JP2012007898A - 貼合わせ基板の位置ズレ検出装置およびそれを用いる半導体製造装置ならびに貼合わせ基板の位置ズレ検出方法 - Google Patents

貼合わせ基板の位置ズレ検出装置およびそれを用いる半導体製造装置ならびに貼合わせ基板の位置ズレ検出方法 Download PDF

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Abstract

【課題】円板状の2組の基板を上下に積層して成る貼合わせ基板において、素子形成などにあたって、基板中心位置のズレ量を一括して求められるようにする。
【解決手段】輪郭測定手段3によって、貼合わせ基板2の厚み方向の投影像から2組の基板21,22を合わせた輪郭形状を検出する一方、エッジ形状測定手段4によって、周方向の複数点において、貼合わせ基板2の接線方向の投影像から2組の基板21,22それぞれのエッジ形状を検出する。そして、演算手段6が、輪郭測定手段3の検出結果から、いずれか一方の組の基板の形状データを検出し、直径および中心位置を求める一方、他方の組の基板については、その一方の組の基板の形状データを基準に、エッジ形状測定手段4で検出された2組の基板間の相対的な位置関係から、形状データを求め、直径および中心位置を求める。その後、2組の基板間の中心位置の距離から、前記ズレ量を求める。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体ウェーハなどとして実現される2組の円板状の基板が、互いに貼合わせられて成る貼合わせ基板におけるその貼り合せの位置ズレ量を検出するための装置および方法ならびにそれを用いる半導体製造装置に関する。
近年、半導体では、複数の機能を実現するために複数の半導体素子を積層したり、薄肉化に伴い支持基板を積層したりすることが行われるようになっている。具体的には、SOI(Silicon on Insulator)、TSV(Through-Silicon Via/Si貫通電極)、BSI(Back Side Illumination/裏面照射型撮像素子)などと称される半導体素子の製造工程において、前記半導体ウェーハの積層が行われている。
ところで、そのような貼合わせ基板においては、2組の基板がどのように貼合わせられているのかを正確に検出しないと、貫通電極や素子の形成を行うことができない。そこで、特許文献1では、半導体ウェーハの外周に形成されるノッチを検出し、2組の基板の回転角度を検出している。また、半導体ウェーハの直径を測定する技術としては、特許文献2が提案されている。
なお、本件明細書では、便宜上、2組の基板の積層方向は上下としているが、2組の基板を立てた状態を基準として、左右方向としてもよく、すなわち円板状の2組の基板を、その厚み方向に積層していればよい。また、2組の基板の一方または両方が、多層基板であってもよく、このため、2枚とせずに、2組としている。
特開2009−32802号公報 特開平7−218228号公報
前記特許文献1の従来技術では、2組の基板の回転角度を検出しているが、中心がどれだけズレているかは検出できず、また2組の基板を個別に検出しているものと思われる。
一方、特許文献2の従来技術は、直径や中心位置を求めているが、単独の基板を対象としており、貼合わせ基板における直径や中心位置のズレを検出することはできない。すなわち、貼合わせではない1枚もののウェーハの形状は、ほぼ円であるので、この特許文献2によれば、全周のフィッティング直径、平均直径、および中心の測定をすることが可能である。しかしながら、2組のウェーハを貼合わせた場合に、この特許文献2では、2組のウェーハを切り分けた測定を行うことができない。
図7は、本件発明者による貼合わせ基板の測定結果を示すグラフである。測定対象は、直径300mmのウェーハで、図7(a)は、横軸が、ノッチを基準とした回転角度位置を示し、縦軸は各回転角度位置における半径の測定結果を示している。この図7(a)の測定結果を円グラフで示すと、図7(b)のようになる。この図7(b)から、2枚の円板状のウェーハが、その中心がズレて貼合わせられていることが理解される。この図7(b)の状態を模式的に示すと、図8(a)で示すようになる。この図8(a)の状態は、図7(b)のグラフで2つの円がズレて重なっていることから推察できるが、図8(b)で示すように、2つのウェーハの直径に差があり、一方が他方に包含されているような状況では、特許文献2の従来技術では、直径の大きいウェーハの輪郭しか測定することができない。
本発明の目的は、貼合わせ基板における相互間のズレ量を一括して検出するすることができる貼合わせ基板の位置ズレ検出装置およびそれを用いる半導体製造装置ならびに貼合わせ基板の位置ズレ検出方法を提供することである。
