CN115167086B - 定位标记、掩膜板及光刻定位方法 - Google Patents
定位标记、掩膜板及光刻定位方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115167086B CN115167086B CN202210936058.1A CN202210936058A CN115167086B CN 115167086 B CN115167086 B CN 115167086B CN 202210936058 A CN202210936058 A CN 202210936058A CN 115167086 B CN115167086 B CN 115167086B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- edge
- arc
- transparent
- workpiece
- shaped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 title abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/708—Mark formation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本发明提供一种定位标记、掩膜板及光刻定位方法,涉及光刻技术领域,包括第一透明区、第二透明区和测距结构;所述第一透明区为弧形,所述第一透明区具有第一弧形边缘;所述第二透明区设置在所述第一弧形边缘朝向所述第一透明区外部的一侧,所述第二透明区能够观察所述第一弧形边缘与工件边缘是否重叠;所述测距结构能够测量沿第一方向线所述第一弧形边缘与工件边缘之间的距离。能够使工件实现沿第一方向线的方向上对准,用户可以根据沿第一方向线第一弧形边缘与工件边缘之间的距离调整工件位置,使调整工件位置过程更加准确和便捷。
Description
技术领域
本发明涉及光刻技术领域,尤其是涉及一种对晶圆进行套刻定位的定位标记、掩膜板及光刻定位方法。
背景技术
光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将掩膜板上的图形转移到所在衬底上。
在外延生长后,为了对晶体的生长方向进行标记,将晶圆的左侧解理成平边。但是在光刻定位时,晶圆左边的平边能够定位晶圆的左右位置,晶圆的上下位置却无法定位。
发明内容
本发明的目的在于提供一种定位标记,以解决现有技术中无法对晶圆进行上下定位的技术问题。
本发明提供的定位标记,包括第一透明区、第二透明区和测距结构;
所述第一透明区为弧形,所述第一透明区具有第一弧形边缘;
所述第二透明区设置在所述第一弧形边缘朝向所述第一透明区外部的一侧,所述第二透明区能够观察所述第一弧形边缘与工件边缘是否重叠;
所述测距结构能够测量沿第一方向线所述第一弧形边缘与工件边缘之间的距离。
进一步地,所述第二透明区与所述第一透明区连通并形成阶梯结构。
进一步地,所述测距结构包括多个刻度线,多个所述刻度线沿第一方向线均匀间隔设置;
位于多个所述刻度线中一端的刻度线设置在所述第一透明区内,位于多个所述刻度线中另一端的刻度线设置在所述第二透明区内。
进一步地,所述第二透明区为弧形;
所述第二透明区具有相对设置的第二弧形边缘和第三弧形边缘;所述第二弧形边缘与所述第一弧形边缘共线设置;
所述第一弧形边缘所属圆的圆心与所述第三弧形边缘所属圆的圆心沿第一方向线间隔设置,所述第二透明区形成所述测距结构。
进一步地,所述第二透明区为多个;
多个所述第二透明区中的第三弧形边缘所属圆的圆心沿第一方向线均匀间隔设置,且多个所述第二透明区依次连通并形成阶梯结构;多个所述第二透明区形成所述测距结构。
进一步地,所述第二透明区为弧形;
所述第二透明区具有相对设置的第二弧形边缘和第三弧形边缘;所述第二弧形边缘与所述第一弧形边缘共线设置;
所述第一弧形边缘所属圆的圆心与所述第三弧形边缘所属圆的圆心沿第一方向线间隔设置;沿所述第一弧形边缘的周向,所述第一透明区与所述第二透明区间隔设置;所述第一弧形边缘的半径、所述第二弧形边缘的半径和所述第三弧形边缘的半径相等;所述第二透明区形成所述测距结构。
进一步地,所述第二透明区为多个;
多个所述第二透明区中的第三弧形边缘所属圆的圆心沿第一方向线均匀间隔设置;
