KR102058057B1 - 웨이퍼 처리장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 기술의 일 실시예에 의한 웨이퍼 처리장치는 웨이퍼가 인입 및 인출되는 게이트를 포함하며 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버, 챔버 저부에 설치되고, 상면에 웨이퍼가 안착되는 안착부를 구비하는 서셉터 어셈블리 및 안착부에 로딩되는 웨이퍼의 상면과 대향하는 위치에 마련되는 적어도 하나 이상의 센서를 포함하는 제 1 센서부를 포함하고, 제 1 센서부로부터 웨이퍼 상면까지의 거리값에 기초하여 웨이퍼가 안착부로부터 이탈하였는지의 여부를 검출하도록 구성될 수 있다.

Description

웨이퍼 처리장치 및 방법{Apparatus and Method for Processing Wafer}
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼 처리장치 및 방법에 과한 것이다.
웨이퍼 같은 가공 대상물에 대하여 목적하는 공정을 수행하기 위하여 웨이퍼 처리장치가 이용된다.
웨이퍼 처리장치는 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정 챔버와, 공정 챔버 내에 설치되어 웨이퍼를 지지하는 서셉터(susceptor)를 포함하도록 구성될 수 있다.
일반적으로, 서셉터는 외부로부터 공정 챔버의 내부로 연장되는 구동부 상에 설치되며, 그 상면에는 웨이퍼가 로딩되는 안착부가 마련된다. 그리고 웨이퍼 처리 공정시에는 구동부를 통해 서셉터를 회전시키면서, 서셉터 상면에 안착된 웨이퍼 대해 공정가스를 분사할 수 있다.
그런데 서셉터는 공정 중에 고속으로 회전하며, 이에 따라 안착부로부터 웨이퍼가 이탈하는 현상이 발생할 수 있다.
이를 해결하기 위하여 안착부의 깊이를 웨이퍼의 높이보다 2배 이상이 되도록 제어하는 등의 연구가 이루어졌으나, 120RPM 이상의 고속 회전 공정에서 웨이퍼가 이탈하는 현상을 완벽히 해소할 수는 없다. 그리고, 웨이퍼가 안착부로부터 이탈한 상태에서 공정을 계속하게 되면 웨이퍼에 대한 공정 산포를 균일하게 유지할 수 없다. 뿐만 아니라, 웨이퍼가 안착부로부터 완전히 이탈되는 경우에는 웨이퍼가 파손되는 등의 문제가 발생할 수 있다.
본 기술의 실시예는 웨이퍼 처리 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 처리장치 및 방법을 제공할 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 웨이퍼 처리장치는 웨이퍼가 인입 및 인출되는 게이트를 포함하며 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버 저부에 설치되고, 상면에 웨이퍼가 안착되는 안착부를 구비하는 서셉터 어셈블리; 및 상기 안착부에 로딩되는 웨이퍼의 상면과 대향하는 위치에 마련되는 적어도 하나 이상의 센서를 포함하는 제 1 센서부;를 포함하고, 상기 제 1 센서부로부터 상기 웨이퍼 상면까지의 거리값에 기초하여 상기 웨이퍼가 상기 안착부로부터 이탈하였는지의 여부를 검출하도록 구성될 수 있다.
본 기술의 일 실시예에 의한 웨이퍼 처리방법은 웨이퍼가 인입 및 인출되는 게이트를 포함하는 챔버의 저부에 설치되며 상면에 웨이퍼가 안착되는 안착부를 구비하는 서셉터 어셈블리 및, 상기 안착부에 로딩되는 상기 웨이퍼의 상면과 대향하는 위치에 마련되는 적어도 하나 이상의 센서를 포함하는 제 1 센서부를 구비하는 웨이퍼 처리장치에서의 웨이퍼 처리방법으로서, 상기 안착부에 상기 웨이퍼를 로딩하는 단계; 및 상기 제 1 센서부로부터 상기 웨이퍼 상면까지의 거리값에 기초하여 상기 웨이퍼가 상기 안착부로부터 이탈하였는지의 여부를 검출하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 기술에 의하면 웨이퍼 처리 공정시 웨이퍼 안착부로부터 웨이퍼가 이탈하는지의 여부를 확인할 수 있다. 따라서, 웨이퍼에 대한 공정 산포를 균일하게 유지할 수 있어 공정 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼 파손 등을 미연에 방지하여 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 의한 웨이퍼 처리장치의 구성도,
도 2a 및 도 2b는 일 실시예에 의한 서셉터 어셈블리의 구성도,
도 3은 웨이퍼 포켓아웃에 따른 센서 측정값의 일 예를 설명하기 위한 그래프,
도 4a 및 도 4b는 다른 실시예에 의한 서셉터 어셈블리의 구성도,
도 5는 웨이퍼 포켓아웃에 따른 센서 측정값의 다른 예를 설명하기 위한 그래프,
도 6은 일 실시예에 의한 웨이퍼 처리방법을 설명하기 위한 흐름도,
도 7은 다른 실시예에 의한 웨이퍼 처리방법을 설명하기 위한 흐름도,
도 8은 웨이퍼 처리장치의 다른 예시도,
도 9는 웨이퍼 로딩 과정의 일 예를 설명하기 위한 흐름도,
도 10은 복수의 센서를 이용하여 웨이퍼 로딩 상태를 확인하는 방법을 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 기술에 적용될 수 있는 상부 리드의 일 예시도,
도 12는 본 기술에 적용될 수 있는 상부 리드의 다른 예시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 기술의 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.
도 1은 일 실시예에 의한 웨이퍼 처리장치의 구성도이다.
웨이퍼 처리장치(10)는 챔버(100), 컨트롤러(200) 및 서셉터 어셈블리(400)를 포함할 수 있다.
챔버(100)는 공정 대상 웨이퍼(W)에 대한 밀폐된 처리공간(S)을 형성한다. 이를 위해 챔버(100)는 하부 플레이트(101), 측부 플레이트(103), 상부 플레이트(105) 및 가스 공급부(115)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상부 플레이트(105)와 가스 공급부(115)는 상부 리드(130)를 이룰 수 있다.
하부 플레이트(101)는 지정된 형태의 판상으로 구비될 수 있다. 측부 플레이트(103)는 하부 플레이트(101)의 가장자리로부터 상방으로 수직 연장될 수 있다. 그리고 측부 플레이트(103)의 지정된 위치에는 웨이퍼(W)가 인입 및 인출되는 게이트(G)가 구비될 수 있다.