本発明の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置は、円板状の2組の基板を上下に積層して成る貼合わせ基板において、前記2組の基板間のズレ量を検出する装置であって、前記2組の基板を合わせた全体としての輪郭位置を検出する最外縁部測定手段と、周方向の複数点において、前記2組の基板それぞれの先端位置を測定する先端位置測定手段と、前記最外縁部測定手段の検出結果から、いずれか一方の組の基板の輪郭位置データを検出し、他方の組の基板については、その一方の組の基板の輪郭位置データを基準に、前記先端位置測定手段で測定された2組の基板間の相対的な先端位置関係から輪郭位置データを求め、前記2組の基板間の輪郭位置データを比較して、該2組の基板間のズレ量を求める演算手段とを含むことを特徴とする。
たとえば、前記演算手段は、前記最外縁部測定手段の検出結果から、いずれか一方の組の基板の輪郭形状データを検出し、直径および中心位置を求める第1の演算手段と、前記先端位置測定手段の測定結果から、前記周方向の各点における2組の基板間の相対的な先端位置関係を求める第2の演算手段と、前記第1の演算手段の演算結果に対して、前記第2の演算手段の演算結果を対照し、いずれか他方の組の基板の輪郭形状データを求める第3の演算手段と、前記第3の演算手段の演算結果から、前記いずれか他方の組の基板の直径および中心位置を求める第4の演算手段と、前記第1の演算手段の演算結果に対して、前記第4の演算手段の演算結果を対照し、前記2組の基板間の中心位置のズレ量を検出する第5の演算手段とを含むことを特徴とする。
また、本発明の貼合わせ基板の位置ズレ検出方法は、円板状の2組の基板を上下に積層して成る貼合わせ基板において、前記2組の基板間のズレ量を検出する方法であって、前記2組の基板を合わせた全体としての輪郭位置を検出する最外縁部測定ステップと、周方向の複数点において、前記2組の基板それぞれの先端位置を測定する先端位置測定ステップと、前記最外縁部測定ステップでの検出結果から、いずれか一方の組の基板の輪郭位置データを検出し、他方の組の基板については、その一方の組の基板の輪郭位置データを基準に、前記先端位置測定ステップで検出された2組の基板間の相対的な先端位置関係から輪郭位置データを求め、前記2組の基板間の輪郭位置データを比較して、該2組の基板間のズレ量を求める演算ステップとを含むことを特徴とする。
たとえば、前記演算ステップは、前記最外縁部測定ステップでの検出結果から、いずれか一方の組の基板の輪郭形状データを検出し、直径および中心位置を求める第1の演算ステップと、前記先端位置測定ステップでの測定結果から、前記周方向の各点における2組の基板間の相対的な先端位置関係を求める第2の演算ステップと、前記第1の演算ステップでの演算結果に対して、前記第2の演算ステップでの演算結果を対照し、いずれか他方の組の基板の輪郭形状データを求める第3の演算ステップと、前記第3の演算ステップでの演算結果から、前記いずれか他方の組の基板の直径および中心位置を求める第4の演算ステップと、前記第1の演算ステップでの演算結果に対して、前記第4の演算ステップでの演算結果を対照し、前記2組の基板間の中心位置のズレ量を検出する第5の演算ステップとを含むことを特徴とする。
上記の構成によれば、円板状の2組の基板を上下に積層して成る貼合わせ基板において、それらの基板のそれぞれ、或いは一方に素子形成を行うなどのために、それらの基板間のズレ量を検出するにあたって、以下のような手法を用いる。すなわち、先ず最外縁部測定手段によって、前記2組の基板を合わせた全体としての輪郭形状を検出する一方、先端位置測定手段によって、周方向の複数点において、前記貼合わせ基板の接線方向の投影像などから、前記2組の基板それぞれの先端位置を測定する。そして、演算手段が、前記最外縁部測定手段の検出結果から、いずれか一方の組の基板の輪郭位置データを検出し、直径および中心位置を求める一方、他方の組の基板については、その一方の組の基板の輪郭位置データを基準に、前記先端位置測定手段で検出された2組の基板間の相対的な先端位置関係から、輪郭位置データを求め、直径および中心位置を求める。その後、2組の基板間の中心位置の距離から、前記ズレ量を求める。
したがって、貼り合せられた2組の基板の直径および相互間の位置ズレ量を一括して求めることができる。
さらにまた、本発明の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置では、前記先端位置測定手段は、前記貼合わせ基板を搭載し、相対的に回転させる回転手段と、前記貼合わせ基板の外周縁部付近に対し、前記貼合わせ基板の接線方向に光を照射し、前記回転手段の回転に伴い、前記周方向の各点の投影画像を撮像し、前記2組の基板の間の相対的な凹凸を検出する第1の光学系とを備えることを特徴とする。