相邻的两个第二透明区中靠近第一透明区设置的为第二透明区a,远离所述第一透明区设置的为第二透明区b,沿所述第二透明区a的第三弧形边缘的周向,所述第二透明区a与所述第二透明区b间隔设置,所述第二透明区a的第三弧形边缘与所述第二透明区b的第二弧形边缘共线设置;多个所述第二透明区形成所述测距结构;最靠近所述第一透明区的所述第二透明区的第二弧形边缘与所述第一弧形边缘共线设置;所述第一弧形边缘所属圆的圆心与最靠近所述第一透明区的所述第二透明区的第三弧形边缘所属圆的圆心沿第一方向线间隔设置;沿所述第一弧形边缘的周向,所述第一透明区与最靠近所述第一透明区的所述第二透明区间隔设置。
进一步地,所述第一透明区具有两个相对设置的第一弧形边缘;
两个所述第一弧形边缘朝向所述第一透明区外部的一侧均设有第二透明区。
本发明的目的还在于提供一种掩膜板,包括本发明提供的定位标记。
本发明的目的还在于提供一种光刻定位方法,使用本发明提供的定位标记或本发明提供的掩膜板进行光刻定位,包括以下步骤:
通过第一透明区和第二透明区观察预选的第一弧形边缘与工件边缘是否重叠;
预选的第一弧形边缘与工件边缘重叠时,工件与掩膜板对准;
预选的第一弧形边缘与工件边缘不重叠时,通过测距结构观察沿第一方向线预选的第一弧形边缘与工件边缘之间的距离,并根据沿第一方向线预选的第一弧形边缘与工件边缘之间的距离调整工件位置,以使预选的第一弧形边缘与工件边缘重叠。
本发明提供的定位标记,包括第一透明区、第二透明区和测距结构;所述第一透明区为弧形,所述第一透明区具有第一弧形边缘;所述第二透明区设置在所述第一弧形边缘朝向所述第一透明区外部的一侧,所述第二透明区能够观察所述第一弧形边缘与工件边缘是否重叠;所述测距结构能够测量沿第一方向线所述第一弧形边缘与工件边缘之间的距离。在对工件进行定位时,定位标记设置在掩膜板上,通过第一透明区和第二透明区观察第一弧形边缘与工件边缘是否重叠,如果第一弧形边缘与工件边缘重叠,则工件沿第一方向线的方向上对准,如果第一弧形边缘与工件边缘不重叠,通过测距结构得出沿第一方向线第一弧形边缘与工件边缘之间的距离,并根据沿第一方向线第一弧形边缘与工件边缘之间的距离调整工件位置,以使第一弧形边缘与工件边缘重叠,从而使工件实现沿第一方向线的方向上对准。测距结构能够使用户更加直观地观察到沿第一方向线第一弧形边缘与工件边缘之间的距离,以使工件边缘更加准确地与第一弧形边缘对准,并且在调整工件位置过程中能够观测沿第一方向线第一弧形边缘与工件边缘之间的距离,用户可以根据沿第一方向线第一弧形边缘与工件边缘之间的距离调整工件位置,使调整工件位置过程更加准确和便捷。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中晶圆的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种实施方式中定位标记的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的另一种实施方式中定位标记的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的又一种实施方式中定位标记的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的具有多个第二透明区的定位标记的结构示意图。
图标:1-晶圆;2-第一透明区;21-第一弧形边缘;3-第二透明区;31-第三弧形边缘;32-第二弧形边缘;33-第二透明区a;34-第二透明区b;35-第一直边;36-第二直边;37-第三直边;4-刻度线。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种定位标记、掩膜板及光刻定位方法。下面给出多个实施例对本发明提供的定位标记、掩膜板及光刻定位方法进行详细描述。
本实施例提供的定位标记,如图1至图5所示,包括第一透明区2、第二透明区3和测距结构;第一透明区2为弧形,第一透明区2具有第一弧形边缘21;第二透明区3设置在第一弧形边缘21朝向第一透明区2外部的一侧,第二透明区3能够观察第一弧形边缘21与工件边缘是否重叠;测距结构能够测量沿第一方向线第一弧形边缘21与工件边缘之间的距离。
工件可以为晶圆1,也可以为其他圆形或椭圆形工件。本实施例中,如图1所示,工件为晶圆1。第一弧形边缘21可以为圆弧形,也可以为椭圆弧形,本实施例中,第一弧形边缘21为圆弧形。
