CN101501831A - 圆盘状基板的检查装置和检查方法 - Google Patents

圆盘状基板的检查装置和检查方法 Download PDF

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Abstract

可以对半导体晶片等圆盘状基板的表面上形成的处理区域进行精度更高的检查的检查装置和检查方法。采用具有如下单元的结构：摄影单元(130a)、(130b)，其拍摄旋转的晶片的外缘及其附近区域；基板外缘位置测量单元(200)，其根据由摄影单元(130a)、(130b)获得的图像来测量晶片的多个旋转角度位置θn各处的外缘的径向位置；边缘间距离测量单元(200)，其根据由摄影单元(130a)获得的图像来测量所述多个旋转角度位置θn各处的、晶片的外缘与绝缘膜的边缘之间的边缘间距离Bθn；以及检查信息生成单元(200)，其根据晶片的外缘的径向位置Aθn和边缘间距离Bθn来生成规定的检查信息。

Description

圆盘状基板的检查装置和检查方法
技术领域
本发明涉及半导体晶片等圆盘状基板的检查装置和检查方法，详细地说涉及对表面上形成有绝缘膜和导电膜等处理区域的圆盘状基板进行检查的检查装置和检查方法。
背景技术
半导体晶片(圆盘状基板的一种)经过成膜工序和蚀刻工序而会在表面上例如同心地形成绝缘膜和导电膜等处理区域。以往，提出有判定在该半导体晶片上形成的处理区域(绝缘膜等)的边缘部是否处于不存在翘起等的正常完成状态的方法(参照专利文献1)。在该方法中，对半导体晶片的外缘部的多个部位进行拍摄，根据通过该拍摄获得的图像来测量半导体晶片的多个部位的外缘与处理区域的边缘之间的露出宽度，然后，根据该多个部位处的露出宽度的状态，判定所述处理区域(绝缘膜等)的边缘部是否处于不存在翘起等的正常完成状态。
专利文献1：日本特开2002—134575号公报
所述现有方法根据半导体晶片(圆盘状基板)的外缘与在其表面上形成的处理区域的边缘之间的露出宽度的状态来检查、评价该处理区域的边缘部的完成状态。即，以半导体晶片的外缘形状始终正常(例如为正圆)为前提，根据该露出宽度来评价处理区域的形状。然而，当仔细观察时，对所述露出宽度产生影响的半导体晶片的外缘形状不一定是恒定的，而可能是变动的。因此，利用现有方法不能对圆盘状基板表面上所形成的处理区域进行精度良好的评价。
发明内容
本发明是为了解决这种现有问题而完成的，其目的是提供可以对半导体晶片等圆盘状基板表面上形成的处理区域进行精度更高的检查的检查装置和检查方法。
本发明的圆盘状基板的检查装置是表面上形成有处理区域的圆盘状基板的检查装置，其采用如下结构，该结构具有：保持部，其能够以规定的旋转轴为中心旋转，保持所述圆盘状基板；旋转驱动部，其使所述保持部以所述旋转轴为中心旋转；摄影单元，其拍摄通过所述保持部的旋转而旋转的所述圆盘状基板的外缘及其附近区域；基板外缘位置测量单元，其测量通过所述保持部的旋转而旋转的所述圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的该圆盘状基板的外缘的径向位置；边缘间距离测量单元，其根据由所述摄影单元获得的图像来测量所述多个旋转角度位置各处的、所述圆盘状基板的外缘与所述处理区域的边缘之间的边缘间距离；以及检查信息生成单元，其根据由所述基板外缘位置测量单元获得的所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置、以及由所述边缘间距离测量单元获得的所述多个旋转角度位置各处的边缘间距离，来生成规定的检查信息。
根据这种结构，由于圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置成为可表示该圆盘状基板的外缘形状的信息，因而，根据该圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置、以及所述多个旋转角度位置各处的所述圆盘状基板的外缘与该圆盘状基板的表面上形成的处理区域的边缘之间的边缘间距离而生成的检查信息能够成为可以通过考虑圆盘状基板的外缘形状来对该圆盘状基板的表面上形成的处理区域的形状进行评价的信息。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中可以构成为：所述检查信息生成单元具有处理区域边缘位置运算单元，该处理区域边缘位置运算单元根据所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置以及对应的旋转角度位置处的所述边缘间距离，来运算所述处理区域的所述多个旋转角度位置处的边缘的径向位置，所述检查信息生成单元生成基于所述处理区域的所述多个旋转角度位置各处的边缘的径向位置的检查信息。
根据这种结构，由于生成了基于圆盘状基板表面上形成的处理区域的多个旋转角度位置各处的边缘的径向位置的检查信息，因而可以根据该检查信息来评价所述处理区域的边缘的实际形状以及相对于圆盘状基板的相对位置处于何种状态。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中，所述检查信息可以包含表示与所述处理区域相对于所述圆盘状基板的偏心程度相关的检查结果的信息。
根据这种结构，可检查圆盘状基板表面上形成的处理区域相对于该圆盘状基板的偏心程度。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中，所述检查信息可以包含表示与所述处理区域的正圆程度相关的检查结果的信息。
根据这种结构，可检查圆盘状基板表面上形成的处理区域的正圆程度。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中可以构成为：所述检查信息生成单元具有直径运算单元，该直径运算单元根据所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置来运算该圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的直径，所述检查信息生成单元生成基于所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的直径的检查信息。