上記の構成によれば、回転手段で貼合わせ基板を相対的に回転させることで、第1の光学系によって、接線方向から照射した照明光による投影像から、前記周方向の複数点における2組の基板それぞれのエッジ形状を容易に検出することができる。
また、本発明の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置では、前記第1の光学系は、点光源と、前記点光源からの光を入射して平行光を作成するコリメータレンズと、前記外周縁部付近を通過した光を集光する集光光学系と、前記集光光学系を通過した光による影像が投影される画像センサとを備えて構成されることを特徴とする。
上記の構成によれば、点光源からの光を前記貼合わせ基板の外周縁部越しに画像センサに向けて照射し、エッジの影像を画像センサに投影することで、前記2組の基板のエッジの相対的な凹凸の変化を検出することができる。そして、点光源、コリメータレンズ、好ましくはテレセントリックレンズを用いることで、前記2組の基板の奥行き長さが長い、すなわち大径であっても、画像センサにおけるエッジのボケが少なく、またエッジ近傍に発生する回折縞が少なく、良好なエッジの影像を得ることができる。
さらにまた、本発明の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置では、前記先端位置測定手段は、前記貼合わせ基板を搭載し、相対的に回転させる回転手段と、前記貼合わせ基板の外周縁部付近に対し、前記回転手段の回転に伴い、前記貼合わせ基板の半径方向にスリット光を輝線照射して、1方向以上から前記輝線画像を撮像し、前記2組の基板間の相対的な凹凸を検出する光切断手段とを備えることを特徴とする。
上記の構成によれば、回転手段で貼合わせ基板を相対的に回転させることで、光切断手段によって、半径方向に輝線照射したスリット光の1方向以上からの撮像画像から、前記周方向の複数点における2組の基板それぞれのエッジ形状を容易に検出することができる。
また、本発明の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置では、前記最外縁部測定手段は、前記貼合わせ基板を搭載し、相対的に回転させる回転手段と、前記貼合わせ基板の外周縁部付近に対し、前記貼合わせ基板の半径方向に一定の幅を有するスリット光を該貼合わせ基板の厚み方向に照射し、前記回転手段の回転に伴い、外周縁部付近に照射された光を対向する方向から受光し、前記貼合わせ基板の前記全体としての輪郭位置を検出する第2の光学系とを備えることを特徴とする。
上記の構成によれば、回転手段で貼合わせ基板を相対的に回転させることで、第2の光学系によって、前記貼合わせ基板の輪郭の微小な凹凸を、スリット光の幅の変化から検出することができる。そして、そのスリット光の基準位置からの幅の変化分に、前記回転手段の中心からスリット光の基準位置までの距離を加算することで、外径(輪郭)を求めることができる。
さらにまた、本発明の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置では、前記最外縁部測定手段は、前記貼合わせ基板を搭載し、相対的に回転させる回転手段と、前記貼合わせ基板の外周縁部付近に対し、前記貼合わせ基板の接線方向に光を照射し、前記回転手段の回転に伴い、前記周方向の各点の投影画像を撮像し、前記貼合せ基板の前記全体としての輪郭位置を検出する第1の光学系とを備えることを特徴とする。
また、本発明の半導体製造装置は、前記の位置ズレ検出装置を用い、その位置ズレ検出結果に応答して、前記貼合わせ基板への素子形成位置を補正することを特徴とする。
上記の構成によれば、貼り合せられた上下の基板のそれぞれ、或いは一方に素子形成を行うにあたって、その貼り合せ位置のズレを考慮して、正確な位置に素子形成を行うことができる半導体製造装置を実現することができる。
本発明の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置および方法は、以上のように、円板状の2組の基板を上下に積層して成る貼合わせ基板間のズレ量を検出するにあたって、前記2組の基板を合わせた全体としての輪郭形状を検出し、いずれか一方の組の基板の輪郭形状データから直径および中心位置を求める一方、周方向の複数点において前記2組の基板それぞれの先端位置を検出し、他方の組の基板については、前記の一方の組の基板の輪郭位置データを基準に、2組の基板間の相対的な位置関係から輪郭位置データを求め、さらに直径および中心位置を求め、2組の基板間の中心位置の距離から前記ズレ量を求める。
それゆえ、貼り合せられた2組の基板の直径および相互間の位置ズレ量を一括して求めることができる。
また、本発明の半導体製造装置は、以上のように、貼り合せられた上下の基板のそれぞれ、或いは一方に素子形成を行うにあたって、前記の位置ズレ検出装置を用い、その位置ズレ検出結果に応答して、前記貼合わせ基板への素子形成位置を補正する。
