせ基板５０を搬送する。そして、エアシリン
ダ１１０を作動させて下方の基板保持部１０６を上昇さ
せて、一対の基板保持部１０５及び１０６に貼り合わせ
基板５０を保持させる。この際、一対の基板保持部１０
５及び１０６の保持面に吸着機構が備えられている場合
には、それを作動させて貼り合わせ基板５０を吸着して
もよいし、これに加えて、エアシリンダ１１０により貼
り合わせ基板５０に対して押圧力又は引張力を印加して
もよい。また、貼り合わせ基板５０を吸着することな
く、エアシリンダ１１０により該貼り合わせ基板５０に
押圧力を印加することにより、貼り合わせ基板５０を保
持してもよい。

【００５８】次いで、コントローラ１６０による制御の
下、噴射ノズル１２０から流体を噴射させると共に、モ
ータ１０１を駆動することにより貼り合わせ基板５０を
回転させる。また、これと並行して、前述のように、コ
ントローラ１６０による制御の下、噴射ノズル１２０及
び貼り合わせ基板５０（基板保持部１０５、１０６）の
少なくとも一方に反復運動をさせながら第１段階の分離
処理を実施し、貼り合わせ基板５０の外周部を分離す
る。これにより、例えば貼り合わせ基板５０が所定範囲
内のゆがみを有する場合であっても、その外周部分が全
周にわたって分離される。次いで、コントローラ１６０
による制御の下、反復運動を止めて、又は、反復運動の
反復量を小さくして、第２段階の分離処理により貼り合
わせ基板５０の外周部分の内側を分離層で分離する。貼
り合わせ基板５０は、典型的には、その外周部が全周に
わたって分離された後、第２段階の分離処理において数
回転した後に中心部まで完全に２枚の基板に分離され
る。

【００５９】貼り合わせ基板５０が分離されたら、エア
シリンダ１１０を作動させて下方の基板保持部１０６を
降下させる。そして、搬送ロボット等により、分離され
た２枚の基板を基板保持部１０５及び１０６から受け取
る。

【００６０】なお、本発明において、流体としては、
水、エッチング液等の液体、空気、窒素、アルゴン等の
気体、あるいは液体と気体の混合流体などを用いること
ができる。

【００６１】また、反復運動が可能な複数のノズルを用
いてもよい。例えば、第１の変位量で第１のノズルを反
復運動させながら貼り合わせ基板の外周部分を分離し、
その後、第２の変位量で第２のノズルを反復運動させな
がら貼り合わせ基板の内部の分離を行うことができる。
また、第１の変位量で第１のノズルを反復運動させなが
ら貼り合わせ基板の外周部分を分離しつつ、それと並行
して、第２の変位量で第２のノズルを反復運動させなが
ら貼り合わせ基板の内部の分離を行うことができる。

【００６２】次に上記の分離方法の適用例として基板の
製造方法を説明する。図１は、本発明の好適な実施の形
態に係るＳＯＩ構造等を有する基板の製造方法を説明す
る図である。

【００６３】まず、図１（ａ）に示す工程では、第１の
基板（seed wafer）１０を形成するための単結晶Ｓｉ基
板１１を用意して、その主表面上に分離層としての多孔
質Ｓｉ層１２を形成する。多孔質Ｓｉ層１２は、例え
ば、電解質溶液（化成液）中で単結晶Ｓｉ基板１１に陽
極化成処理を施すことによって形成することができる。

【００６４】ここで、電解質溶液としては、例えば、弗
化水素を含む溶液、弗化水素及びエタノールを含む溶
液、弗化水素及びイソプロピルアルコールを含む溶液等
が好適である。より具体的な例を挙げると、電解質溶液
としては、例えば、ＨＦ水溶液（ＨＦ濃度＝４９ｗｔ
％）とエタノールを体積比２：１で混合した混合液が好
適である。

