KR102454030B1 - 웨이퍼의 생성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 상면이 c면과 일치하는 육방정 단결정 웨이퍼로부터 상면에 소정의 오프각을 갖는 육방정 단결정 웨이퍼를 경제적으로 생성할 수 있는 웨이퍼의 생성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
c면이 상면에 노출되고 c면과 직교하는 c축을 갖는 육방정 단결정 잉곳으로부터 α의 오프각을 갖는 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 방법으로서, 쐐기 각도 α의 쐐기형 부재를 통해 지지 테이블로 상기 육방정 단결정 잉곳을 지지하고, 상기 상면을 수평면에 대하여 오프각(α)만큼 경사지게 하는 지지 단계와, 상기 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 상기 상면으로부터 제1 깊이에 위치시킴과 더불어, 상기 집광점과 상기 육방정 단결정 잉곳을 상기 오프각(α)이 형성되는 제2 방향과 직교하는 제1 방향으로 상대적으로 이동시켜 레이저 빔을 상기 상면으로 조사하고, 상기 육방정 단결정 잉곳의 내부에 직선형의 개질층과 상기 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 크랙을 형성하는 개질층 형성 단계와, 상기 제2 방향으로 상기 집광점을 상대적으로 이동시켜 소정량 인덱싱 이송하는 인덱싱 단계를 포함한다.

Description

웨이퍼의 생성 방법{WAFER PRODUCING METHOD}
본 발명은, 육방정 단결정 잉곳을 웨이퍼형으로 슬라이스하는 웨이퍼의 생성 방법에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 각종 디바이스는, 실리콘 등을 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층을 적층하고, 이 기능층에 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 형성된다. 그리고, 절삭 장치, 레이저 가공 장치 등의 가공 장치에 의해 웨이퍼의 분할 예정 라인에 가공이 행해지고, 웨이퍼가 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 디바이스 칩은 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 각종 전자기기에 널리 이용되고 있다.
또한, 파워 디바이스 또는 LED, LD 등의 광 디바이스는, SiC, GaN 등의 육방정 단결정을 소재로 한 웨이퍼의 표면에 기능층이 적층되고, 적층된 기능층에 격자형으로 형성된 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된다.
디바이스가 형성되는 웨이퍼는, 일반적으로 잉곳을 와이어 톱으로 슬라이스하여 생성되고, 슬라이스된 웨이퍼의 표리면을 연마하여 경면으로 마무리된다(예컨대, 일본 특허 공개 제2000-94221호 공보 참조).
이 와이어 톱에서는, 직경 약 100∼300 ㎛의 피아노 선 등의 1줄의 와이어를 통상 2∼4줄의 간격으로 보조 롤러 상에 형성된 다수의 홈에 감아, 일정 피치로 서로 평행하게 배치하여 와이어를 일정 방향 또는 양방향으로 주행시켜, 잉곳을 복수의 웨이퍼로 슬라이스한다.
육방정 단결정 잉곳 등의 잉곳은, 원자가 평면형으로 성장하는 무수한 c면과, c면에 직교하는 방향으로 원자가 적층되도록 성장하는 c축을 포함하고 있다. 육방정 단결정 잉곳에서는, 일반적으로, c면이 상면에 노출되고, c축이 수직이 되도록 잉곳이 제조된다.
기판이 되는 웨이퍼의 상면에 적층되는 기능층과의 상성(相性)을 좋게 하기 위해서, c면에 대하여 3.5°, 4.0°, 8.0° 등으로 기능층의 종류에 따라 오프각을 갖는 상면이 웨이퍼에 형성되도록, 종래에는 c축에 대하여 3.5°, 4.0°, 8.0° 기운 방향으로부터 제조된 육방정 단결정 잉곳을 원주형으로 가공하고, 이 가공된 육방정 단결정 잉곳을 슬라이스함으로써 필요로 하는 육방정 단결정 웨이퍼를 제조하고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2000-94221호 공보
그러나, 잉곳을 와이어 톱으로 절단하고, 표리면을 연마하여 웨이퍼를 생성하면, 잉곳의 70∼80%가 버려지게 되어, 비경제적이이라는 문제가 있다. 특히, SiC, GaN 등의 육방정 단결정 잉곳은 모스 경도가 높아, 와이어 톱에 의한 절단이 곤란하고 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있다.
또한, 결정 성장에 의해 제조되는 상면에 c면을 갖는 육방정 단결정 잉곳을 가공하여, 상면이 c면에 대하여 3.5°, 4.0°, 8.0° 기운 원주형의 육방정 단결정 잉곳을 제조하고, 이와 같이 원주형으로 가공된 육방정 단결정 잉곳을 슬라이스하여 육방정 단결정 웨이퍼를 제조하면, 결정 성장으로 제조된 원래의 육방정 단결정 잉곳으로부터 상면이 c면에 대하여 소정 각도 기운 원주형 육방정 단결정 잉곳을 제조할 때에, 고가의 잉곳으로부터 많은 단재(端材)가 배출되어 비경제적이라는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 상면이 c면과 일치하는 육방정 단결정 웨이퍼로부터 상면에 소정의 오프각을 갖는 육방정 단결정 웨이퍼를 경제적으로 생성할 수 있는 웨이퍼의 생성 방법을 제공하는 것이다.
제1항에 기재된 발명에 따르면, c면이 상면에 노출되고 c면과 직교하는 c축을 갖는 육방정 단결정 잉곳으로부터 α의 오프각을 갖는 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 방법으로서, 쐐기 각도 α의 쐐기형 부재를 통해 지지 테이블로 상기 육방정 단결정 잉곳을 지지하고, 상기 상면을 수평면에 대하여 오프각(α)만큼 경사지게 하는 지지 단계와, 상기 지지 단계를 실시한 후, 상기 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 상기 상면으로부터 제1 깊이에 위치시킴과 더불어, 상기 집광점과 상기 육방정 단결정 잉곳을 상기 오프각(α)이 형성되는 제2 방향과 직교하는 제1 방향으로 상대적으로 이동시켜 레이저 빔을 상기 상면으로 조사하고, 상기 육방정 단결정 잉곳의 내부에 직선형의 제1 개질층과 상기 제1 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 제1 크랙을 형성하는 제1 개질층 형성 단계와, 상기 제2 방향으로 상기 집광점을 상대적으로 이동시켜 소정량 인덱싱 이송하는 제1 인덱싱 단계와, 상기 육방정 단결정 잉곳의 내부에 형성된 상기 제1 개질층과 상기 제1 크랙을 기점으로 하여, 초기 웨이퍼를 상기 육방정 단결정 잉곳으로부터 박리하는 초기 웨이퍼 박리 단계를 포함하고, 상기 제1 개질층 형성 단계에 있어서, 인덱싱 이송하는 간격을 L로 한 경우, L은 인접하는 상기 직선형의 제1 개질층으로부터 상기 c면을 따라 신장되는 인접하는 상기 제1 크랙이 겹치는 길이 이하로 설정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 생성 방법이 제공된다.