需要说明的是,在工件位于与掩膜板对准的位置时,工件边缘上的一点指向工件边缘所属圆的圆心形成第一方向线;或者;在工件位于与掩膜板对准的位置时,工件边缘上的一点指向工件边缘所属椭圆的中心形成第一方向线;第一方向线可以沿任意适合的方向延伸,以使定位标记对工件进行任意方向的定位,例如左右方向或上下方向等。
需要进一步说明的是,椭圆的中心是椭圆的最长直径与椭圆的最短直径的交点。
本实施例中,第一方向线为工件边缘的底端指向工件边缘的圆心的直线,以使定位标记对工件进行上下方向的定位。第一方向线的延伸方向与ab箭头所示的方向平行。如图1所示,上下方向为ab箭头所示的方向,左右方向为cd箭头所示的方向。
如图2至图4所示,在对晶圆1进行定位时,定位标记设置在掩膜板上,通过第一透明区2和第二透明区3观察第一弧形边缘21与晶圆1边缘是否重叠,如果第一弧形边缘21与晶圆1边缘重叠,则晶圆1与掩膜板沿第一方向线的方向上对准,如果第一弧形边缘21与晶圆1边缘不重叠,通过测距结构得出沿第一方向线第一弧形边缘21与晶圆1边缘之间的距离,并根据沿第一方向线第一弧形边缘21与晶圆1边缘之间的距离调整晶圆1位置,以使第一弧形边缘21与晶圆1边缘重叠,从而使晶圆1与掩膜板实现沿第一方向线的方向上对准。测距结构能够使用户更加直观地观察到沿第一方向线第一弧形边缘21与晶圆1边缘之间的距离,以使晶圆1边缘更加准确地与第一弧形边缘21对准,并且在调整晶圆1位置过程中能够观测沿第一方向线第一弧形边缘21与晶圆1边缘之间的距离,用户可以根据沿第一方向线第一弧形边缘21与晶圆1边缘之间的距离调整晶圆1位置,使调整晶圆1位置过程更加准确和便捷。
在如图2所示的一个实施例中,第二透明区3与第一透明区2连通并形成阶梯结构。一部分第一弧形边缘21与第二透明区3连通形成透明区,另一部分第一弧形边缘21未与第二透明区3连通。由于在工件处于对准位置时,工件的边缘与第一弧形边缘21是重叠的,通过设置第一弧形边缘21与第二透明区3连通的区域,能够使工件边缘通过第一弧形边缘21与第二透明区3连通的区域露出,而不会被掩膜板遮挡,能够便于观察工件边缘的位置;并且未与第二透明区3连通的第一弧形边缘21可以作为定位线使用,当工件的边缘出现在第一透明区2或第二透明区3中时,观察工件的边缘是否和未与第二透明区3连通的第一弧形边缘21共线,即可得出工件是否处于对准位置,在工件处于对准位置时,工件的边缘和未与第二透明区3连通的第一弧形边缘21共线;在工件处于非对准位置时,工件的边缘和未与第二透明区3连通的第一弧形边缘21不共线,未与第二透明区3连通的第一弧形边缘21作为定位线使用,能够便于直观地观察工件的边缘是否与定位线共线,并且能够准确地观察工件的边缘是否与定位线共线,提高定位工件的准确性。
在工件处于非对准位置时,工件的边缘可以位于第二透明区3内任意适合的位置,也可以位于第一透明区2内不与第一弧形边缘21重叠的位置,此时,工件的边缘可以通过第二透明区3或第一透明区2观察到。
其中,测距结构可以包括多个刻度线4,多个刻度线4沿第一方向线均匀间隔设置;位于多个刻度线4中一端的刻度线4设置在第一透明区2内,位于多个刻度线4中另一端的刻度线4设置在第二透明区3内。相邻的刻度线4之间的间隔是固定已知的,可以设置为制造工艺中的最小测量距离,例如1um、2um或3um等任意适合的数值。
位于多个刻度线4中一端的刻度线4设置在第一透明区2内,位于多个刻度线4中另一端的刻度线4设置在第二透明区3内,使多个刻度线4设置在第一透明区2和第二透明区3内,在工件的边缘位于第一透明区2和第二透明区3时,均可以测量工件边缘与第一弧形边缘21之间的距离。
刻度线4可以设置为透明状的,也可以设置为非透明状的。
第二透明区3与第一透明区2连通并形成阶梯结构时,第二透明区3的外轮廓可以为弧形,可以由多个直边依次连接而成,也可以由多个曲边依次连接而成。本实施例中,如图2所示,第二透明区3的外轮廓由第一直边35、第二直边36和第三直边37依次连接而成,第一直边35与第三直边37相对间隔设置,第二直边36与第一直边35垂直设置,第一直边35的一端与第一弧形边缘21相连,第三直边37的一端与第一弧形边缘21相连。