【００６５】また、多孔質Ｓｉ層１２を互いに多孔度の
異なる２層以上の層からなる多層構造としてもよい。こ
こで、多層構造の多孔質Ｓｉ層１２は、表面側に第１の
多孔度を有する第１の多孔質Ｓｉ層、その下に、第１の
多孔度より大きい第２の多孔度を有する第２の多孔質Ｓ
ｉ層を含むことが好ましい。このような多層構造を採用
することにより、後の非多孔質層１３の形成工程におい
て、第１の多孔質Ｓｉ層上に、欠陥等の少ない非多孔質
層１３を形成することができると共に、後の分離工程に
おいて、所望の位置で貼り合わせ基板を分離することが
できる。ここで、第１の多孔度としては、１０％〜３０
％が好ましく、１５％〜２５％が更に好ましい。また、
第２の多孔度としては、３５％〜７０％が好ましく、４
０％〜６０％が更に好ましい。

【００６６】電解質溶液として上記の混合液（ＨＦ濃度
が４９ｗｔ％の弗化水素酸：エタノール＝２：１）を利
用する場合は、例えば、電流密度８ｍＡ／ｃｍ^２、処理
時間５〜１１ｍｉｎの条件で第１層（表面側）を生成
し、次いで、電流密度２３〜３３ｍＡ／ｃｍ^２、処理時
間８０ｓｅｃ〜２ｍｉｎの条件で第２層（内部側）を生
成することが好ましい。

【００６７】次いで、次の（１）〜（４）の少なくとも
１つの工程を実施することが好ましい。ここで、
（１）、（２）を順に実施することが好ましく、
（１）、（２）、（３）を順に実施すること、或いは、
（１）、（２）、（４）を順に実施することが更に好ま
しく、（１）、（２）、（３）、（４）を順に実施する
ことが最も好ましい。

【００６８】（１）多孔質Ｓｉ層の孔壁に保護膜を形成
する工程（プリ酸化工程） この工程では、多孔質Ｓｉ層１２の孔壁に酸化膜や窒化
膜等の保護膜を形成し、これにより、後の熱処理による
孔の粗大化を防止する。保護膜は、例えば、酸素雰囲気
中で熱処理（例えば、２００℃〜７００℃が好ましく、
３００℃〜５００℃が更に好ましい）を実施することに
より形成され得る。その後、多孔質Ｓｉ層１２の表面に
形成された酸化膜等を除去することが好ましい。これ
は、例えば、弗化水素を含む溶液に多孔質Ｓｉ層１２の
表面を晒すことによって実施され得る。

【００６９】（２）水素ベ−キング工程（プリベーキン
グ工程） この工程では、水素を含む還元性雰囲気中において８０
０℃〜１２００℃で、多孔質Ｓｉ層１２が形成された第
１の基板１に熱処理を実施する。この熱処理により、多
孔質Ｓｉ層１２の表面の孔をある程度封止することがで
きると共に、多孔質Ｓｉ層１２の表面に自然酸化膜が存
在する場合には、それを除去することができる。

【００７０】（３）微量原料供給工程（プリインジェク
ション工程） 多孔質Ｓｉ層１２上に非多孔質層１３を成長させる場合
は、成長の初期段階で非多孔質層１３の原料物質の供給
を微少量として、低速度で非多孔質膜１３を成長させる
ことが好ましい。このような成長方法により、多孔質Ｓ
ｉ層１２の表面の原子のマイグレーションが促進され、
多孔質Ｓｉ層１２の表面の孔を封止することができる。
具体的には、成長速度が２０ｎｍ／ｍｉｎ以下、好まし
くは１０ｎｍ／ｍｉｎ以下、より好ましくは２ｎｍ／ｍ
ｉｎ以下になるように原料の供給を制御する。

【００７１】（４）高温ベーキング工程（中間ベーキン
グ工程） 上記の水素ベーキング工程及び／又は微量原料供給工程
における処理温度よりも高い温度で、水素を含む還元性
雰囲気中で熱処理を実施することにより、多孔質Ｓｉ層
１２の更なる封止及び平坦化が実現することができる。