根据这种结构，由于生成了在表面上形成有处理区域的圆盘状基板的基于多个旋转角度位置各处的直径的检查信息，因而可以根据该检查信息来评价所述圆盘状基板自身的外缘形状处于何种状态。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中，所述检查信息可以包含表示与所述圆盘状基板相对于所述保持部的旋转轴的偏心程度相关的检查结果的信息。
根据这种结构，可检查圆盘状基板相对于保持该圆盘状基板的保持部的旋转轴的偏心程度，即保持部对所述圆盘状基板的保持状态是否适当。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中，所述检查信息可以包含表示与所述圆盘状基板的正圆程度相关的检查结果的信息。
根据这种结构，可检查圆盘状基板自身的正圆程度。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中可以构成为，所述检查信息生成单元具有：处理区域边缘位置运算单元，其根据所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置以及对应的旋转角度位置处的所述边缘间距离，来运算所述处理区域的所述多个旋转角度位置处的边缘的径向位置；以及直径运算单元，其根据所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置来运算所述圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的直径，该检查信息生成单元生成基于所述处理区域的所述多个旋转角度位置各处的边缘的径向位置以及所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的直径的检查信息。
根据这种结构，由于生成了基于圆盘状基板表面上形成的处理区域的多个旋转角度位置各处的边缘的径向位置以及该圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的直径的检查信息，因而可根据该检查信息来评价圆盘状基板的外缘形状的状态和该圆盘状基板的表面上形成的处理区域的边缘形状的状态。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中，所述检查信息可以包含与所述圆盘状基板和所述处理区域相关的分类信息，该分类信息是根据所述处理区域的所述多个旋转角度位置各处的边缘的径向位置以及所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的直径而生成的。
根据这种结构，根据多个旋转角度位置各处的处理区域的边缘的径向位置和圆盘状基板的直径而生成与该圆盘状基板和所述处理区域相关的分类信息来作为检查信息，因而可利用该分类来评价所述圆盘状基板和所述处理区域。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中可以采用如下结构：所述基板外缘位置测量单元根据由所述摄影单元获得的图像来测定所述圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的该圆盘状基板的外缘的径向位置。
根据这种结构，通过拍摄圆盘状基板的外缘及其附近区域而获得的图像除了用于测定边缘间距离以外，还可用于测定圆盘状基板的多个角度位置各处的该圆盘状基板的外缘的径向位置，因而可以使装置结构更加简单。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中可以构成为：所述摄影单元具有多个照相机单元，该多个照相机单元被设置成绕着由所述保持部保持的所述圆盘状基板来配置，对所述圆盘状基板的外缘及其附近进行拍摄。
根据这种结构，从绕着与保持部的旋转一起旋转的圆盘状基板而配置的多个照相机单元获得图像，因而即使不使所述圆盘状基板旋转一周，也可以测量圆盘状基板全周的多个旋转角度位置各处的该圆盘状基板的外缘的径向位置。并且，只要使圆盘状基板旋转一周，即可从多个照相机单元各个中获得圆盘状基板的1周的图像，因而可以针对所述多个旋转角度位置各个获得多个径向位置。因此，可以根据针对所述多个旋转角度位置各个而获得的多个径向位置来确定一个径向位置(例如平均值)，因而可获得精度更高的径向位置。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中可以采用如下结构，所述多个照相机单元具有：第1照相机单元，其从一个面侧拍摄由所述保持部保持的所述圆盘状基板的外缘及其附近区域；以及第2照相机单元，其从另一面侧拍摄所述圆盘状基板的外缘及其附近区域。
根据这种结构，可以获得针对圆盘状基板的两面的图像，因而可以根据双方的图像来测量所述圆盘状基板的外缘的多个旋转角度位置各处的径向位置，并且可以根据从拍摄形成有处理区域的面的照相机单元获得的图像来测量所述多个旋转角度位置各处的边缘间距离。并且，由于还可以获得未形成处理区域的面的图像，因而还可以生成基于该图像的检查信息。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中可以构成为：所述第1照相机单元和第2照相机单元配置为错开所述圆盘状基板的旋转角度180度而彼此相对。
根据这种结构，可以根据基于第1照相机单元和第2照相机单元按相同定时获得的图像而测量出的圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的径向位置，来计算可表示所述圆盘状基板的外形形状的直径。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中可以构成为：所述基板外缘位置测量单元根据由所述第1照相机单元获得的图像和由所述第2照相机单元获得的图像双方，来测量所述多个旋转角度位置各处的所述圆盘状基板的外缘的径向位置。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查装置中可以构成为：所述边缘间距离测量单元根据由所述第1照相机单元和第2照相机单元中、从形成有所述处理区域的面侧进行拍摄的一个照相机单元获得的图像来测量所述边缘间距离。
