JP6444207B2 - 六方晶単結晶基板の検査方法及び検査装置 - Google Patents
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Description
11 六方晶単結晶基板(SiC基板)
11a 第1の面(上面)
11b 第2の面(裏面)
13 第1のオリエンテーションフラット
14 保持テーブル
15 第2のオリエンテーションフラット
22 モータ
30 ロータリーエンコーダ
32 He−Neレーザー発振器
34 1/2波長板
38 偏光ビームスプリッタ
40 第1受光素子
42 第2受光素子
44 オリエンテーションフラット検出器
46 演算手段
50 モニター(表示手段)
Claims (4)
- 第1の面と該第1の面と反対側の第2の面と、該第1の面から該第2の面に至るc軸と、該c軸に直交するc面とを有し、該第1の面の垂線に対してc軸が傾く方向を検出する六方晶単結晶基板の検査方法であって、
六方晶単結晶基板を透過する波長と、所定方向の偏光面を有する直線偏光のレーザービームを発生するレーザービーム発生手段を準備する準備工程と、
六方晶単結晶基板の第1の面をレーザービームの光路に対して垂直に位置付けると共にレーザービームが六方晶単結晶基板を透過するように保持する保持工程と、
該レーザービーム発生手段が発生したレーザービームの偏光面に対してレーザービームの中心を回転中心として六方晶単結晶基板を相対的に回転させる回転工程と、
六方晶単結晶基板を透過したレーザービームを偏光ビームスプリッタによってP偏光とS偏光とに分岐する分岐工程と、
該偏光ビームスプリッタで分岐したP偏光の光量を計測する第1受光素子とS偏光の光量を計測する第2受光素子とを用いて、該第1受光素子と該第2受光素子とが計測した光量の光量比を算出する算出工程と、
該レーザービームの偏光面に対する六方晶単結晶基板の相対的な回転角度と該算出工程によって算出された光量比とを対比して表示し、該第1の面の垂線に対してc軸が傾く方向を検出する傾き検出工程と、
を備えたことを特徴とする六方晶単結晶基板の検査方法。 - 該回転工程における六方晶単結晶基板のオリエンテーションフラットを検出するオリエンテーションフラット検出工程を更に備え、
該オリエンテーションフラット検出工程において、オリエンテーションフラットが検出された回転角度と近似する回転角度に表れる光量比のピークの回転角度を持ってc軸が傾く方向とする請求項1記載の六方晶単結晶基板の検査方法。 - 第1の面と該第1の面と反対側の第2の面と、該第1の面から該第2の面に至るc軸と、該c軸に直交するc面とを有し、該第1の面の垂線に対してc軸が傾く方向を検出する六方晶単結晶基板の検査装置であって、
六方晶単結晶基板を透過する波長と、所定方向の偏光面を有する直線偏光のレーザービームを発生するレーザービーム発生手段と、
該レーザービーム発生手段が発生したレーザービームの光路に対して六方晶単結晶基板の第1の面を垂直に位置付けると共にレーザービームが六方晶単結晶基板を透過するように保持する保持手段と、
該レーザービーム発生手段が発生したレーザービームの偏光面に対してレーザービームの中心を回転中心として六方晶単結晶基板を相対的に回転させる回転手段と、
六方晶単結晶基板を透過したレーザービームをP偏光とS偏光に分岐する偏光ビームスプリッタと、
該偏光ビームスプリッタで分岐したP偏光の光量を計測する第1受光素子と、
該偏光ビームスプリッタで分岐したS偏光の光量を計測する第2受光素子と、
該第1受光素子と該第2受光素子とが計測した光量の光量比を算出する算出手段と、
該回転手段の作動によってレーザービームの偏光面に対する六方晶単結晶の相対的な回転角度と、該算出手段によって算出された光量比とを対比して表示する表示手段と、
を備えたことを特徴とする六方晶単結晶基板の検査装置。 - 六方晶単結晶基板のオリエンテーションフラットを検出する検出手段を更に備え、
該表示手段は、オリエンテーションフラットが検出された回転角度と近似する回転角度に表れる光量比のピークの回転角度を持ってc軸が傾く方向として表示する請求項3記載の六方晶単結晶基板の検査装置。
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