【００７２】次いで、図１（ｂ）に示す工程の第１段階
では、多孔質Ｓｉ層１２上に第１の非多孔質層１３を形
成する。第１の非多孔質層１３としては、単結晶Ｓｉ
層、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等のＳｉ層、Ｇｅ層、
ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、ＧａＡｓ層、ＧａＮ層、
ＡｌＧａＡｓ層、ＩｎＧａＡｓ層、ＩｎＰ層、ＩｎＡｓ
層等が好適である。勿論、第1の非多孔質層１３として
は必要に応じて上記材料層を組み合せて用いることもで
きる。例えば、多孔質Ｓｉ層１２上に非多孔質単結晶Ｓ
ｉ層、その上にＳｉＧｅ層、更にその上に非多孔質単結
晶Ｓｉ層を形成してもよい。

【００７３】次いで、図１（ｂ）に示す工程の第２段階
では、第１の非多孔質層１３の上に第２の非多孔質層と
してＳｉＯ_２層（絶縁層）１４を形成する。これにより
第１の基板１０が得られる。ＳｉＯ_２層１４は、例え
ば、Ｏ_２／Ｈ_２雰囲気、１１００℃、１０〜３３ｍｉｎ
の条件で生成され得る。

【００７４】次いで、図１（ｃ）に示す工程では、第２
の基板（handle wafer）２０を準備し、第１の基板１０
と第２の基板２０とを、第２の基板２０と絶縁層１４と
が面するように室温で密着させて貼り合わせ基板３０を
作成する。

【００７５】なお、絶縁層１４は、上記のように単結晶
Ｓｉ層１３側に形成しても良いし、第２の基板２０上に
形成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、
第１の基板と第２の基板を密着させた際に、図１（ｃ）
に示す状態になれば良い。しかしながら、上記のよう
に、絶縁層１４を活性層となる第１の非多孔質層（例え
ば、単結晶Ｓｉ層）１３側に形成することにより、第１
の基板１０と第２の基板２０との貼り合せの界面を活性
層から遠ざけることができるため、より高品位のＳＯＩ
基板等の半導体基板を得ることができる。

【００７６】基板１０、２０が完全に密着した後、両者
の結合を強固にする処理を実施することが好ましい。こ
の処理の一例としては、例えば、１）Ｎ_２雰囲気、１１
００℃、１０ｍｉｎの条件で熱処理を実施し、２）Ｏ_２
／Ｈ_２雰囲気、１１００℃、５０〜１００ｍｉｎの条件
で熱処理（酸化処理）を実施する処理が好適である。こ
の処理に加えて、或いは、この処理に代えて、陽極接合
処理及び／又は加圧処理を実施してもよい。

【００７７】第２の基板２０としては、Ｓｉ基板、Ｓｉ
基板上にＳｉＯ_２層を形成した基板、石英等の光透過性
の基板、サファイヤ等が好適である。しかし、第２の基
板２０は、貼り合わせに供される面が十分に平坦であれ
ば十分であり、他の種類の基板であってもよい。

【００７８】次いで、図１（ｄ）に示す工程では、上記
の分離方法を適用して貼り合わせ基板３０を機械的強度
が脆弱な多孔質層１２の部分で分離する。

【００７９】図１（ｅ）に示す工程では、分離後の第１
の基板１０’の単結晶Ｓｉ基板１１上の多孔質層１２ｂ
をエッチング等により選択的に除去する。このようにし
て得られる単結晶Ｓｉ基板１１は、再び第１の基板１０
を形成するための基板、又は第２の基板２０として利用
され得る。