바람직하게는, 웨이퍼의 생성 방법은, 상기 초기 웨이퍼 박리 단계를 실시한 후, 상기 초기 웨이퍼가 박리되어 노출된 상면으로부터 상기 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 생성될 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시킴과 더불어, 상기 집광점과 상기 육방정 단결정 잉곳을 상대적으로 이동시켜 레이저 빔을 상기 노출된 상면으로 조사하고, 상기 노출된 상면에 평행한 제2 개질층 및 상기 제2 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 제2 크랙을 형성하여 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 단계와, 상기 분리 기점 형성 단계를 실시한 후, 상기 분리 기점으로부터 웨이퍼의 두께에 상당하는 판상물을 상기 육방정 단결정 잉곳으로부터 박리하여 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 박리 단계를 더 포함하고, 상기 분리 기점 형성 단계는, 상기 제2 방향과 직교하는 상기 제1 방향으로 레이저 빔의 집광점을 상대적으로 이동시켜 상기 제1 방향으로 신장되는 직선형의 상기 제2 개질층을 형성하는 제2 개질층 형성 단계와, 상기 제2 방향으로 상기 집광점을 상대적으로 이동시켜 상기 소정량 인덱싱 이송하는 제2 인덱싱 단계를 포함한다.
바람직하게는, 웨이퍼의 생성 방법은, 상기 분리 기점 형성 단계를 실시하기 전에, 상기 제1 개질층과 상기 제1 크랙 또는 상기 제2 개질층과 상기 제2 크랙이 노출되어 c면으로부터 오프각(α)만큼 경사진 상기 육방정 단결정 잉곳의 노출된 상기 상면을 연삭하여 평탄화하는 평탄화 단계를 더 포함하고 있다.
청구항 4에 기재된 발명에 따르면, c면이 상면에 노출되고 상기 c면과 직교하는 c축을 갖는 육방정 단결정 잉곳으로부터 α의 오프각을 갖는 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 방법으로서, 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 상기 상면으로부터 제1 깊이에 위치시킴과 더불어, 상기 집광점과 상기 육방정 단결정 잉곳을 상대적으로 이동시켜 레이저 빔을 상기 상면으로 조사하고, 상기 육방정 단결정 잉곳 내부에 직선형의 제1 개질층과 상기 제1 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 제1 크랙을 형성하는 제1 개질층 형성 단계와, 상기 제1 개질층 형성 단계를 실시한 후, 상기 직선형의 제1 개질층에 대하여 직교하는 방향으로 상기 육방정 단결정 잉곳과 상기 집광점을 상대적으로 인덱싱 이송한 후, 상기 집광점을 제2 깊이에 위치시켜 레이저 빔을 조사하고, 상기 육방정 단결정 잉곳과 상기 집광점을 상대적으로 가공 이송하여 상기 육방정 단결정 잉곳 내부에 상기 직선형의 제1 개질층에 평행한 직선형의 제2 개질층과 상기 제2 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 제2 크랙을 형성하는 제2 개질층 형성 단계로서, 인덱싱 이송하는 간격을 L로 한 경우, L은 상기 직선형의 제1 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 상기 제1 크랙과 상기 직선형의 제2 개질층으로부터 c면을 따라 상기 제1 크랙에 대향하여 신장되는 상기 제2 크랙이 겹치는 길이 이하로 설정되고, 상기 집광점이 위치하게 되는 상기 제1 깊이와 상기 제2 깊이의 c축 방향의 차를 h로 한 경우, h=L·tanα로 설정되는 것인, 제2 개질층 형성 단계와, tanα의 구배로 규정되는 직선과 인덱싱 간격 L과의 교점에 레이저 빔의 집광점을 순차적으로 내리면서 상기 제2 개질층 형성 단계를 순차적으로 반복하여 실시하고, 생성될 웨이퍼의 전체면에 대응하도록 상기 제2 개질층과 상기 제2 크랙을 형성하는 제2 개질층 형성 반복 단계와, 상기 육방정 단결정 잉곳의 내부에 형성된 상기 제1 및 제2 개질층과 상기 제1 및 제2 크랙을 기점으로 하여, 초기 웨이퍼를 상기 육방정 단결정 잉곳으로부터 박리하는 초기 웨이퍼 박리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 생성 방법이 제공된다.
바람직하게는, 웨이퍼의 생성 방법은, 상기 초기 웨이퍼 박리 단계를 실시한 후, 상기 초기 웨이퍼가 박리되어 노출된 상면으로부터 상기 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시킴과 더불어, 상기 집광점과 상기 육방정 단결정 잉곳을 상대적으로 이동시켜 레이저 빔을 조사하고, 상기 노출된 상면에 평행한 제3 개질층 및 상기 제3 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 제3 크랙을 형성하여 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 단계와, 상기 분리 기점 형성 단계를 실시한 후, 상기 분리 기점으로부터 웨이퍼의 두께에 상당하는 판상물을 상기 육방정 단결정 잉곳으로부터 박리하여 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 박리 단계를 더 포함하고, 상기 분리 기점 형성 단계는, 오프각(α)이 형성되는 제2 방향과 직교하는 제1 방향으로 레이저 빔의 집광점을 상대적으로 이동시켜 직선형의 상기 제3 개질층을 형성하는 제3 개질층 형성 단계와, 상기 제2 방향으로 상기 집광점을 상대적으로 이동시켜 상기 소정량 인덱싱 이송함과 더불어, tanα의 구배로 규정되는 직선과 인덱싱 간격과의 교점에 레이저 빔의 집광점을 위치시키는 인덱싱 단계를 포함한다.
본 발명의 웨이퍼의 생성 방법에 따르면, 결정 성장에 의해 제조된 육방정 단결정 잉곳으로부터 가공되는 육방정 단결정 잉곳의 측면이 c축에 대하여 3.5°, 4.0°, 8.0°로 기울도록, 결정 성장으로 얻어진 육방정 단결정 잉곳을 원주형으로 가공할 필요가 없기 때문에, 육방정 단결정 잉곳에 낭비를 발생시키지 않아 경제적이다.
