CN110014336A - 晶片生成装置和搬送托盘 - Google Patents

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Abstract

提供晶片生成装置和搬送托盘。晶片生成装置(2)包含：锭磨削单元(4)，其对第一保持工作台(14)所保持的锭(170)的上表面进行磨削而平坦化；激光照射单元(6)，其将对于锭具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位于距离第二保持工作台(60)所保持的锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对锭照射激光光线，形成剥离层(190)；晶片剥离单元(8)，其对第三保持工作台(80)所保持的锭的上表面进行保持而从剥离层剥离晶片(192)；搬送托盘(9)，其具有对锭进行支承的锭支承部(117)和对剥离出的晶片进行支承的晶片支承部(118)；传送带单元(10)，其在锭磨削单元、激光照射单元和晶片剥离单元之间搬送支承于搬送托盘的锭；盒存放装置(11)，其收纳多个对剥离出的晶片进行收纳的盒(147)。

Description

晶片生成装置和搬送托盘
技术领域
本发明涉及从六方晶单晶锭生成晶片的晶片生成装置和对六方晶单晶锭和晶片进行搬送的搬送托盘。
背景技术
IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al2O3(蓝宝石)等为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由交叉的多条分割预定线划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以六方晶单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由交叉的多条分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话或个人计算机等电子设备。
供器件形成的晶片通常是利用线切割机将圆柱形状的半导体锭薄薄地切断而生成的。切断得到的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(例如，参照专利文献1)。但是，当利用线切割机将半导体锭切断并对切断得到的晶片的正面和背面进行研磨时，半导体锭的大部分(70％～80％)会被浪费，存在不经济的问题。特别是六方晶单晶SiC锭，其硬度高，难以利用线切割机切断，需要花费相当长的时间，因此生产率差，并且六方晶单晶锭的单价高，在高效地生成晶片方面具有课题。
因此，提出了下述技术：将对于六方晶单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于六方晶单晶SiC锭的内部而对六方晶单晶SiC锭照射激光光线，在切断预定面形成剥离层，沿着形成有剥离层的切断预定面将晶片从六方晶单晶SiC锭剥离(例如，参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2000-94221号公报
专利文献2：日本特开2013-49161号公报
但是，在六方晶单晶锭中形成剥离层的工序、将晶片从六方晶单晶锭剥离的工序、对六方晶单晶锭的上表面进行磨削而进行平坦化的工序是通过人工进行的，存在生产效率差的问题。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供晶片生成装置，能够从六方晶单晶锭自动地生成晶片。
本发明的另一目的在于提供搬送托盘，在能够从六方晶单晶锭自动地生成晶片的晶片生成装置中，能够对六方晶单晶锭和从六方晶单晶锭剥离出的晶片进行搬送。
根据本发明的一个方式，提供晶片生成装置，其从六方晶单晶锭生成晶片，其中，该晶片生成装置具有锭磨削单元、激光照射单元、晶片剥离单元、搬送托盘、传送带单元、盒存放装置以及收纳构件，所述锭磨削单元包含：第一保持工作台，其对六方晶单晶锭进行保持；以及磨削构件，其对该第一保持工作台所保持的锭的上表面进行磨削而进行平坦化，所述激光照射单元包含：第二保持工作台，其对六方晶单晶锭进行保持；以及激光照射构件，其将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离该第二保持工作台所保持的六方晶单晶锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，形成剥离层，所述晶片剥离单元包含：第三保持工作台，其对六方晶单晶锭进行保持；以及晶片剥离构件，其对该第三保持工作台所保持的六方晶单晶锭的上表面进行保持而从剥离层剥离出晶片，所述搬送托盘包含：锭支承部，其对六方晶单晶锭进行支承；以及晶片支承部，其对剥离出的晶片进行支承，所述传送带单元在该锭磨削单元、该激光照射单元和该晶片剥离单元之间对支承于该搬送托盘的六方晶单晶锭进行搬送，在所述盒存放装置中收纳有多个对剥离出的晶片进行收纳的盒，所述收纳构件将被该搬送托盘的该晶片支承部支承的晶片收纳至该盒存放装置所收纳的盒中。
优选晶片生成装置还包含对六方晶单晶锭进行收纳的锭存放装置。优选该收纳构件将该锭存放装置所收纳的六方晶单晶锭搬送至该传送带单元。优选六方晶单晶锭在支承于该搬送托盘的状态下收纳至该锭存放装置中。
根据本发明的另一方式，提供搬送托盘，其包含：锭支承部，其对六方晶单晶锭进行支承；以及晶片支承部，其对晶片进行支承。
优选搬送托盘由壳体构成，该壳体具有上壁、下壁、将该上壁与该下壁连结起来的一对侧壁以及在该一对侧壁之间贯通的空腔，在该壳体的该上壁或该下壁中的一方上具有该锭支承部，在该壳体的该下壁或该上壁中的另一方上具有该晶片支承部。优选该锭支承部具有与两个以上的尺寸的锭相对应的同心状的凹部，该晶片支承部具有与两个以上的尺寸的晶片相对应的同心状的凹部。
根据本发明的晶片生成装置，能够自动地进行从六方晶单晶锭生成晶片的一系列的作业，生产效率提高。
根据本发明的搬送托盘，在能够从六方晶单晶锭自动地生成晶片的晶片生成装置中，能够对六方晶单晶锭和从六方晶单晶锭剥离出的晶片进行搬送。
附图说明
图1是本发明实施方式的晶片生成装置的立体图。
图2是图1所示的锭磨削单元的立体图。
图3是图2所示的锭磨削单元的局部放大立体图。
图4是图1所示的激光照射单元的立体图。
图5是图4所示的激光照射构件的框图。
图6是图1所示的晶片剥离单元的立体图。
图7是图6所示的晶片剥离单元的局部剖视图。
图8是图1所示的搬送托盘的立体图。
图9是图1所示的晶片生成装置的局部立体图。
图10的(a)是升降板位于通过位置的状态的搬送托盘制动器的立体图，图10的(b)是升降板位于停止位置的状态的搬送托盘制动器的立体图，图10的(c)是升降板位于分离位置的状态的搬送托盘制动器的立体图。
图11的(a)是与图10(a)所示的状态相对应的搬送托盘制动器等的剖视图，图11的(b)是与图10的(b)所示的状态相对应的搬送托盘制动器等的剖视图，图11的(c)是与图10的(c)所示的状态相对应的搬送托盘制动器等的剖视图。
图12的(a)是升降板位于上升位置的状态的第一搬送构件的立体图，图12的(b)是升降板位于下降位置的状态的第一搬送构件的立体图。
图13的(a)是SiC锭的主视图，图13的(b)是SiC锭的俯视图，图13的(c)是SiC锭的立体图。
图14是示出将SiC锭搬送至激光照射单元的第二保持工作台的状态的立体图。
图15的(a)是示出对SiC锭实施剥离层形成工序的状态的立体图，图15的(b)是示出对SiC锭实施剥离层形成工序的状态的主视图。
图16的(a)是形成有剥离层的SiC锭的俯视图，图16的(b)是图16的(a)的B-B线剖视图。
图17的(a)是示出液槽位于晶片剥离单元的第三保持工作台的上方的状态的立体图，图17的(b)是示出液槽的下表面与保持工作台的上表面接触的状态的立体图。
图18是示出通过晶片剥离单元从SiC锭剥离出晶片的状态的立体图。
标号说明
2：晶片生成装置；4：锭磨削单元；6：激光照射单元；8：晶片剥离单元；9：搬送托盘；10：传送带单元；11：盒存放装置；12：收纳构件；14：第一保持工作台；16：磨削构件；60：第二保持工作台；62：激光照射构件；80：第三保持工作台；82：晶片剥离构件；113：上壁；114：下壁；115：侧壁；116：空腔；117：锭支承部；118：晶片支承部；119：锭支承部的凹部；119a：大直径凹部；119b：小直径凹部；120：晶片支承部的凹部；147：盒；148：锭存放装置；170：锭；190：剥离层；192：晶片；LB：脉冲激光光线；FP：聚光点。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施方式的晶片生成装置和搬送托盘进行说明。
图1所示的晶片生成装置2至少包含：锭磨削单元4；激光照射单元6；晶片剥离单元8；搬送托盘9，其具有对锭进行支承的锭支承部和对所剥离的晶片进行支承的晶片支承部；传送带单元10，其在锭磨削单元4、激光照射单元6和晶片剥离单元8之间对支承于搬送托盘9的锭进行搬送；盒存放装置11，其收纳有多个对所剥离的晶片进行收纳的盒；以及收纳构件12，其将支承于搬送托盘9的晶片支承部的晶片收纳于盒存放装置11所收纳的盒中。