それゆえ、貼り合せ位置のズレを考慮して、正確な位置に素子形成を行うことができる。
本発明の実施の一形態に係る位置ズレ検出装置の全体構成を模式的に示す図である。 前記位置ズレ検出装置における最外縁部測定手段による貼合わせ基板の輪郭形状の測定原理を説明するための図である。 前記位置ズレ検出装置における先端位置部測定手段による貼合わせ基板のエッジ形状の測定原理を説明するための図である。 前記エッジ形状の画像センサでの撮像画像の一例、および画像処理手段によるその撮像画像から輪郭形状を抜出した結果を示す図である。 図4の撮像画像が得られる貼合わせ基板における2組の基板の貼合わせの態様を示す図である。 前記位置ズレ検出装置の処理動作を説明するためのフローチャートである。 貼合わせ基板の輪郭形状の測定例を示すグラフである。 前記貼合わせ基板の貼合わせ例を模式的に示す図である。
図1は、本発明の実施の一形態に係る位置ズレ検出装置1の全体構成を模式的に示す図である。この位置ズレ検出装置1は、円板状の2組の基板21,22を上下に積層して成る貼合わせ基板2において、それら2組の基板21,22の直径および中心位置のズレ量を検出する装置である。前記基板21,22は、共に素子形成前、或いは一方に素子形成された半導体ウェーハから成る。この位置ズレ検出装置1は、最外縁部測定手段である輪郭測定手段3と、先端位置測定手段4であるエッジ形状測定手段4と、画像処理手段5と、演算手段6と、出力手段7と、制御手段8とを備えて構成される。
前記輪郭測定手段3は、前記貼合わせ基板2の厚み方向の投影像から、前記2組の基板21,22を合わせた輪郭形状を検出するものである。このため、該輪郭測定手段3は、前記貼合わせ基板2を搭載し、回転するターンテーブル31と、前記貼合わせ基板2の外周縁部付近に位置し、前記貼合わせ基板2の半径方向に一定の幅を有するスリット光を該貼合わせ基板2の厚み方向に照射し、前記ターンテーブル31の回転に伴う受光光束の幅の変化から、前記貼合わせ基板2の外形形状を検出する光学系32とを備えて構成される。前記光学系32は、レーザスキャナから成る直径センサによって実現される。
図2は、前記輪郭測定手段3による貼合わせ基板2の輪郭形状の測定原理を説明するための図である。前記光学系32は、貼合わせ基板2の半径方向Xに延びるスリット光322を発生するスリット光源321と、そのスリット光322の前記貼合わせ基板2のエッジ付近を通過した光を受光するラインセンサ323と、前記スリット光源321とラインセンサ323とを相互に対向させて、前記貼合わせ基板2のエッジ付近に保持する大略的にコの字型の保持部材324とを備えて構成される。前記スリット光源321は、レーザ光源であり、前記スリット光322として、相互に平行で、かつ前記のように貼合わせ基板2の半径方向Xに延びるスリット光を発生する。
したがって、ターンテーブル31で貼合わせ基板2を回転することで、固定位置に設けた光学系32によって、前記貼合わせ基板2の輪郭の微小な凹凸を、スリット光の幅の変化から検出することができる。具体的には、制御手段8がターンテーブル31を回転させ、演算手段6において、下式のように、スリット光の基準位置(センサ基準位置)P1からの幅の変化分(影の部分の距離)Sに、前記ターンテーブル31の中心P0から前記基準位置P1までの距離Lを加算することで、外径(輪郭)Rを求めることができる。
R=S+L
こうして測定した貼合わせ基板2の輪郭位置データは、前述の図7(a)から図7(b)で示すようなものであり、このデータに基づき、演算手段6において円フィッティングを行うことで、フィッティング直径、平均直径、および中心位置を計算することができる。その場合、2組の基板21,22の内、1組の基板の形状データを抽出することになるが、全体の輪郭データに占める割合が大きい方が測定精度が良いので、通常は大きい方を選択する。しかしながら、図8(b)のような包含関係にない場合は、小さい方を選択しても計算は可能である。
一方、前記エッジ形状測定手段4は、前記貼合わせ基板2を搭載し、回転するターンテーブル41と、前記貼合わせ基板2の外周縁部付近に位置し、前記貼合わせ基板2の接線方向に平行光を照射し、前記ターンテーブル41の回転に伴うエッジ投影画像から、前記2組の基板21,22のエッジの相対的な凹凸を検出する光学系42とを備えて構成される。したがって、ターンテーブル41で貼合わせ基板2を回転することで、固定位置に設けた光学系42によって、接線方向から照射した照明光による投影像から、周方向θの複数点における2組の基板21,22それぞれのエッジ形状を容易に検出することができる。
前記ターンテーブル41は、前述のターンテーブル31と共用であってもよく、また光学系32,42の設置位置に応じて、それらの間を貼合わせ基板2を搭載したまま、移動する構成であってもよい。前記ターンテーブル31,41は、回転手段を構成するが、回転手段としては、固定された貼合わせ基板2の外周を前記光学系32,42を支持して周回させるような、光学系32,42に対して貼合わせ基板2を相対的に回転させる構成が用いられればよい。