本发明的圆盘状基板的检查方法是表面上形成有处理区域的圆盘状基板的检查方法，该检查方法构成为具有以下步骤：摄影步骤，拍摄由以规定的旋转轴为中心旋转的保持部保持、并与该保持部一起旋转的所述圆盘状基板的外缘及其附近区域；基板外缘位置测量步骤，测量通过所述保持部的旋转而旋转的所述圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的该圆盘状基板的外缘的径向位置；边缘间距离测量步骤，根据由所述摄影步骤获得的图像来测量所述多个旋转角度位置各处的、所述圆盘状基板的外缘与所述处理区域的边缘之间的边缘间距离；以及检查信息生成步骤，根据由所述基板外缘位置测量步骤获得的所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置、以及由所述边缘间距离测量步骤获得的所述多个旋转角度位置各处的边缘间距离，来生成规定的检查信息。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查方法中可以构成为：所述检查信息生成步骤包含：处理区域边缘位置运算步骤，根据所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置以及对应的旋转角度位置处的所述边缘间距离，来运算所述处理区域的所述多个旋转角度位置处的边缘的径向位置；以及直径运算步骤，根据所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置来运算所述圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的直径，在所述检查信息生成步骤中，生成基于所述处理区域的所述多个旋转角度位置各处的边缘的径向位置以及所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的直径的检查信息。
并且，在本发明的圆盘状基板的检查方法中可以构成为：在所述基板外缘位置测量步骤中，根据由所述摄影步骤获得的图像来测定所述圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的该圆盘状基板的外缘的径向位置。
根据本发明的圆盘状基板的检查装置和检查方法，由于该生成的检查信息能够成为可以通过考虑圆盘状基板的外缘形状来对该圆盘状基板的表面上形成的处理区域的形状进行评价的信息，因而可以对所述圆盘状基板的表面上形成的处理区域进行精度更高的检查。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施方式的半导体晶片(圆盘状基板)的检查装置的机构系统的结构(第1结构例)的图。
图2是示出从上方观察图1所示的检查装置的状态的图。
图3是示出本发明的一个实施方式的半导体晶片的检查装置的处理系统的结构的框图。
图4是示出图3所示的处理系统中的处理单元的处理步骤的流程图。
图5是示出针对半导体晶片及在其表面上形成的绝缘膜(处理区域)而定义的参数的图。
图6是示出针对半导体晶片表面上形成的绝缘膜而定义的各参数的图。
图7是示出晶片分类的图(之1)。
图8是示出晶片分类的图(之2)。
图9是示意性地示出各分类中的晶片和绝缘膜的状态的图。
图10是示出显示单元上显示的、晶片边缘位置Aθn、膜边缘位置Cθn以及边缘间距离Bθn相对于旋转角度位置θn的分布的图。
图11是示出显示单元上显示的晶片的外缘线和绝缘膜的边缘线的一例的图。
图12是示出显示单元上显示的晶片的外缘线和绝缘膜的边缘线的另一例的图。
图13是示出在表面上层叠了多个绝缘膜的半导体晶片的剖面结构和各绝缘膜的边缘间距离的图。
图14是示出半导体晶片的检查装置的机构系统的第2结构例的图。
图15是示出半导体晶片的检查装置的机构系统的第3结构例的图。
图16是示出半导体晶片的检查装置的机构系统的第4结构例的图。
图17是示出从上方观察图16所示的检查装置的状态的图。
图18是示出作为图16和图17所示的机构系统的检查装置中的处理系统的结构例的框图。
图19是示出图15所示的处理系统中的处理单元的处理步骤的流程图。
标号说明
10：晶片(圆盘状基板)；11：绝缘膜(处理区域)；100：工作台(保持部)；110：旋转驱动电动机(旋转驱动部)；120a，120b：边缘传感器；130a：第1照相机单元；130b：第2照相机单元；131，131a，131b：CCD线传感器；132：边缘传感器；200：处理单元；210：操作单元；220：显示单元。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。
本发明一个实施方式的半导体晶片(圆盘状基板)的检查装置的机构系统(第1结构例)如图1和图2所示的方式构成。图1是从侧方观察检查装置的机构系统的图，图2是从上方观察该检查装置的机构系统的图。
在图1和图2中，工作台100(保持部)由旋转驱动电动机110(旋转驱动部)的旋转轴110a保持，可向单方向(在本实施方式中为箭头S表示的顺时针方向)连续旋转。作为圆盘状基板的半导体晶片(以下简称为晶片)10以水平状态放置在工作台100上。另外，在工作台100上设有对准机构(图示略)，以使晶片10的中心与工作台100的旋转中心(旋转轴110a的轴心)尽量一致的方式，将该晶片10放置在工作台100上。
在晶片10的表面上形成有例如绝缘膜11(图2中的网状部分：处理区域图)。在工作台100的上方规定位置设置有从该晶片10的表面侧对放置在工作台100上的晶片10的外缘及其附近区域进行拍摄的第1照相机单元130a，在工作台100的下方规定位置设置有从该晶片10的背面侧对晶片10的外缘及其附近进行拍摄的第2照相机130b。这些成对的第1照相机单元130a和第2照相机单元130b配置成：按放置在工作台100上的晶片10的旋转角度180度错开，即排列在晶片10的直径线方向上。第1照相机单元130a和第2照相机单元130b包含CCD线传感器131a、131b，CCD线传感器131a、131b的线状摄影区域被设定成横穿工作台100上的晶片10的外缘和绝缘膜11的边缘而朝向工作台100的旋转中心。
具有所述结构的机构系统的评价装置的处理系统如图3所示的方式构成。
在图3中，来自第1照相机单元130a和第2照相机单元130b的摄像信号输入到处理单元200。处理单元200进行旋转驱动电动机110的驱动控制以使工作台100以规定速度旋转，并根据来自操作单元210的操作信号如后所述地对来自第1照相机单元130a和第2照相机单元130b的摄像信号进行处理。并且，处理单元200可将该处理过程中所获得的信息显示在显示单元220上。