상부 플레이트(105)는 밀폐된 처리공간(S)이 형성되도록 측부 플레이트(103)의 상면에 체결될 수 있다. 아울러, 가스 공급부(115)는 상부 플레이트 저면의 서셉터 어셈블리(400) 대향면에 설치될 수 있다.
컨트롤러(200)는 챔버(100) 및 도시하지 않은 웨이퍼 로딩/언로딩 장치 등을 제어하는 등 웨이퍼 처리장치(10)의 전반적인 동작을 제어하도록 구성된다.
서셉터 어셈블리(400)는 하부 플레이트(101)를 관통하여 외부로부터 처리 공간(S) 내부로 연장되는 구동부(111)와, 구동부(111) 상에 설치되는 서셉터(109)를 포함할 수 있다. 서셉터(109) 상면에는 웨이퍼(W)가 로딩되는 안착부(113)가 예를 들어 포켓 형태로 마련될 수 있다. 따라서, 이하의 설명에서 '포켓'은 '안착부'와 동일한 의미로 해석될 수 있다. 구동부(111)는 중심축(A)을 중심으로 회전 가능하게 설치될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 구동부(111)를 회전시키기 위한 모터 등의 구성은 설명의 편의상 생략하였다.
서셉터(109)의 상면, 바람직하게는 서셉터(109) 상면의 안착부(113)와 대향하는 위치의 상부 플레이트(105)에 제 1 센서부(121)가 구비될 수 있다. 바람직한 실시예에서, 제 1 센서부(121)는 게이트(G)와 인접하는 상부 플레이트(105)의 외측에 위치될 수 있고, 적어도 하나 이상의 센서를 포함할 수 있다.
제 1 센서부(121)가 위치되는 부분의 상부 플레이트(105)에는 윈도우(119)가 구비될 수 있으며, 상부 플레이트(105) 외측에 설치되는 제 1 센서부(121)는 윈도우(119)를 통해 챔버 내부의 공간(S)을 용이하게 모니터링할 수 있다.
제 1 센서부(121)는 컨트롤러(200)의 제어에 따라 동작하며, 안착부(113) 상에 로딩되는 웨이퍼(W)와 제 1 센서부(121) 간의 거리를 감지할 수 있도록, 예를 들어 변위 센서로 구성될 수 있다. 따라서, 본 실시예에 의한 웨이퍼 처리 장치(10)는 제 1 센서부(121)의 감지 데이터에 기초하여 웨이퍼(W)가 안착부(113) 상에 정상적으로 장착되어 있는지의 여부 즉, 웨이퍼(W)의 포켓 아웃 여부를 확인할 수 있다.
웨이퍼(W)의 포켓 아웃 여부는 웨이퍼(W)를 서셉터(109)에 로딩하는 과정 및/또는 웨이퍼(W)가 서셉터(109)에 로딩된 후 지정된 공정을 수행하는 중에 확인할 수 있다.
본 기술에 적용되는 서셉터(109)는 단일 웨이퍼 또는 복수의 웨이퍼를 수용하도록 구성될 수 있으며, 도 2a 및 도 2b는 단일 웨이퍼를 수용할 수 있는 서셉터 어셈블리의 일 예시도를 나타낸다.
도 2a에 도시한 서셉터 어셈블리(400-1)는 구동부(401) 상에 서셉터(403)가 체결되고, 서셉터(403)는 그 상면에 단일의 안착부(405)를 구비하도록 구성된다. 안착부(405)에는 웨이퍼(W)가 안착될 수 있다.
웨이퍼(W) 로딩시의 오류 또는, 공정 진행 중 서셉터 어셈블리(400-1)의 고속 회전 등의 원인에 의하여 웨이퍼(W)가 도 2b와 같이 안착부(405)에 정상적으로 안착되어 있지 않은 포켓 아웃 현상이 발생할 수 있다.
이러한 상태로 공정을 진행하게 되면 웨이퍼(W) 상에 형성되는 물질층의 산포를 균일하게 제어할 수 없다. 나아가 공정 진행 중에 웨이퍼(W)가 안착부(405)로부터 완전히 이탈하게 되면 챔버(100)의 내벽에 부딪혀 파손될 수도 있다.
따라서, 웨이퍼(W) 로딩 후 공정을 시작하기 전, 및/또는 공정 진행 중에 제 1 센서부(121)에 의해 제 1 센서부(121)와 웨이퍼(W) 상면까지의 거리값을 측정하고, 측정된 감지 데이터가 허용치 이내인지 아닌지의 여부에 따라 웨이퍼(W)의 포켓 아웃 여부를 판단할 수 있다. 도 2b와 같이 포켓 아웃 현상이 발생한 경우 제 1 센서부(121)의 감지 데이터는 허용치를 벗어난 값으로 출력될 것이다.
하나의 제 1 센서부(121)를 이용하여 웨이퍼(W)의 포켓 아웃 여부를 검출하기 위하여, 웨이퍼(W)를 안착부(405)에 로딩하고 공정을 시작하기 전, 서셉터(403)를 기 설정된 속도로 회전시키면서 제 1 센서부(121)로부터 웨이퍼(W) 상면까지의 거리를 측정해 보는 것이 바람직하다.
일 실시예에서, 웨이퍼(W) 로딩 과정에서 포켓 아웃이 발생한 경우에는 웨이퍼(W)를 언로딩한 후 재로딩할 수 있다.
한편, 웨이퍼(W) 로딩 과정에서 안착부(405)에 웨이퍼(W)가 정상적으로 로딩되었다면, 서셉터 어셈블리(400-1)가 고정된 상태 또는 회전하는 상태에서 지정된 공정을 진행할 수 있다.
특히, 서셉터 어셈블리(400)를 회전시키면서 공정을 진행하는 중에 제 1 센서부(121)의 감지 데이터를 확인하여, 감지 데이터가 허용치 내의 고른 출력값을 갖는 경우에는 웨이퍼(W)가 안착부(405) 내에 정상적으로 안착되어 있는 것으로 판단할 수 있다. 하지만, 제 1 센서부(121)의 감지 데이터가 허용치를 벗어나 변동값을 갖는 경우에는 공정 진행 중에 웨이퍼(W)가 포켓 아웃된 것으로 판단할 수 있다. 이 때, 제 1 센서부(121)의 감지 데이터는 예를 들어 도 3의 그래프와 같이 나타날 수 있다.
공정 진행 중에 웨이퍼(W)가 안착부(405)로부터 이탈한 것으로 확인되면 공정을 중단하고 후속 조치를 수행할 수 있다. 한편, 공정 진행 중에는 웨이퍼(W)의 포켓 아웃 여부를 적어도 1회 확인할 수 있다.