【００８０】貼り合わせ基板としては、次のような方法
により作成されたものを採用してもよい。まず、ミラー
ウェハやエピタキシャルウェハ等の単結晶Ｓｉ基板に代
表される半導体を準備する。ここで、必要に応じて、該
基板の表面に熱酸化シリコン等の絶縁膜を形成する。次
いで、ラインビームによるイオン打ち込み法、プラズマ
イマージョン法等により、正あるいは負の水素イオン、
希ガスイオン等のイオンを該基板に注入し、表面から所
定の深さに、分離層として、比較的高濃度のイオン注入
層を形成する。このようにして第１の基板を得る。

【００８１】次いで、上記と同様の方法により作成され
た第２の基板を前述の貼り合わせ方法に従って第１の基
板と貼り合せる。これにより、移設すべき層（移設層）
を内部に有する貼り合わせ基板が得られる。

【００８２】このイオン注入層は、ひずみが生じたり、
欠陥が生じたり、或いは、注入イオンによる微小気泡が
生じて多孔質体となっていたりする。このようなイオン
注入層は、機械的強度が相対的に弱いため、分離層とし
て機能する。なお、貼り合わせ部材の分離が完全に進行
してしまわない程度に当該貼り合わせ基板を熱処理した
後、上記のような流体による分離を行ってもよい。この
場合、熱処理により貼り合わせ界面における貼り合わせ
力を高めることができる。

【００８３】ここで、分離層が貼り合わせ基板の外周に
露出していなくても、貼り合わせ基板に流体を噴きつけ
ることで分離層に引っ張り力が働くので、張り合わせ基
板は分離層を境にして分離される。

【００８４】本発明の好適な実施の形態に係る分離装置
は、上記のように、例えば陽極化成により形成された多
孔質層やイオン注入により形成されたイオン注入層のよ
うな分離層を有する貼り合わせ基板（分離対象部材の一
例）を該分離層の部分で２枚の基板に分離するために有
用である。なお、図１（ｄ）では、分離が分離層内部で
起こるように描かれているが、１２と１３の界面、及び
／又は、１１と１２の界面で分離されることもある。勿
論、分離層の層構成等を制御することにより、ほぼ１２
と１３の界面で分割されるようにすることも好ましい。
第２の基板上に移設された層１３の表面を、必要に応じ
て研磨及び／又は水素を含む雰囲気中での熱処理（水素
アニール）により表面平坦化処理することも好ましいも
のである。

【００８５】［半導体装置の例］次いで、上記の基板の
製造方法（図１参照）により製造され得る半導体基板を
利用した半導体装置及びその製造方法について図１２を
参照しながら説明する。

【００８６】図８は、本発明の好適な実施の形態に係る
基板の製造方法を適用して製造され得る半導体基板を利
用した半導体装置の製造方法を示す図である。

【００８７】まず、非多孔質層１３として半導体層、非
多孔質層１４として絶縁層を有するＳＯＩ基板を上記の
基板の製造方法を適用して製造する。そして、埋め込み
絶縁膜１４上の非多孔質半導体層（ＳＯＩ層）１３を島
状にパタニングする方法、又は、ＬＯＣＯＳと呼ばれる
酸化法等により、トランジスタを形成すべき活性領域１
３’及び素子分離領域５４を形成する（図８（ａ）参
照）。

【００８８】次いで、ＳＯＩ層の表面にゲート絶縁膜５
６を形成する（図８（ａ）参照）。ゲート絶縁膜５６の
材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、
酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、
酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化スカンジウム、酸化
イットリウム、酸化ガドリニウム、酸化ランタン、酸化
ジルコニウム、及びこれらの混合物ガラス等が好適であ
る。ゲート酸化膜５６は、例えば、ＳＯＩ層の表面を酸
化させたり、ＣＶＤ法又はＰＶＤ法によりＳＯＩ層の表
面に該当する物質を堆積させたりすることにより形成さ
れ得る。