図3は、前記エッジ形状測定手段4による貼合わせ基板2のエッジ形状の測定原理を説明するための図である。前記光学系42は、散乱光420を放射する点光源421と、前記散乱光420から平行光422を作成するコリメータレンズ423と、前記エッジ付近を通過した平行光422を集光する両側または物体側テレセントリック構造のテレセントリックレンズ424と、前記テレセントリックレンズ424で集光された投影画像を受光する画像センサ425とを備えて構成される。図3では、さらに前記画像センサ425に像側テレセントリック構造で光を入射するテレセントリックレンズ426および開口絞り427が設けられている。前記点光源421は、発光ダイオードなどから成る。
このように構成することで、前記平行光422を前記貼合わせ基板2のエッジ越しに画像センサ425に向けて照射し、該エッジの影像を画像センサ425に投影することで、前記2組の基板21,22のエッジの相対的な凹凸の変化を検出することができる。そして、点光源421、コリメータレンズ423およびテレセントリックレンズ424を用いることで、前記2組の基板21,22の奥行き長さが長い、すなわち大径であっても、画像センサ425におけるエッジのボケが少なく、またエッジ近傍に発生する回折縞が少なく、良好なエッジの影像を得ることができる。
エッジ形状の測定にあたっては、制御手段8が、前記輪郭測定手段3によって測定された貼合わせ基板2の輪郭形状からノッチ位置を判定し、ターンテーブル41を回転させつつ、そのノッチ位置における回転角度位置を基準として、該ノッチ位置を除く(ノッチ部は切り欠きとなっているのでエッジ形状が測定できないため)周方向θに間隔を開けて、画像センサ425によって影像を読取らせる。前記制御手段8は、点光源421を、エッジ形状の測定中は連続点灯させていてもよく、或いは画像センサ425での読取り動作に連動して点滅させてもよい。
前記ノッチ位置を0°として、たとえば読取りが45°おきの場合、45°、90°、135°、180°、225°、270°、315°の7点が測定点となり、或いは22.5°、67.5°、112.5°、157.5°、202.5°、247.5°、292.5°、337.5°の8点を測定点としてもよい。この測定点は、等間隔である必要はなく、3点以上ならば何点でも構わない。ただし、点数が多くなる程、測定精度は向上する。
図4には、前記画像センサ425での撮像画像の一例、および画像処理手段5によるその撮像画像から輪郭形状を抜出した結果を示す。この図4の例は、図5で模式的に示すように、2組の基板21,22が相互に等しい直径の真円で、ノッチ位置を基準として、135°(315°)の直径線方向にズレた状態を示している。したがって、45°(225°)の位置では、図4(a)で示すように、2組の基板21,22のエッジは中心からほぼ等距離にある。これに対して、135°の位置では、図4(b)で示すように、上側の基板21のエッジが、下側の基板22のエッジよりも飛び出している。反対に、315°の位置では、図4(c)で示すように、下側の基板22のエッジが、上側の基板21のエッジよりも飛び出している。
これらの図4(a)〜(c)の撮像画像から、画像処理手段5において輪郭形状を抜出した結果を、それぞれ図4(d)〜(f)に示す。図4(d)で示すように、相互に等しい直径で真円の2組の基板21,22のズレ方向(135°(315°))とは直角方向の45°(225°)の位置では、2組の基板21,22のエッジ端面A1は揃っている。このとき、前記輪郭測定手段3で測定された半径をR1とすると、基板21,22の半径は、共にR1となる。
これに対して、図4(e)で示すように、ズレが最大となる135°の位置では、上側の基板21のエッジが、下側の基板22のエッジよりもA2だけ飛び出している。このとき、前記輪郭測定手段3で測定された半径をR2とすると、上側の基板21の半径はR2であり、下側の基板22の半径はR2−A2となる。同様に、図4(f)で示すように、ズレが最大となる315°の位置では、下側の基板22のエッジが、上側の基板21のエッジよりもA3だけ飛び出している。このとき、前記輪郭測定手段3で測定された半径をR3とすると、下側の基板22の半径はR3であり、上側の基板21の半径はR3−A3となる。そして、基板21,22の直径が相互に等しい場合は、A2=A3である。こうして求めた複数の箇所の基板21,22の直径から、演算手段5は、後述するようにして、該基板21,22の直径および中心位置ならびに中心位置のズレ量を算出する。