参照图2对锭磨削单元4进行说明。锭磨削单元4包含：圆形状的第一保持工作台14，其对六方晶单晶锭(以下简称为锭)进行保持；以及磨削构件16，其对第一保持工作台14所保持的锭的上表面进行磨削而进行平坦化。本实施方式中的锭磨削单元4具有：长方体状的基台18；以及圆形状的旋转工作台20，其旋转自如地搭载于基台18的上表面上。旋转工作台20通过内置于基台18的旋转工作台用电动机(未图示)而以通过旋转工作台20的径向中心且沿Z轴方向延伸的轴线为旋转中心进行旋转。并且，本实施方式中的第一保持工作台14在旋转工作台20的上表面上旋转自如地搭载有一对，它们以旋转工作台20的径向中心(旋转中心)作为对称点而呈点对称配置。第一保持工作台14通过旋转工作台20的旋转而被交替定位于通过磨削构件16实施磨削加工的磨削位置(在图2中为里侧的位置)和用于对锭进行装卸的锭装卸位置(在图2中为近前侧的位置)。另外，第一保持工作台14通过安装于旋转工作台20的下表面的第一保持工作台用电动机(未图示)而以通过第一保持工作台14的径向中心且沿Z轴方向延伸的轴线为旋转中心进行旋转。在第一保持工作台14的上表面上配置有与吸引构件(未图示)连接的多孔质的吸附卡盘22。并且，第一保持工作台14通过利用吸引构件在吸附卡盘22的上表面上生成吸引力，能够对载置于吸附卡盘22的上表面的锭进行吸附并保持。另外，Z轴方向是图2等中箭头Z所示的上下方向。另外，图2等中箭头X所示的X轴方向是与Z轴方向垂直的方向，图2等中箭头Y所示的Y轴方向是与X轴方向和Z轴方向垂直的方向。由X轴方向和Y轴方向所限定的平面实质上是水平的。
参照图2和图3继续对锭磨削单元4进行说明。在本实施方式中，如图2所示，锭磨削单元4的磨削构件16具有搭载于基台18的上表面上的门型的支承框架24。支承框架24具有：一对支柱26，它们在Y轴方向上隔开间隔地从基台18的上表面向上方延伸；以及梁28，其架设于支柱26的上端之间且沿Y轴方向延伸。在一对支柱26上借助一对连结片32将圆筒状的主轴壳体30支承为在Z轴方向上移动自如(升降自如)。在梁28的上表面上搭载有用于使主轴壳体30在Z轴方向上移动(升降)的一对升降用电动机34。升降用电动机34在支柱26的内部与沿Z轴方向延伸的滚珠丝杠(未图示)的一个端部连结，滚珠丝杠的螺母部(未图示)固定于连结片32。并且，升降用电动机34的旋转运动通过滚珠丝杠转换成直线运动而传递至连结片32，由此主轴壳体30进行升降。在主轴壳体30中将圆柱状的主轴36(参照图3)支承为以沿Z轴方向延伸的轴线为中心旋转自如。主轴36通过内置于主轴壳体30的主轴用电动机(未图示)而以沿Z轴方向延伸的轴线为中心进行旋转。如图3所示，在主轴36的下端固定有圆板状的磨轮安装座38，在磨轮安装座38的下表面上利用螺栓40固定有环状的磨削磨轮42。在磨削磨轮42的下表面的外周缘部固定有在周向上隔开间隔且呈环状配置的多个磨削磨具44。如图3所示，在将第一保持工作台14定位于磨削位置时，按照磨削磨具44通过第一保持工作台14的旋转中心的方式使磨削磨轮42的旋转中心相对于第一保持工作台14的旋转中心移位。因此，在磨削构件16中，一边使第一保持工作台14和磨削磨轮42相互旋转一边使第一保持工作台14所保持的锭的上表面与磨削磨具44接触，能够利用磨削磨具44对锭的整个上表面进行磨削而进行平坦化。
参照图1和图4对激光照射单元6进行说明。如图1所示，与锭磨削单元4相邻地配置的激光照射单元6至少包含：圆形状的第二保持工作台60，其对锭进行保持；以及激光照射构件62，其将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离第二保持工作台60所保持的锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对锭照射激光光线，形成剥离层。在本实施方式中，如图4所示，激光照射单元6具有长方体状的基台64。在基台64形成有搭载凹处64a，其从基台64的上表面向下方凹陷且沿X轴方向延伸。并且，本实施方式中的第二保持工作台60在X轴方向上移动自如且以沿Z轴方向的轴线为中心旋转自如地搭载于基台64的搭载凹处64a。另外，在基台64上安装有：X轴方向移动构件(未图示)，其使第二保持工作台60沿着搭载凹处64a在X轴方向上移动；以及第二保持工作台用电动机(未图示)，其使第二保持工作台60以通过第二保持工作台60的径向中心且沿Z轴方向延伸的轴线为旋转中心进行旋转。X轴方向移动构件例如可以构成为具有：沿X轴方向延伸的滚珠丝杠(未图示)，其螺母部固定于第二保持工作台60；以及电动机(未图示)，其与该滚珠丝杠的一个端部连结。第二保持工作台用电动机与第二保持工作台60一起利用X轴方向移动构件在X轴方向上移动，因此即使在第二保持工作台60利用X轴方向移动构件在X轴方向上移动的情况下，第二保持工作台用电动机也使第二保持工作台60旋转。另外，在第二保持工作台60的上表面上配置有与吸引构件(未图示)连接的多孔质的吸附卡盘66。并且，第二保持工作台60通过利用吸引构件在吸附卡盘66的上表面上生成吸引力，能够对载置于吸附卡盘66的上表面的锭进行吸附并保持。
参照图4继续对激光照射单元6进行说明。本实施方式中的激光照射单元6的激光照射构件62包含：门型的支承框架68，其搭载于基台64的上表面上；长方体状的壳体70，其支承于支承框架68的内侧；Y轴方向可动部件(未图示)，其在Y轴方向上移动自如地安装于壳体70的下端侧；以及Y轴方向移动构件(未图示)，其使Y轴方向可动部件在Y轴方向上移动。Y轴方向移动构件例如可以构成为具有：沿Y轴方向延伸的滚珠丝杠(未图示)，其螺母部固定于Y轴方向可动部件；以及电动机(未图示)，其与该滚珠丝杠的一个端部连结。
参照图4和图5继续对激光照射构件62进行说明。激光照射构件62还包含：激光振荡器72(参照图5)，其内置于壳体70中；聚光器74(参照图4和图5)，其升降自如地安装于Y轴方向可动部件的下端侧；对准构件76(参照图4)，其与聚光器74在Y轴方向上隔开间隔地安装于Y轴方向可动部件的下端侧；以及聚光点位置调整构件(未图示)，其使聚光器74升降而对利用聚光器74会聚的脉冲激光光线LB的聚光点的Z轴方向位置进行调整。激光振荡器72振荡出对于锭具有透过性的波长的脉冲激光，射出脉冲激光光线LB。聚光器74具有聚光透镜(未图示)，其对激光振荡器72所射出的脉冲激光光线LB进行会聚。对准构件76对第二保持工作台60所保持的锭进行拍摄而对要进行激光加工的区域进行检测。聚光点位置调整构件例如可以构成为具有：沿Z轴方向延伸的滚珠丝杠(未图示)，其螺母部固定于聚光器74；以及电动机(未图示)，其与该滚珠丝杠的一个端部连结。
参照图5进一步继续对激光照射构件62进行说明。在壳体70中内置有：第一反射镜78，其与激光振荡器72在X轴方向上隔开间隔，对光路为X轴方向的由激光振荡器72射出的脉冲激光光线LB进行反射而将光路变换为Y轴方向；以及第二反射镜(未图示)，其与第一反射镜78在Y轴方向上隔开间隔地配置于聚光器74的上方，将利用第一反射镜78进行反射的脉冲激光光线LB的光路从Y轴方向变换成Z轴方向而将脉冲激光光线LB导入至聚光器74。第二反射镜安装于Y轴方向可动部件，当利用Y轴方向移动构件使Y轴方向可动部件移动时，聚光器74和对准构件76一起在Y轴方向上移动。并且，利用第一反射镜78将光路设定为X轴方向而从激光振荡器72射出的脉冲激光光线LB的光路从X轴方向变换成Y轴方向而导入至第二反射镜，接着利用第二反射镜将光路从Y轴方向变换成Z轴方向而导入至聚光器74，然后利用聚光器74的聚光透镜进行会聚而照射至第二保持工作台60所保持的锭。另外，在利用Y轴方向移动构件使Y轴方向可动部件移动而使聚光器74在Y轴方向移动的情况下、在利用聚光点位置调整构件使聚光器74升降的情况下，利用第一反射镜78将与X轴方向平行地从激光振荡器72射出的脉冲激光光线LB的光路从X轴方向变换成Y轴方向而导入至第二反射镜，导入至第二反射镜的脉冲激光光线LB利用第二反射镜将光路从Y轴方向变换成Z轴方向而导入至聚光器74。在如上述那样构成的激光照射构件62中，利用对准构件76对第二保持工作台60所保持的锭进行拍摄而对要进行激光加工的区域进行检测，利用聚光点位置调整构件使聚光器74升降而将对于锭具有透过性的波长的脉冲激光光线LB的聚光点定位于距离第二保持工作台60所保持的锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，然后一边利用Y轴方向移动构件使聚光器74在Y轴方向上适当移动一边对第二保持工作台60所保持的锭照射脉冲激光光线LB，从而能够在锭的内部形成强度降低的剥离层。另外，在对第二保持工作台60所保持的锭照射脉冲激光光线LB时，也可以利用X轴方向移动构件使第二保持工作台60在X轴方向上移动。
参照图1和图6对晶片剥离单元8进行说明。如图1所示，与激光照射单元6相邻地配置的晶片剥离单元8至少包含：圆形状的第三保持工作台80，其对锭进行保持；以及晶片剥离构件82，其对第三保持工作台80所保持的锭的上表面进行保持而从剥离层将晶片剥离。如图6所示，在本实施方式中，晶片剥离单元8具有长方体状的基台84。在基台84上形成有搭载凹处84a，其从基台84的上表面向下方凹陷且沿X轴方向延伸。并且，本实施方式中的第三保持工作台80在X轴方向上移动自如地搭载于基台84的搭载凹处84a。另外，在基台84上安装有X轴方向移动构件(未图示)，其使第三保持工作台80沿着搭载凹处84a在X轴方向上移动。X轴方向移动构件例如可以构成为具有：沿X轴方向延伸的滚珠丝杠(未图示)，其螺母部固定于第三保持工作台80；以及电动机(未图示)，其与该滚珠丝杠的一个端部连结。另外，在第三保持工作台80的上表面上配置有与吸引构件(未图示)连接的多孔质的吸附卡盘86。并且，第三保持工作台80通过利用吸引构件在吸附卡盘86的上表面上生成吸引力，能够对载置于吸附卡盘86的上表面的锭进行吸附并保持。
参照图6继续对晶片剥离单元8进行说明。本实施方式中的晶片剥离单元8的晶片剥离构件82包含：门型的支承框架88，其搭载于基台84的上表面上；长方体状的壳体90，其支承于支承框架88的内侧；臂92，其从升降自如地支承于壳体90的基端部沿X轴方向延伸；以及臂移动构件(未图示)，其使臂92升降。臂移动构件例如可以构成为具有：沿Z轴方向延伸的滚珠丝杠(未图示)，其螺母部固定于臂92的基端部；以及电动机，其与该滚珠丝杠的一个端部连结。
参照图6和图7继续对晶片剥离构件82进行说明。如图6所示，在臂92的前端部固定有收纳液体的液槽94，在将晶片从锭剥离时该液槽94与第三保持工作台80协作。液槽94具有圆形状的顶壁96和从顶壁96的周缘垂下的圆筒状的侧壁98，液槽94的下端侧开放。侧壁98的外径形成为小于等于第三保持工作台80的直径，当臂92下降时，侧壁98的下端与第三保持工作台80的上表面接触。在顶壁96上附设有将液槽94的外部与内部连通的圆筒状的液体提供部100，液体提供部100通过流路而与液体提供构件(未图示)连接。如图7所示，在侧壁98的下端附设有环状的密封件102。并且，当通过臂移动构件使臂92下降而使侧壁98的下端紧贴于第三保持工作台80的上表面时，利用第三保持工作台80的上表面与液槽94的内表面限定液体收纳空间104。通过密封件102防止从液体提供构件通过液体提供部100而提供至液体收纳空间104的液体106从液体收纳空间104泄漏。
参照图6和图7进一步继续对晶片剥离构件82进行说明。在液槽94的顶壁96安装有气缸108，气缸108的缸管108a从顶壁96的上表面向上方延伸。如图7所示，气缸108的活塞杆108b的下端部从顶壁96的贯通开口96a通过而向顶壁96的下方突出。在活塞杆108b的下端部固定有可由压电陶瓷等形成的圆板状的超声波振动生成部件110。在超声波振动生成部件110的下表面上固定有圆板状的吸附片112。在吸附片112的下表面上形成有多个吸引孔(未图示)，该吸附片112通过流路而与吸引构件(未图示)连接。通过利用吸引构件在吸附片112的下表面上生成吸引力，吸附片112能够对锭进行吸附并保持。并且，在晶片剥离构件82中，通过臂移动构件使臂92下降，使侧壁98的下端紧贴于对形成有剥离层的锭进行保持的第三保持工作台80的上表面上，并且使气缸108的活塞杆108b下降而使吸附片112吸附于锭的上表面上，然后在液体收纳空间104中收纳液体106，然后使超声波振动生成部件110进行动作而对锭赋予超声波振动，从而能够使剥离层的强度进一步降低。另外，在晶片剥离构件82中，在利用吸附片112对锭的上表面进行吸附的状态下，通过气缸108使吸附片112上升，从而能够以强度进一步降低的剥离层为起点而从锭剥离出晶片。
参照图8对搬送托盘9进行说明。本实施方式中的搬送托盘9由壳体构成，该壳体具有：矩形状的上壁113；配置于上壁113的下方的矩形状的下壁114；将上壁113与下壁114连结起来的矩形状的一对侧壁115；以及在一对侧壁115之间贯通的空腔116，在上壁113的上表面上具有对锭进行支承的锭支承部117，在下壁114的上表面上具有对所剥离的晶片进行支承的晶片支承部118。本实施方式中的锭支承部117具有与两个以上的尺寸的锭相对应的同心状的凹部119。凹部119具有：环状的大直径凹部119a，其从上壁113的上表面向下方凹陷；以及圆形的小直径凹部119b，其直径小于大直径凹部119a，且比大直径凹部119a更向下方凹陷。大直径凹部119a和小直径凹部119b形成为同心状。并且，在搬送托盘9中，利用大直径凹部119a对较大直径(例如直径为6英寸)的锭进行支承，利用小直径凹部119b对较小直径(例如直径为5英寸)的锭进行支承。另外，虽省略了详细的图示，但晶片支承部118具有与两个以上的尺寸的晶片相对应的同心状的凹部120。晶片支承部118的凹部120的结构与锭支承部117的凹部119的结构同样地，可以构成为具有：环状的大直径凹部，其从下壁114的上表面向下方凹陷；以及圆形的小直径凹部，其直径小于该大直径凹部，比大直径凹部更向下方凹陷。晶片支承部118的大直径凹部和小直径凹部可形成为同心状。并且，在搬送托盘9中，利用晶片支承部118的大直径凹部对较大直径(例如直径为6英寸)的晶片进行支承，利用晶片支承部118的小直径凹部对较小直径(例如直径为5英寸)的晶片进行支承。另外，搬送托盘9也可以构成为与本实施方式相反，在上壁113的上表面上具有晶片支承部，在下壁114的上表面上具有锭支承部。
参照图9对传送带单元10进行说明。沿着锭磨削单元4、激光照射单元6和晶片剥离单元8配置的传送带单元10至少包含：往路传送带121，其在图9中箭头Y1所示的Y1方向上对搬送托盘9进行搬送；返路传送带122，其在图9中箭头Y2所示的Y2方向(Y1的相反方向)上对搬送托盘9进行搬送；第一搬送构件123，其将搬送托盘9从往路传送带121的终点搬送至返路传送带122的起点；以及第二搬送构件124，其将搬送托盘9从返路传送带122的终点搬送至往路传送带121的起点。
如图9所示，往路传送带121具有：沿Y轴方向延伸的一对支承壁125，它们在X轴方向上隔开间隔；多个辊126，它们在Y轴方向上隔开间隔，旋转自如地安装于各支承壁125的内表面上；一对环形带127，它们卷绕于辊126；以及电动机128，其使辊126旋转。在本实施方式中，沿着Y轴方向配置有三个往路传送带121，但可以通过适当变更往路传送带121的数量或支承壁125的Y轴方向长度而变更搬送托盘9的搬送路的长度。并且，在往路传送带121中，利用电动机128借助辊126而使环形带127旋转，从而将搭载于环形带127的搬送托盘9沿Y1方向进行搬送。如图9所示，在本实施方式中，配置于往路传送带121的下方的返路传送带122的结构与往路传送带121的结构实质上相同即可，因此对返路传送带122的结构标记与往路传送带121的结构相同的标号。并且，在返路传送带122中，利用电动机128借助辊126而使环形带127向与往路传送带121相反的方向旋转，从而将搭载于环形带127的搬送托盘9沿Y2方向进行搬送。另外，返路传送带122的配置位置也可以不是往路传送带121的下方，例如返路传送带122可以配置于往路传送带121的上方或往路传送带121的侧方。另外，优选在晶片生成装置2运转时，往路传送带121和返路传送带122始终运转。
参照图9、图10和图11进行说明。如图9所示，在往路传送带121中的与锭磨削单元4面对的位置以及与激光照射单元6面对的位置分别配置有使利用往路传送带121进行搬送的搬送托盘9停止的搬送托盘制动器129。如图10所示，在本实施方式中，搬送托盘制动器129具有：基板130，其通过适当的托架(未图示)进行固定；升降板131，其升降自如地支承于基板130的上表面上；气缸构件132，其使升降板131升降；以及制动器片133，其固定于升降板131的往路传送带121的搬送方向下游侧端部(Y1方向下游侧端部)。在升降板131的上表面上形成有一对卡合突起131a，它们与形成于搬送托盘9的下壁114的下表面的一对被卡合凹处(未图示)卡合。如图10和图11所示，空气驱动或电驱动的气缸构件132将升降板131定位于下述各位置：通过位置(例如图10的(a)和图11的(a)所示的位置)，制动器片133的上端位于比利用往路传送带121进行搬送的搬送托盘9的下端靠下方的位置；停止位置(例如图10的(b)和图11的(b)所示的位置)，制动器片133与利用往路传送带121进行搬送的搬送托盘9接触；以及分离位置(例如图10的(c)和图11的(c)所示的位置)，使搬送托盘9从环形带127分离。并且，在搬送托盘制动器129中，通过将升降板131定位于通过位置，能够允许搬送托盘9在搬送托盘制动器129的上方通过，并且通过将升降板131定位于比通过位置靠上方的停止位置，能够使利用往路传送带121进行搬送的搬送托盘9停止。进而，在搬送托盘制动器129中，通过将升降板131定位于比停止位置靠上方的分离位置，能够防止由于已停止的搬送托盘9的下表面与环形带127的上表面发生滑动而增大施加至往路传送带121的电动机128的负荷。另外，当在停止位置或分离位置使升降板131的卡合突起131a与搬送托盘9的被卡合凹处卡合时，可防止升降板131上的搬送托盘9的位置偏移。
参照图9和图12对第一搬送构件123进行说明。与往路传送带121的终点和返路传送带122的起点相邻地配置的第一搬送构件123具有：沿Z轴方向延伸的支承壁134；升降板135，其升降自如地支承于支承壁134；升降构件136，其使升降板135升降；Y轴方向可动板137，其在Y轴方向上移动自如地支承于升降板135的上表面上；Y轴方向移动构件(未图示)，其使Y轴方向可动板137在Y轴方向上移动；以及制动器片138，其固定于Y轴方向可动板137的Y1方向下游侧端部。升降构件136具有：沿Z轴方向延伸的滚珠丝杠139，其与升降板135连结；以及电动机140，其与滚珠丝杠139的下端部连结，使升降板135在从图12的(a)所示的上升位置至图12的(b)所示的下降位置之间沿着支承壁134的导轨134a升降，并且在任意的位置停止。在Y轴方向可动板137的上表面上形成有一对卡合突起137a，它们与搬送托盘9的上述一对被卡合凹处卡合。Y轴方向移动构件例如由气缸或电动气缸构成，使Y轴方向可动板137在图12的(a)和图12的(b)中以双点划线所示的前进位置与在图12的(a)和图12的(b)中以实线所示的后退位置之间沿着升降板135的导轨135a在Y轴方向上移动。并且，在第一搬送构件123中，通过将Y轴方向可动板137的上表面定位于比往路传送带121的环形带127的上表面略微靠下方的位置，并且将Y轴方向可动板137定位于前进位置，能够使制动器片138与利用往路传送带121进行搬送的搬送托盘9接触，从而使搬送托盘9在往路传送带121的终点(在本实施方式中也是与晶片剥离单元8面对的位置)停止。另外，通过在搬送托盘9停止的状态下使升降板135上升，能够使搬送托盘9的下表面从环形带127的上表面分离而将搬送托盘9搭载于Y轴方向可动板137的上表面上。当将搬送托盘9搭载于Y轴方向可动板137时，Y轴方向可动板137的卡合突起137a与搬送托盘9的被卡合凹处卡合而防止Y轴方向可动板137上的搬送托盘9的位置偏移。另外，通过将搭载有搬送托盘9的Y轴方向可动板137定位于后退位置，接着使升降板135下降至Y轴方向可动板137的上表面位于比返路传送带122的环形带127的上表面略微靠上方的位置，接着将Y轴方向可动板137定位于前进位置，并且使升降板135略微下降，能够将搬送托盘9从Y轴方向可动板137转移至返路传送带122的环形带127。这样，第一搬送构件123将搬送托盘9从往路传送带121的终点搬送至返路传送带122的起点。另外，在将返路传送带122配置于往路传送带121的侧方的情况下，第一搬送构件123具有使升降板135在X轴方向上移动的X轴方向移动构件(例如可由滚珠丝杠和电动构件成)，从而能够将搬送托盘9从往路传送带121的终点搬送至返路传送带122的起点。
如图9所示，在本实施方式中，与往路传送带121的起点和返路传送带122的终点相邻地配置的第二搬送构件124的结构与第一搬送构件123的结构实质上相同即可，因此对第二搬送构件124的结构标记与第一搬送构件123的结构相同的标号。并且，在第二搬送构件124中，通过将Y轴方向可动板137的上表面定位于比返路传送带122的环形带127的上表面略微靠下方的位置，并且将Y轴方向可动板137定位于前进位置，能够使制动器片138与利用返路传送带122进行搬送的搬送托盘9接触，使搬送托盘9在返路传送带122的终点停止。另外，通过在搬送托盘9停止的状态下使升降板135上升，能够使搬送托盘9的下表面从环形带127的上表面分离，将搬送托盘9搭载于Y轴方向可动板137的上表面上。当将搬送托盘9搭载于Y轴方向可动板137时，Y轴方向可动板137的卡合突起137a与搬送托盘9的被卡合凹处卡合，可防止Y轴方向可动板137上的搬送托盘9的位置偏移。另外，通过将搭载有搬送托盘9的Y轴方向可动板137定位于后退位置，接着使升降板135上升至Y轴方向可动板137的上表面位于比往路传送带121的环形带127的上表面略微靠上方的位置，接着将Y轴方向可动板137定位于前进位置，并且使升降板135略微下降，能够将搬送托盘9从Y轴方向可动板137转移至往路传送带121的环形带127。这样，第二搬送构件124将搬送托盘9从返路传送带122的终点搬送至往路传送带121的起点。
如图9所示，在本实施方式中，传送带单元10还具有：第一转移构件141，其在利用往路传送带121的起点侧的搬送托盘制动器129停止的搬送托盘9与锭磨削单元4之间对锭进行转移；第二转移构件142，其在利用往路传送带121的终点侧的搬送托盘制动器129停止的搬送托盘9与激光照射单元6之间对锭进行转移；以及第三转移构件143，其在利用第一搬送构件123停止的搬送托盘9与晶片剥离单元8之间对锭进行转移，并且将从锭剥离的晶片从晶片剥离单元8转移至搬送托盘9。第二转移构件142的结构和第三转移构件143的结构与第一转移构件141的结构相同即可，因此以下对第一转移构件141的结构进行说明，省略了对第二转移构件142的结构和第三转移构件143的结构的说明。第一转移构件141包含：多关节臂144；驱动源(未图示)，其对多关节臂144进行驱动；以及吸附片145，其安装于多关节臂144的前端。由空气驱动源或电动驱动源构成的驱动源对多关节臂144进行驱动，从而在X轴方向、Y轴方向和Z轴方向中的各个方向上将吸附片145定位于任意的位置，并且使吸附片145上下反转。在一个面上形成有多个吸引孔(未图示)的吸附片145与吸引构件(未图示)连接。并且，在第一转移构件141中，利用吸引构件在吸附片145上生成吸引力，从而能够利用吸附片145对锭进行吸附并保持。另外，在第一转移构件141中，利用驱动源对多关节臂144进行驱动，从而在利用搬送托盘制动器129停止的搬送托盘9与锭磨削单元4之间对利用吸附片145吸附的锭进行转移。
参照图1对盒存放装置11进行说明。本实施方式中的盒存放装置11具有在X轴方向上为4列且在Z轴方向上为4层的共计16个盒收纳部146。将盒147收纳在各盒收纳部146中，该盒147对在晶片剥离单元8中从锭剥离的晶片进行收纳。盒147能够在上下方向上隔开间隔地对多张(例如25张)晶片进行收纳。另外，在盒存放装置11中，各盒收纳部146在Y轴方向上贯通，能够将盒147从图1中Y轴方向近前侧收纳至各盒收纳部146中，并且能够将晶片从图1中Y轴方向里侧收纳至盒收纳部146内的盒147中。
如图1所示，优选晶片生成装置2还包含对锭进行收纳的锭存放装置148。本实施方式中的锭存放装置148具有在Y轴方向上为2列且在Z轴方向上为2层的共计4个锭收纳部149。锭按照支承于搬送托盘9的状态收纳在各锭收纳部149中。另外，在锭存放装置148中，各锭收纳部149在X轴方向上贯通，能够将支承着锭的搬送托盘9从图1中X轴方向近前侧收纳至各锭收纳部149，并且能够将锭收纳部149内的搬送托盘9从图1中X轴方向里侧搬出。
参照图1和图9对收纳构件12进行说明。如图1所示，收纳构件12在Y轴方向上与盒存放装置11相邻地配置。参照图9进行说明，收纳构件12具有：支承壁150；X轴方向可动部件151，其在X轴方向上移动自如地支承于支承壁150；X轴方向移动构件152，其使X轴方向可动部件151在X轴方向上移动；升降块153，其升降自如地支承于X轴方向可动部件151；升降构件154，其使升降块153升降；多关节臂155，其支承于升降块153；保持片156，其上下反转自如地安装于多关节臂155的前端；以及驱动源(未图示)，其对多关节臂155进行驱动。支承于支承壁150的X轴方向移动构件152具有：沿X轴方向延伸的滚珠丝杠157，其螺母部157a固定于X轴方向可动部件151；以及电动机158，其与滚珠丝杠157的一个端部连结，X轴方向移动构件152使X轴方向可动部件151沿着支承壁150的导轨150a在X轴方向上移动。支承于X轴方向可动部件151的升降构件154具有：沿Z轴方向延伸的滚珠丝杠159，其与升降块153连结；以及电动机160，其与滚珠丝杠159的下端部连结，升降构件154使升降块153沿着X轴方向可动部件151的导轨151a升降。由空气驱动源或电动驱动源构成的驱动源对多关节臂155进行驱动，在X轴方向、Y轴方向和Z轴方向中的各个方向上将保持片156定位于任意的位置。在一个面上形成有多个吸引孔(未图示)的保持片156与吸引构件(未图示)连接。并且，在收纳构件12中，向收纳于锭存放装置148的支承着锭的搬送托盘9的空腔116中插入使吸引孔朝上的保持片156并使其略微上升而紧贴于搬送托盘9的上壁113的下表面上，并且利用吸引构件在保持片156上生成吸引力，从而能够利用保持片156对搬送托盘9进行吸引保持，并且对多关节臂155进行驱动并且利用X轴方向移动构件152和升降构件154使升降块153移动，从而能够将利用保持片156进行吸引保持的搬送托盘9从锭存放装置148搬送至传送带单元10。另外，在收纳构件12中，使保持片156反转而使吸引孔朝下，利用吸引构件在保持片156上生成吸引力，从而能够利用保持片156对搭载于第二搬送构件124的搬送托盘9内的晶片进行吸附并保持，且能够将利用保持片156进行保持的晶片收纳至盒存放装置11所收纳的盒147中。
在图13的(a)至图13的(c)中示出可通过晶片生成装置2实施加工的锭170。该锭170由六方晶单晶SiC整体形成为圆柱形状，锭170具有：圆形状的第一面172；与第一面172相反的一侧的圆形状的第二面174；位于第一面172和第二面174之间的周面176；从第一面172至第二面174的c轴(<0001>方向)；以及与c轴垂直的c面({0001}面)。在该锭170中，c轴相对于第一面172的垂线178倾斜，通过c面和第一面172形成偏离角α(例如α＝1、3、6度)。将形成有偏离角α的方向用图13的(a)至图13的(c)中箭头A表示。另外，在锭170的周面176上形成有表示晶体取向的矩形状的第一定向平面180和第二定向平面182。第一定向平面180与形成有偏离角α的方向A平行，第二定向平面182与形成有偏离角α的方向A垂直。如图13的(b)所示，从上方观察，第二定向平面182的长度L2比第一定向平面180的长度L1短(L2<L1)。另外，可通过晶片生成装置2实施加工的锭不限于上述锭170，例如可以为c轴相对于第一面的垂线不倾斜、c面与第一面的偏离角为0度(即，第一面的垂线与c轴一致)的六方晶单晶SiC锭，或者可以为由GaN(氮化镓)等六方晶单晶SiC以外的原材料形成的六方晶单晶锭。
在通过上述的晶片生成装置2从锭170生成晶片时，首先实施锭收纳工序，将锭170收纳至锭存放装置148。在本实施方式中的锭收纳工序中，首先准备四个锭170，如图1所示，将四个锭170支承于四个搬送托盘9的锭支承部117。接着，将支承着锭170的搬送托盘9收纳至锭存放装置148的锭收纳部149。
在实施了锭收纳工序之后，利用收纳构件12和传送带单元10实施第一搬送工序，将锭170从锭存放装置148搬送至激光照射单元6。通常将锭170的端面(第一面172和第二面174)平坦化至不妨碍后述的剥离层形成工序中的激光光线的入射的程度，因此在本实施方式中，对在第一搬送工序中将锭170从锭存放装置148搬送至激光照射单元6的例子进行说明，但在锭170的端面未平坦化至不妨碍剥离层形成工序中的激光光线的入射的程度的情况下，可以在第一搬送工序中将锭170从锭存放装置148搬送至锭磨削单元4。在第一搬送工序中，首先利用收纳构件12的X轴方向移动构件152和升降构件154将升降块153的位置调整为能够利用收纳构件12的保持片156将收纳于锭存放装置148的支承着锭170的搬送托盘9搬出的位置。接着，对收纳构件12的多关节臂155进行驱动，将吸引孔向上的保持片156插入至搬送托盘9的空腔116中，并且在空腔116内使保持片156略微上升而使保持片156紧贴于搬送托盘9的上壁113的下表面上。接着，在保持片156上生成吸引力，从而利用保持片156对搬送托盘9进行吸引保持。接着，对多关节臂155进行驱动，并且利用X轴方向移动构件152和升降构件154使升降块153移动，从而使利用保持片156进行吸引保持的搬送托盘9的下表面与往路传送带121的环形带127的上表面接触。接着，解除保持片156的吸引力，并且对多关节臂155进行驱动，在搬送托盘9的空腔116内，使保持片156略微下降，并且从空腔116中拉出保持片156，从而将搬送托盘9载置于往路传送带121。另外，可以借助第二搬送构件124将搬送托盘9载置于往路传送带121。
在将搬送托盘9载置于往路传送带121之后，利用往路传送带121将搬送托盘9搬送至与激光照射单元6面对的位置。此时，将配置于与锭磨削单元4面对的位置的搬送托盘制动器129的升降板131定位于通过位置，将配置于与激光照射单元6面对的位置的搬送托盘制动器129的升降板131定位于停止位置。由此，能够使利用往路传送带121沿Y1方向进行搬送的搬送托盘9在配置于与锭磨削单元4面对的位置的搬送托盘制动器129的上方通过，并且利用与激光照射单元6面对的位置的搬送托盘制动器129使该搬送托盘9停止。接着，为了使停止的搬送托盘9的下表面从环形带127的上表面分离而使搬送托盘制动器129的升降板131上升至分离位置。接着，对第二转移构件142的多关节臂144进行驱动，使吸附片145紧贴于锭170的上表面(在本实施方式中为第一面172)上。接着，使与吸附片145连接的吸引构件进行动作而在吸附片145上生成吸引力，利用吸附片145对锭170进行吸引保持。接着，对多关节臂144进行驱动而使吸附片145移动，如图14所示，使利用吸附片145进行了吸引保持的锭170的下表面(在本实施方式中为第二面174)与激光照射单元6的第二保持工作台60的上表面接触。此时，第二保持工作台60定位于用于装卸锭的锭装卸位置(图4所示的位置)。并且，停止与吸附片145连接的吸引构件，解除吸附片145的吸引力，将锭170载置于第二保持工作台60的上表面上。这样，将锭170从锭存放装置148搬送至激光照射单元6。
在实施了第一搬送工序之后，利用激光照射单元6实施剥离层形成工序，利用第二保持工作台60对锭170进行保持，并且将对于锭170具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离第二保持工作台60所保持的锭170的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对锭170照射激光光线，形成剥离层。在剥离层形成工序中，首先在第二保持工作台60的上表面上生成吸引力，利用第二保持工作台60对锭170进行吸引保持。接着，利用X轴方向移动构件使第二保持工作台60在X轴方向上移动，并且利用Y轴方向移动构件使Y轴方向可动部件在Y轴方向上移动，将锭170定位于对准构件76的下方。接着，利用对准构件76从锭170的上方对锭170进行拍摄。接着，根据对准构件76所拍摄的锭170的图像，利用第二保持工作台用电动机和X轴方向移动构件使第二保持工作台60旋转和移动，并且利用Y轴方向移动构件使Y轴方向可动部件移动，从而将锭170的朝向调整为规定的朝向，并且对锭170和聚光器74在XY平面上的位置进行调整。在将锭170的朝向调整为规定的朝向时，如图15的(a)所示，使第二定向平面182与X轴方向一致，从而使与形成有偏离角α的方向A垂直的方向与X轴方向一致，并且使形成有偏离角α的方向A与Y轴方向一致。接着，利用聚光点位置调整构件使聚光器74升降，从而如图15的(b)所示，将聚光点FP定位于距离锭170的第一面172相当于要生成的晶片的厚度的深度。接着，进行剥离层形成加工，一边利用X轴方向移动构件使第二保持工作台60在与垂直于形成有偏离角α的方向A的方向一致的X轴方向上移动一边从聚光器74对锭170照射对于锭170具有透过性的波长的脉冲激光光线LB。当进行剥离层形成加工时，如图16的(a)和图16的(b)所示，在与形成有偏离角α的方向A垂直的方向上连续地形成改质层186，并且从改质层186沿着c面生成按照各向同性的方式延伸的裂纹188，其中，随着脉冲激光光线LB的照射，SiC分离成Si(硅)和C(碳)，接着照射的脉冲激光光线LB被之前形成的C吸收，使SiC连锁地分离成Si和C而形成改质层186。
参照图15和图16继续进行说明，接着剥离层形成加工继续利用Y轴方向移动构件使Y轴方向可动部件移动，从而使聚光点FP在与形成有偏离角α的方向A一致的Y轴方向上相对于锭170相对地在不超过裂纹188的宽度的范围内按照规定的转位量Li进行转位进给。并且，交替反复进行剥离层形成加工和转位进给，从而在形成偏离角α的方向A上隔开规定的转位量Li的间隔形成多个在与形成有偏离角α的方向A垂直的方向上连续延伸的改质层186，并且从改质层186沿着c面依次生成按照各向同性的方式延伸的裂纹188，在形成有偏离角α的方向A上相邻的裂纹188与裂纹188从上下方向观察是重叠的。由此，能够在距离锭170的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度形成由多个改质层186和裂纹188构成的、用于从锭170剥离出晶片的强度降低的剥离层190。在形成了剥离层190之后，将第二保持工作台60定位于锭装卸位置，并且解除第二保持工作台60的吸引力。另外，剥离层形成工序例如可以在以下的加工条件下实施。
脉冲激光光线的波长：1064nm
重复频率：80kHz
平均输出：3.2W
脉冲宽度：4ns
聚光点的直径：3μm
聚光透镜的数值孔径(NA)：0.43
聚光点的Z轴方向位置：距离锭的上表面为300μm
第二保持工作台的进给速度 ：120mm/s～260mm/s
转位量：250μm～400μm
在实施了剥离层形成工序之后，利用传送带单元10实施第二搬送工序，将形成有剥离层190的锭170从激光照射单元6搬送至晶片剥离单元8。在第二搬送工序中，首先对第二转移构件142的多关节臂144进行驱动，使吸附片145紧贴于第二保持工作台60上的锭170的第一面172上，利用吸附片145对锭170进行吸引保持。接着，对多关节臂144进行驱动而使吸附片145移动，使利用吸附片145进行吸引保持的锭170的第二面174与搬送托盘9的锭支承部117接触。接着，解除吸附片145的吸引力，将锭170支承于搬送托盘9的锭支承部117。接着，使搬送托盘制动器129的升降板131从分离位置下降至通过位置，从而将搬送托盘9载置于往路传送带121的环形带127。
在将搬送托盘9载置于往路传送带121之后，利用往路传送带121将搬送托盘9搬送至与晶片剥离单元8面对的位置(在本实施方式中为往路传送带121的终点)。此时，将升降板135定位于第一搬送构件123的Y轴方向可动板137的上表面比往路传送带121的环形带127的上表面低、且制动器片138与利用往路传送带121进行搬送的搬送托盘9接触的高度，并且将Y轴方向可动板137定位于前进位置。由此，能够使制动器片138与利用往路传送带121沿Y1方向进行搬送的搬送托盘9接触，能够在与晶片剥离单元8面对的位置使搬送托盘9停止。接着，使第一搬送构件123的升降板135上升，将停止的搬送托盘9搭载于Y轴方向可动板137的上表面上，并且使搬送托盘9的下表面从环形带127的上表面分离。接着，对第三转移构件143的多关节臂144进行驱动，使吸附片145紧贴于锭170的第一面172，利用吸附片145对锭170进行吸引保持。接着，对多关节臂144进行驱动而使吸附片145移动，使利用吸附片145进行吸引保持的锭170的第二面174与晶片剥离单元8的第三保持工作台80的上表面接触。此时，第三保持工作台80定位于用于装卸锭的锭装卸位置(图6所示的位置)。并且，解除吸附片145的吸引力，将锭170载置于第三保持工作台80的上表面上。这样，将锭170从激光照射单元6搬送至晶片剥离单元8。
