JP2011214910A - ウエハ反り量測定方法及び測定装置 - Google Patents
ウエハ反り量測定方法及び測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011214910A JP2011214910A JP2010081526A JP2010081526A JP2011214910A JP 2011214910 A JP2011214910 A JP 2011214910A JP 2010081526 A JP2010081526 A JP 2010081526A JP 2010081526 A JP2010081526 A JP 2010081526A JP 2011214910 A JP2011214910 A JP 2011214910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- warpage
- amount
- distance meter
- laser distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
【課題】安価で狭い視野のレンズ系でウエハの反りを測定可能にする。
【解決手段】ウエハ10を回転テーブル12上で回転させながら、レーザー距離計28によりウエハ10のエッジとレーザー距離計28との距離を非接触で測定する。次に、この距離の最大値と最小値との差をウエハ10の反り量として計算する。これにより、従来の測定方法のようにウエハ10の全面を測定することなく、ウエハ10の反り量を測定する。
【選択図】図2
【解決手段】ウエハ10を回転テーブル12上で回転させながら、レーザー距離計28によりウエハ10のエッジとレーザー距離計28との距離を非接触で測定する。次に、この距離の最大値と最小値との差をウエハ10の反り量として計算する。これにより、従来の測定方法のようにウエハ10の全面を測定することなく、ウエハ10の反り量を測定する。
【選択図】図2
Description
本発明は、ウエハの反り量を測定する方法及び装置に関し、特に各種ICカード、スタックドチップパッケージ、又はパワーデバイス用の薄厚チップの製造工程の管理及び開発に有効なウエハ反り量測定方法及び測定装置に関する。
図8〜10はウエハを示す断面図である。まず、図8に示すように、ウエハであるSi基板100の表面に半導体素子102が形成される。この時点でのウエハの厚さは、通常625μmから725μmである。この厚さでは、半導体製造装置の搬送系で搬送不良を起こすようなウエハの反りは発生しない。
次に、図9に示すように、ICカードやスタックドチップパッケージやパワーデバイス用の薄厚チップ製造のために、Si基板100を裏面研磨してウエハの厚さを200μm以下にする。薄くなったSi基板100と、配線などを含む半導体素子102との応力差によって、ウエハが凹型に反る。
また、パワーデバイスでは半田付け用の電極を作るために、図10に示すように、Ni層を含んだ金属電極104をSi基板100の裏面に蒸着又はスパッタにより形成する場合もある。この場合はウエハが凸型に反る。これらの反り量はSi基板100が薄くなるほど大きくなり、10mmに達することもある。
ウエハが反っていると、半導体製造装置の搬送系のロボット吸着アームや吸着ステージで吸着エラーを起こす場合や、引っ掛かってウエハが割れる場合もある。一方、ウエハの反り量は、半導体素子102や金属電極104の形状、膜質、熱処理条件等で制御することができる。これら搬送系の管理や、反り低減の条件出しのために、ウエハの反り量を測定する必要がある。
従来は、反ったウエハを水平な板の上に置き、人の目でウエハのエッジの1番高いところを探して、人の手と目でデジタルマイクロメーターやノギスを用いて、測定していた。しかし、ウエハのエッジの1番高いところを人の目で探し、人の手と目でデジタルマイクロメーターやノギスを用いて測定すると、誤差が生じやすい。また、ウエハのエッジにマイクロメーターやノギスが触れると、ウエハが上下に動いて誤差が生じる。そこで、ウエハの表面形状を非接触で自動的に測定する方法及び装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
従来の方法では、ウエハのエッジから中心線に沿って反対側のエッジまで高さを測定する。従って、ウエハを少しずつ回転させて止めてこの測定を繰り返して、ウエハ全面を測定しなければならず、測定装置の構成も複雑であった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、ウエハの反り量を簡単に測定することができるウエハ反り量測定方法及び測定装置を得るものである。
本発明は、ウエハを回転テーブル上で回転させながら、レーザー距離計により前記ウエハのエッジと前記レーザー距離計との距離を非接触で測定する工程と、前記距離の最大値と最小値との差を前記ウエハの反り量として計算する工程とを備えることを特徴とするウエハ反り量測定方法である。
本発明により、ウエハの反り量を簡単に測定することができる。
本発明の実施の形態に係るウエハ反り量測定装置について説明する。図1は本発明の実施の形態に係るウエハ反り量測定装置を示す側面図であり、図2は上面図である。
ウエハ10を載せる水平な回転テーブル12が、回転軸14を介して台座16に設けられている。回転テーブル12の表面には、搭載するウエハ10のサイズに合わせてその外周に沿った位置に、少なくとも2つの突起12aが距離を置いて着脱可能に設けられている。回転軸14にプーリー18が設けられ、モーター20にプーリー22が設けられている。プーリー18とプーリー22にベルト24が取り付けられている。また、回転テーブル12の回転時の上下の振れを小さくするためにクロスローラーリング26が設けられている。
レーザー距離計28(例えばキーエンス社製LK−035)がバー30に取り付けられている。バー30は支柱32に固定されている。支柱32は固定ブロック34により台座16に固定されている。
操作部36には、測定装置の電源スイッチ38と、測定開始スイッチ40と、デジタル表示部42と、モーター20の速度調整ボリューム44とが設けられている。速度調整ボリューム44により回転テーブル12の回転速度を調整する。計算機(コンピュータ)46は、レーザー距離計28の測定結果からウエハ10の反り量を計算する。
また、レーザー距離計28は左右に移動できる。このため、回転テーブル12の回転中心とレーザー距離計28との距離は、ウエハ10の直径に合わせて調整できる。例えば図2よりもウエハ10の直径が小さい場合は、図3に示すようにレーザー距離計28の位置を調整する。
図4は、回転テーブルに載せられたウエハを示す上面図である。図5は図4のA方向からウエハを見た側面図である。図6は図4のB方向からウエハを見た側面図である。ウエハ10は、単結晶Siウエハであり、中心線C−C´を中心として対称なポテトチップス状に反る。ウエハ10を水平な回転テーブル12に載せて、ウエハ10のエッジの最も高い位置の高さからウエハ10の厚みtを引いたものをウエハ10の反り量aとして定義する。