在如图3所示的一个实施例中,测距结构由第二透明区3形成,具体地,第二透明区3为弧形,第二透明区3具有相对设置的第二弧形边缘32和第三弧形边缘31,第二弧形边缘32与第一弧形边缘21共线设置。第一弧形边缘21所属圆的圆心与第三弧形边缘31所属圆的圆心沿第一方向线间隔设置,第一弧形边缘21的半径、第二弧形边缘32的半径和第三弧形边缘31的半径相等。第一弧形边缘21、第二弧形边缘32和第三弧形边缘31均属于半径相同的圆的圆周的一部分,第一弧形边缘21所属圆的圆心与第三弧形边缘31所属圆的圆心沿第一方向线按照预设间隔设置以使第二透明区3形成测距结构。
第二弧形边缘32设置为圆弧线,但同样可以设置为椭圆弧形。如图3所示,第二弧形边缘32为圆弧形。第三弧形边缘31为圆弧线。第一弧形边缘21所属圆的圆心与第三弧形边缘31所属圆的圆心的连线与第一方向线共线,且在第一方向线上相隔预设的间隔,且第一弧形边缘21所属圆的半径与第三弧形边缘31所属圆的半径相同。预设的间隔可以设置为制造工艺中的最小测量距离,例如1um、2um或3um等任意适合的数值。例如,沿第一方向线,第一弧形边缘21所属圆的圆心与第三弧形边缘31所属圆的圆心之间的间隔是1um,第一透明区2的两个第一弧形边缘21之间的距离为1um。
在工件位于对准位置时,工件的边缘与第一弧形边缘21重叠;在工件位于非对准位置,且工件的边缘位于第二透明区3内时,如果工件的边缘较为靠近第三弧形边缘31,则工件的边缘与第一弧形边缘21沿第一方向线偏离大约为1um,从而使第二透明区3具备测距功能,通过第二透明区3能够估算工件的边缘与第一弧形边缘21沿第一方向线的距离。
需要说明的是,第二透明区3可以为一个,也可以为多个。上文描述的为第二透明区3可以为一个的情况。
在第二透明区3为多个时,最靠近第一透明区2的第二透明区3的第二弧形边缘32与第一弧形边缘21共线设置;第一弧形边缘21所属圆的圆心与最靠近第一透明区2的第二透明区3的第三弧形边缘31所属圆的圆心沿第一方向线间隔预设的间隔。
具体地,如图3所示,第二透明区3为多个;多个第二透明区3中的第三弧形边缘31所属圆的圆心沿第一方向线均匀间隔设置,且相邻两个第三弧形边缘31所属圆的圆心沿第一方向线相隔预设的间隔,多个第二透明区3依次连通并形成阶梯结构;多个第二透明区3形成测距结构。
预设的间隔可以设置为制造工艺中的最小测量距离,例如1um、2um或3um等任意适合的数值。在图3所示的实施例中,预设的间隔设置为1um。多个第二透明区3中的第三弧形边缘31依次沿第一方向线排列形成类似于刻度线4的结构,以测量工件的边缘与第一弧形边缘21沿第一方向线的距离。第二透明区3可以为两个、三个或四个等任意适合的数值,第二透明区3的数量越多,测距结构能够测量的尺寸范围越大。
在图3中,第二透明区3为两个,两个第二透明区3分别为第二透明区a33和第二透明区b34;第一透明区2、第二透明区a33和第二透明区b34依次设置。第一弧形边缘21的部分区域与第二透明区a33的第二弧形边缘32连通,第二透明区a33的第三弧形边缘31的部分区域与第二透明区b34的第二弧形边缘32连通。
由于在工件处于对准位置时,工件的边缘与第一弧形边缘21是重叠的,通过设置第一弧形边缘21的部分区域与第二透明区a33的第二弧形边缘32连通,能够使工件边缘通过第一弧形边缘21与第二透明区a33的第二弧形边缘32连通的区域露出,而不会被掩膜板遮挡,能够便于观察工件边缘的位置;并且未与第二透明区a33的第二弧形边缘32连通的第一弧形边缘21可以作为定位线使用,当工件的边缘出现在第一透明区2、第二透明区a33和第二透明区b34中时,观察工件的边缘是否和定位线共线,即可得出工件是否处于对准位置,能够便于直观地观察工件的边缘是否与定位线共线,并且能够准确地观察工件的边缘是否与定位线共线,提高定位工件的准确性。
在工件不处于对准位置时,如果工件的边缘与第二透明区a33的第三弧形边缘31重叠,工件的边缘能够通过第二透明区a33的第三弧形边缘31与第二透明区b34的第二弧形边缘32连通的区域露出,而不会被掩膜板遮挡,能够便于观察工件边缘的位置;未与第二透明区b34的第二弧形边缘32连通的第二透明区a33的第三弧形边缘31可以作为定位线使用,具体定位线的应用方式和效果与上一段中的定位线一致,此处不再赘述。
在工件的边缘与第一弧形边缘21重叠时,工件对准;在工件的边缘与第二透明区a33的第三弧形边缘31重叠时,工件未对准,工件的边缘需要沿第一方向线朝向第一弧形边缘21移动1um进行对准。