接下来说明检查装置中的处理。
在实际进行针对晶片10的处理之前，首先进行该检查装置的初始设定。在该初始设定中，例如，使用对准机构(未作图示)将被准确确认为正圆并准确确认出其尺寸(例如直径300mm)的虚设晶片在工作台100上放置成使其中心与该工作台100的旋转中心准确一致。处理单元200在使工作台100旋转的状态下，取入基于来自第1照相机单元130a和第2照相机单元130b的摄像信号的图像数据(像素单位的亮度数据或浓度数据)。然后，根据由第1照相机单元130a的摄影所得到的取入图像(图像数据)和由第2照相机单元130b的摄影所得到的取入图像(图像数据)各方来检测与规定间隔的各旋转角度位置θn处的所述虚设晶片的外缘(边缘)对应的像素位置，对处理单元200的参数进行初始设定等，以将各旋转角度位置θn处的该像素位置识别为与虚设晶片的半径(例如150mm)相当的距中心的径向位置。
另外，在本实施方式中，该初始设定在检查装置的使用开始前仅实施一次，并且在每次变更作为检查对象的晶片10的大小时进行实施，然而也可以在每检查1个晶片10、或者每检查预定个数的晶片10时进行实施。
在初始设定结束后，使用对准机构(未作图示)将取代虚设晶片而成为检查对象的晶片10在工作台100上放置成尽量使其中心与该工作台100的旋转中心一致。然后，当使用操作单元210进行了规定操作后，处理单元200按照图4所示的步骤执行处理。
在图4中，处理单元200在晶片10恒速旋转一周的期间，输入分别来自第1照相机单元130a和第2照相机单元130b的摄像信号，取入对应的摄影图像(图像数据)(S1)。然后，处理单元200通过所谓的边缘提取处理，将各取入图像中与每隔规定角度的各旋转角度位置θn处的晶片10的外缘对应的像素位置设为图5所示的晶片10的外缘的径向位置(以下称为晶片边缘位置)Aθn，并与各旋转角度位置θn对应起来进行保存(S2：基板外缘位置测量步骤)。
这里，对旋转角度位置θn进行说明。如图5所示，在晶片10的外周形成有切口10a。因此在本实施方式中，将该晶片10的形成切口10a的位置设定为旋转角度0度的位置(＝θ0)。因此，在图5所示的晶片10中，从旋转角度位置(θ0)朝逆时针方向偏离例如t度的位置的旋转角度位置被定义为θt，该旋转角度位置处的晶片边缘位置T表示为Aθt。
另外，在根据晶片10旋转一周的期间内所获得的与来自2个第1照相机单元130a和第2照相机单元130b的摄影信号对应的图像而针对各旋转角度位置θn获得2个晶片边缘位置Aθn的情况下，可将它们的平均值作为真正的晶片边缘位置Aθn，并与旋转角度位置θn对应起来进行保存。并且，也可从第1照相机单元130a所拍摄的图像中取得晶片10的半周中的与各旋转角度位置θn对应的晶片边缘位置Aθn，从第2照相机单元130b的摄影所拍摄的图像中取得晶片10的剩余半周中的与各旋转角度位置θn对应的晶片边缘位置Aθn。
然后，处理单元200在由基于来自第1照相机单元130a的摄像信号的图像数据表示的图像上，测量各旋转角度位置θn处、晶片10的外缘与绝缘膜11的边缘之间的边缘间距离Bθn(S3：边缘间距离测量步骤)，该第1照相机单元130a从晶片10的形成绝缘膜11的面侧拍摄该晶片10的外缘及其附近区域。具体地说，例如，在存储器上展开的图像上测量晶片10的外缘与绝缘膜11的边缘之间的像素数，将该像素数换算成距离(边缘间距离)。
这样，当针对晶片10的一周获得了晶片边缘位置Aθn以及晶片10的外缘与绝缘膜11的边缘之间的边缘间距离Bθn时，处理单元200运算各旋转角度位置θn处的晶片10的直径Dθn以及绝缘膜11的边缘的径向位置(以下称为膜边缘位置)Cθn(S4)。具体地说，运算与各旋转角度位置θn对应保存的晶片边缘位置Aθn和与从该旋转角度位置旋转180°的旋转角度位置θn+180°对应保存的晶片边缘位置Aθn+180°之和作为直径Dθn(参照图5)。
Dθn＝Aθn+Aθn+180°
并且，在处理单元200中，通过从与各旋转角度位置θn对应保存的晶片边缘位置Aθn中减去对应的旋转角度位置θn处的边缘间距离Bθn来运算膜边缘位置Cθn(参照图5)。
Cθn＝Aθn—Bθn
之后，处理单元200根据如上获得的各旋转角度位置θn处的晶片边缘位置Aθn、直径Dθn以及膜边缘位置Cθn来生成晶片10的检查信息(评价信息)(S5：检查信息生成步骤)。可生成如下检查信息。
可以生成各旋转角度位置θn处的晶片边缘位置Aθn与从该旋转角度位置θn旋转180°的旋转角度位置θn+180°处的晶片边缘位置Aθn+180°之差的绝对值
|Aθn—Aθn+180°|，
来作为评价晶片10相对于工作台100(保持部)的旋转中心(旋转轴110a的轴心)的偏心程度的信息。例如，在各旋转角度位置θn处的所述绝对值全部小于基准值a的情况下，
|Aθn—Aθn+180°|<a
可判定为晶片10被恰当放置在工作台100上而没有相对于工作台100的旋转中心偏心。
并且，可以生成各旋转角度位置θn处的直径Dθn与从该旋转角度位置θn旋转90°的旋转角度位置θn+90°处的直径Dθn+90°之差的绝对值
|Dθn—Dθn+90°|，
来作为评价晶片10的正圆程度的信息。例如，在各旋转角度位置θn处的所述绝对值全部小于基准值d的情况下，
|Dθn—Dθn+90°|<d
可判定为晶片10为正规形状(正圆)。
并且，可以生成各旋转角度位置θn处的膜边缘位置Cθn与从该旋转角度位置θn旋转180°的旋转角度位置θn+180°处的膜边缘位置Cθn+180°之差的绝对值
|Cθn—Cθn+180°|，
来作为评价绝缘膜11相对于晶片10的偏心程度的信息。例如，在各旋转角度位置θn处的所述绝对值全部小于c1的情况下，
|Cθn—Cθn+180°|<c1
可判定为绝缘膜11恰当地形成在晶片10的表面上而没有相对于晶片10(的中心)偏心。
并且，可以根据各旋转角度位置θn处的膜边缘位置Cθn、以及从该旋转角度位置θn旋转90°、180°和270°的旋转角度位置θn+90°、θn+180°、θn+90°+180°各处的膜边缘位置Cθn+90°、Cθn+180°、Cθn+90°+180°，而生成如图6所示定义的绝缘膜11的半径Crθi与Crθj之差的绝对值
|Crθi—Crθj|
Crθi＝(((Cθn+Cθn+180°)/2)2+((Cθn+90°—Cθn+90°+180°)/2)2)1/2