또한, 레이저 빔의 조사에 의해 육방정 단결정 잉곳의 내부에 개질층 및 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 크랙으로 이루어지는 분리 기점을 형성하고, 이 분리 기점으로부터 웨이퍼를 박리하여 웨이퍼를 생성하기 때문에, 잉곳을 와이어 톱으로 절단하여 웨이퍼를 생성할 필요가 없기 때문에, 잉곳의 50∼70%가 버려지는 일이 없어 경제성이 더욱 향상된다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼의 생성 방법을 실시하는 데 알맞은 레이저 가공 장치의 사시도이다.
도 2는 레이저 빔 발생 유닛의 블록도이다.
도 3은 지지 단계를 나타낸 분해 사시도이다.
도 4의 (A)는 지지 단계의 사시도, 도 4의 (B)는 지지 단계의 정면도이다.
도 5는 제1 개질층 형성 단계를 설명한 사시도이다.
도 6은 제1 개질층 형성 단계 및 제1 인덱싱 단계를 설명한 모식적 정면 단면도이다.
도 7의 (A)는 제1 인덱싱 단계를 설명한 모식적 평면도, 도 7의 (B)는 인덱싱 이송량을 설명한 모식적 단면도이다.
도 8은 초기 웨이퍼 박리 단계를 설명한 사시도이다.
도 9는 초기 웨이퍼 박리 단계를 설명한 모식적 정면 단면도이다.
도 10은 초기 웨이퍼 박리 후의 잉곳의 노출면을 나타낸 사시도이다.
도 11은 평탄화 단계를 나타낸 사시도이다.
도 12는 분리 기점 형성 단계를 설명한 모식적 정면 단면도이다.
도 13은 웨이퍼 박리 단계를 나타낸 모식적 정면 단면도이다.
도 14는 본 발명 제2 실시형태의 지지 단계를 나타낸 사시도이다.
도 15는 제2 실시형태의 제1 개질층 형성 단계, 제2 개질층 형성 단계 및 제2 개질층 형성 반복 단계를 설명한 모식적 정면 단면도이다.
도 16은 제2 실시형태의 분리 기점 형성 단계를 나타낸 모식적 정면 단면도이다.
도 17은 제2 실시형태의 웨이퍼 박리 단계를 나타낸 모식적 정면 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 웨이퍼의 생성 방법을 실시하는 데 알맞은 레이저 가공 장치(2)의 사시도가 도시되어 있다. 레이저 가공 장치(2)는, 정지 베이스(4) 상에 X축 방향으로 이동 가능하게 탑재된 제1 슬라이드 블록(6)을 포함하고 있다.
제1 슬라이드 블록(6)은, 볼나사(8) 및 펄스 모터(10)로 구성되는 가공 이송 기구(12)에 의해 한 쌍의 가이드 레일(14)을 따라 가공 이송 방향, 즉 X축 방향으로 이동하게 된다.
제1 슬라이드 블록(6) 상에는 제2 슬라이드 블록(16)이 Y축 방향으로 이동 가능하게 탑재되어 있다. 즉, 제2 슬라이드 블록(16)은 볼나사(18) 및 펄스 모터(20)로 구성되는 인덱싱 이송 기구(22)에 의해 한 쌍의 가이드 레일(24)을 따라 인덱싱 이송 방향, 즉 Y축 방향으로 이동하게 된다.
제2 슬라이드 블록(16) 상에는 지지 테이블(26)이 탑재되어 있다. 지지 테이블(26)은 가공 이송 기구(12) 및 인덱싱 이송 기구(22)에 의해 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동 가능함과 더불어, 제2 슬라이드 블록(16) 내에 수용된 모터에 의해 회전된다.
정지 베이스(4)에는 칼럼(28)이 세워져 있고, 이 칼럼(28)에 레이저 빔 조사 기구(레이저 빔 조사 수단)(30)가 부착되어 있다. 레이저 빔 조사 기구(30)는, 케이싱(32) 내에 수용된 도 2에 도시된 레이저 빔 발생 유닛(34)과, 케이싱(32)의 선단에 부착된 집광기(레이저 헤드)(36)로 구성된다. 케이싱(32)의 선단에는, 집광기(36)와 X축 방향으로 정렬되며 그리고 현미경 및 카메라를 갖는, 촬상 유닛(38)이 부착되어 있다.
레이저 빔 발생 유닛(34)은, 도 2에 도시된 바와 같이, YAG 레이저 또는 YVO4 레이저를 발진하는 레이저 발진기(40)와, 반복 주파수 설정 수단(42)과, 펄스폭 조정 수단(44)과, 파워 조정 수단(46)을 포함하고 있다. 특별히 도시하지 않지만, 레이저 발진기(40)는 브루스터 창(Brewster window)을 갖고 있고, 레이저 발진기(40)로부터 출사되는 레이저 빔은 직선 편광의 레이저 빔이다.
레이저 빔 발생 유닛(34)의 파워 조정 수단(46)에 의해 소정 파워로 조정된 펄스 레이저 빔은, 집광기(36)의 미러(48)에 의해 반사되고, 또한 집광 렌즈(50)에 의해 지지 테이블(26)에 고정된 피가공물인 육방정 단결정 잉곳(11)의 내부에 집광점을 위치시켜 조사된다. 집광기(36)는 상하 방향(Z축 방향)으로 미동 가능하도록 케이싱(32)에 부착되어 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명 제1 실시형태의 웨이퍼의 생성 방법에 있어서의 지지 단계를 나타낸 분해 사시도가 도시되어 있다. 도 4의 (A)는 지지 단계를 나타낸 사시도, 도 4의 (B)는 지지 단계를 나타낸 정면도이다.
도면 부호 11은 가공 대상물인 육방정 단결정 잉곳(이하, 단순히 잉곳이라 약칭하는 경우가 있음)이고, c면이 상면(11a)에 노출되어 있다. 따라서, 잉곳(11)의 c면과 직교하는 c축은 잉곳(11)의 수직 방향으로 신장되어 있다. 육방정 단결정 잉곳(11)은, SiC 잉곳, 또는 GaN 잉곳으로 구성된다.
본 발명 제1 실시형태의 웨이퍼의 생성 방법은, c면이 상면(11a)에 노출된 잉곳(11)으로부터 α의 오프각을 갖는 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 방법으로서, 우선, 쐐기 각도 α의 쐐기형 부재(13)를 통해 지지면이 수평인 지지 테이블(26)로 잉곳(11)을 지지하는 지지 단계를 실시한다.