【００８９】次いで、ゲート絶縁膜５６上にゲート電極
５５を形成する（図８（ａ）参照）。ゲート電極５５
は、例えば、Ｐ型又はＮ型不純物がドープされた多結晶
シリコンや、タングステン、モリブデン、チタン、タン
タル、アルミニウム、銅などの金属又はこれらの少なく
とも１種を含む合金や、モリブデンシリサイド、タング
ステンシリサイド、コバルトシリサイドなどの金属珪化
物や、チタンナイトライド、タングステンナイトライ
ド、タンタルナイトライドなどの金属窒化物などで構成
され得る。ゲート絶縁膜５６は、例えばポリサイドゲー
トのように、互いに異なる材料からなる複数の層を積層
して形成されてもよい。ゲート電極５５は、例えば、サ
リサイド（セルフアラインシリサイド）と呼ばれる方法
で形成されてもよいし、ダマシンゲートプロセスと呼ば
れる方法で形成してもよいし、他の方法で形成してもよ
い。以上の工程により図８（ａ）に示す構造体が得られ
る。

【００９０】次いで、燐、砒素、アンチモンなどのＮ型
不純物又はボロンなどのＰ型不純物を活性領域１３’に
導入することにより、比較的低濃度のソース、ドレイン
領域５８を形成する（図８（ｂ）参照）。不純物は、例
えば、イオン打ち込み及び熱処理などにより導入するこ
とができる。

【００９１】次いで、ゲート電極５５を覆うようにして
絶縁膜を形成した後に、これをエッチバックすることに
より、ゲート電極５９の側部にサイドウォール５９を形
成する。

【００９２】次いで、再び上記と同一の導電型の不純物
を活性領域１３’に導入し、比較的高濃度のソース、ド
レイン領域５７を形成する。以上の工程により図８
（ｂ）に示す構造体が得られる。

【００９３】次いで、ゲート電極５５の上面並びにソー
ス及びドレイン領域５７の上面に金属珪化物層６０を形
成する。金属珪化物層６０の材料としては、例えば、ニ
ッケルシリサイド、チタンシリサイド、コバルトシリサ
イド、モリブデンシリサイド、タングステンシリサイド
などが好適である。これらの珪化物は、ゲート電極５５
の上面並びにソース及びドレイン領域５７の上面を覆う
ように金属を堆積させて、その後、熱処理を施すことに
よって、該金属とその下部のシリコンとを反応させた後
に、該金属のうち未反応部分を硫酸などのエッチャント
で除去することによって形成することができる。ここ
で、必要に応じて、珪化物層の表面を窒化させてもよ
い。以上の工程により図８（ｃ）に示す構造体が得られ
る。

【００９４】次いで、シリサイド化したゲート電極の上
面並びにソース及びドレイン領域の上面を覆うように絶
縁膜６１を形成する（図８（ｄ）参照）。絶縁膜６１の
材料としては、燐及び／又はボロンを含む酸化シリコン
などが好適である。

【００９５】次いで、必要に応じて、ＣＭＰ法により絶
縁膜６１にコンタクトホールを形成する。ＫｒＦエキシ
マレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ_２エキシマレー
ザ、電子ビーム、Ｘ線等を利用したフォトリソグラフィ
ー技術を適用すると、一辺が０．２５ミクロン未満の矩
形のコンタクトホール、又は、直径が０．２５ミクロン
未満の円形のコンタクトホールを形成することができ
る。

【００９６】次いで、コンタクトホール内に導電体を充
填する。導電体の充填方法としては、バリアメタル６２
となる高融点金属やその窒化物の膜をコンタクトホール
の内壁に形成した後に、タングステン合金、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、銅、銅合金などの導電体６３
を、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、めっき法などを利用して堆積
させる方法が好適である。ここで、絶縁膜６１の上面よ
りも高く堆積した導電体をエッチバック法やＣＭＰ法に
より除去してもよい。また、導電体の充填に先立って、
コンタクトホールの底部に露出したソース及びドレイン
領域の珪化物層の表面を窒化させてもよい。以上の工程
によりＳＯＩ層にＦＥＴ等のトランジスタを作り込むこ
とができ、図８（ｄ）に示す構造のトランジスタを有す
る半導体装置が得られる。