Crθj＝(((Cθn+90°+Cθn+90°+180°)/2)2+((Cθn+180°—Cθn)/2)2)1/2，
来作为评价绝缘膜11的正圆程度的信息。例如，在根据各旋转角度位置θn处的膜边缘位置Cθn等而获得的所述绝缘膜11的半径Crθi与Crθj之差的绝对值全部小于c2的情况下，
|Crθi—Crθj|<c2
可判定为绝缘膜11为正规形状(正圆)。
并且，可根据所述直径Dθn与Dθn+90°之差的绝对值
|Dθn—Dθn+90°|、
所述膜边缘位置Cθn与Cθn+180°之差的绝对值
|Cθn—Cθn+180°|、
以及所述绝缘膜11的半径Crθi与Crθj之差的绝对值
|Crθi—Crθj|，
来对作为对象的晶片10进行分类。可将该分类信息用作检查信息(评价信息)。
具体地说，图7(a)所示的分类NO.1表示满足
|Dθn—Dθn+90°|<d
|Cθn—Cθn+180°|<c1
|Crθi—Crθj|<c2
的条件的晶片10。在该情况下，如图9(a)示意性所示，可将晶片10的外缘形状、绝缘膜11的边缘形状以及绝缘膜11的形成位置全部评价为正常。另外，当然，图9(a)毕竟是示意性示出的图，图7(a)的条件并不全都是图9(a)所示那样，然而作为晶片10的评价结果，只要使显示单元220按照图9(a)的示意图所示来显示晶片形状、绝缘膜偏心状态、绝缘膜形状，操作员就能够通过对其进行观察而立即察觉到三者的倾向。这对于图9(b)以后也同样。
图7(b)所示的分类NO.2表示满足
|Dθn—Dθn+90°|>d
|Cθn—Cθn+180°|<c1
|Crθi—Crθj|<c2
的条件的晶片10。在该情况下，如图9(b)示意性所示，可将绝缘膜11的边缘形状和绝缘膜11的形成位置评价为正常，另一方面，可将晶片10的外缘形状评价为不正常。
图7(c)所示的分类NO.3表示满足
|Dθn—Dθn+90°|>d
|Cθn—Cθn+180°|<c1
|Crθi—Crθj|>c2
的条件的晶片10。在该情况下，如图9(c)示意性所示，可将绝缘膜11的形成位置评价为正常，另一方面，可将晶片10的外缘形状和绝缘膜11的边缘形状评价为不正常。
图7(d)所示的分类NO.4表示满足
|Dθn—Dθn+90°|<d
|Cθn—Cθn+180°|<c1
|Crθi—Crθj|>c2
的条件的晶片10。在该情况下，如图9(d)示意性所示，可将晶片10的外缘形状和绝缘膜11的形成位置评价为正常，另一方面，可将绝缘膜11的边缘形状评价为不正常。
图8(a)所示的分类NO.5表示满足
|Dθn—Dθn+90°|<d
|Cθn—Cθn+180°|>c1
|Crθi—Crθj|<c2
的条件的晶片10。在该情况下，如图9(e)示意性所示，可将晶片10的外缘形状和绝缘膜11的边缘形状评价为正常，另一方面，可将绝缘膜11的形成位置评价为不正常。
图8(b)所示的分类NO.6表示满足
|Dθn—Dθn+90°|>d
|Cθn—Cθn+180°|>c1
|Crθi—Crθj|<c2
的条件的晶片10。在该情况下，如图9(f)示意性所示，可将绝缘膜11的边缘形状评价为正常，另一方面，可将晶片10的外缘形状和绝缘膜11的形成位置评价为不正常。
图8(c)所示的分类NO.7表示满足
|Dθn—Dθn+90°|>d
|Cθn—Cθn+180°|>c1
|Crθi—Crθj|>c2
的条件的晶片10。在该情况下，如图9(g)示意性所示，可将晶片10的外缘形状、绝缘膜11的边缘形状以及绝缘膜11的形成位置全部评价为不正常。
图8(d)所示的分类NO.8表示满足
|Dθn—Dθn+90°|<d
|Cθn—Cθn+180°|>c1
|Crθi—Crθj|>c2
的条件的晶片10。在该情况下，如图9(h)示意性所示，可将晶片10的外缘形状评价为正常，另一方面，可将绝缘膜11的边缘形状和绝缘膜11的形成位置评价为不正常。
返回图4，处理单元200在如上所述生成了检查信息后，进行用于使显示单元220显示规定信息的输出处理(S6)。在该输出处理中，可直接显示所述检查信息。例如，可以使显示单元220例如通过将各旋转角度位置θn处的值作为表形式来显示以下绝对值中的全部或其中几个：
多个旋转角度位置各自的晶片边缘位置Aθn与Aθn+180°之差的绝对值
|Aθn—Aθn+180°|、
晶片10的直径Dθn与Dθn+90°之差的绝对值
|Dθn—Dθn+90°|、
膜边缘位置Cθn与Cθn+180°之差的绝对值
|Cθn—Cθn+180°|、
以及绝缘膜11的半径Crθi与Crθj之差的绝对值
|Crθi—Crθj|。
这样，作业者可以根据显示单元220上显示的这些信息，更具体且精度良好地评价作为检查对象的晶片10的偏心程度以及正圆程度、和绝缘膜11的偏心程度以及正圆程度。可以根据这些评价进而更详细地评价绝缘膜11的成膜工序是否合适以及晶片10的基板(例如硅基板)形成工序是否合适。
并且，处理单元200可以使显示单元220显示所述分类信息(图7和图8所示的NO.1～NO.8)和对应的示意图形(图9(a)～(h))中的至少任意一个，来作为晶片10的评价结果。在该情况下，可将作为检查对象的晶片10与其绝缘膜11一起进行宏观评价。
并且，处理单元200还可以生成表示各旋转角度位置θn与所述晶片边缘位置Aθn、边缘间距离Bθn以及膜边缘位置Cθn之间的关系的分布信息来作为该晶片10的评价信息(检查信息)，并使显示单元220显示该分布信息。在该情况下，例如图10所示，在显示单元20上显示有针对晶片10旋转一周(0°～360°)的晶片边缘位置Aθn的分布Q1(Aθn)、膜边缘位置Cθn的分布Q2(Cθn)以及边缘间距离Bθn的分布Q3(Bθn)。另外，在图10中，晶片边缘位置Aθn和膜边缘位置Cθn使用右侧的刻度(147.00mm～151.50mm)，边缘间距离Bθn使用左侧的刻度(0.00mm～4.50mm)。可以根据这种分布信息而直接掌握晶片10的外缘形状、绝缘膜11的边缘形状以及晶片10的外缘与绝缘膜的边缘之间的距离(相当于现有技术中的露出宽度)。
另外，还可以生成基于各旋转角度位置θn处的晶片边缘位置Aθn的晶片10的外缘线L1、和基于各旋转角度位置θn处的膜边缘位置Cθn的绝缘膜11的边缘线L2来作为晶片10的检查信息。在该情况下，如图11所示，在显示单元220上显示晶片10的外缘线L1和绝缘膜11的边缘线L2。这样，可根据显示单元220上显示的晶片10的外缘线L1和绝缘膜11的边缘线L2来准确评价晶片10的形状、绝缘膜11的形状以及绝缘膜11的形成位置。