이 지지 단계를 실시함으로써, 잉곳(11)은 그 상면(11a)이 수평면에 대하여 오프각(α)만큼 경사져서 지지 테이블(26)에 지지된다. 본 실시형태에서는, 오프각(α)은 4°로 설정되어 있다.
그러나, 오프각(α)은 4°로 한정되지 않고, 예컨대 1°∼8°의 범위에서 자유롭게 설정하여, 오프각에 대응하는 소정의 쐐기 각도를 갖는 쐐기형 부재(13)를 통해 잉곳(11)을 지지 테이블(26)로 지지할 수 있다. 쐐기형 부재(13)의 지지 테이블(26)에 대한 고정 및 잉곳(11)의 쐐기형 부재(13)에 대한 고정은 예컨대 왁스 또는 접착제를 사용한다.
도 1을 다시 참조하면, 정지 베이스(4)의 좌측에는 칼럼(52)이 고정되어 있고, 이 칼럼(52)에는 칼럼(52)에 형성된 개구(53)를 통해 압박 기구(54)가 상하 방향으로 이동 가능하게 탑재되어 있다.
본 실시형태의 웨이퍼의 생성 방법에서는, 도 5에 도시된 바와 같이, 오프각(α)이 Y축 방향으로 형성되도록 잉곳(11)을 쐐기형 부재(13)를 통해 지지 테이블(26)로 지지하고, 집광기(36)를 X축 방향으로 상대 이동시키면서 레이저 빔(LB)을 조사하여, 잉곳(11)의 내부에 직선형의 제1 개질층(19)과 제1 개질층(19)으로부터 c면을 따라 신장되는 제1 크랙(21)을 형성하는 제1 개질층 형성 단계를 실시한다.
그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 오프각(α)이 형성되는 방향으로 레이저 빔(LB)의 집광점을 상대적으로 이동시켜 소정량 인덱싱 이송하는 제1 인덱싱 단계를 실시한 후, 레이저 빔(LB)의 집광점의 높이 위치를 바꾸지 않고 제1 개질층 형성 단계를 재차 실시한다.
이 소정량의 인덱싱 이송과 제1 개질층 형성 단계를 차례 차례로 실시하여, 잉곳(11)의 횡단면 전체면에 제1 개질층(19) 및 제1 크랙(21)을 형성한다. 제1 개질층 형성 단계에 있어서, 도 7의 (A)에 도시된 바와 같이, 인덱싱 이송하는 간격을 L로 하면, 도 7의 (B)에 도시된 바와 같이, 인덱싱 이송하는 간격 L은, 인접하는 2개의 직선형의 개질층(19)으로부터 c면을 따라 신장되는 인접하는 제1 크랙(21)이 겹치는 길이 이하로 설정된다. 바람직하게는, 인접하는 제1 크랙(21)의 높이 방향의 간격(h)은 50 ㎛ 이하가 되도록 설정된다.
본 실시형태의 웨이퍼의 생성 방법에서는, 집광기(36)로부터 출사되는 레이저 빔의 주사 방향을, 쐐기형 부재(13)를 통해 지지 테이블(26)에 지지된 잉곳(11)의 오프각(α)이 형성되는 Y축 방향과 직교하는 X축 방향으로 한 것이 중요하다.
레이저 빔의 주사 방향을 이러한 방향으로 설정함으로써, 잉곳(11)의 내부에 형성되는 개질층(19)으로부터 전파되는 크랙(21)을 c면을 따라 매우 길게 신장시킬 수 있다.
여기서, 바람직한 실시형태의 레이저 가공 조건은 이하와 같이 설정된다.
광원 : Nd:YAG 펄스 레이저
파장 : 1064 ㎚
반복 주파수 : 80 kHz
평균 출력 : 3.2 W
펄스 폭 : 4 ns
스폿 직경 : 10 ㎛
집광 렌즈의 개구수(NA) : 0.45
인덱싱량 : 250 ㎛
소정량 인덱싱 이송하면서, 잉곳(11)의 단면의 전체 영역의 위치에 복수의 제1 개질층(19) 및 제1 개질층(19)으로부터 c면을 따라 신장되는 제1 크랙(21)의 형성이 종료되면, 외력을 부여하여 제1 개질층(19) 및 제1 크랙(21)으로 이루어지는 분리 기점으로부터 초기 웨이퍼를 박리하는 초기 웨이퍼 박리 단계를 실시한다.
이 초기 웨이퍼 박리 단계는, 예컨대 도 8에 도시된 바와 같은 압박 기구(54)에 의해 실시한다. 압박 기구(54)는, 칼럼(52) 내에 내장된 이동 기구에 의해 상하 방향으로 이동하는 헤드(56)와, 헤드(56)에 대하여 틸팅 가능하게, 또한 도 8의 (B)에 도시된 바와 같이, 화살표(R) 방향으로 회전 가능하게 설치된 압박 부재(58)를 포함한다.
도 8의 (A)에 도시된 바와 같이, 압박 기구(54)를 지지 테이블(26)에 쐐기형 부재(13)를 통해 고정된 잉곳(11)의 위쪽에 위치시키고, 압박 부재(58)를 틸팅시켜 압박 부재(58)를 잉곳(11)의 상면(11a)에 압접시킨다.
압박 부재(58)를 잉곳(11)의 상면(11a)에 압접시킨 상태에서, 압박 부재(58)를 화살표(R) 방향으로 회전시키면, 잉곳(11)에는 비틀림 응력이 발생하고, 제1 개질층(19) 및 제1 크랙(21)이 형성된 분리 기점으로부터 잉곳(11)이 파단되며, 도 9에 도시된 바와 같이, 잉곳(11)으로부터 초기 웨이퍼(23)가 박리된다(초기 웨이퍼 박리 단계). 초기 웨이퍼(23)는 파기한다.
이 초기 웨이퍼 박리 단계를 실시하면, 잉곳(11)의 노출된 상면(11s)에는 제1 개질층(19) 및 제1 크랙(21)의 일부가 잔존하여 다소 거칠어진 면이 된다. 따라서, 이 다소 거칠어진 면을 연삭에 의해 평탄화하는 평탄화 단계를 실시하는 것이 바람직하다.
평탄화 단계에서는, 잉곳(11)을 레이저 가공 장치(2)의 지지 테이블(26)로부터 박리한 후, 도 11에 도시된 바와 같이, 쐐기형 부재(13)를 통해 잉곳(11)을 연삭 장치의 척 테이블(74)에 의해 흡인 유지한다. 잉곳(11)을 오프각(α)을 갖는 쐐기형 부재(13)를 통해 척 테이블(74)에 의해 흡인 유지하였기 때문에, 초기 웨이퍼 박리 후의 잉곳(11)의 상면(11s)은 수평면이 된다.
도 11에 있어서, 연삭 유닛(60)은, 모터에 의해 회전 구동되는 스핀들(62)과, 스핀들(62)의 선단에 고정되는 휠마운트(64)와, 휠마운트(64)에 복수의 나사(66)에 의해 착탈 가능하게 장착되는 연삭휠(68)을 포함한다. 연삭휠(68)은, 환상의 휠베이스(70)와, 휠베이스(70)의 외주부 하측에 고착된 복수의 연삭 지석(72)으로 구성된다.
평탄화 단계에서는, 척 테이블(74)을 화살표(a) 방향으로 예컨대 300 rpm으로 회전시키고, 연삭휠(68)을 화살표(b) 방향으로 예컨대 1000 rpm으로 회전시킴과 더불어, 도시하지 않은 연삭 유닛 이송 기구의 펄스 모터를 정회전 구동하여 연삭 유닛(60)을 하강시킨다.
그리고, 연삭휠(68)의 연삭 지석(72)을 척 테이블(74)에 의해 유지된 잉곳(11)의 노출된 상면(11s)에 소정의 하중으로 압박함으로써, 잉곳(11)의 상면(11s)이 연삭되어 평탄화된다. 이 평탄화 단계 실시 후, 바람직하게는 평탄화된 상면(11s)을 연마하여 도 12에 도시된 바와 같은 경면(11f)으로 가공하는 것이 바람직하다.
초기 웨이퍼 박리 단계를 실시한 후, 도 12에 도시된 바와 같이, 초기 웨이퍼(23)가 박리되고, 전술한 평탄화 단계가 실시되며, 더욱 바람직하게는 경면 가공된 상면(11f)으로부터 잉곳(11)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 생성될 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시킴과 더불어, 집광점과 잉곳(11)을 상대적으로 이동시켜 레이저 빔(LB)을 노출된 상면(11f)으로 조사하고, 노출된 상면(11f)에 평행한 개질층(제2 개질층)(19) 및 개질층(19)으로부터 c면을 따라 신장되는 크랙(제2 크랙)(21)을 형성하여 분리 기점으로 하는 분리 기점 형성 단계를 실시한다.
이 분리 기점 형성 단계는, 오프각(α)이 형성되는 제2 방향과 직교하는 제1 방향으로 레이저 빔(LB)의 집광점을 상대적으로 이동시켜 직선형의 개질층(제2 개질층)(19)을 형성하는 제2 개질층 형성 단계와, 제2 방향으로 집광점을 상대적으로 이동시켜 소정량 인덱싱 이송하는 제2 인덱싱 단계를 포함하고 있다.
분리 기점 형성 단계를 생성될 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이의 전체 영역에 실시한 후, 분리 기점으로부터 웨이퍼(25)의 두께에 상당하는 판상물을 잉곳(11)으로부터 박리하여 웨이퍼(25)를 생성하는 웨이퍼 박리 단계를 실시한다.
이 웨이퍼 박리 단계는, 예컨대, 도 8을 참조하여 설명한 초기 웨이퍼 박리 단계에서 사용한 압박 기구(54)를 사용하여 실시한다. 압박 부재(58)를 잉곳(11)의 노출된 상면(11f)에 압접시킨 상태에서, 압박 부재(58)를 회전시킴으로써 잉곳(11)에 비틀림 응력을 발생시켜, 개질층(19) 및 크랙(21)이 형성된 분리 기점으로부터 잉곳(11)이 파단되고, 도 13에 도시된 바와 같이 잉곳(11)으로부터 육방정 단결정 웨이퍼(25)를 분리할 수 있다.
웨이퍼(25)를 잉곳(11)으로부터 분리한 후, 웨이퍼(25)의 분리면 및 잉곳(11)의 분리면을 연삭·연마하여 경면으로 가공하는 것이 바람직하다. 계속해서, 잉곳(11)에 대하여 전술한 분리 기점 형성 단계 및 웨이퍼 박리 단계를 차례 차례로 실시함으로써, 잉곳(11)으로부터 복수 장의 웨이퍼(25)를 제조할 수 있다.
다음에, 도 14 내지 도 17을 참조하여, 본 발명 제2 실시형태의 웨이퍼의 생성 방법에 대해서 설명한다. 본 실시형태의 웨이퍼의 생성 방법에서는, 도 14에 도시된 바와 같이, 상면(11a)에 c면이 노출된 육방정 단결정 잉곳(11)을 왁스 또는 접착제로 지지 테이블(26)의 지지면에 직접 고정한다.
계속해서, 도 15에 도시된 바와 같이, 잉곳(11)에 대하여 투과성을 갖는 파장(예컨대 1064 ㎚)의 레이저 빔(LB)의 집광점을 잉곳(11)의 상면(11a)으로부터 제1 깊이에 위치시킴과 더불어, 집광점과 잉곳(11)을 상대적으로 이동시켜 레이저 빔 (LB)을 상면(11a)으로 조사하고, 잉곳(11) 내부에 직선형의 제1 개질층(19)과 c면을 따라 신장되는 제1 크랙(21)을 형성하는 제1 개질층 형성 단계를 실시한다.
제1 개질층 형성 단계를 실시한 후, 직선형의 제1 개질층(19)에 대하여 직교하는 방향(Y축 방향)으로 잉곳(11)과 집광점을 상대적으로 인덱싱 이송한 후, 집광점을 제1 깊이보다 깊은 제2 깊이에 위치시켜 레이저 빔(LB)을 조사하고, 잉곳(11)과 집광점을 상대적으로 제1 개질층(19)과 평행한 X축 방향으로 가공 이송하여, 잉곳(11) 내부에 직선형의 제1 개질층(19)에 평행한 직선형의 제2 개질층(19)과 c면을 따라 신장되는 제2 크랙(21)을 형성하는 제2 개질층 형성 단계를 실시한다.
제2 개질층 형성 단계에 있어서, 인덱싱 이송하는 간격을 L로 한 경우, 도 7의 (B)에 도시된 바와 같이, L은 직선형의 제1 개질층(19)으로부터 c면을 따라 신장되는 제1 크랙(21)과 직선형의 제2 개질층(19)으로부터 c면을 따라 상기 제1 크랙(21)에 대향하여 신장되는 제2 크랙(21)이 겹치는 길이 이하로 설정된다.