続いて、本発明の実施の形態に係るウエハ反り量測定方法について説明する。まず、電源スイッチ38を入れ、レーザー距離計28のレーザーを安定させる。次に、ウエハ10を回転テーブル12に中心を合わせて載せる。具体的には、回転テーブル12上の2つ突起12aの側面にウエハ10の外周を接触させて、ウエハ10の位置決めを行う。
レーザー距離計28のレーザーからレーザー光48をウエハ10のエッジ、正確にはウエハ10の外周端から内側に1mm程度の位置に投射する。これにより、反射されたレーザー光50がレーザー距離計28の受光センサーに入射される。レーザー距離計の種類(原理)は幾つか考えられるが、ここでは複数の受光センサーが線状又は平面状に配置されたCCD(電化結合素子)を有するものを用いる。そして、各受光センサーにより入射光の光量を測定し、この光量の分布(ピーク値の位置)を基にレーザー距離計28(基準位置)からの距離を導き出す。つまり、反射されたレーザー光50の受光センサーへの入射角度が距離によって異なることを利用したものである。これによりレーザー距離計28はウエハ10のエッジとの距離52を非接触で測定する。この距離がデジタル表示部42に表示される。
次に、測定開始スイッチ40を押すと、モーター20が回転し、プーリー22、ベルト24、プーリー18、及び回転軸14を通じて回転テーブル12に回転が伝わる。これにより回転テーブル12はウエハ10を載せて回転する。このようにウエハ10を回転テーブル12上で回転させながら、レーザー距離計28によりウエハ10のエッジとレーザー距離計28との距離を非接触で測定する。例えば、回転速度を約3秒/回転として測定を行う。この場合でも、反り量が3mm程度のウエハ10であれば測定(回転)中にウエハ10が上下に動くことはなく、誤差を生じることもない。
図7は、テーブル回転度数とレーザー距離計の測定値の関係を示す図である。回転テーブル12の回転に応じて、レーザー距離計28の測定値が周期的に最大値と最小値を交互に取ることが分かる。
次に、計算機46により、レーザー距離計28が測定した距離の最大値bと最小値cを判断記憶し、その差(b−c)をウエハ10の反り量aとして計算する。なお、測定開始スイッチ40を押せばタイマーで回転テーブル12が1回以上まわって止まり、自動的にウエハ10の反り量を計算してデジタル表示部42に表示するようにしてもよい。
以上説明したように、本実施の形態に係るウエハ反り量測定方法では、ウエハ10を回転させながら、ウエハ10のエッジとレーザー距離計28との距離を非接触で測定することでウエハ10の反り量を測定する。これにより、従来の測定方法のようにウエハ10の全面を測定することなく、ウエハ10の反り量を簡単に測定することができる。
10 ウエハ
12 回転テーブル
28 レーザー距離計
46 計算機
12 回転テーブル
28 レーザー距離計
46 計算機
Claims (3)
- ウエハを回転テーブル上で回転させながら、レーザー距離計により前記ウエハのエッジと前記レーザー距離計との距離を非接触で測定する工程と、
前記距離の最大値と最小値との差を前記ウエハの反り量として計算する工程とを備えることを特徴とするウエハ反り量測定方法。 - ウエハを載せて回転する回転テーブルと、
前記ウエハのエッジとの距離を非接触で測定するレーザー距離計と、
前記距離の最大値と最小値との差を前記ウエハの反り量として計算する計算機とを備えることを特徴とするウエハ反り量測定装置。 - 前記回転テーブルの回転中心と前記レーザー距離計との距離は、前記ウエハの直径に合わせて調整できることを特徴とする請求項2に記載のウエハ反り量測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010081526A JP2011214910A (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | ウエハ反り量測定方法及び測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010081526A JP2011214910A (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | ウエハ反り量測定方法及び測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011214910A true JP2011214910A (ja) | 2011-10-27 |
Family
ID=44944820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010081526A Pending JP2011214910A (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | ウエハ反り量測定方法及び測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011214910A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015166623A1 (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-05 | 信越半導体株式会社 | ウエハのそりの評価方法及びウエハの選別方法 |
CN113206019A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-08-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种用于检测晶圆的翘曲度的装置及检测方法 |
CN114467007A (zh) * | 2019-10-11 | 2022-05-10 | 信越半导体株式会社 | 晶圆形状的测量方法 |
CN114812411A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-07-29 | 泰州汇品不锈钢有限公司 | 一种激光测量法兰厚度的设备 |
WO2023236064A1 (zh) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | 超能高新材料股份有限公司 | 基板的检测方法及其检测装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0283404A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Anritsu Corp | 平坦度測定方法 |