이와 같이, 웨이퍼 로딩 과정 및/또는 공정 진행 중에 웨이퍼(W)의 포켓 아웃 여부를 즉시 검출하여 공정 오류를 사전에 방지하고 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있다.
다음, 서셉터(109)가 복수의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는 경우에 대해 설명한다. 이 경우 동일한 챔버(100) 내에서 복수의 웨이퍼에 대한 동시 처리가 가능하여 전체 공정 시간을 단축시킬 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 다른 실시예에 의한 서셉터 어셈블리의 구성도로서, 도 4a는 단면도를 나타내고, 도 4b는 상면도를 나타낸다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 서셉터 어셈블리(500)는 구동부(501) 상에 체결된 서셉터(503)를 포함하고, 서셉터(503) 중심부의 둘레를 따라 복수의 안착부(505; 5051~5056)가 마련됨을 알 수 있다.
공정을 진행하기 위한 준비 단계로, 서셉터(109) 상의 복수의 안착부(505; 5051~5056)에 웨이퍼(W1~W6)를 한 장씩 로딩하면서 제 1 센서부(121)의 감지 데이터에 기초하여 각 웨이퍼(W)의 포켓 아웃 여부를 확인할 수 있다. 즉, 각각의 웨이퍼(W1~W6)를 차례로 로딩하면서 제 1 센서부(121)가 제 1 센서부(121)로부터 웨이퍼(W1~W6) 상면까지의 거리를 감지 데이터로 생성하여 컨트롤러(200)로 제공하고, 컨트롤러(200)는 감지 데이터에 기초하여 포켓 아웃 여부를 판단할 수 있다.
이 때, 각 웨이퍼(W1~W6)를 한 장씩 로딩하면서 포켓 아웃 여부를 확인할 수 있도록, 제 1 센서부(121)는 웨이퍼(W1~W6) 로딩 위치 즉, 게이트(G)와 인접한 위치의 상부 플레이트(105)에 위치하는 것이 바람직하다.
각각의 웨이퍼(W1~W6)를 로딩하는 과정에서, 예를 들어 제 4 웨이퍼(W4)가 포켓 아웃된 것으로 확인된 경우에는 해당 웨이퍼(W4)를 언로딩한 후 재로딩할 수 있다.
하나의 제 1 센서부(121)를 이용하여 각 웨이퍼(W1~W6)의 포켓 아웃 여부를 검출하기 위하여, 웨이퍼(예를 들어 제 1 웨이퍼(W1))를 안착부(405)에 로딩한 후 다음 웨이퍼(예를 들어 제 2 웨이퍼(W2))를 로딩하기 전, 서셉터(503)를 기 설정된 속도로 회전시키면서 제 1 센서부(121)로부터 현재 로딩한 웨이퍼(예를 들어 제 1 웨이퍼(W1)) 상면까지의 거리를 측정해 보는 것이 바람직하다.
한편, 모든 웨이퍼(W1~W6)가 정상적으로 로딩되었다면, 서셉터 어셈블리(500)를 기 설정된 속도, 예를 들어 100~150RPM의 속도로 회전시키면서 가스 공급부(115)를 통해 기 결정된 종류의 가스를 공급하여 복수의 웨이퍼(W1~W6)에 대해 동시에 공정을 진행한다.
아울러, 공정 진행 중에도 제 1 센서부(121)의 감지 데이터에 기초하여 웨이퍼(W1~W6)가 안착부(113)로부터 이탈하였는지의 여부를 확인할 수 있다. 공정 진행 중, 제 1 센서부(121)의 감지 데이터가 허용치 이내인 경우에는 모든 웨이퍼(W1~W6)가 정상적으로 안착된 상태를 유지하는 것으로 판단할 수 있다. 반면, 제 1 센서부(121)의 감지 데이터가 허용치를 벗어난 경우에는 웨이퍼(W1~W6) 중 적어도 하나가 포켓 아웃된 것으로 판단할 수 있다.
예를 들어, 공정 진행 중 제 4 웨이퍼(W4)가 안착부(5054)로부터 이탈하여 포켓 아웃이 검출된 경우를 설명한다. 제 1 센서부(121)는 각 웨이퍼(W1~W6)까지의 거리값을 감지 데이터로 출력할 수 있는데, 제 4 웨이퍼(W4)가 포켓 아웃된 경우 예를 들어 도 5와 같은 감지 데이터를 출력할 수 있다.
도 5를 참조하면, 안착부(5051, 5052, 5053, 5055, 5056) 내에 정확히 안착되어 있는 웨이퍼들(W1, W2, W3, W5, W6)의 경우에는 제 1 센서부(121)의 감지 데이터가 균일하게 측정된다(D1). 여기에서, D1은 제 1 센서부(121)로부터 웨이퍼(W1~W6) 상면까지의 거리값이고, D2는 제 1 센서부(121)로부터 안착부(505) 주위 서셉터(503) 상면까지의 거리값을 나타낸다. D2는 포켓 아웃 여부를 판단하기 위한 허용치(TH)일 수 있다.
하지만, 안착부(5054)로부터 이탈한 제 4 웨이퍼(W4)에 대해서는 제 1 센서부(121)의 감지 데이터(D3)가 허용치(TH) 이상으로 측정되게 됨을 알 수 있다(B).
이와 같이 하여 제 4 웨이퍼(W4)가 안착부(5054)로부터 이탈한 것으로 확인되면, 공정을 중단하고 후속 조치를 수행할 수 있다. 한편, 공정 진행 중에는 웨이퍼(W1~W6)의 포켓 아웃 여부를 적어도 1회 확인할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 의한 웨이퍼 처리방법을 설명하기 위한 흐름도로서, 도 4a 및 도 4b에 도시한 것과 같이 복수의 웨이퍼를 수용할 수 있는 서셉터 어셈블리가 채용된 웨이퍼 처리 장치를 예로 들어 설명한다.
먼저, 게이트(G)에 인접한 안착부(505)에 웨이퍼, 예를 들어 제 1 웨이퍼(W1)를 로딩한다(S101).