并且，可以将针对绝缘膜11的边缘线的刻度分辨率设定得比针对晶片10的外缘线的刻度分辨率高，并使显示单元220进行显示。即，仅对绝缘膜11的边缘部分周边沿晶片的直径方向对刻度进行放大而显示。在该情况下，如图12所示，与晶片10的外缘线L1相比更加强调了绝缘膜11的边缘线L20的变动，从而可以精度更加良好地、且对评价者来说感觉鲜明地来评价绝缘膜11的形状和位置等。
另外，晶片10的检查信息不限于所述检查信息，只要是根据各旋转角度位置θn处的晶片边缘位置Aθn和边缘间距离Bθn而获得的针对晶片10的信息，就不作特别限定。
在所述检查装置中，通过第2照相机单元130b的摄影所获得的图像用于测量各旋转角度位置θn处的晶片边缘位置Aθn从而只用于(直径Dθn)，然而也可以将该图像用作晶片10的背面侧的检查结果。例如，在形成晶片10的绝缘膜11的工序中，有时该绝缘膜从晶片10的外缘弯入到相反侧的面上。可以从通过所述第2照相机单元130b的摄影所获得的图像中检测由这种绝缘膜的弯入引起的缺陷。
所述检查装置将在半导体晶片10的表面上形成有1层绝缘膜11的晶片作为检查对象，然而如图13所示，可将在半导体晶片10的表面上形成有多层、例如3层绝缘膜11a、11b、11c的晶片作为检查对象。在图13所示的例子中，采用了在半导体晶片10的表面上依次层叠越是上层直径越小的3层绝缘膜11a、11b、11c的结构。
在该例的情况下，处理单元200输入来自第1照相机单元130a的摄影信号，取入对应的摄影图像(图像数据)(参照图4中的S1)，其中第1照相机单元130a从晶片10的形成有3层绝缘膜11a、11b、11c的面侧拍摄其外缘及其附近区域。然后，处理单元200在基于该摄影信号的图像数据所表示的图像上，测量各旋转角度位置θn处晶片10的外缘与各绝缘膜11a、11b、11c的边缘之间的边缘间距离Baθn、Bbθn、Bcθn(参照图4中的S3)。
与前述例子同样，如此获得的针对各绝缘膜11a、11b、11c的边缘间距离Baθn、Bbθn、Bcθn用于运算针对各绝缘膜11a、11b、11c的膜边缘位置Caθn、Cbθn、Ccθn(参照图4中的S4)。然后可以获得：针对各绝缘膜的检查信息(评价信息)，例如评价各绝缘膜11a、11b、11c的偏心程度的信息|Cθn—Cθn+180°|、评价各绝缘膜11a、11b、11c的正圆程度的信息|Crθi—Crθj|(参照图4中的S5)；以及针对各绝缘膜11a、11b、11c的分类信息(参照图7、图8、图9)。并且，还可以根据针对各绝缘膜11a、11b、11c的边缘间距离Baθn、Bbθn、Bcθn和边缘位置Caθn、Cbθn、Ccθn来获得检查信息，该检查信息可以表示上层的膜侵入到下层的膜的区域中并将其大幅覆盖的悬边(overhang)、及上层的膜脱落或卷起而能看到下层的膜的差欠(undertake)这样的异常部位。
可以根据这种针对各绝缘膜11a、11b、11c的各种检查信息来评价该半导体晶片10是否良好，并且可以更详细地评价各绝缘膜11a、11b、11c的成膜工序是否合适。
在所述检查装置中，采用了第1照相机单元130a从晶片10的形成有绝缘膜11的表面侧进行拍摄、第2照相机单元130b从晶片10的未形成绝缘膜11的背面侧进行拍摄的结构，然而如图14所示，也可以采用第1照相机单元130a和第2照相机单元130b双方都从晶片10的形成有绝缘膜11的表面侧进行拍摄的结构(机构系统的第2结构例)。在该情况下，当根据晶片10旋转一周的期间内所获得的与来自2个第1照相机单元130a和第2照相机单元130b的摄影信号对应的图像而针对各旋转角度位置θn获得2个晶片边缘位置Aθn时，可将它们的平均值用作真正的晶片边缘位置Aθn。并且，在根据这些图像而针对各旋转角度位置θn获得2个边缘间距离Bθn的情况下，可将它们的平均值作为真正的边缘间距离Bθn。因此，可实现精度更加良好的检查。另一方面，仅通过使晶片10旋转半周，即可获得针对晶片10全周的晶片边缘位置Aθn和边缘间距离Bθn。在该情况下，可对晶片10进行效率更高的检查。
并且，如图15所示，也可以设置边缘传感器132来取代第2照相机单元130b(机构系统的第3结构例)。该边缘传感器132设置在与工作台100的旋转中心正交的直线上，输出表示工作台100上放置的晶片10的外缘的径向位置的检测信号。在该情况下，处理单元200可以根据从通过第1照相机单元130a的摄影所获得的图像中测量出的各旋转角度位置θn处的晶片边缘位置Aθn以及由来自边缘传感器132的检测信号检测出的各旋转角度位置θn处的晶片边缘位置Aθn，来确定真正的晶片边缘位置Aθn。
并且，在所述检查装置中，根据使晶片10连续旋转的期间内每隔规定旋转角度通过第1照相机单元130a和第2照相机单元130b的摄影所获得的图像，来进行晶片10的检查/评价，然而也可以使工作台100，即晶片10每隔规定旋转角度间歇旋转。
并且，隔开工作台100的旋转角度的180度来使2个照相机单元130a、130b对置，但是，例如也可以隔开90度来进行设置，其个数可以配置为1个、或3个以上。在为多个的情况下，优选按照旋转角度进行均匀配置。并且，也可以采用这样的结构：将晶片10设置为固定，使各照相机单元130a、130b沿晶片10的外周进行旋转运动。
并且，检查装置的机构系统也可以采用图16和图17所示的结构(第4结构例)。在该例中，设有用于测量半导体晶片10的直径的专用的2个边缘传感器120a、120b，并设有对半导体晶片10的外缘及其附近区域进行拍摄的单个照相机单元130。
具体地说，在工作台100的外缘附近的规定位置设置有一对边缘传感器120a、120b，这些边缘传感器120a、120b设置在与工作台100的旋转中心正交的直线上。并且，各边缘传感器120a、120b输出表示工作台100上放置的晶片10的外缘的径向位置的检测信号。并且，在工作台100的上方设置有对工作台100上放置的晶片10的外缘及其附近区域进行拍摄的单个照相机130。照相机130包含CCD线传感器131，并且CCD线传感器131的线状摄影区域被设定为横穿工作台100上的晶片10的外缘和绝缘膜11的边缘而朝向工作台100的旋转中心。相对于CCD线传感器131的排列方向，边缘传感器120a、120b设置在换算成工作台100的旋转角度而正好错开±90度的位置上。