なお、画像処理手段5は、上述のように画像センサ425の撮像画像から基板21,22の輪郭形状を抽出するものであるが、画像処理によって、画像センサ425の解像度を超えて、サブピクセル単位でズレを検出できるようになっていてもよい。或いは、前記の点光源421、コリメータレンズ423およびテレセントリックレンズ424の組合わせによって、画像センサ425におけるエッジのボケが少なく、またエッジ近傍に発生する回折縞が少なく、良好なエッジの影像を得ることができ、さらに画像センサ425が高解像な場合には、この画像処理手段5は特に設けられなくてもよい。
図6は、上述のように構成される位置ズレ検出装置1の処理動作を説明するためのフローチャートである。ステップS11〜S13が輪郭測定動作を、ステップS21〜S23がエッジ形状測定動作を、ステップS31〜S33が他方の基板の直径および位置ズレ量の演算動作を主に示す。
ステップS11では、前記輪郭測定手段3において、ターンテーブル31で貼合わせ基板2を回転させつつ、光学系32によって、該貼合わせ基板2の全周に亘る輪郭位置(半径)データが測定される。ステップS12では、その測定データから、演算手段6において、一方の基板(Aとする)の形状データが抽出される。ステップS13では、その形状データから、演算手段6において円フィッティングを行うことで、基板Aのフィッティング直径、平均直径、および中心位置が計算される。
一方、ステップS21では、前記エッジ形状測定手段4において、ターンテーブル41で貼合わせ基板2を回転させつつ、光学系42によって、該貼合わせ基板2の複数の箇所でエッジ画像が撮影され、ステップS22では、その撮像画像が画像処理手段5で画像処理されて、2組の基板A,Bのエッジ部の輪郭形状が抽出される。ステップS23では、その抽出された輪郭形状が演算手段6で対比され、上側基板21と下側基板22との半径の差(前記4におけるA2,A3)が求められる。これらのステップS11〜S13の処理と、ステップS21〜S23の処理とは、いずれが先に行われてもよい。
続いてステップS31では、前記ステップS12で決定された一方の基板Aに対して、ステップS13で求められたフィッティング直径、平均直径、および中心位置に、ステップS23で求められた他方の基板Bとの半径の差から、該他方の基板Bの輪郭データが求められる。このとき、前記ステップS12で決定された一方の基板Aが、上側の基板21であるのか、下側の基板22であるのかが、先ず判断される。
その判断方法としては、単純に、基板Aの直径と基板Bの直径とを比較したときに、基板Aの直径が小さく、上側基板21の直径と下側基板22の直径とを比較したときに、下側基板22の直径が小さい場合は、基板Aが下側基板22であるとみなすという具合である。そのためには、前記ステップS13において、輪郭測定結果に基づいて円フィッティングで直径計算を行う際に、一方の基板Aだけではなく、他方の基板Bの直径も計算しておく必要がある。また、ステップS22でのエッジ形状の抽出結果から、各点の先端位置を計算して、上側基板21の直径と下側基板22との直径を予め計算しておく必要がある。
これに対して、前記基板A,Bのいずれが上側と下側とであるのかを判断する他の方法としては、或る特定位置のエッジ先端位置で判断する方法がある。具体的には、或る特定の点、たとえばノッチ位置において、輪郭が外側に位置する基板がどちらかを判断の基準にする。この場合、特定の点は1点でなくてもよく、複数点の方がよい。たとえば、ノッチ位置においては、基板Aが基板Bよりも外側にあり、また、下側基板22が上側基板21よりも外側にある場合は、基板Aが下側基板22であるとみなすというものである。
こうして、基板A,Bの上下が判定されると、他方の基板Bの輪郭位置が計算される。その計算は、前述のように、前記ステップS13での輪郭測定で求めた一方の基板Aの直径と、ステップS23でのエッジ形状測定で求めた半径の差とから行われる。たとえば図4(d)〜(f)において、半径の差をそれぞれA1,A2,A3とし(ここでは、下側基板22を基準とすることにして、A1=0、A2>0、A3<0、とする。)、一方の基板Aの半径を、それぞれR1,R2,R3とすると、他方の基板Bの半径は、それぞれR1,R2+A2、R3−A3から求めることができる。これら図4で示す45°(225°)、135°、315°以外の角度位置における基板Bの半径も、同様に求めることができ、図5の例の場合は、基板Bの円周上の7点の座標が求められたことになる。ここで、基板Aの半径R1〜R3として、円フィッティングした直径を基に、全て同じ値、R1=R2=R3とすることもできるし、輪郭形状に基づいて局所的な数値を半径とすることもできる。ただし、局所的な数値を用いる場合には、基板Bに隠れて測定できない角度は、推定値とする必要がある。
その後、ステップS32において、前記ステップS31で求められた基板Bの7点の座標を円フィッティングすることによって、該基板Bの直径および中心位置が求められ、ステップS33では、基板A,Bの中心の中心座標を比較することで、中心の位置ズレ量が求められる。求められた直径および中心の位置ズレ量は、出力手段7から表示出力される。