在如图4所示的另一实施例中,第二透明区3为弧形;第二透明区3具有相对设置的第二弧形边缘32和第三弧形边缘31。第二弧形边缘32与第一弧形边缘21共线设置。第一弧形边缘21所属圆的圆心与第三弧形边缘31所属圆的圆心沿第一方向线间隔设置,且第一弧形边缘21所属圆的圆心与第三弧形边缘31所属圆的圆心沿第一方向线间隔预设的间隔。第一弧形边缘21的半径、第二弧形边缘32的半径和第三弧形边缘31的半径相等。预设的间隔可以设置为制造工艺中的最小测量距离,例如1um、2um或3um等任意适合的数值。沿第一弧形边缘21的周向,第一透明区2与第二透明区3间隔设置;第二透明区3形成测距结构。第一透明区2和第二透明区3彼此独立,相互不连通。
本实施例中,第一弧形边缘21所属圆的圆心与第三弧形边缘31所属圆的圆心之间沿第一方向线的间隔是1um,第一透明区2的两个第一弧形边缘21之间的距离为1um。
在工件位于对准位置时,由第二透明区3能够看到工件的端面,工件的边缘与第一弧形边缘21以及第二弧形边缘32重叠;在工件位于非对准位置,且工件的边缘位于第二透明区3内时,如果工件的边缘较为靠近第三弧形边缘31,则工件的边缘与第一弧形边缘21沿第一方向线偏离大约为1um,从而使第二透明区3具备测距功能,通过第二透明区3能够估算工件的边缘与第一弧形边缘21沿第一方向线的距离。
需要说明的是,第二透明区3可以为一个,也可以为多个。上文描述的为第二透明区3可以为一个的情况。
在第二透明区3为多个时,最靠近第一透明区2的第二透明区3的第二弧形边缘32与第一弧形边缘21共线设置;第一弧形边缘21所属圆的圆心与最靠近第一透明区2的第二透明区3的第三弧形边缘31所属圆的圆心沿第一方向线间隔预设的间隔;沿第一弧形边缘21的周向,第一透明区2与最靠近第一透明区2的第二透明区3间隔设置。
具体地,如图5所示,第二透明区3为多个;多个第二透明区3中的第三弧形边缘31的圆心沿第一方向线均匀间隔设置;相邻的两个第二透明区3中靠近第一透明区2设置的为第二透明区a33,远离第一透明区2设置的为第二透明区b34,沿第二透明区a33的第三弧形边缘31的周向,第二透明区a33与第二透明区b34间隔设置,第二透明区a33的第三弧形边缘31与第二透明区b34的第二弧形边缘32共线设置;多个第二透明区3形成测距结构;最靠近第一透明区2的第二透明区3的第二弧形边缘32与第一弧形边缘21共线设置;第一弧形边缘21所属圆的圆心与最靠近第一透明区2的第二透明区3的第三弧形边缘31所属圆的圆心沿第一方向线间隔预设的间隔;沿第一弧形边缘21的周向,第一透明区2与最靠近第一透明区2的第二透明区3间隔设置。
沿第一方向线,相邻的第二透明区3中的第三弧形边缘31的圆心之间的间隔是固定已知的,可以设置为制造工艺中的最小测量距离,例如1um、2um或3um等任意适合的数值。
本实施例中,沿第一方向线,相邻的第二透明区3中的第三弧形边缘31的圆心之间的间隔是1um。从而使多个第二透明区3中的第三弧形边缘31依次沿第一方向线排列形成类似于刻度线4的结构,以测量工件的边缘与第一弧形边缘21沿第一方向线的距离。第二透明区3可以为两个、三个或四个等任意适合的数值,第二透明区3的数量越多,测距结构能够测量的尺寸范围越大。
在工件的边缘与第一弧形边缘21重叠时,工件对准;在工件的边缘与最靠近第一透明区2的第二透明区3的第三弧形边缘31重叠时,工件未对准,工件的边缘需要沿第一方向线朝向第一弧形边缘21移动1um进行对准,以此类推。
第一透明区2具有两个相对设置的第一弧形边缘21,可以在一个第一弧形边缘21朝向第一透明区2外部的一侧设置第二透明区3,也可以在两个第一弧形边缘21朝向第一透明区2外部的一侧均设有第二透明区3。
在两个第一弧形边缘21朝向第一透明区2外部的一侧均设有第二透明区3,能够增大第二透明区3的观察范围,便于调节工件位置。
本发明实施例的另一方面还提供一种用于进行晶圆套刻对位的掩膜板。掩膜板上设置有上述定位标记。
工件为晶圆。
相应地,本发明实施例还提供一种使用上述定位标记或掩膜板进行光刻定位的方法。该光刻定位方法包括以下步骤:
通过第一透明区2和第二透明区3观察预选的第一弧形边缘21与工件边缘是否重叠;
预选的第一弧形边缘21与工件边缘重叠时,工件与掩膜板对准;
预选的第一弧形边缘21与工件边缘不重叠时,通过测距结构观察沿第一方向线预选的第一弧形边缘21与工件边缘之间的距离,并根据沿第一方向线预选的第一弧形边缘21与工件边缘之间的距离调整工件位置,以使预选的第一弧形边缘21与工件边缘重叠。