具有这种结构的机构系统的评价装置的处理系统如图18所示的方式构成。在该处理系统中，处理单元200取代来自上述例子(参照图3)的第1照相机单元130a、130b的摄影信号而对来自照相机单元130的摄影信号和来自2个边缘传感器120a、120b的检测信号进行处理，运算与上述相同的各检查信息(评价信息)。
具体地说，处理单元200执行如下处理。
在实际进行针对晶片10的评价处理之前，与上述例子同样，首先进行该评价装置的初始设定。在该初始设定中，例如，使用对准机构(未作图示)将准确确认为正圆且准确确认出其尺寸(例如直径300mm)的虚设晶片在工作台100上放置成使其中心与该工作台100的旋转中心准确一致。然后，在使工作台100旋转的状态下，对边缘传感器120a、120b的位置调整和处理单元200的参数进行初始设定等，以使处理单元200将来自各边缘传感器120a、120b的检测信号始终准确识别为与虚设晶片的半径(例如150mm)相当的距中心(旋转轴)的径向位置。
在初始设定结束后，使用操作单元210进行规定操作，然后使用对准机构(未作图示)将取代虚设晶片而要进行评价的晶片10在工作台100上放置成尽量使其中心与该工作台100的旋转中心一致，之后处理单元200按照图19所示的步骤执行处理。
在图9中，处理单元200在晶片10恒速旋转一周的期间，每隔规定旋转角度输入来自各边缘传感器120a、120b的检测信号，将这些检测信号值作为图5所示的晶片10的外缘的径向位置(以下称为晶片边缘位置)Aθn，并与各旋转角度位置θn对应起来进行保存(S11：基板外缘位置检测步骤)。这里，与上述例子同样，旋转角度位置θn表示从切口10a起的旋转角度。
另外，在晶片10旋转一周的期间内根据来自2个边缘传感器120a、120b的检测信号而针对各旋转角度位置θn获得2个晶片边缘位置Aθn的情况下，可将它们的平均值作为真正的晶片边缘位置Aθn，并与旋转角度位置θn对应起来进行保存。并且，也可以从来自一个边缘传感器120a的检测信号取得晶片10的半周中的与各旋转角度位置θn对应的晶片边缘位置Aθn，从来自另一个边缘传感器120b的检测信号取得晶片10的剩余半周的与各旋转角度位置θn对应的晶片边缘位置Aθn。
处理单元200每隔所述规定旋转角度而输入来自对晶片10的外缘及其附近区域进行拍摄的照相机130的摄像信号，并将该摄像信号作为图像数据与各旋转角度位置θn对应起来进行保存(S12：摄影步骤)。然后，处理单元200在由该图像数据表示的图像上测量各旋转角度位置θn处的、晶片10的外缘与绝缘膜11的边缘之间的边缘间距离Bθn(S3：边缘间距离测量步骤)。具体地说，例如，在存储器上展开的图像上测量晶片10的外缘与绝缘膜11的边缘之间的像素数，将该像素数换算成距离(缘间距离)。
此后，与上述例子同样，根据所述各旋转角度位置θn处的晶片边缘位置Aθn和边缘间距离Bθn，运算各旋转角度位置θn处的晶片直径Dθn以及针对绝缘膜11的膜边缘位置Cθn(S4)，进而与上述例子同样，生成各种检查信息(评价信息)(S5)。然后，与上述例子同样，在处理单元200的控制下，将该生成的检查信息显示在显示单元220上(S6：输出处理)。
另外，在上述各例中，说明了将检查装置用于晶片的绝缘膜形成的评价的例子，然而，例如也可以不伴有评价，而将各检查结果反馈给绝缘膜等的膜制造装置，用于对膜形成时的各种数据进行修正。
并且，在上述各例中，对表面上形成有绝缘膜的结构的晶片作了说明，然而也可以是表面上形成有导电膜的结构的晶片。作为膜，可以考虑金属膜、有机膜、化合物膜等。
并且，作为圆盘状基板以半导体晶片为例作了说明，然而不限于此，也可以应用为表面上形成有处理区域的圆盘状基板、例如形成有记录层的磁盘基板的检查装置。
如以上所说明的那样，本发明的圆盘状基板的检查装置和检查方法具有可以对半导体晶片等圆盘状基板表面上形成的处理区域进行更高精度的检查的效果，作为对表面上形成有绝缘膜和导电膜等处理区域的圆盘状基板进行检查的检查装置和检查方法是有用的。

Claims (18)

1.一种圆盘状基板的检查装置，所述圆盘状基板在表面上形成有处理区域，其特征在于，该检查装置具有：
保持部，其能够以规定的旋转轴为中心旋转，保持所述圆盘状基板；
旋转驱动部，其使所述保持部以所述旋转轴为中心旋转；
摄影单元，其拍摄通过所述保持部的旋转而旋转的所述圆盘状基板的外缘及其附近区域；
基板外缘位置测量单元，其测量通过所述保持部的旋转而旋转的所述圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的该圆盘状基板的外缘的径向位置；
边缘间距离测量单元，其根据由所述摄影单元获得的图像来测量所述多个旋转角度位置各处的、所述圆盘状基板的外缘与所述处理区域的边缘之间的边缘间距离；以及
检查信息生成单元，其根据由所述基板外缘位置测量单元获得的所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置、以及由所述边缘间距离测量单元获得的所述多个旋转角度位置各处的边缘间距离，来生成规定的检查信息。
2.根据权利要求1所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，所述检查信息生成单元具有处理区域边缘位置运算单元，该处理区域边缘位置运算单元根据所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置以及对应的旋转角度位置处的所述边缘间距离，来运算所述处理区域的所述多个旋转角度位置处的边缘的径向位置，
所述检查信息生成单元生成基于所述处理区域的所述多个旋转角度位置各处的边缘的径向位置的检查信息。
3.根据权利要求2所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，所述检查信息包含表示与所述处理区域相对于所述圆盘状基板的偏心程度相关的检查结果的信息。
4.根据权利要求2所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，所述检查信息包含表示与所述处理区域的正圆程度相关的检查结果的信息。
5.根据权利要求1所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，所述检查信息生成单元具有直径运算单元，该直径运算单元根据所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置来运算该圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的直径，