前記ステップS12,S13は第1の演算手段および第1の演算ステップを構成し、前記ステップS23は第2の演算手段および第2の演算ステップを構成し、前記ステップS31は第3の演算手段および第3の演算ステップを構成し、前記ステップS32は第4の演算手段および第4の演算ステップを構成し、前記ステップS33は第5の演算手段および第5の演算ステップを構成する。
このように構成することで、円板状の2組の基板21,22(A,B)を上下に積層して成る貼合わせ基板2において、それらの基板21,22(A,B)のそれぞれ、或いは一方に素子形成などを行うにあたって、それらの基板21,22(A,B)の直径および中心位置のズレ量を、輪郭測定の結果とエッジ形状の測定結果とから、一括して求めることができる。
また、このような位置ズレ検出装置1を半導体製造装置に用い、その位置ズレ検出結果に応答して、前記貼合わせ基板2への素子形成位置を補正することで、貼り合せ位置のズレを考慮して、正確な位置に素子形成を行うことができるようになる。
上述の例では、先端位置測定手段として、ターンテーブル41と光学系42とを備えて構成されるエッジ形状測定手段4が用いられたけれども、前記ターンテーブル41と、前記貼合わせ基板2の外周縁部付近に位置し、前記ターンテーブル41の回転に伴い、前記貼合わせ基板2の半径方向にスリット光を輝線照射して、1方向以上から前記輝線画像を撮像し、前記2組の基板21,22のエッジの相対的な凹凸を検出する光切断手段とが用いられてもよい。
また、上述の例では、最外縁部測定手段として、ターンテーブル31と光学系32とを備えて構成される輪郭測定手段3が用いられたけれども、前記ターンテーブル31と、前記貼合わせ基板2の外周縁部付近に位置し、前記ターンテーブル31の回転に伴い、前記貼合わせ基板2の半径方向にスリット光を輝線照射して、異なる2方向から前記輝線画像を撮像し、前記2組の基板21,22の内のより先端側の位置を前記貼合わせ基板の前記全体としての輪郭位置とする光切断手段とが用いられてもよい。
1 位置ズレ検出装置
2 貼合わせ基板
21 上側基板
22 下側基板
3 輪郭測定手段
31 回転手段
32 光学系
321 スリット光源
322 スリット光
323 ラインセンサ
324 保持部材
4 エッジ形状測定手段
41 回転手段
42 光学系
420 散乱光
421 点光源
422 平行光
423 コリメータレンズ
424 テレセントリックレンズ
425 画像センサ
426 テレセントリックレンズ
427 開口絞り
5 画像処理手段
6 演算手段
7 出力手段
8 制御手段

Claims (11)

  1. 円板状の2組の基板を上下に積層して成る貼合わせ基板において、前記2組の基板間のズレ量を検出する装置であって、
    前記2組の基板を合わせた全体としての輪郭位置を検出する最外縁部測定手段と、
    周方向の複数点において、前記2組の基板それぞれの先端位置を測定する先端位置測定手段と、
    前記最外縁部測定手段の検出結果から、いずれか一方の組の基板の輪郭位置データを検出し、他方の組の基板については、その一方の組の基板の輪郭位置データを基準に、前記先端位置測定手段で測定された2組の基板間の相対的な先端位置関係から輪郭位置データを求め、前記2組の基板間の輪郭位置データを比較して、該2組の基板間のズレ量を求める演算手段とを含むことを特徴とする貼合わせ基板の位置ズレ検出装置。
  2. 前記演算手段は、
    前記最外縁部測定手段の検出結果から、いずれか一方の組の基板の輪郭形状データを検出し、直径および中心位置を求める第1の演算手段と、
    前記先端位置測定手段の測定結果から、前記周方向の各点における2組の基板間の相対的な先端位置関係を求める第2の演算手段と、
    前記第1の演算手段の演算結果に対して、前記第2の演算手段の演算結果を対照し、いずれか他方の組の基板の輪郭形状データを求める第3の演算手段と、
    前記第3の演算手段の演算結果から、前記いずれか他方の組の基板の直径および中心位置を求める第4の演算手段と、
    前記第1の演算手段の演算結果に対して、前記第4の演算手段の演算結果を対照し、前記2組の基板間の中心位置のズレ量を検出する第5の演算手段とを含むことを特徴とする請求項1記載の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置。
  3. 前記先端位置測定手段は、
    前記貼合わせ基板を搭載し、相対的に回転させる回転手段と、
    前記貼合わせ基板の外周縁部付近に対し、前記貼合わせ基板の接線方向に光を照射し、前記回転手段の回転に伴い、前記周方向の各点の投影画像を撮像し、前記2組の基板の間の相対的な凹凸を検出する第1の光学系とを備えることを特徴とする請求項1または2記載の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置。