JP2000002524A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの表面形状測定装置および表面形状測定方法 |
JP2008076269A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 縦型形状測定装置、および形状測定方法。 |
-
2010
- 2010-03-31 JP JP2010081526A patent/JP2011214910A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0283404A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Anritsu Corp | 平坦度測定方法 |
JP2000002524A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの表面形状測定装置および表面形状測定方法 |
JP2008076269A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 縦型形状測定装置、および形状測定方法。 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015166623A1 (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-05 | 信越半導体株式会社 | ウエハのそりの評価方法及びウエハの選別方法 |
JP2015213099A (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-26 | 信越半導体株式会社 | ウエハのそりの評価方法及びウエハの選別方法 |
US10345102B2 (en) | 2014-05-01 | 2019-07-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for evaluating warpage of wafer and method for sorting wafer |
CN114467007A (zh) * | 2019-10-11 | 2022-05-10 | 信越半导体株式会社 | 晶圆形状的测量方法 |
CN113206019A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-08-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种用于检测晶圆的翘曲度的装置及检测方法 |
CN114812411A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-07-29 | 泰州汇品不锈钢有限公司 | 一种激光测量法兰厚度的设备 |
WO2023236064A1 (zh) * | 2022-06-07 | 2023-12-14 | 超能高新材料股份有限公司 | 基板的检测方法及其检测装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6444207B2 (ja) | 六方晶単結晶基板の検査方法及び検査装置 | |
KR101379538B1 (ko) | 접합 기판의 회전 어긋남량 계측 장치, 접합 기판의 회전 어긋남량 계측 방법 및 접합 기판의 제조 방법 | |
JP2011214910A (ja) | ウエハ反り量測定方法及び測定装置 | |
TWI566306B (zh) | A peeling device and a method for manufacturing the electronic component | |
JP2012007898A (ja) | 貼合わせ基板の位置ズレ検出装置およびそれを用いる半導体製造装置ならびに貼合わせ基板の位置ズレ検出方法 | |
US6480286B1 (en) | Method and apparatus for measuring thickness variation of a thin sheet material, and probe reflector used in the apparatus | |
WO2012121938A2 (en) | Wafer alignment system with optical coherence tomography | |
TWI567365B (zh) | 自我調整溝槽的調焦調平裝置及其方法 | |
TW201624602A (zh) | 定位裝置 | |
JP2008216200A (ja) | 端子平坦度測定装置及び端子平坦度測定方法 | |
JP6934381B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2011149776A (ja) | 二面の平行度を測定する方法及びそれに用いる光学系 | |
CN112091412B (zh) | 反射率测量装置和激光加工装置 | |
US9435020B2 (en) | Thin film deposition apparatus and method of forming thin film using the same | |
JP2008196855A (ja) | ウェハの位置決め方法および位置決め装置 | |
JP2011075316A (ja) | 二面の平行度を測定する方法及びそれに用いる反射部材 | |
TWI750367B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP2009250802A (ja) | ウェーハの厚さ測定方法 | |
JP2012038992A (ja) | ダイボンダ及び半導体製造方法 | |
KR20230089529A (ko) | 실장 장치 및 실장 방법 | |
TW202333258A (zh) | 測量方法及測量裝置 | |
JP2023137733A (ja) | ダイシング溝の検査方法及びダイシング装置 | |
JP2022034109A (ja) | 認識カメラ校正プレートおよび認識カメラ校正方法 | |
KR20230077688A (ko) | 접합 장치 및 접합 방법 | |
KR20140089846A (ko) | 기판 범프 높이 측정 장치 및 이를 이용한 측정 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130620 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130716 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131112 |