CN106239751A - 晶片的生成方法 - Google Patents

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Abstract

提供晶片的生成方法，经济性地生成晶片。晶片的生成方法从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，具有如下的步骤：支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对六方晶单晶锭进行支承而使上表面相对于水平面倾斜偏离角α；改质层形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距上表面的第1深度，在与形成有偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使聚光点和六方晶单晶锭相对地移动而对上表面照射激光束，在六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；和转位步骤，使聚光点在第2方向上相对地移动而转位进给规定的量。

Description

晶片的生成方法
技术领域
本发明涉及晶片的生成方法，将六方晶单晶锭切片成晶片状。
背景技术
在以硅等作为原材料的晶片的正面上层叠功能层，在该功能层上在通过多个分割预定线划分出的区域中形成有IC、LSI等各种器件。并且，通过切削装置、激光加工装置等加工装置对晶片的分割预定线实施加工，将晶片分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。
并且，在以SiC、GaN等六方晶单晶作为材料的晶片的正面上层叠有功能层，在所层叠的功能层上通过形成为格子状的多条分割预定线进行划分而形成有功率器件或者LED、LD等光器件。
形成有器件的晶片通常是利用线切割对锭进行切片而生成的，对切片得到的晶片的正面背面进行研磨而精加工成镜面(例如，参照日本特开2000-94221号公报)。
在该线切割中，将直径约为100～300μm的钢琴丝等一根金属丝缠绕在二～四条通常设置于间隔辅助辊上的多个槽中，按照一定间距彼此平行配置且使金属丝在一定方向或者双向上行进，将锭切片成多个晶片。
六方晶单晶锭等锭中，包含原子呈平面状生长的无数的c面、以及在与c面垂直的方向上原子以层叠的方式生长的c轴。在六方晶单晶锭中，通常以c面露出于上表面、c轴与其垂直的方式制造出锭。
为了改善与层叠在作为基板的晶片的上表面上的功能层的相容性，以往，以在晶片中形成相对于c面呈3.5°、4.0°、8.0°等这样根据功能层的种类而具有偏离角的上表面的方式，将从相对于c轴倾斜3.5°、4.0°、8.0°的方向进行制造的六方晶单晶锭加工成圆柱状，并对该加工出的六方晶单晶锭进行切片，从而制造出所需要的六方晶单晶晶片。
专利文献1：日本特开2000-94221号公报
但是，当利用线切割将锭切断，并对正面背面进行研磨而生成晶片时，锭的70～80％被舍弃，存在不经济这样的问题。特别是SiC、GaN等六方晶单晶锭的莫氏硬度较高，存在利用线切割进行的切断很困难、生产性较差这样的问题。
并且，当对通过结晶生长制造出的在上表面上具有c面的六方晶单晶锭进行加工，而制造上表面相对于c面倾斜3.5°、4.0°、8.0°的圆柱状的六方晶单晶锭并对这样加工成圆柱状的六方晶单晶锭进行切片而制造出六方晶单晶晶片时，存在当从因结晶生长而制造出的原来的六方晶单晶锭制造出上表面相对于c面倾斜规定的角度的圆柱状六方晶单晶锭时，会从锭排出大量的昂贵边角料而不经济这样的问题。
发明内容
本发明是鉴于这样的点而完成的，其目的在于提供晶片的生成方法，能够经济性地从上表面与c面一致的六方晶单晶锭生成与上表面具有规定的偏离角的六方晶单晶晶片。
根据技术方案1所述的发明，提供一种晶片的生成方法，从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对该六方晶单晶锭进行支承，使该上表面相对于水平面倾斜偏离角α；第1改质层形成步骤，在实施了该支承步骤之后，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在从该上表面起的第1深度，并且在与形成有该偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使该聚光点和该六方晶单晶锭相对地移动而对该上表面照射激光束，在该六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从该第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；第1转位步骤，在该第2方向上使该聚光点相对地移动而转位进给规定的量；以及初始晶片剥离步骤，以形成在该六方晶单晶锭的内部的该第1改质层和该第1裂纹为起点而将初始晶片从该六方晶单晶锭剥离，在该第1改质层形成步骤中，在令转位进给的间隔为L的情况下，将L设定为使从相邻的该直线状的第1改质层沿着该c面延伸的相邻的该第1裂纹相重叠的长度以下。
优选在该晶片的生成方法中，在实施了该初始晶片剥离步骤之后，还具有如下的步骤：分离起点形成步骤，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距剥离了该初始晶片而露出的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对该露出的上表面照射激光束，形成与该露出的上表面平行的第2改质层和从该第2改质层沿着c面伸长的第2裂纹而形成分离起点；以及晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成晶片，该分离起点形成步骤包含：第2改质层形成步骤，在与该第2方向垂直的该第1方向上使激光束的聚光点相对地移动而形成沿着该第1方向延伸的直线状的该第2改质层；以及第2转位步骤，在该第2方向上使该聚光点相对地移动而转位进给该规定的量。
优选在该晶片的生成方法中，在实施该分离起点形成步骤之前还具有平坦化步骤，对露出有该第1改质层和该第1裂纹或者该第2改质层和该第2裂纹而相对于c面倾斜了偏离角α的该六方晶单晶锭的露出的该上表面进行磨削而使其平坦化。