게이트(G)와 인접한 상부 플레이트(105)의 소정 위치, 바람직하게는 안착부(505)와 대향하는 위치에는 제 1 센서부(121)가 구비되어 있으며, 이를 통해 제 1 센서부(121)로부터 제 1 웨이퍼(W1)까지의 거리를 측정하고, 측정값에 따라 포켓 아웃 여부를 판단한다(S103). 판단 결과, 제 1 센서부(121)로부터 제 1 웨이퍼(W1)까지의 거리값이 허용치를 벗어나 포켓 아웃된 것으로 확인되면, 제 1 웨이퍼(W1)를 언로딩하고(S105), 다시 웨이퍼를 로딩하는 단계(S101)를 수행할 수 있다.
한편, 포켓 아웃이 발생하지 않고 제 1 웨이퍼(W1)가 정상적으로 로딩된 경우에는 복수의 안착부(505)에 모든 웨이퍼가 로딩되었는지 확인한다(S107). 모든 웨이퍼가 로딩되지 않은 경우에는 다음 웨이퍼를 로딩하도록 서셉터를 회전시키고(S109), 웨이퍼 로딩 단계(S101)로 진행한다.
이러한 과정에 의해 모든 웨이퍼, 예를 들어 제 1 내지 제 6 웨이퍼(W1~W6)가 모두 로딩되면 지정된 공정을 진행한다(S111).
한편, 공정 진행 중에도 제 1 센서부(121)로부터 각 웨이퍼(W1~W6) 까지의 거리 측정값에 따라 포켓 아웃 여부를 판단할 수 있다(S113). 공정 진행 중 포켓 아웃이 발생하지 않은 경우에는 계속해서 공정을 진행하고(S111), 포켓 아웃이 발생한 경우에는 공정을 중단할 수 있다(S115). 공정 진행 중에 포켓 아웃 여부를 검출하는 과정은 적어도 1회 수행될 수 있다.
웨이퍼 처리 장치(10)를 통해 웨이퍼(W, W1~W6)를 처리하는 공정에서, 공정 신뢰성이나 공정 수율을 결정하는 요인은 매우 다양하다. 앞서 설명한 바와 같이 웨이퍼(W, W1~W6)가 서셉터(109, 403, 503)의 안착면(113, 405, 505)으로부터 포켓 아웃되는 경우 외에, 서셉터 어셈블리(400, 400-1, 500)의 조립 공차, 서셉터(109, 403, 503)에 대한 웨이퍼 로딩시의 워피지(warpage) 발생 등의 문제 또한 공정 신뢰성과 수율을 저하시키는 요인으로 작용한다.
알려진 바와 같이, 웨이퍼 워피지 현상은 웨이퍼(W)의 가장자리 부분이 웨이퍼(W)의 중심과 다른 위치에 놓이게 되는 현상으로, 대개 웨이퍼 가장자리가 상부 또는 하부 방향으로 휘는 현상을 나타낸다.
따라서, 도 7에 도시한 것과 같이 웨이퍼 처리 과정을 제어할 수 있다.
도 7은 다른 실시예에 의한 웨이퍼 처리방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
먼저, 웨이퍼(W, W1~W6)를 장착하기 전 컨트롤러(200)의 제어에 따라 서셉터 어셈블리(400, 400-1, 500)에 대한 레벨링이 수행될 수 있다(S201).
서셉터 어셈블리(400, 400-1, 500)에 대한 레벨링은 서셉터 어셈블리(400, 400-1, 500)의 수평도(wobble) 및/또는 편심 변화를 확인하는 과정이 될 수 있으며, 구체적인 설명은 도 8을 참조하여 후술할 것이다.
서셉터 어셈블리(400, 400-1, 500)에 대한 레벨링이 완료되면, 컨트롤러(200)의 제어에 따라 안착부(113, 405, 505)에 웨이퍼(W, W1~W6)를 로딩한다(S203).
웨이퍼(W, W1~W6)를 로딩할 때, 상술한 것과 같이 안착부(113, 405, 505)에 웨이퍼(W, W1~W6)가 정상적으로 로딩되지 않는 포켓 아웃 현상 또는 워피지 현상이 발생할 수 있다.
포켓 아웃이 발생한 상태 또는 워피지가 발생한 상태로 프로세스를 진행하게 되면 공정 균일성을 담보할 수 없을 뿐 아니라 공정 중 웨이퍼(W, W1~W6)가 슬라이딩되거나 파손될 수 있으므로, 안착부(113, 405, 505) 상에 로딩된 웨이퍼(W, W1~W6)에 대한 포켓 아웃 여부 및 워피지 발생 여부를 확인하고, 그에 따른 적절한 조치를 수행할 필요가 있다(S205). 웨이퍼(W, W1~W6)가 정상적으로 로딩되었는지 확인하는 과정(S205)은 도 9를 참조하여 후술할 것이다.
안착부(113, 405, 505) 상에 웨이퍼(W, W1~W6)가 정상적으로 로딩되었다면, 기 설정된 공정을 개시한다(S207). 아울러, 공정 진행 중에도, 웨이퍼(W, W1~W6)의 포켓 아웃 여부는 적어도 1회 확인할 수 있다.
이하, 도 1에 도시한 웨이퍼 처리 장치(10)가 예를 들어 도 4와 같은 서셉터 어셈블리(500)를 채용한 경우 서셉터 어셈블리(500)의 레벨링 과정(S201)에 대해 구체적으로 설명한다.
일반적으로, 서셉터 어셈블리(500)는 기계적인 조립 방식에 의해 체결될 수 있으며, 서셉터 어셈블리(500)에 대한 조립 공차 또는 서셉터(503) 표면 자체의 평탄도 문제로 인해 수평도(Wobble)이 변화될 수 있다. 또한, 조립 공차 등의 이유로 구동부(501)의 중심축이 흔들리거나 서셉터(503)의 중심 위치가 변화되는 편심 변화 현상이 발생할 수 있다.
서셉터 어셈블리(500)의 수평도 변화 여부를 모니터링하기 위해, 웨이퍼(W1~W6)를 로딩하기 전 서셉터(503)를 회전시키면서 제 1 센서부(121)를 동작시켜 서셉터(503)의 높이, 즉 제 1 센서부(121)와 서셉터(503) 상면 간의 거리를 측정할 수 있다. 서셉터(503)가 평탄하게 설치된 경우에는 제 1 센서부(121)의 측정값이 균일하게 출력될 것이다. 만약, 서셉터(503)의 수평도가 변화되었다면 제 1 센서부(121)의 측정값이 균일하지 않게 출력될 것이다. 수평도가 변화된 경우에는 서셉터 어셈블리(500)에 대한 재조립 등을 통해 수평도를 맞추는 것이 바람직하다.