  4. 前記第1の光学系は、
    点光源と、
    前記点光源からの光を入射して平行光を作成するコリメータレンズと、
    前記外周縁部付近を通過した光を集光する集光光学系と、
    前記集光光学系を通過した光による影像が投影される画像センサとを備えて構成されることを特徴とする請求項3記載の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置。
  5. 前記先端位置測定手段は、
    前記貼合わせ基板を搭載し、相対的に回転させる回転手段と、
    前記貼合わせ基板の外周縁部付近に対し、前記回転手段の回転に伴い、前記貼合わせ基板の半径方向にスリット光を輝線照射して、1方向以上から前記輝線画像を撮像し、前記2組の基板間の相対的な凹凸を検出する光切断手段とを備えることを特徴とする請求項1または2記載の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置。
  6. 前記最外縁部測定手段は、
    前記貼合わせ基板を搭載し、相対的に回転させる回転手段と、
    前記貼合わせ基板の外周縁部付近に対し、光を該貼合わせ基板の厚み方向に照射し、前記回転手段の回転に伴い、外周縁部付近に照射された光を対向する方向から受光し、前記貼合わせ基板の前記全体としての輪郭位置を検出する第2の光学系とを備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置。
  7. 前記最外縁部測定手段は、
    前記貼合わせ基板を搭載し、相対的に回転させる回転手段と、
    前記貼合わせ基板の外周縁部付近に対し、前記貼合わせ基板の接線方向に光を照射し、前記回転手段の回転に伴い、前記周方向の各点の投影画像を撮像し、前記貼合せ基板の前記全体としての輪郭位置を検出する第1の光学系とを備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置。
  8. 前記最外縁部測定手段は、
    前記貼合わせ基板を搭載し、相対的に回転させる回転手段と、
    前記貼合わせ基板の外周縁部付近に対し、前記回転手段の回転に伴い、前記貼合わせ基板の半径方向にスリット光を輝線照射して、1方向以上から前記輝線画像を撮像し、前記2組の基板の内のより先端側の位置を前記貼合わせ基板の前記全体としての輪郭位置とする光切断手段とを備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の貼合わせ基板の位置ズレ検出装置。
  9. 前記請求項1〜8のいずれか1項に記載の位置ズレ検出装置を用い、その位置ズレ検出結果に応答して、前記貼合わせ基板への素子形成位置を補正することを特徴とする半導体製造装置。
  10. 円板状の2組の基板を上下に積層して成る貼合わせ基板において、前記2組の基板間のズレ量を検出する方法であって、
    前記2組の基板を合わせた全体としての輪郭位置を検出する最外縁部測定ステップと、
    周方向の複数点において、前記2組の基板それぞれの先端位置を測定する先端位置測定ステップと、
    前記最外縁部測定ステップでの検出結果から、いずれか一方の組の基板の輪郭位置データを検出し、他方の組の基板については、その一方の組の基板の輪郭位置データを基準に、前記先端位置測定ステップで検出された2組の基板間の相対的な先端位置関係から輪郭位置データを求め、前記2組の基板間の輪郭位置データを比較して、該2組の基板間のズレ量を求める演算ステップとを含むことを特徴とする貼合わせ基板の位置ズレ検出方法。
  11. 前記演算ステップは、
    前記最外縁部測定ステップでの検出結果から、いずれか一方の組の基板の輪郭形状データを検出し、直径および中心位置を求める第1の演算ステップと、
    前記先端位置測定ステップでの測定結果から、前記周方向の各点における2組の基板間の相対的な先端位置関係を求める第2の演算ステップと、
    前記第1の演算ステップでの演算結果に対して、前記第2の演算ステップでの演算結果を対照し、いずれか他方の組の基板の輪郭形状データを求める第3の演算ステップと、
    前記第3の演算ステップでの演算結果から、前記いずれか他方の組の基板の直径および中心位置を求める第4の演算ステップと、
    前記第1の演算ステップでの演算結果に対して、前記第4の演算ステップでの演算結果を対照し、前記2組の基板間の中心位置のズレ量を検出する第5の演算ステップとを含むことを特徴とする請求項10記載の貼合わせ基板の位置ズレ検出方法。
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