【００９７】ここで、ゲート電極に電圧を印加してゲー
ト絶縁膜下に広がる空乏層が埋め込み絶縁膜１４の上面
に届くように活性層（ＳＯＩ層）１０’の厚さ及び不純
物濃度を定めると、形成されたトランジスタは、完全空
乏型トランジスタとして動作する。また、空乏層が埋め
込み酸化膜１４の上面に届かないように活性層（ＳＯＩ
層）１０’の厚さ及び不純物濃度を定めると、形成され
たトランジスタは、部分空乏型トランジスタとして動作
する。

【００９８】

【発明の効果】本発明によれば、例えば、貼り合わせ基
板等の、分離層を有する部材の分離において、例えば、
該部材のゆがみや、該部材を保持する際の精度の不足等
に関らず、該部材が適正に分離されることを保証するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ構造等
を有する基板の製造方法を説明する図である。

【図２】本発明の好適な実施の形態に係る分離装置の構
成を示す図である。

【図３】ノズル及び貼り合わせ基板を拡大して示した図
である。

【図４】第１段階の分離処理を示す図である。

【図５】第２段階の分離処理を示す図である。

【図６】基板保持部（貼り合わせ基板）に反復運動をさ
せながら貼り合わせ基板を分離する様子を示す図であ
る。

【図７】噴射ノズルに首振り運動及び往復運動を伴う反
復運動をさせる機構を備えた反復駆動機構を示す図であ
る。

【図８】本発明の好適な実施の形態に係る基板の製造方
法を適用して製造され得る半導

【図９】ゆがみの大きな貼り合わせ基板を多孔質層の部
分で２枚の基板に分離する様子を示す図である。

【符号の説明】

１０ 第１の基板 １１ 単結晶Ｓｉ基板 １２ 多孔質Ｓｉ層 １３ 第１の非多孔質層 １４ 第２の非多孔質層 ２０ 第２の基板 ５０ 貼り合わせ基板 １４０ 反復駆動機構

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江田 光治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 藤本 亮 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F032 AA06 AA13 CA17 DA53 DA71 DA74 DA78 5F110 AA30 CC02 DD05 DD13 EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EE09 EE32 FF01 FF02 FF03 FF04 FF22 FF29 GG02 GG12 HJ01 HJ13 HK05 HL02 HL04 HL11 HL21 HL24 HM15 NN02 NN25 NN26 NN62 QQ11 QQ17 QQ19

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部に分離層を有する部材を噴流により
   分離する分離方法であって、 前記部材の少なくとも外周部分を分離する際に、前記噴
   流を形成する噴射ノズル及び前記部材の少なくとも一方
   に反復運動をさせる制御工程を有することを特徴とする
   分離方法。
2. 【請求項２】 前記制御工程では、前記部材の前記分離
   層に直交する方向に、前記噴流を形成する噴射ノズル及
   び前記部材の少なくとも一方に往復運動をさせることを
   特徴とする請求項１に記載の分離方法。
3. 【請求項３】 前記制御工程では、前記噴流を形成する
   噴射ノズルに首振り運動を含む運動をさせることを特徴
   とする請求項１又は請求項２に記載の分離方法。
4. 【請求項４】 前記分離層に直交する軸を中心として前
   記部材を回転させることを特徴とする請求項１乃至請求
   項３のいずれか１項に記載の分離方法。
5. 【請求項５】 前記部材の回転の周期は、前記反復運動
   の周期の５０倍以上であることを特徴とする請求項４に
   記載の分離方法。
6. 【請求項６】 前記制御工程では、前記部材の外周部分
   が実質的に全周にわたって分離されるまで、前記噴流を
   形成する噴射ノズル及び前記部材の少なくとも一方に反
   復運動をさせることを特徴とする請求項１乃至請求項５
   のいずれか１項に記載の分離方法。
7. 【請求項７】 前記制御工程は、前記部材の外周部分が
   実質的に全周にわたって分離された後に、前記反復運動
   を停止させる工程を有することを特徴とする請求項６に
   記載の分離方法。
8. 【請求項８】 前記部材は、分離層上に半導体層を有す
   るシード基板と、ハンドル基板とを、絶縁層を介在させ
   て貼り合わせて得られる貼り合わせ基板であることを特
   徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の
   分離方法。
9. 【請求項９】 前記噴流は、噴射部から液体又は気体を
   噴射させて得られることを特徴とする請求項１乃至請求
   項８に記載の分離方法。
10. 【請求項１０】 前記部材の外周部分は、前記分離層の
    部分で分離されることを特徴とする請求項１乃至請求項
    ９に記載の分離方法。
11. 【請求項１１】 内部に分離層を有する部材を噴流によ
    り分離する分離装置であって、 部材を保持する保持部と、 噴流を形成する噴射ノズルと、 前記部材の少なくとも外周部分を前記分離層の部分で分
    離する際に、前記噴射ノズル及び前記部材を保持した前
    記保持部の少なくとも一方に反復運動をさせる駆動機構
    と、 を備えることを特徴とする分離装置。
12. 【請求項１２】 前記駆動機構は、前記保持部の保持面
    に直交する方向に、前記噴射ノズル及び前記部材の少な
    くとも一方に往復運動をさせることを特徴とする請求項
    １１に記載の分離装置。
13. 【請求項１３】 前記駆動機構は、前記噴射ノズルに首
    振り運動を含む運動をさせることを特徴とする請求項１
    １又は請求項１２に記載の分離装置。
14. 【請求項１４】 前記分離層に直交する軸を中心とし
    て、前記部材を保持した前記保持部を回転させる回転機
    構を更に備えることを特徴とする請求項１１乃至請求項
    １３のいずれか１項に記載の分離装置。
15. 【請求項１５】 前記回転の周期は、前記反復運動の周
    期の５０倍以上であることを特徴とする請求項１４に記
    載の分離装置。
16. 【請求項１６】 前記駆動機構は、前記部材の外周部分
    が実質的に全周にわたって分離されるまで、前記噴射ノ
    ズル及び前記部材を保持した前記保持部の少なくとも一
    方に反復運動をさせることを特徴とする請求項１１乃至
    請求項１５のいずれか１項に記載の分離装置。
17. 【請求項１７】 前記駆動機構は、前記部材の外周部分
    が実質的に全周にわたって分離された後に、前記反復運
    動を停止することを特徴とする請求項１６に記載の分離
    装置。
18. 【請求項１８】 前記部材は、分離層上に半導体層を有
    するシード基板と、ハンドル基板とを、絶縁層を介在さ
    せて貼り合わせて得られる貼り合わせ基板であることを
    特徴とする請求項１１乃至請求項１７のいずれか１項に
    記載の分離装置。
19. 【請求項１９】 前記噴流は、噴射部から液体又は気体
    を噴射させて得られることを特徴とする請求項１１乃至
    請求項１８に記載の分離装置。
20. 【請求項２０】 半導体基板の製造方法であって、 内部に分離層を有し、その上に移設層を有する第１の基
    板の表面と、第２の基板とを貼り合わせて、分離対象の
    部材としての貼り合わせ基板を作成する工程と、 請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の分離方
    法を適用して前記貼り合わせ基板を分離層の部分で分離
    する工程と、 を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
21. 【請求項２１】 半導体装置の製造方法であって、 請求項１９に記載の製造方法を適用して製造されたＳＯ
    Ｉ基板を準備する工程と、 前記ＳＯＩ基板のＳＯＩ層を素子分離して、素子分離さ
    れたＳＯＩ層にトランジスタを作り込む工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
22. 【請求項２２】 前記トランジスタは、部分空乏型のＦ
    ＥＴであることを特徴とする請求項２１に記載の半導体
    装置の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記トランジスタは、完全空乏型のＦ
    ＥＴであることを特徴とする請求項２１に記載の半導体
    装置の製造方法。