한편, 서셉터 어셈블리(500)에 대한 편심 변화를 확인하기 위해서는 추가적인 센서부가 더 필요할 수 있다.
도 8은 웨이퍼 처리장치의 다른 예시도로서, 웨이퍼(W)의 장착 상태(포켓 아웃 여부, 워피지 발생 여부)를 확인하고 수평도 변화 현상을 확인할 수 있음은 물론, 서셉터 어셈블리(400, 500)의 편심 변화를 확인할 수 있는 웨이퍼 처리장치(20)의 예시도이다. 이하에서는 도 4에 도시한 서셉터 어셈블리(500)가 채용된 경우를 예로 들어 설명한다.
도 8에 도시한 웨이퍼 처리장치(20)는 도 1에 도시한 웨이퍼 처리장치(10)에 더하여 제 2 윈도우(107) 및 제 2 센서부(117)를 더 포함할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 제 2 윈도우(107)는 서셉터(503) 측면과 대향하는 위치, 바람직하게는 게이트와 간섭되지 않는 위치에 마련될 수 있다. 아울러, 제 2 윈도우(107)의 일측, 바람직하게는 챔버(100-1) 외측에는 제 2 센서부(117)가 마련될 수 있다.
제 2 센서부(117)는 서셉터(503)의 편심 변화를 모니터링하기 위한 장치로서, 예를 들어 변위 센서로 구성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
제 2 센서부(117)는 컨트롤러(200)의 제어에 따라 동작하며, 컨트롤러(200)는 제 2 센서부(117)에서 측정한 감지 데이터를 제공받아 서셉터(503)의 편심 변화 여부를 확인할 수 있다.
서셉터(503)의 편심 변화를 모니터링하기 위해, 컨트롤러(200)의 제어에 따라 서셉터(503)를 회전시키고, 제 2 센서부(117)를 구동하여 제 2 센서부(117)로부터 서셉터(503) 측면부 간의 거리를 측정할 수 있다. 제 2 센서부(117)의 측정값은 컨트롤러(200)로 제공되며, 컨트롤러(200)에 의해 편심이 변화된 것으로 확인되는 경우 서셉터 어셈블리(500)의 재조립을 통해 이를 해소할 수 있다.
도 8에서, 제 1 센서부(121)는 서셉터 어셈블리(500)의 수평도 변화 여부를 모니터링함은 물론, 웨이퍼(W1~W6)의 포켓 아웃 여부와 워피지 발생 여부를 확인하는 용도로 사용됨은 물론이다.
아울러, 서셉터 레벨링 과정(S201)은 공정을 시작하기 전 및/또는 공정 진행 중에 적어도 1회 수행될 수 있다.
다음, 웨이퍼 로딩 상태를 확인하는 과정(도 7의 S205)의 일 예에 대해 구체적으로 설명한다.
도 9는 웨이퍼 로딩 상태 확인 과정을 설명하기 위한 일 예시도로서, 도 4a 및 도 4b에 도시한 것과 같이 복수의 웨이퍼를 수용할 수 있는 서셉터 어셈블리(500)가 채용된 웨이퍼 처리 장치(10, 20)를 예로 들어 설명한다.
먼저, 게이트(G)에 인접한 안착부(505)에 예를 들어 제 1 웨이퍼(W1)를 로딩한 후, 제 1 센서부(121)에 의해 제 1 센서부(121)로부터 제 1 웨이퍼(W1) 상면까지의 거리를 측정하여 측정된 감지 데이터가 허용치 이내인지 확인한다(S2051).
제 1 센서부(121)의 감지 데이터가 허용치 이내인 경우, 즉 포켓 아웃이나 워피지가 발생하지 않은 경우에는 단계 S207로 진행하여 기 설정된 공정을 진행한다.
한편, 제 1 센서부(121)의 감지 데이터가 허용치를 벗어난 경우에는 제 1 웨이퍼(W1)를 서셉터(503) 상에 로딩한 상태로 기 설정된 시간 경과시킨다(S2053). 제 1 센서부(121)의 감지 데이터가 허용치를 벗어났다는 것은 제 1 웨이퍼(W1)가 포켓 아웃되었거나 또는 제 1 웨이퍼(W)에 워피지가 발생한 것으로 볼 수 있다. 워피지 현상의 경우 웨이퍼(W1)를 기 설정된 온도에서 기 설정된 시간 동안 히팅하면 제거될 수 있다. 그러므로, 서셉터(503) 내의 히터(미도시)에 의해 웨이퍼(W1)를 저온, 바람직하게는 웨이퍼(W1)의 물성에 영향을 미치지 않는 온도에서 약 10~20초간 경과시킬 수 있다. 단계 S2051의 거리 측정 결과가 워피지 발생때문이었다면 단계 S2053 이후, 제 1 웨이퍼(W1)에 발생한 워피지는 제거될 수 있다.
기 설정된 시간 경과 후, 다시 제 1 센서부(121)를 통해 제 1 웨이퍼(W1) 상면까지의 거리를 측정하여, 감지 데이터가 허용치 이내인지 확인한다(S2055). 확인 결과 감지 데이터가 여전히 허용치를 벗어난 경우에는 즉, 제 1 웨이퍼(W1)에 발생한 워피지가 제거되지 않았거나, 또는 포켓 아웃 현상이 발생한 경우에는 제 1 웨이퍼(W1)를 언로딩하고(S2061) 다시 웨이퍼를 로딩하는 과정(S203)을 수행한다.
한편, 단계 S2055의 확인 결과 감지 데이터가 허용치 이내인 경우에는 제 1 웨이퍼(W1)가 정상적으로 로딩된 것으로 판단할 수 있다. 이는 제 1 웨이퍼(W1)의 워피지가 제거되었거나 발생하지 않았고 포켓 아웃 또한 발생하지 않은 것으로 해석될 수 있다.
제 1 웨이퍼(W1)가 정상적으로 로딩되었다면, 복수의 안착부(505)에 모든 웨이퍼(W1~W6)가 로딩되었는지 확인한다(S2057). 모든 웨이퍼가 로딩되지 않은 경우에는 다음 웨이퍼, 예를 들어 제 2 웨이퍼(W2)를 로딩하도록 서셉터(503)를 회전시키고(S2059), 웨이퍼 로딩 단계(S203)로 진행한다.
이러한 과정에 의해 모든 웨이퍼, 예를 들어 제 1 내지 제 6 웨이퍼(W1~W6)가 모두 로딩되면 지정된 공정을 진행한다(S207).