根据技术方案4所述的发明，提供一种晶片的生成方法，从c面露出于上表面且具有与该c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：第1改质层形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在从该上表面起的第1深度，并且使该聚光点和该六方晶单晶锭相对地移动而对该上表面照射激光束，在该六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从该第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；第2改质层形成步骤，在实施了该第1改质层形成步骤之后，在与该直线状的第1改质层垂直的方向上对该六方晶单晶锭与该聚光点相对地进行了转位进给，然后，将该聚光点定位于第2深度而照射激光束，并对该六方晶单晶锭与该聚光点相对地进行加工进给而在该六方晶单晶锭内部形成与该直线状的第1改质层平行的直线状的第2改质层和从该第2改质层沿着c面延伸的第2裂纹，在该第2改质层形成步骤中，在令转位进给的间隔为L的情况下，将L设定为使从该直线状的第1改质层沿着c面延伸的该第1裂纹与从该直线状的第2改质层沿着c面与该第1裂纹对置地延伸的该第2裂纹相重叠的长度以下，在令该聚光点被定位的该第1深度与该第2深度在c轴方向上的差值为h的情况下，设定为h＝L·tanα；第2改质层形成重复步骤，一边使激光束的聚光点依次下降到由tanα的梯度规定的直线与转位进给的间隔L的交点，一边依次重复地实施该第2改质层形成步骤，与要生成的晶片的整个面对应地形成该第2改质层和该第2裂纹；以及初始晶片剥离步骤，以形成在该六方晶单晶锭的内部的该第1改质层和第2改质层以及该第1裂纹和第2裂纹作为起点，而将初始晶片从该六方晶单晶锭剥离。
优选在该晶片的生成方法中，在实施了该初始晶片剥离步骤之后，还具有如下的步骤：分离起点形成步骤，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距剥离了该初始晶片而露出的上表面相当于晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而照射激光束，形成与该露出的上表面平行的第3改质层和从该第3改质层沿着c面延伸的第3裂纹而形成分离起点；以及晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成晶片，该分离起点形成步骤包含：第3改质层形成步骤，在与形成有偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使激光束的聚光点相对地移动而形成直线状的该第3改质层；以及转位步骤，在该第2方向上使该聚光点相对地移动而转位进给规定的量，并且将激光束的聚光点定位于由tanα的梯度规定的直线与转位进给的间隔的交点。
根据本发明的晶片的生成方法，由于不需要将由结晶生长制造出的六方晶单晶锭中，以加工出的六方晶单晶锭的侧面相对于c轴倾斜3.5°、4.0°、8.0°的方式由结晶生长而得到的六方晶单晶锭加工成圆柱状，因此不会使六方晶单晶锭产生浪费是，是比较经济的。
并且，由于借助激光束的照射而在六方晶单晶锭的内部形成由改质层和从改质层沿着c面伸长的裂纹构成的分离起点，并从该分离起点将晶片剥离而生成晶片，因此不需要利用线切割将锭切断来生成晶片，因此锭的50～70％不会被浪费，经济性进一步提高。
附图说明
图1是适合实施本发明的晶片的生成方法的激光加工装置的立体图。
图2是激光束产生单元的框图。
图3是示出支承步骤的分解立体图。
图4的(A)是支承步骤的立体图，图4的(B)是支承步骤的主视图。
图5是说明第1改质层形成步骤的立体图。
图6是说明第1改质层形成步骤和第1转位步骤的示意性正面剖视图。
图7的(A)是说明第1转位步骤的示意性俯视图，图7的(B)是说明转位进给量的示意性剖视图。
图8的(A)、(B)是说明初始晶片剥离步骤的立体图。
图9是说明初始晶片剥离步骤的示意性正面剖视图。
图10是示出初始晶片剥离后的锭的露出面的立体图。
图11是示出平坦化步骤的立体图。
图12是说明分离起点形成步骤的示意性正面剖视图。
图13是示出晶片剥离步骤的示意性正面剖视图。
图14的(A)、(B)是示出本发明第2实施方式的支承步骤的立体图。
图15是说明第2实施方式的第1改质层形成步骤、第2改质层形成步骤以及第2改质层形成重复步骤的示意性正面剖视图。
图16是示出第2实施方式的分离起点形成步骤的示意性正面剖视图。
图17是示出第2实施方式的晶片剥离步骤的示意性正面剖视图。
标号说明
2：激光加工装置；11：六方晶单晶锭；13：楔状部件；17：c轴；19：改质层；21：裂纹；23：初始晶片；25：六方晶单晶晶片；26：支承工作台；30：激光束照射单元；36：聚光器(激光头)；54：按压机构；56：头；58：按压部件。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。参照图1，示出了适合实施本发明的晶片的生成方法的激光加工装置2的立体图。激光加工装置2包含以能够在X轴方向上移动的方式搭载在静止基台4上的第1滑动块6。
第1滑动块6借助由滚珠丝杠8和脉冲电机10构成的加工进给机构12沿着一对导轨14在加工进给方向、即X轴方向上移动。
第2滑动块16以能够在Y轴方向上移动的方式搭载在第1滑动块6上。即，第2滑动块16借助由滚珠丝杠18和脉冲电机20构成的分度进给机构22而沿着一对导轨24在分度进给方向、即Y轴方向上移动。
在第二滑动块16上搭载有支承工作台26。支承工作台26能够借助加工进给机构12和分度进给机构22在X轴方向和Y轴方向上移动，并且借助收纳在第二滑动块16中的电动机而旋转。
在静止基台4上竖立设置有柱28，在该柱28上安装有激光束照射机构(激光束照射构件)30。激光束照射机构30由收纳在外壳32中的图2所示的激光束产生单元34和安装于外壳32的前端的聚光器(激光头)36构成。在外壳32的前端安装有具有显微镜和照相机的摄像单元38，该摄像单元38与聚光器36在X轴方向上排列。