在对工件进行定位时,定位标记设置在掩膜板上,通过第二透明区3观察第一弧形边缘21与工件边缘是否重叠,如果第一弧形边缘21与工件边缘重叠,则工件与掩膜板沿第一方向线的方向上对准,如果第一弧形边缘21与工件边缘不重叠,通过测距结构得出沿第一方向线第一弧形边缘21与工件边缘之间的距离,并根据沿第一方向线第一弧形边缘21与工件边缘之间的距离调整工件位置,以使第一弧形边缘21与工件边缘重叠,从而使工件实现沿第一方向线的方向上对准。测距结构能够使用户更加直观地观察到沿第一方向线第一弧形边缘21与工件边缘之间的距离,以使工件边缘更加准确地与第一弧形边缘21对准,并且在调整工件位置过程中能够观测沿第一方向线第一弧形边缘21与工件边缘之间的距离,用户可以根据沿第一方向线第一弧形边缘21与工件边缘之间的距离调整工件位置,使调整工件位置过程更加准确和便捷。
需要说明的是,第一透明区2具有两个相对设置的第一弧形边缘21,预选的第一弧形边缘21为两个第一弧形边缘21中任意一个第一弧形边缘21。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (5)
1.一种定位标记,其特征在于,包括第一透明区、第二透明区和测距结构;
所述第一透明区为弧形,所述第一透明区具有第一弧形边缘;
所述第二透明区设置在所述第一弧形边缘朝向所述第一透明区外部的一侧,所述第二透明区能够观察所述第一弧形边缘与工件边缘是否重叠;
所述测距结构能够测量沿第一方向线所述第一弧形边缘与工件边缘之间的距离;
所述第二透明区为弧形;
所述第二透明区具有相对设置的第二弧形边缘和第三弧形边缘;所述第二弧形边缘与所述第一弧形边缘共线设置;
所述第一弧形边缘所属圆的圆心与所述第三弧形边缘所属圆的圆心沿第一方向线间隔设置;沿所述第一弧形边缘的周向,所述第一透明区与所述第二透明区间隔设置;所述第一弧形边缘的半径、所述第二弧形边缘的半径和所述第三弧形边缘的半径相等;所述第二透明区形成所述测距结构。
2.根据权利要求1所述的定位标记,其特征在于,所述第二透明区为多个;
多个所述第二透明区中的第三弧形边缘所属圆的圆心沿第一方向线均匀间隔设置;
相邻的两个第二透明区中靠近第一透明区设置的为第二透明区a,远离所述第一透明区设置的为第二透明区b,沿所述第二透明区a的第三弧形边缘的周向,所述第二透明区a与所述第二透明区b间隔设置,所述第二透明区a的第三弧形边缘与所述第二透明区b的第二弧形边缘共线设置;多个所述第二透明区形成所述测距结构;最靠近所述第一透明区的所述第二透明区的第二弧形边缘与所述第一弧形边缘共线设置;所述第一弧形边缘所属圆的圆心与最靠近所述第一透明区的所述第二透明区的第三弧形边缘所属圆的圆心沿第一方向线间隔设置;沿所述第一弧形边缘的周向,所述第一透明区与最靠近所述第一透明区的所述第二透明区间隔设置。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的定位标记,其特征在于,所述第一透明区具有两个相对设置的第一弧形边缘;
两个所述第一弧形边缘朝向所述第一透明区外部的一侧均设有第二透明区。
4.一种掩膜板,其特征在于,包括权利要求1-3中任一项所述的定位标记。
5.一种光刻定位方法,使用权利要求1-3中任一项所述的定位标记或权利要求4所述的掩膜板进行光刻定位,其特征在于,包括以下步骤:
通过第一透明区和第二透明区观察预选的第一弧形边缘与工件边缘是否重叠;
预选的第一弧形边缘与工件边缘重叠时,工件与掩膜板对准;
预选的第一弧形边缘与工件边缘不重叠时,通过测距结构观察沿第一方向线预选的第一弧形边缘与工件边缘之间的距离,并根据沿第一方向线预选的第一弧形边缘与工件边缘之间的距离调整工件位置,以使预选的第一弧形边缘与工件边缘重叠。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210936058.1A CN115167086B (zh) | 2022-08-05 | 2022-08-05 | 定位标记、掩膜板及光刻定位方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210936058.1A CN115167086B (zh) | 2022-08-05 | 2022-08-05 | 定位标记、掩膜板及光刻定位方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115167086A CN115167086A (zh) | 2022-10-11 |