所述检查信息生成单元生成基于所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的直径的检查信息。
6.根据权利要求5所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，所述检查信息包含表示与所述圆盘状基板相对于所述保持部的旋转轴的偏心程度相关的检查结果的信息。
7.根据权利要求5所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，所述检查信息包含表示与所述圆盘状基板的正圆程度相关的检查结果的信息。
8.根据权利要求1所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，
所述检查信息生成单元具有：
处理区域边缘位置运算单元，其根据所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置以及对应的旋转角度位置处的所述边缘间距离，来运算所述处理区域的所述多个旋转角度位置处的边缘的径向位置；以及
直径运算单元，其根据所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置来运算所述圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的直径，
该检查信息生成单元生成基于所述处理区域的所述多个旋转角度位置各处的边缘的径向位置以及所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的直径的检查信息。
9.根据权利要求8所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，所述检查信息包含与所述圆盘状基板和所述处理区域相关的分类信息，该分类信息是根据所述处理区域的所述多个旋转角度位置各处的边缘的径向位置以及所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的直径而生成的。
10.根据权利要求1所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，所述基板外缘位置测量单元根据由所述摄影单元获得的图像来测定所述圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的该圆盘状基板的外缘的径向位置。
11.根据权利要求10所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，所述摄影单元具有多个照相机单元，该多个照相机单元被设置成绕着由所述保持部保持的所述圆盘状基板来配置，对所述圆盘状基板的外缘及其附近进行拍摄。
12.根据权利要求11所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，所述多个照相机单元具有：第1照相机单元，其从一个面侧拍摄由所述保持部保持的所述圆盘状基板的外缘及其附近区域；以及第2照相机单元，其从另一面侧拍摄所述圆盘状基板的外缘及其附近区域。
13.根据权利要求12所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，所述第1照相机单元和第2照相机单元以所述圆盘状基板的旋转角度180度错开配置。
14.根据权利要求12所述的圆盘状基板的检查装置，其特征在于，所述基板外缘位置测量单元根据由所述第1照相机单元获得的图像和由所述第2照相机单元获得的图像双方来测量所述多个旋转角度位置各处的所述圆盘状基板的外缘的径向位置。
15.根据权利要求12所述的检查装置，其特征在于，所述边缘间距离测量单元根据由所述第1照相机单元和第2照相机单元中、从形成有所述处理区域的面侧进行拍摄的一个照相机单元获得的图像来测量所述边缘间距离。
16.一种圆盘状基板的检查方法，该圆盘状基板在表面上形成有处理区域，其特征在于，该检查方法具有以下步骤：
摄影步骤，拍摄由以规定的旋转轴为中心旋转的保持部保持、并与该保持部一起旋转的所述圆盘状基板的外缘及其附近区域；
基板外缘位置测量步骤，测量通过所述保持部的旋转而旋转的所述圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的该圆盘状基板的外缘的径向位置；
边缘间距离测量步骤，根据由所述摄影步骤获得的图像来测量所述多个旋转角度位置各处的、所述圆盘状基板的外缘与所述处理区域的边缘之间的边缘间距离；以及
检查信息生成步骤，根据由所述基板外缘位置测量步骤获得的所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置、以及由所述边缘间距离测量步骤获得的所述多个旋转角度位置各处的边缘间距离，来生成规定的检查信息。
17.根据权利要求16所述的圆盘状基板的检查方法，其特征在于，所述检查信息生成步骤包含：
处理区域边缘位置运算步骤，根据所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置以及对应的旋转角度位置处的所述边缘间距离，来运算所述处理区域的所述多个旋转角度位置处的边缘的径向位置；以及
直径运算步骤，根据所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的外缘的径向位置来运算所述圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的直径，
在所述检查信息生成步骤中，生成基于所述处理区域的所述多个旋转角度位置各处的边缘的径向位置以及所述圆盘状基板的所述多个旋转角度位置各处的直径的检查信息。
18.根据权利要求16所述的圆盘状基板的检查方法，其特征在于，在所述基板外缘位置测量步骤中，根据由所述摄影步骤获得的图像来测定所述圆盘状基板的多个旋转角度位置各处的该圆盘状基板的外缘的径向位置。
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