여기서, 집광점이 위치하게 되는 제1 깊이와 제2 깊이의 c축 방향(높이 방향)의 차를 h로 한 경우, h=L·tanα로 설정된다. 그리고, tanα의 구배로 규정되는 직선과 인덱싱 간격 L과의 교점으로 레이저 빔(LB)의 집광점을 순차적으로 내리면서 제2 개질층 형성 단계를 순차적으로 반복하여 실시하고, 생성될 웨이퍼의 전체면에 대응하여 제2 개질층(19)과 제2 크랙(21)을 형성한다(제2 개질층 형성 반복 단계).
이 tanα의 구배로 규정되는 직선과 인덱싱 간격 L과의 교점의 Y 좌표 및 Z 좌표는 레이저 가공 장치(2)의 컨트롤러의 메모리에 저장되고, 이 메모리에 저장된 Y 좌표 및 Z 좌표에 기초하여 집광기(36)를 순차적으로 아래쪽으로 이동시키면서 제2 개질층 형성 단계를 차례 차례로 반복한다. 본 실시형태의 레이저 가공 조건은, 전술한 제1 실시형태의 레이저 가공 조건과 동일하다.
제1 개질층 형성 단계, 제2 개질층 형성 단계 및 제2 개질층 형성 반복 단계를 실시하여, 잉곳(11)의 박리해야 할 전체면에 개질층(19) 및 크랙(21)으로 이루어지는 분리 기점의 형성이 종료되면, 이 분리 기점으로부터 초기 웨이퍼를 박리하는 초기 웨이퍼 박리 단계를 실시한다.
이 초기 웨이퍼 박리 단계는, 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한 제1 실시형태의 초기 웨이퍼 박리 단계와 동일하므로, 여기서는 그 설명을 생략한다.
초기 웨이퍼 박리 단계 실시 후, 제1 실시형태와 마찬가지로, 바람직하게는 연삭 장치에 의한 잉곳(11)의 상면의 평탄화 단계 및 연마 단계를 실시하여, 잉곳(11)의 상면(11f)을 경면으로 가공한다. 이 상면(11f)은 수평면에 대하여 오프각(α)만큼 경사져 있다.
초기 웨이퍼 박리 단계를 실시한 후, 도 16에 도시된 바와 같이, 초기 웨이퍼가 박리되고, 경면으로 가공된 노출된 상면(11f)으로부터 잉곳(11)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔(LB)의 집광점을 생성될 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시킴과 더불어, 집광점과 잉곳(11)을 상대적으로 이동시켜 레이저 빔(LB)을 조사하고, 노출된 상면(11f)에 평행한 개질층(19) 및 개질층(19)으로부터 c면을 따라 신장되는 수평한 크랙(21)을 형성하여 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 단계를 실시한다.
이 분리 기점 형성 단계는, 오프각(α)이 형성되는 Y축 방향과 직교하는 X축 방향으로 레이저 빔의 집광점을 상대적으로 이동시켜 직선형의 개질층(19)을 형성하는 개질층 형성 단계와, 오프각(α)이 형성된 방향으로 집광점을 상대적으로 이동시켜 소정량 인덱싱 이송함과 더불어, tanα의 구배로 규정되는 직선과 인덱싱 간격과의 교점으로 레이저 빔(LB)의 집광점을 내려 위치시키는 인덱싱 단계를 포함하고 있다.
즉 본 실시형태의 분리 기점 형성 단계에서는, tanα의 구배로 규정되는 직선과 인덱싱 간격과의 교점에 레이저 빔의 집광점을 위치시켜, 레이저 빔(LB)을 X축 방향으로 주사함으로써, 잉곳(11)의 상면(11f)에 평행한 개질층(19) 및 개질층(19)으로부터 c면을 따라 신장되는 수평한 크랙(21)으로 이루어지는 분리 기점을 잉곳(11)의 내부에 형성한다.
분리 기점 형성 단계를 실시한 후, 도 17에 도시된 바와 같이, 개질층(19) 및 크랙(21)으로 이루어지는 분리 기점으로부터 웨이퍼의 두께에 상당하는 판상물을 잉곳(11)으로부터 박리하여 육방정 단결정 웨이퍼(25)를 생성하는 웨이퍼 박리 단계를 실시한다.
본 실시형태의 웨이퍼의 생성 방법에서는, 인덱싱 단계가 집광점을 Y축 방향으로 소정량 인덱싱 이송할 뿐만 아니라, tanα의 구배로 규정되는 직선과 인덱싱 간격과의 교점에 레이저 빔의 집광점을 위치시키는 점에 특징을 갖고 있다.
웨이퍼(27)를 잉곳(11)으로부터 분리한 후, 웨이퍼(27)의 분리면 및 잉곳(11)의 분리면을 연삭·연마하여 경면으로 가공하는 것이 바람직하다. 계속해서, 잉곳(11)에 대하여 전술한 분리 기점 형성 단계 및 웨이퍼 박리 단계를 차례 차례로 실시함으로써, 잉곳(11)으로부터 복수 장의 웨이퍼(25)를 제조할 수 있다.
2 : 레이저 가공 장치 11 : 육방정 단결정 잉곳
13 : 쐐기형 부재 17 : c축
19 : 개질층 21 : 크랙
23 : 초기 웨이퍼 25 : 육방정 단결정 웨이퍼
26 : 지지 테이블 30 : 레이저 빔 조사 유닛
36 : 집광기(레이저 헤드) 54 : 압박 기구
56 : 헤드 58 : 압박 부재

Claims (7)

  1. c면이 상면에 노출되고 c면과 직교하는 c축을 갖는 육방정 단결정 잉곳으로부터 α의 오프각을 갖는 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 방법으로서,
    쐐기 각도 α의 쐐기형 부재를 통해 지지 테이블로 상기 육방정 단결정 잉곳을 지지하고, 상기 상면을 수평면에 대하여 오프각(α)만큼 경사지게 하는 지지 단계와,
    상기 지지 단계를 실시한 후, 상기 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 상기 상면으로부터 제1 깊이에 위치시킴과 더불어, 상기 집광점과 상기 육방정 단결정 잉곳을 상기 오프각(α)이 형성되는 제2 방향과 직교하는 제1 방향으로 상대적으로 이동시켜 레이저 빔을 상기 상면으로 조사하고, 상기 육방정 단결정 잉곳의 내부에 직선형의 제1 개질층과 상기 제1 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 제1 크랙을 형성하는 제1 개질층 형성 단계와,
    레이저 빔의 집광점의 높이 위치를 동일하게 유지하고, 상기 제2 방향으로 상기 집광점을 상대적으로 이동시켜 정해진 양만큼 인덱싱 이송하는 제1 인덱싱 단계와,
    상기 육방정 단결정 잉곳의 내부에 형성된 상기 제1 개질층과 상기 제1 크랙을 기점으로 하여, 초기 웨이퍼를 상기 육방정 단결정 잉곳으로부터 박리하는 초기 웨이퍼 박리 단계
    를 포함하고,
    상기 제1 인덱싱 단계에 있어서, 인덱싱 이송하는 간격을 L로 한 경우, L은 인접한 상기 직선형의 제1 개질층들로부터 상기 c면을 따라 신장되는 인접한 상기 제1 크랙들이 겹치는 길이 이하로 설정되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼의 생성 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 초기 웨이퍼 박리 단계를 실시한 후,
    상기 초기 웨이퍼가 박리되어 노출된 상면으로부터 상기 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 생성될 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시킴과 더불어, 상기 집광점과 상기 육방정 단결정 잉곳을 상대적으로 이동시켜 레이저 빔을 상기 노출된 상면으로 조사하고, 상기 노출된 상면에 평행한 제2 개질층 및 상기 제2 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 제2 크랙을 형성하여 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 단계와,
    상기 분리 기점 형성 단계를 실시한 후, 상기 분리 기점으로부터 웨이퍼의 두께에 상당하는 판상물을 상기 육방정 단결정 잉곳으로부터 박리하여 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 박리 단계
    를 더 포함하고,
    상기 분리 기점 형성 단계는,
    상기 제2 방향과 직교하는 상기 제1 방향으로 레이저 빔의 집광점을 상대적으로 이동시켜 상기 제1 방향으로 신장되는 직선형의 상기 제2 개질층을 형성하는 제2 개질층 형성 단계와,
    상기 제2 방향으로 상기 집광점을 상대적으로 이동시켜 상기 정해진 양만큼 인덱싱 이송하는 제2 인덱싱 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼의 생성 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 분리 기점 형성 단계를 실시하기 전에, 상기 제1 개질층과 상기 제1 크랙이 노출되어 c면으로부터 오프각(α)만큼 경사진 상기 육방정 단결정 잉곳의 노출된 상기 상면을 연삭하여 평탄화하는 평탄화 단계를 더 포함한 것인, 웨이퍼의 생성 방법.
  4. c면이 상면에 노출되고 상기 c면과 직교하는 c축을 갖는 육방정 단결정 잉곳으로부터 α의 오프각을 갖는 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼의 생성 방법으로서,
    육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 상기 상면으로부터 제1 깊이에 위치시킴과 더불어, 상기 집광점과 상기 육방정 단결정 잉곳을 상대적으로 이동시켜 레이저 빔을 상기 상면으로 조사하고, 상기 육방정 단결정 잉곳 내부에 직선형의 제1 개질층과 상기 제1 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 제1 크랙을 형성하는 제1 개질층 형성 단계와,
    상기 제1 개질층 형성 단계를 실시한 후, 상기 직선형의 제1 개질층에 대하여 직교하는 방향으로 상기 육방정 단결정 잉곳과 상기 집광점을 상대적으로 인덱싱 이송한 후, 상기 집광점을 제2 깊이에 위치시켜 레이저 빔을 조사하고, 상기 육방정 단결정 잉곳과 상기 집광점을 상대적으로 가공 이송하여 상기 육방정 단결정 잉곳 내부에 상기 직선형의 제1 개질층에 평행한 직선형의 제2 개질층과 상기 제2 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 제2 크랙을 형성하는, 제2 개질층 형성 단계로서,
    인덱싱 이송하는 간격을 L로 한 경우, L은 상기 직선형의 제1 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 상기 제1 크랙과 상기 직선형의 제2 개질층으로부터 c면을 따라 상기 제1 크랙에 대향하여 신장되는 상기 제2 크랙이 겹치는 길이 이하로 설정되고,
    상기 집광점이 위치하게 되는 상기 제1 깊이와 상기 제2 깊이의 c축 방향의 차를 h로 한 경우, h=L·tanα로 설정되는 것인, 제2 개질층 형성 단계와,
    tanα의 구배로 규정되는 직선과 인덱싱 간격 L과의 교점으로 레이저 빔의 집광점을 순차적으로 내리면서 상기 제2 개질층 형성 단계를 순차적으로 반복하여 실시하고, 생성될 웨이퍼의 전체면에 대응하여 상기 제2 개질층과 상기 제2 크랙을 형성하는 제2 개질층 형성 반복 단계와,
    상기 육방정 단결정 잉곳의 내부에 형성된 상기 제1 및 제2 개질층과 상기 제1 및 제2 크랙을 기점으로 하여, 초기 웨이퍼를 상기 육방정 단결정 잉곳으로부터 박리하는 초기 웨이퍼 박리 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼의 생성 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    인덱싱 이송하는 간격 L은, h가 50 ㎛ 이하가 되도록 설정되는 것인, 웨이퍼의 생성 방법.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 초기 웨이퍼 박리 단계를 실시한 후,
    상기 초기 웨이퍼가 박리되어 노출된 상면으로부터 상기 육방정 단결정 잉곳에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔의 집광점을 웨이퍼의 두께에 상당하는 깊이에 위치시킴과 더불어, 상기 집광점과 상기 육방정 단결정 잉곳을 상대적으로 이동시켜 레이저 빔을 조사하고, 상기 노출된 상면에 평행한 제3 개질층 및 상기 제3 개질층으로부터 c면을 따라 신장되는 제3 크랙을 형성하여 분리 기점을 형성하는 분리 기점 형성 단계와,
    상기 분리 기점 형성 단계를 실시한 후, 상기 분리 기점으로부터 웨이퍼의 두께에 상당하는 판상물을 상기 육방정 단결정 잉곳으로부터 박리하여 웨이퍼를 생성하는 웨이퍼 박리 단계
    를 더 포함하고,
    상기 분리 기점 형성 단계는,
    오프각(α)이 형성되는 제2 방향과 직교하는 제1 방향으로 레이저 빔의 집광점을 상대적으로 이동시켜 직선형의 상기 제3 개질층을 형성하는 제3 개질층 형성 단계와,
    상기 제2 방향으로 상기 집광점을 상대적으로 이동시켜 정해진 양만큼 인덱싱 이송함과 더불어, tanα의 구배로 규정되는 직선과 인덱싱 간격과의 교점에 레이저 빔의 집광점을 위치시키는 인덱싱 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼의 생성 방법.
  7. 제 1항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 육방정 단결정 잉곳은, SiC 잉곳, 또는 GaN 잉곳으로부터 선택되는 것인, 웨이퍼의 생성 방법.
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6429715B2 (ja) * 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2018093046A (ja) * 2016-12-02 2018-06-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
EP3612342B1 (de) * 2017-04-20 2024-02-28 Siltectra GmbH Verfahren zur waferherstellung mit definiert ausgerichteten modifikationslinien
JP6935224B2 (ja) * 2017-04-25 2021-09-15 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6976745B2 (ja) * 2017-06-30 2021-12-08 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP2019033134A (ja) * 2017-08-04 2019-02-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6974133B2 (ja) * 2017-11-22 2021-12-01 株式会社ディスコ ＳｉＣインゴットの成型方法
JP7009194B2 (ja) * 2017-12-12 2022-01-25 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置および搬送トレー
JP7009224B2 (ja) * 2018-01-16 2022-01-25 株式会社ディスコ 平坦化方法
DE102018001327A1 (de) * 2018-02-20 2019-08-22 Siltectra Gmbh Verfahren zum Erzeugen von kurzen unterkritischen Rissen in Festkörpern
US10388526B1 (en) 2018-04-20 2019-08-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
US10685863B2 (en) 2018-04-27 2020-06-16 Semiconductor Components Industries, Llc Wafer thinning systems and related methods
US10896815B2 (en) 2018-05-22 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
US11121035B2 (en) 2018-05-22 2021-09-14 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate processing methods
US20190363018A1 (en) 2018-05-24 2019-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Die cleaning systems and related methods
US11830771B2 (en) 2018-05-31 2023-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US10468304B1 (en) 2018-05-31 2019-11-05 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US11309191B2 (en) * 2018-08-07 2022-04-19 Siltectra Gmbh Method for modifying substrates based on crystal lattice dislocation density
JP7164396B2 (ja) * 2018-10-29 2022-11-01 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US20220181157A1 (en) * 2019-04-19 2022-06-09 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing method
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7235597B2 (ja) * 2019-06-03 2023-03-08 株式会社ディスコ 加工装置
CN112476115A (zh) * 2020-11-23 2021-03-12 廖子宁 一种五金用铁板焊接痕旋转式打磨设备
CN112757150A (zh) * 2020-12-29 2021-05-07 南京航空航天大学 一种电子器件用氮化镓单晶材料的快速抛光方法
WO2023220610A1 (en) * 2022-05-09 2023-11-16 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Restricted area printing by ink drawing (rapid) for solution-processed thin films

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004112000A (ja) 2004-01-13 2004-04-08 Toshiba Corp 半導体発光素子の製造方法
US20050217560A1 (en) 2004-03-31 2005-10-06 Tolchinsky Peter G Semiconductor wafers with non-standard crystal orientations and methods of manufacturing the same
JP2010205900A (ja) 2009-03-03 2010-09-16 Showa Denko Kk レーザ加工方法および化合物半導体発光素子の製造方法
JP2013049161A (ja) 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2014041925A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4509578B2 (ja) * 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5183892B2 (ja) * 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP2010153590A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Hamamatsu Photonics Kk 切断用加工方法
US20120061356A1 (en) * 2009-08-11 2012-03-15 Hamamatsu Photonics K.K. Laser machining device and laser machining method
US8933367B2 (en) * 2011-02-09 2015-01-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Laser processing method
JP5875122B2 (ja) * 2011-02-10 2016-03-02 信越ポリマー株式会社 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材
JP6026222B2 (ja) * 2012-10-23 2016-11-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6062315B2 (ja) * 2013-04-24 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
WO2015010706A1 (de) * 2013-07-23 2015-01-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und vorrichtung zur trennung eines flachen werkstücks in mehrere teilstücke
JP6341639B2 (ja) * 2013-08-01 2018-06-13 株式会社ディスコ 加工装置
JP6180223B2 (ja) * 2013-08-06 2017-08-16 株式会社ディスコ ウェーハの製造方法
JP6189700B2 (ja) * 2013-10-03 2017-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6208521B2 (ja) * 2013-10-07 2017-10-04 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6246561B2 (ja) * 2013-11-01 2017-12-13 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP6250429B2 (ja) * 2014-02-13 2017-12-20 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2016015463A (ja) * 2014-06-10 2016-01-28 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の加工方法及びＳｉＣ材料
JP6390898B2 (ja) * 2014-08-22 2018-09-19 アイシン精機株式会社 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置
JP6604715B2 (ja) * 2014-09-12 2019-11-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6506520B2 (ja) * 2014-09-16 2019-04-24 株式会社ディスコ ＳｉＣのスライス方法
JP6399914B2 (ja) * 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6358941B2 (ja) * 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6358940B2 (ja) * 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6399913B2 (ja) * 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP5917677B1 (ja) * 2014-12-26 2016-05-18 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の加工方法
JP6391471B2 (ja) * 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395613B2 (ja) * 2015-01-06 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395634B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395632B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) * 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) * 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6429715B2 (ja) * 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6456228B2 (ja) * 2015-04-15 2019-01-23 株式会社ディスコ 薄板の分離方法
JP6444249B2 (ja) * 2015-04-15 2018-12-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482389B2 (ja) * 2015-06-02 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472333B2 (ja) * 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2017011592A (ja) * 2015-06-24 2017-01-12 株式会社ディスコ Ｓａｗデバイスの製造方法
JP6560040B2 (ja) * 2015-07-06 2019-08-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6552898B2 (ja) * 2015-07-13 2019-07-31 株式会社ディスコ 多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法
JP6482423B2 (ja) * 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472347B2 (ja) * 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6482425B2 (ja) * 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6486239B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6486240B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6562819B2 (ja) * 2015-11-12 2019-08-21 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の分離方法
JP6602207B2 (ja) * 2016-01-07 2019-11-06 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの生成方法
JP2017152569A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6604891B2 (ja) * 2016-04-06 2019-11-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6690983B2 (ja) * 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
WO2017199784A1 (ja) * 2016-05-17 2017-11-23 エルシード株式会社 加工対象材料の切断方法
JP6721420B2 (ja) * 2016-06-02 2020-07-15 株式会社ディスコ 漏れ光検出方法
JP6669594B2 (ja) * 2016-06-02 2020-03-18 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004112000A (ja) 2004-01-13 2004-04-08 Toshiba Corp 半導体発光素子の製造方法
US20050217560A1 (en) 2004-03-31 2005-10-06 Tolchinsky Peter G Semiconductor wafers with non-standard crystal orientations and methods of manufacturing the same
JP2010205900A (ja) 2009-03-03 2010-09-16 Showa Denko Kk レーザ加工方法および化合物半導体発光素子の製造方法
JP2013049161A (ja) 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP2014041925A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法

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