如图2所示，激光束产生单元34包含振荡出YAG激光或者YVO4激光的激光振荡器40、重复频率设定构件42、脉冲宽度调整构件44以及功率调整构件46。虽然未特别图示，但激光振荡器40具有布鲁斯特窗，从激光振荡器40射出的激光束是直线偏光的激光束。
借助激光束产生单元34的功率调整构件46被调整为规定的功率的脉冲激光束被聚光器36的反射镜48反射，进而借助聚光透镜50将聚光点定位在作为固定于支承工作台26的被加工物的六方晶单晶锭11的内部而进行照射。聚光器36以能够在上下方向(Z轴方向)上微动的方式安装于外壳32。
参照图3，示出了本发明第1实施方式的晶片的生成方法中的支承步骤的分解立体图。图4的(A)是示出支承步骤的立体图，图4的(B)是示出支承步骤的主视图。
标号11是作为加工对象物的六方晶单晶锭(以下，有时简称为锭)，c面露出于上表面11a。因此，锭11的与c面垂直的c轴在锭11的铅垂方向上伸长。六方晶单晶锭11由SiC锭或者GaN锭构成。
本发明第1实施方式的晶片的生成方法是从c面露出于上表面11a的锭11生成具有α的偏离角的晶片的晶片的生成方法，首先，实施支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件13利用支承面为水平的支承工作台26对锭11进行支承。
通过实施该支承步骤，锭11以其上表面11a相对于水平面倾斜偏离角α的方式支承在支承工作台26上。在本实施方式中，偏离角α被设定为4°。
但是，偏离角α不限于4°，例如能够在1°～8°的范围自由地设定，而隔着具有与偏离角对应的规定的楔角度的楔状部件13利用支承工作台26对锭11进行支承。例如使用蜡或者粘接剂来进行楔状部件13相对于支承工作台26的固定和锭11相对于楔状部件13的固定。
再次参照图1，在静止基台4的左侧固定有柱52，按压机构54经由形成于柱52的开口53而以能够在上下方向上移动的方式搭载于该柱52。
在本实施方式的晶片的生成方法中，如图5所示，实施第1改质层形成步骤，隔着楔状部件13利用支承工作台26对锭11进行支承，以使得偏离角α形成于Y轴方向，并一边使聚光器36在X轴方向上相对移动一边照射激光束LB，而在锭11的内部形成直线状的第1改质层19和从第1改质层19沿着c面延伸的第1裂纹21。
并且，如图6所示，实施第1转位步骤即在形成有偏离角α的方向上相对地移动激光束LB的聚光点而转位进给规定的量，然后不改变激光束LB的聚光点的高度位置而再次实施第1改质层形成步骤。
接连地实施该规定的量的转位进给和第1改质层形成步骤，而在锭11的横截面整个面上形成第1改质层19和第1裂纹21。在第1改质层形成步骤中，如图7的(A)所示，当令转位进给的间隔为L时，如图7的(B)所示，将进行转位进给的间隔L设定为使从相邻的2个直线状的改质层19沿着c面延伸的相邻的第1裂纹21相重叠的长度以下。优选将相邻的第1裂纹21的高度方向的间隔h设定为50μm以下。
在本实施方式的晶片的生成方法中，将从聚光器36射出的激光束的扫描方向设为X轴方向是很重要的，该X轴方向与隔着楔状部件13支承在支承工作台26上的锭11的形成有偏离角α的Y轴方向垂直。
通过将激光束的扫描方向设定为这样的方向，能够使从形成在锭11的内部的改质层19传播的裂纹21沿着c面伸长得非常长。
这里，以如下的方式设定本实施方式的激光加工条件。
光源：Nd：YAG脉冲激光
波长：1064nm
重复频率：80kHz
平均输出：3.2W
脉冲宽度：4ns
光斑直径：10μm
聚光透镜的数值孔径(NA)：0.45
转位量：250μm
在完成了一边转位进给规定的量一边在锭11的截面的整个区域的位置上形成多个第1改质层19和从第1改质层19沿着c面延伸的第1裂纹21之后，实施初始晶片剥离步骤，施加外力而从由第1改质层19和第1裂纹21构成的分离起点将初始晶片剥离。
该初始晶片剥离步骤例如由图8所示的按压机构54实施。按压机构54包含：头56，其通过内设在柱52内的移动机构而在上下方向上移动；以及按压部件58，其能够相对于头56倾动，并且如图8的(B)所示，按压部件58被配设为能够在箭头R方向上旋转。
如图8的(A)所示，将按压机构54定位在隔着楔状部件13固定于支承工作台26上的锭11的上方，使按压部件58倾动而使按压部件58压接于锭11的上表面11a。当在将按压部件58压接于锭11的上表面11a的状态下使按压部件58在箭头R方向上旋转时，锭11中产生扭转应力，锭11从形成有第1改质层19和第1裂纹21的分离起点断裂，如图9所示，将初始晶片23从锭11剥离(初始晶片剥离步骤)。初始晶片23将被丢弃。
当实施该初始晶片剥离步骤时，在锭11的露出的上表面11s上残留有第1改质层19和第1裂纹21的一部分而成为稍微粗糙的面。因此，优选实施平坦化步骤，通过磨削使该稍微粗糙的面平坦化。
在平坦化步骤中，在将锭11从激光加工装置2的支承工作台26剥离之后，如图11所示，利用磨削装置的卡盘工作台74隔着楔状部件13对锭11进行吸引保持。由于利用卡盘工作台74隔着具有偏离角α的楔状部件13对锭11进行吸引保持，因此初始晶片剥离后的锭11的上表面11s成为水平面。
在图11中，磨削单元60包含：由电动机旋转驱动的主轴62；固定于主轴62的前端的轮座64；以及通过多个螺纹部件66以能够装卸的方式装配于轮座64的磨削磨轮68。磨削磨轮68由环状的轮基台70和固定安装于轮基台70的外周部下侧的多个磨削磨具72构成。
在平坦化步骤中，以例如300rpm使卡盘工作台74在箭头a方向上旋转，并以例如1000rpm使磨削磨轮68在箭头b方向上旋转，并且对未图示的磨削单元进给机构的脉冲电机进行正转驱动而使磨削单元60下降。
并且，通过以规定的荷载将磨削磨轮68的磨削磨具72按压于由卡盘工作台74保持的锭11的露出的上表面11s，从而对锭11的上表面11s进行磨削而使其平坦化。在实施该平坦化步骤之后，优选对平坦化后的上表面11s进行研磨而优选加工成图12所示的镜面11f。
在实施初始晶片剥离步骤之后，如图12所示，实施分离起点形成步骤，将对于锭11具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距剥离了初始晶片23且实施了上述的平坦化步骤进而优选进行了镜面加工的上表面11f相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使聚光点与锭11相对地移动而将激光束LB照射到露出的上表面11f，形成与露出的上表面11f平行的改质层(第2改质层)19和从改质层19沿着c面伸长的裂纹(第2裂纹)21而作为分离起点。