CN115167086B true CN115167086B (zh) | 2023-12-12 |
Family
ID=83478464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210936058.1A Active CN115167086B (zh) | 2022-08-05 | 2022-08-05 | 定位标记、掩膜板及光刻定位方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115167086B (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6254263A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | マスク及び該マスクを用いる露光装置 |
KR20030003390A (ko) * | 2001-06-30 | 2003-01-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스탭퍼 정렬마크 |
WO2008018537A1 (fr) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Shibaura Mechatronics Corporation | Dispositif d'inspection de plaquette en disque et procédé d'inspection |
JP2011075727A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Hoya Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び光学素子 |
CN103713467A (zh) * | 2013-12-16 | 2014-04-09 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜板组及应用掩膜板组检测套刻精度的方法 |
CN105467747A (zh) * | 2016-01-09 | 2016-04-06 | 北京工业大学 | 对准标记及掩膜版 |
JP6908206B1 (ja) * | 2021-01-19 | 2021-07-21 | オムロン株式会社 | 形状測定装置、形状測定システム、形状測定方法および形状測定プログラム |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4864776B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | フォトマスク |
-
2022
- 2022-08-05 CN CN202210936058.1A patent/CN115167086B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6254263A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | マスク及び該マスクを用いる露光装置 |
KR20030003390A (ko) * | 2001-06-30 | 2003-01-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 스탭퍼 정렬마크 |
WO2008018537A1 (fr) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Shibaura Mechatronics Corporation | Dispositif d'inspection de plaquette en disque et procédé d'inspection |
CN101501831A (zh) * | 2006-08-10 | 2009-08-05 | 芝浦机械电子装置股份有限公司 | 圆盘状基板的检查装置和检查方法 |