도시하지 않았지만 공정 진행 중에도 제 1 센서부(121)로부터 각 웨이퍼(W1~W6) 까지의 거리 측정값에 따라 포켓 아웃 여부를 판단할 수 있다. 공정 진행 중 포켓 아웃이 발생하지 않은 경우에는 계속해서 공정을 진행하고, 포켓 아웃이 발생한 경우에는 공정을 중단할 수 있다. 공정 진행 중에 포켓 아웃 여부를 검출하는 과정은 적어도 1회 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 단계 S2055의 판단 결과 제 1 센서부(121)의 감지 데이터가 허용치를 벗어난 경우 다시 일정 시간을 경과시키는 공정을 추가로 더 수행하는 것도 가능하다. 이 경우, 감지 데이터가 워피지에 기인하였다면 워피지를 보다 확실히 제거하여 불필요한 웨이퍼 로딩/언로딩 동작을 생략할 수 있다.
도 9에 도시한 웨이퍼 로딩 상태 확인 과정(S205)은 제 1 센서부(121)가 단일의 센서를 포함한 경우를 예로 들어 설명하였다.
웨이퍼가 로딩될 때 발생할 수 있는 오류 즉, 포켓 아웃 현상이나 워피지 현상은 복수의 센서, 예를 들어 4개의 센서를 이용하게 되면, 웨이퍼 로딩 후 발생하는 오류가 워피지때문인지 또는 포켓아웃 때문인지 보다 용이하게 구분할 수 있다.
도 10은 복수의 센서를 이용하여 웨이퍼 로딩 상태를 확인하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
일 실시예에서, 제 1 센서부(121)는 복수의 센서 즉, 제 1 내지 제 4 센서(S1, S2, S3, S4)를 포함할 수 있다.
제 1 센서(S1)는 웨이퍼 처리 장치(10, 20) 내의 안착부(113)에 로딩된 웨이퍼(W)의 중심(W_C)과 대향하는 위치의 상부 플레이트(105)에 설치될 수 있다. 제 2 센서(S2)는 웨이퍼 처리 장치(10, 20)의 게이트(G)에 인접한 웨이퍼(W)의 제 1 에지(W_E1)와 대향하는 위치의 상부 플레이트(105)에 설치될 수 있다. 제 3 센서(S3) 및 제 4 센서(S4)는 웨이퍼(W)의 중심(W_C)과 제 1 에지(W_E1)를 연결하는 선분의 수직 이등분선과 웨이퍼(W)의 에지가 교차하는 점, 즉 제 2 에지(W_E2) 및 제 3 에지(W_E3)와 대향하는 위치의 상부 플레이트(105)에 설치될 수 있다.
이와 같이 설치된 복수의 센서(S1~S4)을 구비한 경우 도 7에 도시한 웨이퍼 로딩 상태 확인 과정(S205)은 다음과 같이 수행될 수 있다.
먼저, 제 1 내지 제 4 센서(S1~S4)의 의 측정값이 실질적으로 동일하고 허용치 이내인 경우 해당 웨이퍼는 워피지나 포켓 아웃 없이 정상적으로 로딩된 것으로 판단할 수 있다.
한편, 제 1 센서(S1)의 측정값과 제 2 센서(S2)의 측정값이 상이하고, 적어도 어느 한 센서의 측정값이 허용치를 벗어난 경우에는 비정상 로딩이 이루어졌다고 판단할 수 있다. 이 경우에는 비정상 로딩의 원인이 워피지인지 포켓아웃인지 확인할 필요가 있으며, 이는 제 3 센서(S3) 및 제 4 센서(S4)의 측정값에 따라 구분할 수 있다.
즉, 워피지가 발생한 경우에는 웨이퍼(W)의 에지 부분이 중심과 다른 위치에 놓이므로, 제 3 센서(S3) 및 제 4 센서(S4)의 측정값과 제 2 센서(S2)의 측정값과의 차이가 기 설정된 오차 범위 내에 포함될 수 있다.
한편, 포켓 아웃이 발생한 경우에는 웨이퍼(W)가 기울기를 가질 것이며, 따라서 제 3 센서(S3) 및 제 4 센서(S4)의 측정값과 제 2 센서(S2)의 측정값과의 차이가 기 설정된 오차 범위를 벗어날 수 있다.
그러므로 제 1 센서(S1)와 제 2 센서(S2)의 측정값이 상이한 경우에는 제 3 및 제 4 센서(S3, S4)의 측정값과 제 2 센서(S2)의 측정값을 비교함에 의해 워피지가 발생하였는지 포켓 아웃이 발생하였는지 확인할 수 있다.
제 1 내지 제 4 센서(S1~S4)의 측정값에 기초하여, 워피지가 발생한 것으로 확인되는 경우에는, 웨이퍼(W)를 서셉터 상에 로딩한 상태로 기 설정된 시간 경과시킨다.
그리고, 기 설정된 시간 경과 후, 다시 제 1 내지 제 4 센서(S1~S4)를 통해 제 1 웨이퍼(W) 상면까지의 거리를 측정하여, 워피지가 제거되었는지 확인한다. 워피지가 제거되었고, 서셉터 상에 모든 웨이퍼가 로딩되었다면 지정된 공정을 진행한다.
반면, 제 1 내지 제 4 센서(S1~S4)의 측정값을 확인한 결과 포켓 아웃이 발생한 것으로 판단되는 경우에는 웨이퍼(W)를 언로딩한다.
복수의 웨이퍼를 안착할 수 있는 서셉터 어셈블리(500)에서 상기와 같이 워피지를 체크하는 경우, 복수의 웨이퍼에 대해 개별적으로 워피지 체크 후, 워피지가 발생된 웨이퍼만을 선택적으로 복구 및 언로딩하므로써, 공정 시간을 단축할 수 있다.
한편, 도 4a 및 도 4b에 도시한 서셉터 어셈블리(500)를 채용하는 경우, 복수의 웨이퍼 각각에 대하여 공정 과정에 해당하는 종류의 가스를 공급하기 위하여, 가스 공급부(115)는 가스 공급부(115) 중심부의 둘레 방향을 따라 배치되는 복수의 가스 분사 유닛을 포함하도록 구성될 수 있다.
여기에서, 가스 분사 유닛은 복수의 소스 가스 분사 유닛, 복수의 퍼지 가스 분사 유닛을 포함할 수 있다.
가스 공급부(115)에 구비되는 복수의 가스 분사 유닛은 예를 들어 샤워헤드 타입 또는 노즐 타입으로 구성될 수 있으며, 도 11 및 도 12를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 11 본 기술에 적용될 수 있는 상부 리드의 일 예시도이다.
가스 공급부(115)를 샤워헤드 타입으로 구성할 경우, 도 11에 도시한 것과 같이 상부 플레이트(601)와 가스 공급부(115)가 일체형이 되도록 상부 리드(600)를 구성할 수 있다.
일 실시예에 의한 상부 리드(600)는 지정된 형상, 바람직하게는 원판 형상의 상부 플레이트(601)와, 상부 플레이트(601)내의 지정된 공간에 중앙부를 중심으로 방사형으로 배치되는 복수의 제 1 가스 분사 유닛(6031~6036)을 포함할 수 있다. 복수의 제 1 가스 분사 유닛(6031~6036) 각각은 복수의 제 1 홀(6030)을 구비할 수 있다.
아울러, 복수의 제 1 가스 분사 유닛(6031~6036)은 소스가스 공급 유닛과 퍼지가스 공급유닛을 포함할 수 있으며, 소스가스 제공부(미도시)로부터 상부 플레이트(601)를 관통하여 각 제 1 가스 분사 유닛(6031~6036)으로 연장되는 가스 공급구(미도시)를 통해 공급되는 소스가스를 각각의 제 1 홀(6030)을 통해 서셉터 상의 기판 표면으로 분사할 수 있다.
상부 플레이트(601)의 중앙부에는 복수의 제 2 홀(6050)을 구비하는 제 2 가스 분사 유닛(6051)이 마련될 수 있다. 이 경우 제 2 가스 분사구(미도시)를 통해 공급되는 커튼가스가 제 2 가스 분사 유닛(6051)의 제 2 홀(6050)을 통해 분사되어, 제 1 가스 분사 유닛(6031~6036)을 통해 분사되는 가스들이 중앙부에서 상호 혼합되는 것을 방지할 수 있다.
상부리드(600)는 제 2 윈도우(607)를 더 포함할 수 있으며, 이러한 상부리드(600)는 도 8에 도시한 웨이퍼 처리 장치(20)에 채용될 수 있다.
아울러, 도 4에 도시한 서셉터 어셈블리(500)를 채용하는 웨이퍼 처리장치의 경우 윈도우(607)의 구비 여부와 상관 없이 도 11에 도시한 상부 리드(600)를 채용하여 공정을 진행할 수 있다.
도 12는 본 기술에 적용될 수 있는 상부리드의 다른 예시도로서, 복수의 가스 분사 유닛을 구비하는 가스 공급부(115)를 노즐 타입으로 구성한 경우를 나타낸다.
일 실시예에 의한 상부 리드(700)는 지정된 형상의 상부 플레이트(701) 및 상부 플레이트(701) 중심부의 둘레 방향을 따라 배치되는 복수의 제 1 가스 분사 유닛(7031~7036)을 포함할 수 있다. 복수의 제 1 가스 분사 유닛(7031~7036)은 각각 서셉터 상부면으로 가스를 분사할 수 있는 형태로 구성된 노즐일 수 있다.
복수의 제 1 가스 분사 유닛(7031~7036)은 챔버(100, 100A)의 측부 플레이트(103)를 관통하여 챔버(100, 100A) 내부로 안내될 수 있다. 또한, 복수의 제 1 가스 분사 유닛(7031~7036) 각각에 구비되는 분사 홀(7030)이 서셉터와 대향할 수 있도록 상부 플레이트(701) 저부의 서셉터 대향면에 설치될 수 있다. 제 1 가스 분사 유닛(7031~7036)을 통해서는 예를 들어 소스가스 및 퍼지가스가 분사될 수 있다.
아울러, 상부 플레이트(701)의 중앙부에는 제 2 가스 공급 유닛(705)이 구비될 수 있으며, 이를 통해 커튼가스를 공급하여 제 1 가스 분사 유닛(7031~7036)으로부터 분사되는 가스가 상호 혼합되지 않도록 할 수 있다.
상부 플레이트(701)의 지정된 위치에는 제 2 윈도우(707)가 마련될 수 있으며, 이러한 상부 리드(700)는 예를 들어 도 8에 도시한 웨이퍼 처리 장치(20)에 채택될 수 있다.
아울러, 도 4에 도시한 서셉터 어셈블리(500)를 채용하는 웨이퍼 처리장치의 경우 윈도우(707)의 구비 여부와 상관 없이 도 12에 도시한 상부 리드(700)를 채용하여 공정을 진행할 수 있다.
상술한 서셉터의 구조 및 상부 리드의 구조는 일 실시예일 뿐이며, 서셉터의 안착부에 웨이퍼가 로딩되는 웨이퍼 처리장치에 대하여 제 1 센서부를 이용하여 안착부에 대한 웨이퍼의 포켓 아웃 여부를 확인할 수 있다. 나아가 제 1 센서부를 이용하여 웨이퍼에 대한 워피지 발생 여부를 체크하거나 서셉터 어셈블리의 수평도를 모니터링할 수 있다. 아울러, 제 1 센서부와 함께 제 2 센서부를 이용하여 서셉터의 편심 변동을 모니터링할 수 있다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10, 20 : 웨이퍼 처리장치
100, 100-1 : 챔버
200 : 컨트롤러
400 : 서셉터 어셈블리

Claims (20)

  1. 웨이퍼가 인입 및 인출되는 게이트를 포함하며 밀폐된 처리공간을 형성하는 챔버;
    상기 챔버 저부에 설치되고, 상면에 웨이퍼가 안착되는 안착부를 구비하는 서셉터 어셈블리; 및
    상기 안착부에 로딩되는 상기 웨이퍼의 중심과 대향하는 위치에 설치되는 제 1 센서와, 상기 게이트에 인접한 상기 웨이퍼의 제 1 에지와 대향하는 위치에 설치되는 제 2 센서와, 상기 웨이퍼의 중심과 상기 제 1 에지를 연결하는 선분의 수직 이등분선과 교차하는 상기 웨이퍼의 제 2 에지 및 제 3 에지와 각각 대향하는 위치에 각각 설치되는 제 3 센서 및 제 4 센서를 포함하는 제 1 센서부를 포함하며,
    상기 제 1 센서부로부터 상기 웨이퍼 상면까지의 거리값에 기초하여 상기 웨이퍼가 상기 안착부로부터 이탈하였는지의 여부를 검출하고,
    상기 제 1 내지 제 4 센서의 측정값이 동일하고 기 설정된 허용치 이내인 경우, 상기 웨이퍼가 워피지 발생 또는 상기 안착부로부터의 이탈 없이 정상적으로 로딩된 것으로 판단하도록 구성되는 웨이퍼 처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 센서의 측정값과 상기 제 2 센서의 측정값이 상이하고, 상기 제 1 센서 및 상기 제 2 센서 중 적어도 어느 하나의 측정값이 기 설정된 허용치를 벗어난 경우, 상기 제 3 센서와 상기 제 4 센서의 측정값과 상기 제 2 센서의 측정값의 차이가 기 설정된 오차 범위 이내인지 확인하하여, 상기 측정값의 차이가 상기 오차 범위 이내인 경우 상기 워피지가 발생한 것으로 판단하고,
    상기 측정값의 차이가 상기 오차 범위를 벗어난 경우 상기 웨이퍼가 상기 안착부로부터 이탈한 것으로 판단하는 웨이퍼 처리장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 서셉터 어셈블리는 단일의 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착부를 구비하는 웨이퍼 처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 내측 상부의 상기 서셉터 대향면에 배치되어 상기 웨이퍼로 공정가스를 제공하는 가스 공급부를 더 포함하는 웨이퍼 처리장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 서셉터는, 복수의 웨이퍼가 안착되는 복수의 안착부를 구비하고, 상기 상면과 수직하는 중심축을 따라 회전 가능하도록 구성되며,
    상기 가스 공급부는, 상기 가스 공급부 중심부의 둘레 방향을 따라 배치되는 복수의 가스 분사 유닛을 포함하는 웨이퍼 처리장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 분사 유닛은 샤워헤드 타입인 웨이퍼 처리장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 가스 분사 유닛은 노즐 타입인 웨이퍼 처리장치.
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 서셉터는, 상기 상면과 수직하는 중심축을 따라 회전 가능하도록 구성되고,
    상기 제 1 센서부로부터 상기 서셉터 상면까지의 거리값에 기초하여 상기 서셉터의 수평도 변화를 더 검출하도록 구성되는 웨이퍼 처리장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 서셉터는, 상기 상면과 수직하는 중심축을 따라 회전 가능하도록 구성되고, 상기 서셉터 측면과 대향하는 위치에 마련되는 제 2 센서부를 더 포함하며,
    상기 제 2 센서부와 상기 서셉터 측면까지의 거리값에 기초하여 상기 서셉터의 편심 변화를 판단하도록 구성되는 웨이퍼 처리장치.
  11. 웨이퍼가 인입 및 인출되는 게이트를 포함하는 챔버의 저부에 설치되며 상면에 웨이퍼가 안착되는 안착부를 구비하는 서셉터 어셈블리 및, 상기 안착부에 로딩되는 상기 웨이퍼의 중심과 대향하는 위치에 설치되는 제 1 센서와, 상기 게이트에 인접한 상기 웨이퍼의 제 1 에지와 대향하는 위치에 설치되는 제 2 센서와, 상기 웨이퍼의 중심과 상기 제 1 에지를 연결하는 선분의 수직 이등분선과 교차하는 상기 웨이퍼의 제 2 에지 및 제 3 에지와 각각 대향하는 위치에 각각 설치되는 제 3 센서 및 제 4 센서를 포함하는 제 1 센서부를 포함하는 웨이퍼 처리장치에서의 웨이퍼 처리방법으로서,
    상기 안착부에 상기 웨이퍼를 로딩하는 단계; 및
    상기 제 1 내지 제 4 센서의 측정값이 동일하고 기 설정된 허용치 이내인 경우, 상기 웨이퍼가 워피지 발생 또는 포켓 아웃 없이 정상 로딩된 것으로 판단하는 단계;
    를 포함하는 웨이퍼 처리방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    검출하는 단계 이후, 상기 웨이퍼가 상기 안착부로부터 이탈한 것으로 확인되는 경우에는 상기 웨이퍼를 언로딩하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 처리방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    검출하는 단계는, 상기 웨이퍼에 대해 기 설정된 공정을 진행하기 전, 또는 상기 기 설정된 공정을 진행하는 중에 적어도 1회 이상 수행되는 웨이퍼 처리방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    검출하는 단계는, 상기 제 1 센서부로부터 상기 웨이퍼 상면까지의 거리값을 1차 측정하여, 상기 1차 측정 결과가 기 설정된 허용치를 벗어난 경우 상기 웨이퍼를 상기 안착부 상에 안착시킨 상태에서 기 설정된 시간 경과시키는 단계; 및
    상기 기 설정된 시간 경과 후 상기 거리값을 2차 측정하여, 상기 2차 측정 결과가 상기 허용치 이내인 경우 워피지가 제거된 것으로 판단하는 단계;
    를 포함하는 웨이퍼 처리방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 2차 측정 결과가 상기 허용치를 벗어난 경우 상기 웨이퍼가 상기 안착부로부터 이탈한 것으로 판단하고, 상기 웨이퍼를 언로딩하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 처리방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 서셉터는, 복수의 웨이퍼가 안착되는 복수의 안착부를 구비하고, 상기 상면과 수직하는 중심축을 따라 회전 가능하도록 구성되며,
    상기 로딩하는 단계 및 검출하는 단계는, 상기 복수의 안착부 각각에 상기 복수의 웨이퍼를 순차적으로 로딩하면서 반복 수행되는 웨이퍼 처리방법.
  17. 삭제
  18. 제 11 항에 있어서,
    검출하는 단계는, 상기 제 1 센서의 측정값과 상기 제 2 센서의 측정값이 상이하고, 상기 제 1 센서 및 상기 제 2 센서 중 적어도 어느 하나의 측정값이 기 설정된 허용치를 벗어난 경우, 상기 제 3 센서와 상기 제 4 센서의 측정값과 상기 제 2 센서의 측정값의 차이가 기 설정된 오차 범위 이내인지 확인하는 단계;
    상기 측정값의 차이가 상기 오차 범위 이내인 경우 워피지가 발생한 것으로 판단하는 단계; 및
    상기 측정값의 차이가 상기 오차 범위를 벗어난 경우 상기 웨이퍼가 상기 안착부로부터 이탈한 것으로 판단하는 단계;
    를 포함하는 웨이퍼 처리방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 워피지가 발생한 것으로 판단되는 경우, 상기 웨이퍼를 상기 안착부 상에 안착시킨 상태에서 기 설정된 시간 경과시키는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 처리방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 웨이퍼가 상기 안착부로부터 이탈한 것으로 판단되는 경우, 상기 웨이퍼를 언로딩하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 처리방법.
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