该分离起点形成步骤包含：第2改质层形成步骤，在与形成有偏离角α的第2方向垂直的第1方向上相对地移动激光束LB的聚光点而形成直线状的改质层(第2改质层)19；以及第2转位步骤，在第2方向上相对地移动聚光点而转位进给规定的量。
在对相当于要生成的晶片的厚度的深度的整个区域实施了分离起点形成步骤之后，实施晶片剥离步骤，从分离起点将相当于晶片25的厚度的板状物从锭11剥离而生成晶片25。
例如使用在参照图8进行了说明的初始晶片剥离步骤中使用的按压机构54来实施该晶片剥离步骤。通过在将按压部件58压接于锭11的露出的上表面11f的状态下使按压部件58旋转而使锭11中产生扭转应力，锭11从形成有改质层19和裂纹21的分离起点断裂，如图13所示那样能够从锭11分离六方晶单晶晶片25。
在使晶片25从锭11分离之后，优选对晶片25的分离面和锭11的分离面进行磨削/研磨而加工成镜面。接着，能够通过对锭11接连地实施上述的分离起点形成步骤和晶片剥离步骤，而从锭11制造出多张晶片25。
接着，参照图14至图17对本发明第2实施方式的晶片的生成方法进行说明。在本实施方式的晶片的生成方法中，如图14所示，利用蜡或者粘接剂将c面露出于上表面11a的六方晶单晶锭11直接固定在支承工作台26的支承面上。
接着，如图15所示，实施第1改质层形成步骤，将对于锭11具有透过性的波长(例如为1064nm)的激光束LB的聚光点定位在距锭11的上表面11a的第1深度，并且使聚光点与锭11相对地移动而对上表面11a照射激光束LB，在锭11内部形成第1直线状的改质层19和沿着c面延伸的第1裂纹21。
在实施了第1改质层形成步骤之后，实施第2改质层形成步骤，在与第1直线状的改质层19垂直的方向(Y轴方向)上对锭11与聚光点相对地进行转位进给，然后，将聚光点定位在比第1深度深的第2深度而照射激光束LB，并对锭11和聚光点相对地在与第1改质层19平行的X轴方向上进行加工进给，而在锭11内部形成与第1直线状的改质层19平行的第2直线状的改质层19和沿着c面延伸的第2裂纹21。
在第2改质层形成步骤中，在令转位进给的间隔为L的情况下，如图7的(B)所示，将L设定为使从第1直线状的改质层19沿着c面延伸的第1裂纹21和从第2直线状的改质层19沿着c面与该第1裂纹21对置地延伸的第2裂纹21相重叠的长度以下。
这里，在令聚光点被定位的第1深度与第2深度在c轴方向(高度方向)上的差值为h的情况下，设定为h＝L·tanα。并且，一边使激光束LB的聚光点依次降低至由tanα的梯度规定的直线与转位进给的间隔L的交点，一边依次重复实施第2改质层形成步骤，与要生成的晶片的整个面对应地形成第2改质层19和第2裂纹21(第2改质层形成重复步骤)。
将这一由tanα的梯度规定的直线与转位进给的间隔L的交点的Y坐标和Z坐标存储在激光加工装置2的控制器的存储器中，一边根据存储在该存储器中的Y坐标和Z坐标使聚光器36依次向下方移动，一边接连地重复第2改质层形成步骤。本实施方式的激光加工条件与上述的第1实施方式的激光加工条件相同。
当实施第1改质层形成步骤、第2改质层形成步骤以及第2改质层形成重复步骤而完成在锭11的要剥离的整个面上形成由改质层19和裂纹21构成的分离起点时，实施从该分离起点将初始晶片剥离的初始晶片剥离步骤。
由于该初始晶片剥离步骤与参照图8和图9进行了说明的第1实施方式的初始晶片剥离步骤相同，因此在这里省略其说明。
在实施初始晶片剥离步骤之后，与第1实施方式同样地，优选实施由磨削装置进行的对锭11的上表面的平坦化步骤和研磨步骤，而将锭11的上表面11f加工成镜面。该上表面11f相对于水平面倾斜偏离角α。
在实施了初始晶片剥离步骤之后，如图16所示，实施分离起点形成步骤，将对于锭11具有透过性的波长的激光束LB的聚光点定位在距初始晶片被剥离且被加工成镜面的露出的上表面11f相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使聚光点与锭11相对地移动而照射激光束LB，形成与露出的上表面11f平行的改质层19和从改质层19沿着c面伸长的水平的裂纹21而形成分离起点。
该分离起点形成步骤包含：改质层形成步骤，在与形成有偏离角α的Y轴方向垂直的X轴方向上使激光束的聚光点相对地移动而形成直线状的改质层19；以及转位步骤，在形成有偏离角α的方向上使聚光点相对地移动而转位进给规定的量，并且使激光束LB的聚光点下降并定位到到由tanα的梯度规定的直线与转位进给的间隔的交点。
即在本实施方式的分离起点形成步骤中，通过将激光束的聚光点定位于由tanα的梯度规定的直线与转位进给的间隔的交点而使激光束LB在X轴方向上扫描，从而在锭11的内部形成由与锭11的上表面11f平行的改质层19和从改质层19沿着c面伸长的水平的裂纹21构成的分离起点。
在实施了分离起点形成步骤之后，如图17所示，实施晶片剥离步骤，从由改质层19和裂纹21构成的分离起点起将相当于晶片的厚度的板状物从锭11剥离而生成六方晶单晶晶片25。
在本实施方式的晶片的生成方法中，在如下的方面具有特征：转位步骤不仅使聚光点在Y轴方向上转位进给规定的量，而且将激光束的聚光点定位于由tanα的梯度规定的直线与转位进给的间隔的交点。
在使晶片25从锭11分离之后，优选对晶片25的分离面和锭11的分离面进行磨削/研磨而加工成镜面。接着，通过针对锭11接连地实施上述的分离起点形成步骤和晶片剥离步骤，能够从锭11制造出多张晶片25。

Claims (7)

1.一种晶片的生成方法，从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：
支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对该六方晶单晶锭进行支承，使该上表面相对于水平面倾斜偏离角α；