JP2011075727A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Hoya Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び光学素子 |
CN103713467A (zh) * | 2013-12-16 | 2014-04-09 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜板组及应用掩膜板组检测套刻精度的方法 |
CN105467747A (zh) * | 2016-01-09 | 2016-04-06 | 北京工业大学 | 对准标记及掩膜版 |
JP6908206B1 (ja) * | 2021-01-19 | 2021-07-21 | オムロン株式会社 | 形状測定装置、形状測定システム、形状測定方法および形状測定プログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115167086A (zh) | 2022-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4423127A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
US6042976A (en) | Method of calibrating WEE exposure tool | |
US7288848B2 (en) | Overlay mark for measuring and correcting alignment errors | |
KR0168772B1 (ko) | 포토마스크 및 그를 이용한 반도체 장치 제조 방법 | |
CN112631090B (zh) | 套刻标记和套刻误差测试方法 | |
CN115097691B (zh) | 一种掩模板及形成方法 | |
CN115167086B (zh) | 定位标记、掩膜板及光刻定位方法 | |
KR100381881B1 (ko) | 얼라인먼트 마크 세트 및 얼라인먼트 정밀도 계측 방법 | |
CN104281009A (zh) | 光刻重叠采样 | |
US7160656B2 (en) | Method for determining pattern misalignment over a substrate | |
CN112130414B (zh) | 光刻版及曝光机上料位置的校准方法 | |
CN116203808B (zh) | 套刻误差的量测方法及套刻标记 | |
US6617080B1 (en) | Photomask, semiconductor device, and method for exposing through photomask | |
CN113196167A (zh) | 对位标记、掩模板及显示基板母版 | |
CN114200780B (zh) | 一种套刻对准标记结构及相关方法和器件 | |
CN117406552A (zh) | 对准标记的布局方法及装置 | |
US6301798B1 (en) | Method of measuring misalignment | |
CN112582324B (zh) | 一种标记及其制作方法 | |
KR960007621B1 (ko) | 반도체 소자의 중첩 오차 보정방법 | |
JP4013727B2 (ja) | バーニアパターン及びそれを用いたマスク合わせ方法、パターン測長方法 | |
CN111508825B (zh) | 一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法 | |
CN216648298U (zh) | 一种光刻对准标记和包括其的半导体结构 | |
JPH1174189A (ja) | マスクの位置ずれ検出用マーク | |
JPH0758682B2 (ja) | 露光方法 | |
KR100685597B1 (ko) | 반도체소자의 측정마크 및 그 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |