KR20070048483A - 기판을 처리하는 장치 및 기판을 처리하는 방법 - Google Patents

기판을 처리하는 장치 및 기판을 처리하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 상기 기판의 하부에 위치하며 회전가능한 지지판과, 상기 지지판의 상부면에 위치하며 상기 기판의 하부를 지지하는 지지핀과, 상기 지지핀 상에 상기 기판이 존재하는지 여부를 감지하는 기판 감지 유닛을 포함하되, 상기 기판 감지 유닛은 상기 기판과 상기 지지판 사이의 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과, 상기 가스의 압력을 측정할 수 있는 압력 센서를 포함한다.
본 발명에 의하면, 가스 공급 유닛에 의하여 공급된 가스의 압력변화를 측정함으로써 기판이 존재하는지 여부를 감지할 수 있다.
가스 공급 유닛, 압력 센서, 분사통로, 가스 공급 통로

Description

기판을 처리하는 장치 및 기판을 처리하는 방법{apparatus and method for treating a substrate}
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 정면도;
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 정면도;
도 3a는 본 발명에 따른 분사부를 나타내는 정면도;
도 3b는 본 발명에 따른 분사부를 나타내는 평면도;
도 4는 본 발명에 따른 기판 감지 유닛의 작동 상태를 나타내는 정면도;
도 5는 본 발명에 따른 기판 감지 유닛의 작동 순서를 나타내는 흐름도;
도 6은 본 발명에 따른 가스 공급 통로 내의 압력 변화를 나타내는 도표이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 처리 장치 110 : 지지부재
200 : 가스 공급 유닛 220 : 분사부
222 : 분사통로 240 : 공급부
242 : 가스 공급 통로 300 : 압력 센서
400 : 기판 감지 유닛 500 : 제어기
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 지지판 상에 기판이 존재하는지 여부를 판단할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판 처리 장치(1)를 개략적으로 나타내는 정면도이다.
기판 처리 장치(1)는 지지부재(10)와 기판 감지 유닛(60)을 포함한다. 지지부재(10)는 지지판(12), 지지핀(14), 정렬핀(16)을 포함하며, 기판 감지 유닛(60)은 분사부(20), 공급부(30), 광센서(40), 제어기(50)를 포함한다.
지지판(12)의 상부에 웨이퍼(W)가 존재하는지 여부를 판단하기 위해서 분사부(20)의 상부면에는 광센서(40)가 설치된다. 광센서(40)는 발광부(도시안됨)와 수광부(도시안됨)가 짝을 이루어 설치된다. 발광부는 광을 조사하며, 수광부는 발광부로부터 조사된 광을 수광한다. 광센서(40)는 수광부에서 수광된 광의 양을 통하여 대상물의 존재 여부를 감지한다.
웨이퍼(W)가 지지판(12)의 상부에 존재하는 경우, 발광부로부터 조사된 광은 웨이퍼(W)의 하부면에서 반사되며, 반사된 광은 수광부를 향하여 입사된다. 따라서, 수광부는 입사된 광을 감지하며, 광센서(40)는 이를 신호로 변환하여 제어기(50)에 보낸다. 제어기(50)는 수신한 신호를 통하여 웨이퍼(W)가 지지판(12)의 상부에 존재하는 것으로 판단할 수 있다.
웨이퍼(W)가 지지판(12)의 상부에 존재하지 않는 경우, 발광부로부터 조사된 광은 광경로 상에 반사체(反射體)가 존재하지 않으므로 수광부를 향하여 입사될 수 없다. 따라서, 제어기(50)는 아무런 신호를 수신하지 못하며, 웨이퍼(W)가 지지판(12)의 상부에 존재하지 않는 것으로 판단할 수 있다.
그러나, 종래의 기판 처리 장치(1)에서는 광이 조사되는 웨이퍼(W)와 지지판(12) 사이의 공간에 흄(fume)이나 증기(vapor) 등이 존재할 경우, 발광부를 통하여 조사된 광이 이들에 의하여 반사되고, 반사된 광은 수광부에 입사하였다.
특히, 지지판(12)의 상부에 웨이퍼(W)가 존재하지 않는 경우에는 상기한 이유로 인하여 기판 처리 장치(1)는 오동작을 일으킬 수 있었다.
또한, 종래의 광센서(40)는 감지시간이 타 감지장치에 비하여 길었으므로, 기판 처리 장치(1)의 작동시 많은 시간이 소요되었다.
본 발명의 목적은 웨이퍼(W)의 존재를 감지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼(W)의 감지시 오차를 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼(W)의 감지시 감지시간을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명에 의하면, 기판을 처리하는 장치는 상기 기판을 지지하는 지지핀이 설치된 지지판과, 상기 지지핀 상에 상기 기판이 존재하는지 여부를 감지하는 기판 감지 유닛을 포함하되, 상기 기판 감지 유닛은 상기 기판과 상기 지지판 사이의 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과, 상기 가스의 압력을 측정하는 압력 센서를 포함한다.
상기 가스 공급 유닛은 상기 지지판의 중심에 위치하며, 내부에 분사통로가 형성되는 분사부재와, 상기 분사부재의 하부에 연결되며 내부에 상기 분사통로에 대하여 가스를 제공하는 가스 공급 통로가 형성되는 공급부재를 구비하되, 상기 분사통로의 단면적은 상기 가스 공급 통로의 단면적보다 작으며, 상기 압력 센서는 상기 가스 공급 통로 상에 설치될 수 있다.
상기 압력 센서는 전자식 압력 센서일 수 있다.
상기 가스는 질소 가스(nitrogen gas)일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 기판을 처리하는 장치는 상기 기판의 하부에 위치하며 회전가능한 지지판과, 상기 지지판의 상부면에 위치하며 상기 기판의 하부를 지지하는 지지핀과, 상기 기판과 상기 지지판 사이의 공간에 기판 처리용 유체를 공급할 수 있는 유체 공급 유닛과, 상기 유체 공급 유닛 상에 설치되는 압력 센서를 포함하되, 상기 유체 공급 유닛은 상기 기판의 하부면에 제1약액을 공급하는 제1약액 공급유닛과, 상기 기판의 하부면에 제2약액을 공급하는 제2약액 공급유닛과, 상기 기판의 하부면에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하며, 상기 압력 센서는 상기 가스의 압력을 측정할 수 있다.
상기 가스 공급 유닛은 상기 지지판의 중심에 위치하며, 내부에 분사통로가 형성되는 분사부재와, 상기 분사부재의 하부에 연결되며 내부에 상기 분사통로에 대하여 가스를 제공하는 가스 공급 통로가 형성되는 공급부재를 구비하되, 상기 분사통로의 단면적은 상기 가스 공급 통로의 단면적보다 작으며, 상기 압력 센서는 상기 가스 공급 통로 상에 설치될 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판을 처리하는 방법은 가스 공급 유닛을 통하여 상기 기판의 하부에 위치하는 지지판으로부터 상기 기판의 하부면을 향하여 가스를 분사하는 단계와, 상기 가스 공급 유닛 내에서 상기 가스의 압력을 측정하는 단계와, 상기 측정된 압력으로부터 상기 기판이 상기 지지판의 상부에 존재하는지 여부를 판단하는 단계를 포함한다.
상기 측정된 압력으로부터 상기 기판이 존재하는지 여부를 판단하는 단계는 상기 기판이 상기 지지판의 상부에 존재하지 않는 경우에 상기 가스 공급 유닛 내에서 측정된 상기 가스의 정상압력과 상기 측정된 압력을 비교하는 단계와, 상기 측정된 압력이 상기 정상압력의 기설정된 범위 이내에 있는지를 판단하는 단계와, 상기 측정된 압력이 상기 정상압력의 기설정된 범위 이내에 있는 경우 상기 지지판의 상부에 상기 기판이 존재하는 것으로 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예들은 이하의 상세한 설명들로부터 분명하게 제시된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 2 내지 도 5를 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
특히, 본 실시예에서는 기판으로 웨이퍼(W)를 예로 들어 설명하나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)를 개략적으로 나타내는 정면도이다.
기판 처리 장치(100)는 지지부재(110)와 기판 감지 유닛(400)을 포함한다.
지지부재(110)는 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 것이며, 지지부재(110)는 지지판(112)과 지지핀(114), 정렬핀(116)을 포함한다.
지지판(112)은 웨이퍼(W)의 하부에 지면과 대체로 수평하도록 위치하며, 웨이퍼(W)는 지지판(112)에 평행하도록 지지판(112)의 상부에 위치한다. 지지판(112)은 웨이퍼(W)와 같은 원판 형상을 가지며, 지지판(112)은 별도의 구동수단(도시안됨)에 의하여 회전할 수 있다.
지지핀(114)은 웨이퍼(W)를 지지판(112)으로부터 일정거리 이격시킨 상태에서 웨이퍼(W)의 하부를 지지하기 위하여 지지판(112)의 상부면에 위치하며, 웨이퍼(W)를 안정적으로 지지하기 위해서는 복수의 지지핀(114)이 대칭적으로 설치되어야 한다. 일반적으로, 지지핀(114)들은 지지판(112)의 원주면을 따라 설치되며, 웨이 퍼(W)는 지지핀(114)의 상단에 안착된다.
지지핀(114)의 상단에 안착된 웨이퍼(W)는 지지판(112)의 회전에 따른 원심력 및 회전에 따른 진동 등으로 인하여 횡방향으로 이동할 수 있다. 이동된 웨이퍼(W)는 회전하는 지지판(114)으로부터 편심거나 지지판(112)의 상부로부터 이탈할 수도 있다. 따라서, 웨이퍼(W)가 편심되거나, 지지판(112)의 상부로부터 이탈하는 것을 방지하기 위하여 지지판(12)의 상부면에는 정렬핀(116)이 설치된다. 정렬핀(116)은 웨이퍼(W)의 이동을 방지하기 위하여 웨이퍼(W)의 최외곽 원주면을 따라 설치되며, 지지핀(14)의 외곽에 위치한다. 또한, 웨이퍼(W)가 이탈하는 것을 효과적으로 방지하기 위해서는 복수개의 정렬핀(116)이 대칭적으로 설치되어야 한다.
기판 감지 유닛(500)은 가스 공급 유닛(200), 압력센서(300), 제어기(400)를 포함하며, 가스 공급 유닛(200)은 분사부재(220), 공급부재(240), 가스 공급부(260)를 포함한다. 기판 감지 유닛(500)은 지지핀(114)의 상단에 기판이 존재하는지 여부를 감지하기 위한 것이며, 가스 공급 유닛(200)은 웨이퍼(W)와 지지판(112) 사이의 공간에 가스를 공급하기 위한 것이다. 가스 공급 유닛(200)에 의하여 가스를 공급하는 본래 목적은 후술하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 후면에 대하여 건조 공정을 진행하기 위한 것이며, 건조 공정을 위하여 비활성 기체(예를 들어, 질소 가스)를 공급한다. 그러나, 본 발명에 따르면, 가스 공급 유닛(200)은 지지판(112) 상에 웨이퍼(W)가 존재하는지 여부를 감지하는 역할도 수행한다.
분사부재(220)는 지지판(112)의 상부에 위치하며, 분사 헤드의 역할을 한다. 분사부재(220)의 내부에는 후술하는 가스 공급 통로(242)를 통하여 공급된 가스가 흐르는 분사 통로(222)가 형성된다. 분사부재(220)에 대해서는 후술하기로 한다.
공급부재(240)는 분사부재(220)의 하단에 연결되며, 지지판(112)에 대체로 수직인 바(bar) 형상을 한다. 공급부재(240)의 내부에는 가스 공급 통로(242)가 형성된다. 가스 공급 통로(242)의 일단은 분사 통로(222)에 연결되며, 가스 공급 통로(242)의 타단은 가스 공급부(260)에 연결된다.
이외에도, 공급부재(240)의 내부에는 후술하는 약액 공급구(223a, 223b, 223c)에 제1약액 또는 제2약액을 공급할 수 있는 복수의 약액 공급 통로들(도시안됨)이 형성될 수 있다.
가스 공급부(260)는 가스 라인(262), 가스 밸브(264), 가스 저장부(266)를 구비한다. 가스 라인(262)의 일단은 상기한 가스 공급 통로(242)의 타단과 연결되어 있으며, 가스 라인(262) 상에는 가스 밸브(264)가 설치되어 가스 라인(262)의 개폐를 담당한다. 가스 라인(262)의 타단에는 가스를 저치(貯置)하고 있는 가스 저장부(266)가 연결된다.
가스 저장부(266)에는 질소 가스(nitrogen gas)가 제공될 수 있다. 웨이퍼(W)의 후면에 대한 세정 공정이 완료되면, 이후에 건조 공정이 진행된다. 질소 가스는 건조 공정을 위하여 제공되며, 질소 가스는 비활성 기체로서 웨이퍼(W)와 반응할 염려가 없다. 그러나, 본 실시예와 달리 질소 가스가 아닌 다른 가스가 사용될 수 있으며, 웨이퍼(W)와 반응이 일어나는 것을 방지하기 위하여 비활성 기체가 사용되는 것이 바람직하다.
이외에도, 상술한 복수의 약액 공급 통로들(도시안됨)에 대하여 약액을 제공 할 수 있는 복수의 약액 공급부들(도시안됨)을 구비할 수 있으며, 약액 공급부들을 통하여 복수의 약액을 제공할 수 있다.
도 3a는 본 발명에 따른 분사부재(220)를 나타내는 정면도이며, 도 3b는 본 발명에 따른 분사부재(220)를 나타내는 평면도이다.
분사부재(220)는 도 2에 도시한 바와 같이 지지판(112)의 상부면에 웨이퍼(W)의 하부면에 대향되도록 설치된다. 분사부재(220)의 바닥면은 분사부재(220)가 지지판(112)의 상부면에 안착할 수 있도록 평평한 형상을 하고 있으며, 분사부재(220)의 상부는 분사부재(220)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 가스 내지 약액을 공급할 때, 약액이 분사부재(220)의 상부면을 따라 흘러내리도록 함으로써 분사부재(220)의 상부면에 약액이 정체되는 것을 방지하기 위하여 타원형으로 형성된다.
분사부재(220)의 상부면은 웨이퍼(W)의 하부면으로부터 일정 거리(d) 이격되어 설치된다. 이에 대해서는 후술하기로 한다.
분사부재(220)의 내부에는 가스 공급 통로(242)를 통하여 제공된 가스가 흐르는 분사 통로(222)가 제공되며, 분사 통로(222)의 상단면에는 가스 분사구(224)가 형성된다. 따라서, 분사부재(220)는 분사 통로(222)와 가스 분사구(224)를 통하여 웨이퍼(W)와 지지판(112) 사이의 공간에 가스를 분사한다.
본 발명에 따르면, 분사 통로(222)의 단면적은 가스 공급 통로(242)의 단면적보다 작은 것을 특징으로 한다. 가스 공급부(260)를 통하여 제공된 가스는 가스 공급 통로(242) 및 분사 통로(222)를 거치며, 가스 분사구(224)를 통하여 분사된다. 이때, 분사통로(222)의 단면적이 가스 공급 통로(242)의 단면적보다 작은 경 우, 단면적의 감소에 의하여 가스의 유속은 증가하고, 가스 분사구(224)의 상부에서 웨이퍼(W)의 존부에 따른 압력 차이가 확연하게 나타날 수 있다. 따라서, 분사 통로(222)의 단면적은 가스 공급 통로(242)의 단면적보다 작게 형성하는 것이 바람직하다.
가스 공급 통로(242) 상에는 압력 센서(300)가 설치된다. 압력 센서(300)는 가스 공급 통로(242) 내의 압력을 측정하기 위한 것이다. 압력 센서(300)는 본 실시예와 달리 가스 라인(262) 상에 설치될 수 있으나, 압력 센서(300)는 웨이퍼(W)의 존재 여부에 따라 변화된 압력을 정확하게 감지할 수 있어야 하므로, 웨이퍼(W)로부터 근접한 거리에 해당하는 가스 공급 통로(242) 상에 설치되는 것이 바람직하다. 압력 센서(300)로는 전자식 압력 센서가 사용될 수 있다.
압력 센서(300)의 일측에는 제어기(400)가 설치될 수 있다. 제어기(400)는 압력 센서(300)로부터 수신한 신호로부터 지지판(112) 상부에 웨이퍼(W)가 존재하는지 여부를 판단한다.
도 3b를 살펴보면, 분사부재(220)의 상단면에는 가스 분사구(224) 이외에도 세 개의 약액 공급구(223a, 223b, 223c)가 더 형성된다.
약액 공급구(223a, 223b, 223c)는 선택적으로 제1약액 또는 제2약액을 공급하기 위하여 제공된다. 본 실시예에서 제1약액은 웨이퍼(W)의 후면에 대한 에칭(etching) 공정을 위한 약액일 수 있으며, 제2약액은 웨이퍼(W) 후면에 대한 세정 공정을 위한 순수(deionized water)일 수 있다.
세개의 약액 공급구(223a, 223b, 223c)는 선택적으로 사용이 가능하며, 두 개의 약액 공급구를 이용하여 제1약액을 제공하고 하나의 약액 공급구를 이용하여 제2약액을 제공할 수 있으며, 반대로 두 개의 약액 공급구를 이용하여 제2약액을 제공하고 하나의 약액 공급구를 이용하여 제1약액을 제공할 수 있다.
본 실시예에서, 약액 공급구(223a, 223b, 223c)는 가스 분사구(224)와 함께 하나의 분사부재(220)를 통하여 하나의 유체 공급 유닛을 이루는 것으로 하였으나, 이와 달리 약액 공급구(223a, 223b, 223c)와 가스 분사구(224)는 별도로 제공될 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 감지 유닛(500)의 작동 상태를 나타내는 정면도이며, 도 5는 본 발명에 따른 기판 감지 유닛(500)의 작동 순서를 나타내는 흐름도이다.
이하, 도 4와 도 5를 참고하여 본 발명에 따른 기판 감지 유닛(500)의 작동 방식에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
기판 처리 장치(100)의 작동 여부를 결정하기 위해서는 기판 처리 장치(100) 상에 웨이퍼(W)가 존재하는지 여부를 먼저 판단하여야 한다. 즉, 웨이퍼(W)가 기판 처리 장치(100) 상에 존재하는 것이 확인되었을 때 비로소 기판 처리 장치(100)를 작동시킨다.
도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 존재여부를 판단하기 위해서는 가스 공급 유닛(200)을 통하여 웨이퍼(W)의 하부면을 향하여 가스를 분사한다(S10).
가스 공급 유닛(200)은 상술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 하부면에 대한 건조 공정을 본래 목적으로 하여 제공되는 것이나, 본 발명에 따르면 웨이퍼(W)의 존재 여부를 판단하기 위한 용도로 사용될 수 있다.
가스는 가스 공급부(260)를 통하여 제공되며, 제공된 가스는 가스 공급 통로(242)와 분사 통로(222), 가스 분사구(224)를 통하여 웨이퍼(W)의 하부면에 제공된다. 상술한 바와 같이 제공되는 가스는 비활성 가스인 것이 바람직하며, 본 실시예에서는 질소 가스(nitrogen gas)를 사용한다.
다음으로, 가스를 분사하는 동안 가스 공급 통로(242) 상에 설치된 압력 센서(300)를 이용하여 가스 공급 통로(242) 상의 압력을 측정한다(S20). 웨이퍼(W)가 지지판(112)의 상부에 존재하는 경우, 가스를 분사하는 가스 분사구(224) 상부에 위치하는 웨이퍼(W)는 저항(resistance)의 역할을 수행하므로 분사통로(222) 또는 가스 공급 통로(242) 상에서 가스의 압력은 후술하는 정상압력보다 증가하게 된다. 따라서, 가스 분사구(224)를 통하여 가스를 분사함과 동시에, 가스 공급 통로(242) 상에서 가스의 압력을 측정하면 웨이퍼(W)가 지지판(112) 상에 존재하는지 여부를 확인할 수 있다.
가스 분사구(224)를 통한 가스 분사시, 상술한 바와 같이 분사 통로(222)의 단면적을 가스 공급 통로(242)의 단면적보다 작게 하면 웨이퍼(W)의 존부에 따른 압력 차이가 더욱 확연하게 나타난다.
다음으로, 압력 센서(300)를 통하여 측정된 압력에 관한 신호를 제어기(500)로 보내어 지지판(112) 상부에 웨이퍼(W)가 존재하는지 여부를 판단한다(S30). 이를 판단하는 방법은 다음과 같다.
웨이퍼(W)가 지지판(112) 상부에 존재하지 않는 경우에, 가스 공급 통로 (242) 상에서 가스의 정상압력을 미리 측정한다. 압력은 상기한 바와 같이 압력 센서(300)에 의하여 측정할 수 있다. 이때, 정상압력은 수회 측정되어야 하며, 웨이퍼(W)가 존재하는 경우를 의미하는 일정 범위의 정상압력을 설정한다.
다음으로, 정상압력과 이전 단계(S20)에서 측정된 압력을 상호 비교하며(S31), 측정된 압력이 정상압력의 범위 이내에 있는 경우 지지판(112)의 상부에 웨이퍼(W)가 존재하는 것으로 판단한다(S32).
웨이퍼(W)가 존재하는 것으로 판단하면, 약액 공급구(223a, 223b, 223c) 및 분사구(224)를 통하여 약액 및 가스를 제공하며, 웨이퍼(W)에 대한 공정을 진행한다.
도 6은 본 발명에 따른 가스 공급 통로(242) 내의 압력 변화를 나타내는 도표이다.
먼저, 원압(가스 공급부(260)로부터 제공되는 가스의 최초 압력)이 0.2MPa일인 경우를 살펴본다. 웨이퍼(W)가 없을 때, 가스 공급 통로(242)상에서 가스의 압력은 3KPa이다. 그러나, 웨이퍼(W)가 있을 때에는, 웨이퍼(W)와 분사부재(220)의 상부면과의 거리(d)가 3㎜일 때 가스의 압력은 5.2KPa이며, 웨이퍼(W)와 분사부재(220)의 상부면과의 거리(d)가 5㎜일 때 가스의 압력은 3.0KPa이다.
웨이퍼(W)의 존재 여부를 정확하게 감지하기 위해서는 웨이퍼(W)의 존재여부에 따라 압력의 변화가 큰 것이 바람직하다. 따라서, 웨이퍼(W)와 분사부재(220)의 상부면과의 거리(d)는 3㎜인 것이 가장 바람직하다.
다음으로, 원압이 0.3MPa일인 경우를 살펴본다. 웨이퍼(W)가 없을 때, 가스 공급 통로(242)상에서 가스의 압력은 5.6KPa이다. 그러나, 웨이퍼(W)가 있을 때에는, 웨이퍼(W)와 분사부재(220)의 상부면과의 거리(d)가 3㎜일 때 가스의 압력은 10.2KPa이며, 웨이퍼(W)와 분사부재(220)의 상부면과의 거리(d)가 5㎜일 때 가스의 압력은 6.0KPa이다. 따라서, 웨이퍼(W)와 분사부재(220)의 상부면과의 거리(d)는 3㎜인 것이 가장 바람직하다.
웨이퍼(W)와 분사부재(220)의 상부면과의 거리(d)가 3㎜ 미만인 경우도 고려할 수 있으나, 3㎜ 이하이면 분사부재(220)의 상부면이 웨이퍼(W)의 하부면에 지나치게 근접하므로, 분사부재(220)를 통하여 분사된 가스 및 약액이 웨이퍼(W)의 하부면에 대하여 고르게 퍼질 수 없다. 따라서, 분사부재(220)의 본래 목적인 에칭 및 세정, 건조 공정을 원활하게 진행할 수 없다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼(W)의 후면에 대하여 가스를 분사함으로써 웨이퍼(W)의 존재를 감지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼(W)의 후면에 대하여 가스를 분사함으로써 웨이퍼(W)의 감지시 흄(fume)이나 증기에 의한 오차를 최소화할 수 있다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼(W)의 존재를 감지하는 장치를 설치하는 비용을 절감할 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    상기 기판을 지지하는 지지핀이 설치된 지지판과;
    상기 지지핀 상에 상기 기판이 존재하는지 여부를 감지하는 기판 감지 유닛을 포함하되,
    상기 기판 감지 유닛은,
    상기 기판과 상기 지지판 사이의 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 가스의 압력을 측정하는 압력 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛은,
    상기 지지판의 중심에 위치하며, 내부에 분사통로가 형성되는 분사부재와;
    상기 분사부재의 하부에 연결되며, 내부에 상기 분사통로에 대하여 가스를 제공하는 가스 공급 통로가 형성되는 공급부재를 구비하되,
    상기 분사통로의 단면적은 상기 가스 공급 통로의 단면적보다 작으며,
    상기 압력 센서는 상기 가스 공급 통로 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 압력 센서는 전자식 압력 센서인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 가스는 질소 가스(nitrogen gas)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    상기 기판의 하부에 위치하며, 회전가능한 지지판과;
    상기 지지판의 상부면에 위치하며, 상기 기판의 하부를 지지하는 지지핀과;
    상기 기판과 상기 지지판 사이의 공간에 기판 처리용 유체를 공급할 수 있는 유체 공급 유닛과;
    상기 유체 공급 유닛 상에 설치되는 압력 센서를 포함하되,
    상기 유체 공급 유닛은,
    상기 기판의 하부면에 제1약액을 공급하는 제1약액 공급유닛과;
    상기 기판의 하부면에 제2약액을 공급하는 제2약액 공급유닛과;
    상기 기판의 하부면에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하며,
    상기 압력 센서는 상기 가스의 압력을 측정할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛은,
    상기 지지판의 중심에 위치하며, 내부에 분사통로가 형성되는 분사부재와;
    상기 분사부재의 하부에 연결되며, 내부에 상기 분사통로에 대하여 가스를 제공하는 가스 공급 통로가 형성되는 공급부재를 구비하되,
    상기 분사통로의 단면적은 상기 가스 공급 통로의 단면적보다 작으며,
    상기 압력 센서는 상기 가스 공급 통로 상에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    가스 공급 유닛을 통하여 상기 기판의 하부에 위치하는 지지판으로부터 상기 기판의 하부면을 향하여 가스를 분사하는 단계와;
    상기 가스 공급 유닛 내에서 상기 가스의 압력을 측정하는 단계와;
    상기 측정된 압력으로부터 상기 기판이 상기 지지판의 상부에 존재하는지 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 측정된 압력으로부터 상기 기판이 존재하는지 여부를 판단하는 단계는,
    상기 기판이 상기 지지판의 상부에 존재하지 않는 경우에 상기 가스 공급 유닛 내에서 측정된 상기 가스의 정상압력과 상기 측정된 압력을 비교하는 단계와;
    상기 측정된 압력이 상기 정상압력의 기설정된 범위 이내에 있는지를 판단하는 단계와;
    상기 측정된 압력이 상기 정상압력의 기설정된 범위 이내에 있는 경우 상기 지지판의 상부에 상기 기판이 존재하는 것으로 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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