第1改质层形成步骤，在实施了该支承步骤之后，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在从该上表面起的第1深度，并且在与形成有该偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使该聚光点和该六方晶单晶锭相对地移动而对该上表面照射激光束，在该六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从该第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；
第1转位步骤，在该第2方向上使该聚光点相对地移动而转位进给规定的量；以及
初始晶片剥离步骤，以形成在该六方晶单晶锭的内部的该第1改质层和该第1裂纹为起点而将初始晶片从该六方晶单晶锭剥离，
在该第1改质层形成步骤中，在令转位进给的间隔为L的情况下，将L设定为使从相邻的该直线状的第1改质层沿着该c面延伸的相邻的该第1裂纹相重叠的长度以下。
2.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其特征在于，
在该晶片的生成方法中，在实施了该初始晶片剥离步骤之后，还具有如下的步骤：
分离起点形成步骤，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距剥离了该初始晶片而露出的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对该露出的上表面照射激光束，形成与该露出的上表面平行的第2改质层和从该第2改质层沿着c面伸长的第2裂纹而形成分离起点；以及
晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成晶片，
该分离起点形成步骤包含：
第2改质层形成步骤，在与该第2方向垂直的该第1方向上使激光束的聚光点相对地移动而形成沿着该第1方向延伸的直线状的该第2改质层；以及
第2转位步骤，在该第2方向上使该聚光点相对地移动而转位进给该规定的量。
3.根据权利要求2所述的晶片的生成方法，其中，
在该晶片的生成方法中，在实施该分离起点形成步骤之前还具有平坦化步骤，对露出有该第1改质层和该第1裂纹或者该第2改质层和该第2裂纹而相对于c面倾斜了偏离角α的该六方晶单晶锭的露出的该上表面进行磨削而使其平坦化。
4.一种晶片的生成方法，从c面露出于上表面且具有与该c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：
第1改质层形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在从该上表面起的第1深度，并且使该聚光点和该六方晶单晶锭相对地移动而对该上表面照射激光束，在该六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从该第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；
第2改质层形成步骤，在实施了该第1改质层形成步骤之后，在与该直线状的第1改质层垂直的方向上对该六方晶单晶锭与该聚光点相对地进行了转位进给，然后，将该聚光点定位于第2深度而照射激光束，并对该六方晶单晶锭与该聚光点相对地进行加工进给而在该六方晶单晶锭内部形成与该直线状的第1改质层平行的直线状的第2改质层和从该第2改质层沿着c面延伸的第2裂纹，在该第2改质层形成步骤中，在令转位进给的间隔为L的情况下，将L设定为使从该直线状的第1改质层沿着c面延伸的该第1裂纹与从该直线状的第2改质层沿着c面与该第1裂纹对置地延伸的该第2裂纹相重叠的长度以下，在令该聚光点被定位的该第1深度与该第2深度在c轴方向上的差值为h的情况下，设定为h＝L·tanα；
第2改质层形成重复步骤，一边使激光束的聚光点依次下降到由tanα的梯度规定的直线与转位进给的间隔L的交点，一边依次重复地实施该第2改质层形成步骤，与要生成的晶片的整个面对应地形成该第2改质层和该第2裂纹；以及
初始晶片剥离步骤，以形成在该六方晶单晶锭的内部的该第1改质层和第2改质层以及该第1裂纹和第2裂纹作为起点，而将初始晶片从该六方晶单晶锭剥离。
5.根据权利要求4所述的晶片的生成方法，其中，
对转位进给的间隔L进行设定以使得h为50μm以下。
6.根据权利要求4所述的晶片的生成方法，其中，
在该晶片的生成方法中，在实施了该初始晶片剥离步骤之后，还具有如下的步骤：
分离起点形成步骤，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距剥离了该初始晶片而露出的上表面相当于晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而照射激光束，形成与该露出的上表面平行的第3改质层和从该第3改质层沿着c面延伸的第3裂纹而形成分离起点；以及
晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成晶片，
该分离起点形成步骤包含：
第3改质层形成步骤，在与形成有偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使激光束的聚光点相对地移动而形成直线状的该第3改质层；以及
转位步骤，在该第2方向上使该聚光点相对地移动而转位进给规定的量，并且将激光束的聚光点定位于由tanα的梯度规定的直线与转位进给的间隔的交点。
7.根据权利要求1或4所述的晶片的生成方法，其中，
该六方晶单晶锭从SiC锭或者GaN锭中进行选择。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108735578A (zh) * 2017-04-25 2018-11-02 株式会社迪思科 SiC晶片的生成方法
CN109382921A (zh) * 2017-08-04 2019-02-26 株式会社迪思科 硅晶片的生成方法
CN109807693A (zh) * 2017-11-22 2019-05-28 株式会社迪思科 SiC晶锭的成型方法
CN110014336A (zh) * 2017-12-12 2019-07-16 株式会社迪思科 晶片生成装置和搬送托盘
CN110047746A (zh) * 2018-01-16 2019-07-23 株式会社迪思科 平坦化方法
CN113710408A (zh) * 2019-04-19 2021-11-26 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6429715B2 (ja) * 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2018093046A (ja) * 2016-12-02 2018-06-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
EP3612342B1 (de) * 2017-04-20 2024-02-28 Siltectra GmbH Verfahren zur waferherstellung mit definiert ausgerichteten modifikationslinien
JP6976745B2 (ja) * 2017-06-30 2021-12-08 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
DE102018001327A1 (de) * 2018-02-20 2019-08-22 Siltectra Gmbh Verfahren zum Erzeugen von kurzen unterkritischen Rissen in Festkörpern
US10388526B1 (en) 2018-04-20 2019-08-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer thinning systems and related methods
US10685863B2 (en) 2018-04-27 2020-06-16 Semiconductor Components Industries, Llc Wafer thinning systems and related methods
US10896815B2 (en) 2018-05-22 2021-01-19 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate singulation systems and related methods
US11121035B2 (en) 2018-05-22 2021-09-14 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate processing methods
US20190363018A1 (en) 2018-05-24 2019-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Die cleaning systems and related methods
US11830771B2 (en) 2018-05-31 2023-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US10468304B1 (en) 2018-05-31 2019-11-05 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor substrate production systems and related methods
US11309191B2 (en) * 2018-08-07 2022-04-19 Siltectra Gmbh Method for modifying substrates based on crystal lattice dislocation density
JP7164396B2 (ja) * 2018-10-29 2022-11-01 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7235597B2 (ja) * 2019-06-03 2023-03-08 株式会社ディスコ 加工装置
CN112476115A (zh) * 2020-11-23 2021-03-12 廖子宁 一种五金用铁板焊接痕旋转式打磨设备
CN112757150A (zh) * 2020-12-29 2021-05-07 南京航空航天大学 一种电子器件用氮化镓单晶材料的快速抛光方法
WO2023220610A1 (en) * 2022-05-09 2023-11-16 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Restricted area printing by ink drawing (rapid) for solution-processed thin films

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101461039A (zh) * 2006-07-03 2009-06-17 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP2010153590A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Hamamatsu Photonics Kk 切断用加工方法
JP2013049161A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
CN103537796A (zh) * 2000-09-13 2014-01-29 浜松光子学株式会社 激光加工方法以及激光加工装置
CN103779273A (zh) * 2012-10-23 2014-05-07 株式会社迪思科 晶片的加工方法

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
JP4509578B2 (ja) * 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP3998639B2 (ja) 2004-01-13 2007-10-31 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
US20050217560A1 (en) 2004-03-31 2005-10-06 Tolchinsky Peter G Semiconductor wafers with non-standard crystal orientations and methods of manufacturing the same
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5446325B2 (ja) * 2009-03-03 2014-03-19 豊田合成株式会社 レーザ加工方法および化合物半導体発光素子の製造方法
US20120061356A1 (en) * 2009-08-11 2012-03-15 Hamamatsu Photonics K.K. Laser machining device and laser machining method
US8933367B2 (en) * 2011-02-09 2015-01-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Laser processing method
JP5875122B2 (ja) * 2011-02-10 2016-03-02 信越ポリマー株式会社 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材
JP2014041925A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JP6062315B2 (ja) * 2013-04-24 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
WO2015010706A1 (de) * 2013-07-23 2015-01-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und vorrichtung zur trennung eines flachen werkstücks in mehrere teilstücke
JP6341639B2 (ja) * 2013-08-01 2018-06-13 株式会社ディスコ 加工装置
JP6180223B2 (ja) * 2013-08-06 2017-08-16 株式会社ディスコ ウェーハの製造方法
JP6189700B2 (ja) * 2013-10-03 2017-08-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6208521B2 (ja) * 2013-10-07 2017-10-04 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6246561B2 (ja) * 2013-11-01 2017-12-13 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP6250429B2 (ja) * 2014-02-13 2017-12-20 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2016015463A (ja) * 2014-06-10 2016-01-28 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の加工方法及びＳｉＣ材料
JP6390898B2 (ja) * 2014-08-22 2018-09-19 アイシン精機株式会社 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置
JP6604715B2 (ja) * 2014-09-12 2019-11-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6506520B2 (ja) * 2014-09-16 2019-04-24 株式会社ディスコ ＳｉＣのスライス方法
JP6399914B2 (ja) * 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6358941B2 (ja) * 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6358940B2 (ja) * 2014-12-04 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6399913B2 (ja) * 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP5917677B1 (ja) * 2014-12-26 2016-05-18 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の加工方法
JP6391471B2 (ja) * 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395613B2 (ja) * 2015-01-06 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395634B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395633B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395632B2 (ja) * 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) * 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) * 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6429715B2 (ja) * 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6456228B2 (ja) * 2015-04-15 2019-01-23 株式会社ディスコ 薄板の分離方法
JP6444249B2 (ja) * 2015-04-15 2018-12-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482389B2 (ja) * 2015-06-02 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472333B2 (ja) * 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2017011592A (ja) * 2015-06-24 2017-01-12 株式会社ディスコ Ｓａｗデバイスの製造方法
JP6560040B2 (ja) * 2015-07-06 2019-08-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6552898B2 (ja) * 2015-07-13 2019-07-31 株式会社ディスコ 多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法
JP6482423B2 (ja) * 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6472347B2 (ja) * 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6482425B2 (ja) * 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6486239B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6486240B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6562819B2 (ja) * 2015-11-12 2019-08-21 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の分離方法
JP6602207B2 (ja) * 2016-01-07 2019-11-06 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの生成方法
JP2017152569A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6604891B2 (ja) * 2016-04-06 2019-11-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6690983B2 (ja) * 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
WO2017199784A1 (ja) * 2016-05-17 2017-11-23 エルシード株式会社 加工対象材料の切断方法
JP6721420B2 (ja) * 2016-06-02 2020-07-15 株式会社ディスコ 漏れ光検出方法
JP6669594B2 (ja) * 2016-06-02 2020-03-18 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103537796A (zh) * 2000-09-13 2014-01-29 浜松光子学株式会社 激光加工方法以及激光加工装置
CN101461039A (zh) * 2006-07-03 2009-06-17 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP2010153590A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Hamamatsu Photonics Kk 切断用加工方法
JP2013049161A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
CN103779273A (zh) * 2012-10-23 2014-05-07 株式会社迪思科 晶片的加工方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108735578A (zh) * 2017-04-25 2018-11-02 株式会社迪思科 SiC晶片的生成方法
CN109382921A (zh) * 2017-08-04 2019-02-26 株式会社迪思科 硅晶片的生成方法
CN109807693A (zh) * 2017-11-22 2019-05-28 株式会社迪思科 SiC晶锭的成型方法
CN109807693B (zh) * 2017-11-22 2022-08-30 株式会社迪思科 SiC晶锭的成型方法
CN110014336A (zh) * 2017-12-12 2019-07-16 株式会社迪思科 晶片生成装置和搬送托盘
CN110047746A (zh) * 2018-01-16 2019-07-23 株式会社迪思科 平坦化方法
CN110047746B (zh) * 2018-01-16 2024-02-20 株式会社迪思科 平坦化方法
CN113710408A (zh) * 2019-04-19 2021-11-26 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法
CN113710408B (zh) * 2019-04-19 2023-10-31 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
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