在实施了第二搬送工序之后，利用晶片剥离单元8实施晶片剥离工序，利用第三保持工作台80对形成有剥离层190的锭170进行保持，并且对第三保持工作台80所保持的锭170的上表面进行保持而从剥离层190将晶片剥离。在晶片剥离工序中，首先利用第三保持工作台80对锭170进行吸引保持。接着，如图17的(a)所示，将第三保持工作台80定位于液槽94的下方的晶片剥离位置。接着，如图17的(b)所示，利用臂移动构件使臂92下降而使液槽94的侧壁98的下端紧贴于第三保持工作台80的上表面上。接着，如图7所示，使气缸108的活塞杆108b移动而使吸附片112的下表面紧贴于锭170的第一面172上。接着，在吸附片112的下表面上生成吸引力，利用吸附片112从第一面172侧对锭170进行吸引保持。接着，使与液体提供部100连接的液体提供构件进行动作，从液体提供部100向液体收纳空间104提供液体106(例如水)，直至浸渍超声波振动生成部件110为止。接着，使超声波振动生成部件110进行动作而对锭170赋予超声波振动，从而刺激剥离层190而使裂纹188延伸，从而使剥离层190的强度进一步降低。接着，在利用吸附片112对锭170进行吸引保持的状态下，利用臂移动构件使臂92上升，从而如图18所示，能够以剥离层190为起点而将要生成的晶片192从锭170剥离。另外，在利用臂移动构件使臂92上升时，从液体收纳空间104排出液体106，液体106通过形成于基台84的排水口(未图示)而排出到晶片剥离单元8的外部。在从锭170剥离出晶片192之后，将第三保持工作台80定位于锭装卸位置，并且解除第三保持工作台80的吸引力。另外，在对锭170赋予超声波振动时，可以在锭170的上表面与吸附片112的下表面之间设置间隙(例如2～3mm)。另外，在以剥离层190为起点而将晶片192从锭170剥离时，可以利用第三转移构件143的吸附片145对锭170的上表面进行吸引保持，然后使吸附片145上升，从而将晶片192从锭170剥离。
在实施了晶片剥离工序之后，利用传送带单元10和收纳构件12实施第三搬送工序，将从锭170剥离的晶片192从晶片剥离单元8搬送至盒存放装置11的盒147而进行收纳。在第三搬送工序中，首先对第三转移构件143的多关节臂144进行驱动，使第三转移构件143的吸附片145紧贴于晶片剥离构件82的吸附片112所吸附的晶片192的下表面(剥离面)上，利用吸附片145对晶片192进行吸引保持。接着，解除晶片剥离构件82的吸附片112的吸引力，将晶片192从晶片剥离构件82的吸附片112交接至第三转移构件143的吸附片145。接着，对多关节臂144进行驱动而使吸附片145移动，使利用吸附片145进行吸引保持的晶片192与搬送托盘9的晶片支承部118接触。接着，解除吸附片145的吸引力，使晶片192支承于搬送托盘9的晶片支承部118。另外，在第三搬送工序中，对晶片192进行搬送，并且为了将剥离了晶片192的锭170从晶片剥离单元8搬送至锭磨削单元4，对多关节臂144进行驱动，使吸附片145紧贴于第三保持工作台80上的锭170的剥离面170a，利用吸附片145对锭170进行吸引保持。接着，对多关节臂144进行驱动而使吸附片145移动，将利用吸附片145进行吸引保持的锭170搬送并支承于搬送托盘9的锭支承部117。接着，将搭载有搬送托盘9的第一搬送构件123的Y轴方向可动板137定位于后退位置。接着，使升降板135下降，将Y轴方向可动板137的上表面定位于比返路传送带122的环形带127的上表面略微靠上方的位置。接着，将Y轴方向可动板137定位于前进位置，并且使升降板135下降，从而将搬送托盘9载置于返路传送带122的环形带127。
在将搬送托盘9载置于返路传送带122之后，利用返路传送带122对搬送托盘9进行搬送直至返路传送带122的终点为止。此时，将升降板135定位于第二搬送构件124的Y轴方向可动板137的上表面比返路传送带122的环形带127的上表面低、且制动器片138与利用返路传送带122进行搬送的搬送托盘9接触的高度，并且将Y轴方向可动片137定位于前进位置。由此，能够使制动器片138与利用返路传送带122沿Y2方向进行搬送的搬送托盘9接触，使搬送托盘9在返路传送带122的终点停止。接着，使升降板135略微上升，将停止的搬送托盘9搭载于Y轴方向可动板137的上表面上，并且将搬送托盘9的下表面从环形带127的上表面分离。接着，将Y轴方向可动板137定位于后退位置。接着，使升降板135上升，将Y轴方向可动板137的上表面定位于比往路传送带121的环形带127的上表面略微靠上方的位置。接着，利用收纳构件12的X轴方向移动构件152和升降构件154使升降块153移动，并且对多关节臂155进行驱动，从而使保持片156紧贴于Y轴方向可动板137上的支承于搬送托盘9的晶片192的上表面，利用保持片156对晶片192进行吸引保持。并且，利用X轴方向移动构件152、升降构件154和多关节臂155使保持片156移动，从而将利用保持片156进行吸引保持的晶片192从搬送托盘9搬出而移动至盒存放装置11的盒147内。并且，解除保持片156的吸引力。这样，将从锭170剥离的晶片192从晶片剥离单元8搬送至盒存放装置11的盒147而进行收纳。
另外，在将晶片192从搬送托盘9搬出之后，将第二搬送构件124的Y轴方向可动板137定位于前进位置，并且使升降板135下降，从而将搬送托盘9载置于往路传送带121的环形带127。此时，将配置于与锭磨削单元4面对的位置的搬送托盘制动器129的升降板131定位于停止位置。由此，能够利用与锭磨削单元4面对的位置的搬送托盘制动器129使利用往路传送带121沿Y1方向进行搬送的搬送托盘9停止。接着，为了使停止的搬送托盘9的下表面从环形带127的上表面分离而使搬送托盘制动器129的升降板131上升至分离位置。接着，对第一转移构件141的多关节臂144进行驱动，使吸附片145紧贴于锭170的剥离面170a，利用吸附片145对锭170进行吸引保持。接着，对多关节臂144进行驱动而使吸附片145移动，使锭170的第二面174与定位于锭装卸位置的锭磨削单元4的第一保持工作台14的上表面接触。并且，解除吸附片145的吸引力，将锭170载置于第一保持工作台14的上表面。这样，将剥离了晶片192的锭170从晶片剥离单元8搬送至锭磨削单元4。
在实施了第三搬送工序之后，利用锭磨削单元4实施锭磨削工序，利用第一保持工作台14对剥离了晶片192的锭170进行保持，并且对第一保持工作台14所保持的锭170的剥离面170a进行磨削而进行平坦化。参照图3进行说明，在锭磨削工序中，首先在第一保持工作台14的上表面上生成吸引力，利用第一保持工作台14对锭170进行吸引保持。接着，将保持着锭170的第一保持工作台14定位于磨削位置。接着，使保持着锭170的第一保持工作台14从上方看逆时针地按照规定的旋转速度(例如300rpm)进行旋转。另外，使主轴36从上方看逆时针地按照规定的旋转速度(例如6000rpm)进行旋转。接着，使主轴壳体30下降而使磨削磨具44与锭170的剥离面170a接触。在使磨削磨具44与剥离面170a接触之后，按照规定的磨削进给速度(例如1.0μm/s)使主轴壳体30下降。由此，能够对剥离了晶片192的锭170的剥离面170a进行磨削而将锭170的剥离面170a平坦化至不妨碍剥离层形成工序中的脉冲激光光线LB的入射的程度。在对锭170的剥离面170a进行了平坦化之后，将保持着锭170的第一保持工作台14定位于锭装卸位置，并且解除第一保持工作台14的吸引力。
在实施了锭磨削工序之后，利用传送带单元10实施第四搬送工序，将剥离面170a已平坦化的锭170从锭磨削单元4搬送至激光照射单元6。在第四搬送工序中，首先对第一转移构件141的多关节臂144进行驱动，使吸附片145紧贴于第一保持工作台14上的锭170的剥离面170a上，利用吸附片145对锭170进行吸引保持。接着，对多关节臂144进行驱动而使吸附片145移动，使利用吸附片145进行吸引保持的锭170的第二面174与搬送托盘9的锭支承部117接触。接着，解除吸附片145的吸引力，将锭170支承于搬送托盘9的锭支承部117。接着，使搬送托盘制动器129的升降板131从分离位置下降至通过位置，从而将搬送托盘9载置于往路传送带121的环形带127。
在将搬送托盘9载置于往路传送带121之后，利用往路传送带121将搬送托盘9搬送至与激光照射单元6面对的位置。此时，将配置于与激光照射单元6面对的位置的搬送托盘制动器129的升降板131定位于停止位置，利用与激光照射单元6面对的位置的搬送托盘制动器129使利用往路传送带121沿Y1方向进行搬送的搬送托盘9停止。接着，为了使停止的搬送托盘9的下表面从环形带127的上表面分离而使搬送托盘制动器129的升降板131上升至分离位置。接着，对第二转移构件142的多关节臂144进行驱动，使吸附片145紧贴于锭170的剥离面170a，利用吸附片145对锭170进行吸引保持。接着，对多关节臂144进行驱动而使吸附片145移动，使利用吸附片145进行吸引保持的锭170的第二面174与定位于锭装卸位置的激光照射单元6的第二保持工作台60的上表面接触。并且，解除吸附片145的吸引力，将锭170载置于第二保持工作台60的上表面。这样，将剥离面170a已平坦化的锭170从锭磨削单元4搬送至激光照射单元6。
在实施了第四搬送工序之后，利用激光照射单元6实施上述的剥离层形成工序。并且，反复实施剥离层形成工序、晶片剥离工序、锭磨削工序以及第二至第四搬送工序，从而生成能够从锭170生成的数量的晶片192并将晶片192收纳至盒存放装置11的盒147中。
以上，着眼于一个锭170而对在晶片生成装置2中对锭170实施的各工序进行了说明，但在晶片生成装置2中，可以在实施了将锭170从锭存放装置148搬送至激光照射单元6的第一搬送工序之后，隔开适当的间隔而重复实施第一搬送工序，并且对多个(在本实施方式中为四个)锭170并行地重复实施剥离层形成工序、晶片剥离工序、锭磨削工序以及第二至第四搬送工序，从而能够生成能够从多个锭170生成的数量的晶片192。另外，在从一个锭170生成的晶片192的数量例如为100张的情况下，当将晶片192收纳至能够收纳25张的四个盒147中时，将识别搬送托盘9的ID标记于搬送托盘9，并且在晶片生成装置2中设置读取搬送托盘9的ID的读取构件，从而能够将所生成的晶片192按照锭170进行分类而收纳至盒147中。
如上所述，本实施方式中的晶片生成装置2至少包含：锭磨削单元4，其至少包含：第一保持工作台14，其对锭170进行保持、以及磨削构件16，其对第一保持工作台14所保持的锭170的上表面进行磨削而进行平坦化；激光照射单元6，其至少包含：第二保持工作台60，其对锭170进行保持、以及激光照射构件62，其将对于锭170具有透过性的波长的激光光线LB的聚光点FP定位于距离第二保持工作台60所保持的锭170的上表面相当于要生成的晶片192的厚度的深度而将激光光线LB照射至锭170，形成剥离层190；晶片剥离单元8，其至少包含：第三保持工作台80，其对锭170进行保持、以及晶片剥离构件82，其对第三保持工作台80所保持的锭170的上表面进行保持而从剥离层190剥离出晶片192；搬送托盘9，其具有：锭支承部117，其对锭170进行支承、以及晶片支承部118，其对所剥离的晶片192进行支承；传送带单元10，其在锭磨削单元4、激光照射单元6和晶片剥离单元8之间对支承于搬送托盘9的锭170进行搬送；盒存放装置11，其收纳有多个对所剥离的晶片192进行收纳的盒147；以及收纳构件12，其将支承于搬送托盘9的晶片支承部118的晶片192收纳至盒存放装置11所收纳的盒147中，因此能够自动地进行从锭170生成晶片192的一系列的作业，生产效率提高。
另外，在本实施方式中的晶片生成装置2中，各单元独立构成，因此可以根据原材料、尺寸等锭的条件或用户的要求等变更各单元的数量。例如通过使晶片生成装置2具有多台各单元，能够并行地实施相同的工序，能够增加每单位时间的晶片生成数量。另外，在晶片生成装置2中，也可以与能够利用比较短的时间实施工序的单元的台数相比，具有较多的实施工序需要花费比较长的时间的单元的台数，从而抑制工序的行进的停滞而提高生产效率。
另外，本实施方式中的搬送托盘9具有对锭170进行支承的锭支承部117和对晶片192进行支承的晶片支承部118，因此能够对锭170和从锭170剥离的晶片192进行搬送。
另外，在本实施方式中，对于如下的例子进行了说明：在剥离层形成工序中使锭170在与形成有偏离角α的方向A垂直的方向上相对于聚光点FP相对地移动、并且在转位进给中使聚光点FP在形成有偏离角α的方向A上相对于锭170相对地移动，但锭170相对于聚光点FP的相对的移动方向可以不是与形成有偏离角α的方向A垂直的方向，另外，转位进给中的聚光点FP相对于锭170的相对的移动方向可以不是形成有偏离角α的方向A。
另外，如果有需求，则可以设置对从锭170剥离的晶片192的剥离面进行磨削而进行平坦化的晶片磨削单元，利用晶片磨削单元对晶片192的剥离面进行平坦化之后将晶片192收纳至盒147中。另外，也可以设置有对利用锭磨削单元4进行了磨削的锭170和利用晶片磨削单元进行了磨削的晶片192进行清洗的清洗单元。

Claims (7)

1.一种晶片生成装置，其从六方晶单晶锭生成晶片，其中，
该晶片生成装置具有锭磨削单元、激光照射单元、晶片剥离单元、搬送托盘、传送带单元、盒存放装置以及收纳构件，
所述锭磨削单元包含：第一保持工作台，其对六方晶单晶锭进行保持；以及磨削构件，其对该第一保持工作台所保持的锭的上表面进行磨削而进行平坦化，
所述激光照射单元包含：第二保持工作台，其对六方晶单晶锭进行保持；以及激光照射构件，其将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离该第二保持工作台所保持的六方晶单晶锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而对六方晶单晶锭照射激光光线，形成剥离层，
所述晶片剥离单元包含：第三保持工作台，其对六方晶单晶锭进行保持；以及晶片剥离构件，其对该第三保持工作台所保持的六方晶单晶锭的上表面进行保持而从剥离层剥离出晶片，
所述搬送托盘包含：锭支承部，其对六方晶单晶锭进行支承；以及晶片支承部，其对剥离出的晶片进行支承，
所述传送带单元在该锭磨削单元、该激光照射单元和该晶片剥离单元之间对支承于该搬送托盘的六方晶单晶锭进行搬送，
在所述盒存放装置中收纳有多个对剥离出的晶片进行收纳的盒，
所述收纳构件将被该搬送托盘的该晶片支承部支承的晶片收纳至该盒存放装置所收纳的盒中。
2.根据权利要求1所述的晶片生成装置，其中，
该晶片生成装置还具有对六方晶单晶锭进行收纳的锭存放装置。
3.根据权利要求2所述的晶片生成装置，其中，
该收纳构件将该锭存放装置所收纳的六方晶单晶锭搬送至该传送带单元。
4.根据权利要求2所述的晶片生成装置，其中，
六方晶单晶锭在支承于该搬送托盘的状态下收纳至该锭存放装置中。
5.一种搬送托盘，其具有：
锭支承部，其对六方晶单晶锭进行支承；以及
晶片支承部，其对晶片进行支承。
6.根据权利要求5所述的搬送托盘，其中，
该搬送托盘由壳体构成，该壳体具有上壁、下壁、将该上壁与该下壁连结起来的一对侧壁以及在该一对侧壁之间贯通的空腔，
在该壳体的该上壁或该下壁中的一方上具有该锭支承部，在该壳体的该下壁或该上壁中的另一方上具有该晶片支承部。
7.根据权利要求5所述的搬送托盘，其中，
该锭支承部具有与两个以上的尺寸的锭相对应的同心状的凹部，该晶片支承部具有与两个以上的尺寸的晶片相对应的同心状的凹部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023202307A1 (zh) * 2022-04-18 2023-10-26 济南金威刻科技发展有限公司 MiniLED芯片高端激光划片机后段激光整合设备

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7164396B2 (ja) * 2018-10-29 2022-11-01 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7340970B2 (ja) * 2019-07-10 2023-09-08 東京エレクトロン株式会社 分離装置及び分離方法
JP7149249B2 (ja) * 2019-10-31 2022-10-06 Ｔｏｗａ株式会社 搬送モジュール、切断装置及び切断品の製造方法
KR20210102538A (ko) 2020-02-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 트레이 및 이를 이용한 표시 장치의 운송 방법
JP7461158B2 (ja) * 2020-02-20 2024-04-03 株式会社ディスコ 搬送トレー
JP7408474B2 (ja) 2020-04-16 2024-01-05 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP2022090272A (ja) * 2020-12-07 2022-06-17 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP2022117116A (ja) * 2021-01-29 2022-08-10 株式会社ディスコ 剥離装置
DE102022213809A1 (de) 2022-12-16 2024-06-27 Apag Elektronik Ag Verfahren und Vorrichtung zum automatisierten Laserschneiden von Werkstückteilen aus einem flachen Werkstück

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3469686A (en) * 1967-02-08 1969-09-30 Monsanto Co Retaining trays for semiconductor wafers and the like
CN102194732A (zh) * 2010-02-02 2011-09-21 株式会社迪思科 工件单元的保持方法和保持机构
CN202259215U (zh) * 2011-10-09 2012-05-30 晶伟电子材料有限公司 一种用于单晶托加热的装置
CN103771034A (zh) * 2004-08-19 2014-05-07 布鲁克斯自动化公司 容量减小的运载器和使用方法
JP2015008195A (ja) * 2013-06-25 2015-01-15 株式会社ディスコ ウエーハ加工装置
CN104339087A (zh) * 2013-08-01 2015-02-11 株式会社迪思科 加工装置
CN105750741A (zh) * 2015-01-06 2016-07-13 株式会社迪思科 晶片的生成方法
CN105862135A (zh) * 2015-02-09 2016-08-17 株式会社迪思科 晶片的生成方法
CN106057715A (zh) * 2015-04-08 2016-10-26 株式会社迪思科 被加工物的搬送托盘
CN106239751A (zh) * 2015-06-05 2016-12-21 株式会社迪思科 晶片的生成方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3169295A (en) * 1962-01-17 1965-02-16 Ferro Corp Precision tile setter
CH635769A5 (fr) * 1980-03-10 1983-04-29 Far Fab Assortiments Reunies Installation pour le sciage de plaques et dispositif de manutention pour une telle installation.
US4993895A (en) * 1990-01-08 1991-02-19 Edward Nordstrom Apparatus for retaining a tile in a secure position to prevent rotation while an opening is drilled through the tile
KR0135049B1 (ko) * 1994-05-31 1998-04-20 양승택 반도체 제조장비의 웨이퍼 장착 카세트
WO1996002069A1 (fr) * 1994-07-08 1996-01-25 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Receptacle de stockage pour cristal semi-conducteur
JP3544710B2 (ja) * 1994-07-08 2004-07-21 信越半導体株式会社 半導体結晶用容器
JP2000061767A (ja) * 1998-08-17 2000-02-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd インゴット搬送用パレット及びそのインゴット搬送用パレットを使用したウェーハ製造システム
JP2000094221A (ja) 1998-09-24 2000-04-04 Toyo Advanced Technologies Co Ltd 放電式ワイヤソー
US6145673A (en) * 1999-03-31 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Wafer transfer cassette
JP2000332096A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Bridgestone Corp 製品ホルダー
TWI250604B (en) * 1999-07-29 2006-03-01 Ibm Improved ladder boat for supporting wafers
JP2004273867A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Okamoto Machine Tool Works Ltd 極薄ウエハの搬出方法およびそれに用いる多段式収納カセット
JP5205738B2 (ja) * 2006-10-16 2013-06-05 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハの支持方法、熱処理治具および熱処理ウェーハ
JP5023970B2 (ja) * 2007-10-31 2012-09-12 信越半導体株式会社 インゴット切断装置
JP5917862B2 (ja) 2011-08-30 2016-05-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5992696B2 (ja) * 2012-02-29 2016-09-14 株式会社ディスコ リフトオフ装置
JP5996254B2 (ja) * 2012-04-26 2016-09-21 株式会社ディスコ リフトオフ方法
US20140374390A1 (en) * 2013-06-24 2014-12-25 Michael Beransky High production laser cutting automated system
CN105592994B (zh) * 2013-08-07 2018-10-12 通快激光与系统工程有限公司 用于加工板状工件的方法和装置及由这类工件制成的产品
EP2975638A1 (en) * 2014-07-15 2016-01-20 Applied Materials Switzerland Sàrl Processing apparatus for processing a semiconductor ingot, carrier and method of transferring and processing a semiconductor ingot
JP6506520B2 (ja) * 2014-09-16 2019-04-24 株式会社ディスコ ＳｉＣのスライス方法
JP6399913B2 (ja) * 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6444207B2 (ja) * 2015-02-17 2018-12-26 株式会社ディスコ 六方晶単結晶基板の検査方法及び検査装置
JP6486239B2 (ja) * 2015-08-18 2019-03-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6546823B2 (ja) * 2015-09-29 2019-07-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6562819B2 (ja) * 2015-11-12 2019-08-21 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の分離方法
JP6604891B2 (ja) * 2016-04-06 2019-11-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6619685B2 (ja) * 2016-04-19 2019-12-11 株式会社ディスコ ＳｉＣウエーハの加工方法
JP6781639B2 (ja) * 2017-01-31 2020-11-04 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP7009224B2 (ja) * 2018-01-16 2022-01-25 株式会社ディスコ 平坦化方法
JP7164396B2 (ja) * 2018-10-29 2022-11-01 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
KR102129709B1 (ko) * 2020-01-20 2020-07-02 인피콘(주) 석영소자를 수용하는 트레이 및 그 석영소자를 옮기는 방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3469686A (en) * 1967-02-08 1969-09-30 Monsanto Co Retaining trays for semiconductor wafers and the like
CN103771034A (zh) * 2004-08-19 2014-05-07 布鲁克斯自动化公司 容量减小的运载器和使用方法
CN102194732A (zh) * 2010-02-02 2011-09-21 株式会社迪思科 工件单元的保持方法和保持机构
CN202259215U (zh) * 2011-10-09 2012-05-30 晶伟电子材料有限公司 一种用于单晶托加热的装置
JP2015008195A (ja) * 2013-06-25 2015-01-15 株式会社ディスコ ウエーハ加工装置
CN104339087A (zh) * 2013-08-01 2015-02-11 株式会社迪思科 加工装置
CN105750741A (zh) * 2015-01-06 2016-07-13 株式会社迪思科 晶片的生成方法
CN105862135A (zh) * 2015-02-09 2016-08-17 株式会社迪思科 晶片的生成方法
CN106057715A (zh) * 2015-04-08 2016-10-26 株式会社迪思科 被加工物的搬送托盘
CN106239751A (zh) * 2015-06-05 2016-12-21 株式会社迪思科 晶片的生成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023202307A1 (zh) * 2022-04-18 2023-10-26 济南金威刻科技发展有限公司 MiniLED芯片高端激光划片机后段激光整合设备

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