KR102268652B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 제공하며 개구가 형성되는 하우징, 상기 개구를 개방하는 개방 위치 및 상기 개구를 차단하는 차단 위치로 이동 가능한 커버를 가지는 도어 어셈블리, 그리고 상기 하우징 및 상기 커버 간의 실링 상태를 감지하는 감지 부재를 포함하되, 상기 감지 부재는 상기 처리공간과 통하도록 상기 하우징에 연결되는 연결 배관 및 상기 연결 배관의 내부 상태를 측정하는 측정 센서를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 각각의 공정에는 다양한 처리액들이 사용하여 기판을 처리한다. 이 중 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 처리액을 공정은 챔버 내의 밀폐된 공간에서 그 공정을 진행한다.
일반적으로 챔버는 상부가 개방된 하우징(2)과 그 하우징(2)을 개폐하는 커버(4)로 제공된다. 도 1을 참조하면, 커버(4)는 잠금 부재(9)에 의해 하우징(2)과 장착 가능하다. 커버(4)가 하우징(2)을 차단한 상태에서 하우징(2)의 차단 상태를 확인하기 위한 광 센서가 설치된다. 광 센서의 발광기(6a)는 하우징(2) 및 커버(4) 중 어느 하나에 설치되고, 수광기(6b)는 다른 하나에 설치된다. 커버(4)가 하우징(2)을 차단한 상태에서 발광기(6a)와 수광기(6b)는 서로 대향되고, 수광기(6b)는 광 소자를 수광하여 차단 상태로 인식한다.
그러나 하우징(2)과 커버(4) 사이에는 이들의 틈을 실링하는 실링 부재(9)가 제공된다. 실링 부재(9)는 공정 진행 중에 발생되는 퓸이나 고온에 장시간 노출됨에 따라 경화되고 손상된다. 이로 인해 하우징(2)이 커버(4)에 의해 닫혀진 상태에서도 퓸은 그 손상된 실링 부재(9)를 통해 외부로 누출되며, 광 센서는 하우징(2)과 커버(4)의 차단 상태를 정상 상태로 인식한다.
또한 퓸에 의해 하우징(2)과 커버(4)는 열 변형되어 틈이 발생될 수 있다. 그러나 발광기(6a)로부터 발광된 광 소자가 수광기(6b)에 수광된 상태에서는 하우징(2)과 커버(4)의 차단 상태를 정상 상태로 인식한다.
본 발명은 챔버의 실링 상태를 측정하는데에 있어서 발생되는 측정 오류를 최소화할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 퓸에 의해 일부 장치가 손상된 상태에서도 챔버의 실링 상태를 올바르게 측정할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 제공하며 개구가 형성되는 하우징, 상기 개구를 개방하는 개방 위치 및 상기 개구를 차단하는 차단 위치로 이동 가능한 커버를 가지는 도어 어셈블리, 그리고 상기 하우징 및 상기 커버 간의 실링 상태를 감지하는 감지 부재를 포함하되, 상기 감지 부재는 상기 처리공간과 통하도록 상기 하우징에 연결되는 연결 배관 및 상기 연결 배관의 내부 상태를 측정하는 측정 센서를 포함한다.
상기 내부 상태는 압력을 포함할 수 있다. 상기 개구와 인접한 상기 하우징의 영역에는 관통홀이 형성되고, 상기 연결 배관은 상기 관통홀이 연결될 수 있다. 상기 측정 센서로부터 전달된 측정값을 통해 상기 실링 상태를 정상 상태 또는 불량 상태로 판단하는 제어기를 더 포함하되, 상기 정상 상태는 상기 측정값이 기설정 범위 값에 포함되는 상태이고, 상기 불량 상태는 상기 측정값이 상기 기설정 범위 값을 벗어난 상태로 제공될 수 있다. 상기 도어 어셈블리는 상기 차단 위치에 위치된 상기 커버와 상기 하우징을 서로 결합시키는 잠금 부재 및 상기 개방 위치 또는 상기 차단 위치에 위치된 상기 커버의 위치를 측정하는 위치 측정 부재를 포함하되, 상기 위치 측정 부재는 상기 커버 및 상기 하우징 중 어느 하나에 제공되는 발광기 및 상기 커버 및 상기 하우징 중 다른 하나에 제공되며, 상기 개구가 차단된 상태에서 상기 발광기로부터 발광 소자를 수광하는 수광기를 포함하고, 상기 제어기는 상기 수광기에 상기 발광 소자가 수광되면, 상기 실링 상태를 판단할 수 있다. 상기 처리 공간에서 기판을 일 방향으로 반송시키는 반송 유닛 및 상기 반송 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 더 포함할 수 있다.
기판 상에 처리액을 공급하여 처리 공정을 수행하는 방법으로는, 상기 처리 공정은 하우징의 내부에 제공된 처리 공간에서 수행되며, 상기 처리 공간은 커버에 의해 외부와 밀폐되되, 상기 처리 공정이 수행되는 중에는 상기 하우징과 상기 커버 간의 실링 상태를 감지하여 상기 처리 공간에서 발생된 퓸이 누출되는 것을 감지한다.
상기 실링 상태를 감지하는 것은 상기 처리 공간의 내부 압력을 측정한 측정값이 기설정 범위에 포함되면 상기 실링 상태를 정상 상태로 판단하고, 상기 측정값이 상기 기설정 범위를 벗어나면 상기 실링 상태를 불량 상태로 판단할 수 있다. 상기 처리 공간의 내부 압력을 측정하는 것은 상기 하우징에 연결되며 상기 처리 공간과 통하는 연결 배관의 내부 압력을 측정할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 하우징의 내부 압력의 변동을 이용하여 하우징과 커버 간의 실링 상태를 감지한다. 이로 인해 커버가 차단 위치에 제공될지라도, 하우징과 커버의 틈을 통해 누출되는 퓸을 감지할 수 있다.
도 1은 일반적인 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 반송 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 2의 공정 모듈의 공정 챔버을 보여주는 사시도이다.
도 5는 도 2의 도어 어셈블리를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 이용하여 커버와 하우징 간의 실링 상태를 감지하는 플로우 차트이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예에서 기판(S)은 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판(S)을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼일 수 있다. 또한 본 실시예에는 기판(S)을 식각 처리하는 공정에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 반송되는 기판(S) 상에 처리액을 공급 및 회수하고 기판(S)을 세정 처리하는 공정을 수행하는 다양한 구조 및 다양한 공정의 장치에 적용될 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판(S)을 식각 처리하는 공정을 수행한다. 기판 처리 장치는 공정 모듈(100) 및 세정 모듈(200)을 포함한다. 공정 모듈(100)은 기판(S) 상에 처리액을 공급하여 기판(S)을 식각처리하는 장치이다. 세정 모듈(200)은 식각 처리된 기판(S)을 세정처리하는 장치이다. 공정 모듈(100) 및 세정 모듈(200)은 제1방향(12)을 따라 일렬로 배치된다.
공정 모듈(100)은 공정 챔버(110), 반송 유닛(300), 처리액 공급 유닛(400), 배기 유닛, 그리고 제어기를 포함한다. 공정 챔버(110)는 내부에 공정이 수행되는 제1처리 공간을 제공한다. 공정 챔버(110)의 양단 각각에는 개구가 형성된다. 공정 챔버(110)의 일단에 형성된 개구(102)는 기판(S)이 반입되는 입구로 제공되고, 타단에 형성된 개구(104)는 기판(S)이 반입되는 출구로 제공된다. 각각의 개구(102,104)는 서로 동일한 높이에 형성된다. 각각의 개구(102,104)는 서로 대향되게 위치된다. 공정 챔버(110)의 출구는 세정 모듈(200)과 대향되게 위치된다. 공정 챔버(110)의 제1처리 공간은 세정 모듈(200)의 내부와 서로 통하도록 제공된다.
반송 유닛(300)은 기판(S)을 제1방향(12)으로 반송한다. 반송 유닛(300)은 공정 모듈(100)과 세정 모듈(200)에 각각 배치된다. 도 3은 도 2의 반송 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 3을 참조하면, 반송 유닛(300)은 샤프트(330), 반송 롤러(320), 그리고 프레임(340)을 포함한다. 샤프트(330)는 복수 개로 제공된다. 각각의 샤프트(330)는 그 길이방향이 제1방향(12)과 수직한 제2방향(14)을 향하도록 제공된다. 샤프트들(330)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배치된다. 각각의 샤프트(330)는 서로 간에 이격되게 배치된다. 샤프트(330)는 입구 및 출구에 대응되는 높이에 위치된다.
반송 롤러(320)는 각각의 샤프트(330)에 복수 개로 제공된다. 반송 롤러(320)는 샤프트(330)에 장착되어 기판(S)의 저면을 지지한다. 반송 롤러(320)는 그 중심축에 홀이 형성되고, 샤프트(330)는 홀에 강제 끼움된다. 반송 롤러(320)는 샤프트(330)와 함께 회전된다.
프레임(340)은 샤프트(330)들이 회전 가능하도록 샤프트(330)들을 지지한다. 프레임(340)은 샤프트(330)의 양측에 각각 배치되어 샤프트(330)들의 양단을 지지한다. 프레임(340)은 그 길이방향이 제1방향(12)을 향하도록 제공된다. 프레임(340)은 샤프트(330)의 양단이 서로 동일한 높이를 가지도록 고정 설치된다.
처리액 공급 유닛(400)은 기판(S) 상에 처리액을 공급한다. 처리액 공급 유닛(400)은 제1처리 공간에서 샤프트(330)의 상부에 위치된다. 처리액 공급 유닛(400)은 제1방향(12)으로 반송되는 기판(S) 상에 처리액을 공급한다. 처리액 공급유닛(400)은 처리액 노즐(400)을 포함한다. 처리액 노즐(400)은 바 형상을 가지며, 그 길이방향이 제2방향(14)을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 처리액 노즐(400)의 길이는 기판(S)의 폭과 대응되거나 이보다 길게 제공될 수 있다. 처리액 노즐(400)의 저면에는 복수의 분사구들이 형성된다. 분사구들은 제2방향(14)을 따라 순차적으로 나열된다. 예컨대, 처리액은 기판과 반응하여 퓸을 발생시키는 케미칼일 수 있다. 처리액은 기판과 반응하여 발열 가능한 케미칼일 수 있다. 처리액은 식각액일 수 있다.
배기 유닛(400)은 제1처리 공간의 분위기를 배기한다. 배기 유닛(400)은 제1처리 공간에서 발생된 퓸을 외부로 배기한다. 또한 배기 유닛(400)은 제1처리 공간의 압력이 일정 압력 이상으로 높아지는 것을 방지한다. 배기 유닛(400)은 배기 배관(420) 및 감압 부재(440)를 포함한다. 배기 배관(420)은 공정 챔버(110) 및 감압 부재(440)를 연결된다. 감압 부재(440)에 의해 발생된 음압은 배기 배관(420)을 통해 제1처리 공간으로 제공된다. 이에 따라 제1처리 공간에서 발생된 퓸은 배기 배관(420)을 통해 배기된다. 선택적으로, 제1처리 공간은 배기 배관(420)을 통해 자연 배기될 수 있다.
세정 모듈(200)은 세정 챔버(210) 및 세정액 공급 유닛(500)을 포함한다. 세정 챔버(210)는 공정 챔버(110)와 대체로 유사한 형상을 가진다. 세정 챔버(210)는 직육면체 형상을 가지도록 제공된다. 세정 챔버(210)는 내부에 제2처리 공간을 제공한다. 세정 챔버(210)의 양단에는 개구가 형성된다. 세정 챔버(210)의 일단에 형성된 개구는 기판(S)이 반입되는 입구로 제공되고, 타단에 형성된 개구는 기판(S)이 반입되는 출구로 제공된다. 세정 챔버(210)의 입구는 공정 챔버(110)의 출구와 대향되게 위치된다. 상술한 바와 같이, 반송 유닛(300)은 제1방향(12)을 따라 제1처리 공간 및 제2처리 공간 각각에 연장되게 위치된다. 반송 유닛(300)은 제1처리 공간에 제공된 기판(S)을 제1방향(12)에 따라 제2처리 공간으로 반송한다.
세정액 공급 유닛(500)은 제2처리 공간에 위치된 기판(S)으로 세정액을 공급한다. 세정액 공급 유닛(500)은 세정 노즐(500)을 포함한다. 세정 노즐(500)은 바 형상을 가지며, 그 길이방향이 제2방향(14)을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 세정 노즐(500)의 길이는 기판(S)의 폭과 대응되거나 이보다 길게 제공될 수 있다. 세정 노즐(500)의 저면에는 슬릿 형상의 분사구들이 형성된다. 분사구의 길이방향은 제2방향(14)을 향하도록 제공된다. 예컨대, 세정액은 순수일 수 있다.
다음은 공정 챔버(110)에 대해 보다 상세히 설명한다. 도 4는 도 2의 공정 모듈의 공정 챔버를 보여주는 사시도이다. 도 4를 참조하면, 공정 챔버는 하우징(120) 및 도어 어셈블리(130)를 포함한다. 하우징(120)은 대체로 직육면체 형상을 가지도록 제공된다. 하우징(120)의 상면에는 개구가 형성된다.
도어 어셈블리(130)는 하우징(120)의 상면에 형성된 개구를 개폐한다. 하우징(120) 내부에 형성된 제1처리 공간은 도어 어셈블리(130)에 의해 개폐된다. 도어 어셈블리(130)는 커버(140), 실링 부재(150), 잠금 부재(160), 위치 측정 부재(170), 감지 부재(180), 그리고 제어기(190)를 포함한다. 커버(140)는 하우징(120)의 개구와 대체로 유사한 형상의 판으로 제공된다. 커버(140)는 하우징(120)의 개구와 대응되거나 이보다 조금 큰 크기를 가진다. 커버(140)는 직사각의 판 형상으로 제공될 수 있다. 커버(140)는 그 일단이 하우징(120)에 힌지 결합된다. 커버(140)는 힌지축을 중심으로 차단 위치 및 개방 위치로 이동된다. 차단 위치는 커버(140)가 하우징(120)에 밀착되어 제1처리 공간을 차단하는 위치이고, 개방 위치는 차단 위치를 벗어난 위치이다.
실링 부재(150)는 커버(140)와 하우징(120) 간의 틈을 실링한다. 실링 부재(150)는 하우징(120)의 상면에 형성된 개구를 감싸는 링 형상을 가지도록 제공된다. 실링 부재(150)는 하우징(120)의 내측면에 고정 결합된다. 실링 부재(150)는 커버(140)와 대응되거나 이보다 조금 작은 크기를 가지도록 제공될 수 있다. 실링 부재(150)는 직사각의 링 형상으로 제공될 수 있다.
잠금 부재(160)는 커버(140)가 차단 위치에 고정시킨다. 잠금 부재(160)는 차단 위치에 위치된 커버(140)가 하우징(120)에 밀착되도록 커버(140)와 하우징(120) 간에 인력을 작용한다. 잠금 부재(160)는 제1자석(162) 및 제2자석(164)을 포함한다. 제1자석(162) 및 제2자석(164) 각각은 복수 개로 제공된다. 제1자석(162) 및 제2자석(164)은 서로 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 제1자석(162)은 커버(140)와 하우징(120) 중 어느 하나에 제공되고, 제2자석(164)은 다른 하나에 제공된다. 커버(140)가 차단 위치에 위치된 상태에서 제1자석(162) 및 제2자석(164)은 서로 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 제1자석(162)은 하우징(120)에 제공되고, 제2자석(164)은 커버(140)에 제공될 수 있다.
위치 측정 부재(170)는 커버(140)의 위치를 측정한다. 위치 측정 부재(170)는 커버(140)의 개방 위치 및 차단 위치를 측정한다. 위치 측정 부재(170)는 광 센서(170)를 포함한다. 광 센서(170)는 발광기(172) 및 수광기(174)를 포함한다. 발광기(172) 및 수광기(174)는 서로 일대일 대응되는 개수로 제공된다. 발광기(172)는 커버(140)와 하우징(120) 중 어느 하나에 제공되며, 수광기(174)는 다른 하나에 제공된다. 커버(140)가 차단 위치에 위치된 상태에서 발광기(172)와 수광기(174)는 서로 대향되게 위치된다. 커버(140)가 차단 위치에 위치된 상태에서 발광기(172)로부터 조사된 광 소자는 수광기(174)에 수광된다. 일 예에 의하면, 발광기(172)는 하우징(120)의 내측면에 제공되고, 수광기(174)는 커버(140)의 일측면에 제공될 수 있다. 발광기(172)는 제1자석(162)과 인접하게 위치되고, 수광기(174)는 제2자석(164)과 인접하게 위치될 수 있다.
감지 부재(180)는 커버(140)와 하우징(120) 간의 실링 상태를 감지한다. 감지 부재(180)는 제1처리 공간의 상태를 근거로 실링 상태를 감지한다. 감지 부재(180)는 연결 배관(182) 및 측정 센서(184)를 포함한다. 연결 배관(182)은 하우징(120)의 일면에 연결된다. 연결 배관(182)은 그 내부가 제1처리 공간과 통하도록 하우징(120)에 연결된다. 일 예에 의하면, 연결 배관(182)이 연결되는 하우징(120)의 일면은 상면일 수 있다. 측정 센서(184)는 연결 배관(182)의 내부 상태를 측정한다. 측정 센서(184)는 연결 배관(182)의 내부 압력을 측정한다.
제어기(190)는 수광기(174) 및 측정 센서(184)로부터 측정된 정보를 제공받아 커버(140)와 하우징(120) 간의 실링 상태를 정상 상태 또는 불량 상태로 판단한다. 제어기(190)는 커버(140)가 차단 위치에 위치되면, 측정 센서(184)로부터 전달된 측정값을 기설정 범위와 비교하여 정상 상태 또는 불량 상태를 판단한다. 여기서 정상 상태는 측정값이 기설정 범위에 포함되는 상태이고, 불량 상태는 측정값이 기설정 범위를 벗어난 상태이다. 제어기(190)는 커버(140)와 하우징(120) 간의 실링 상태가 불량 상태라고 판단되면, 알람을 발생한다. 도 6은 도 2의 기판 처리 장치를 이용하여 커버와 하우징 간의 실링 상태를 감지하는 플로우 차트이다. 도 6을 참조하면, 커버(140)는 개방 위치에서 차단 위치로 이동되어 하우징(120)을 차단하고, 기판의 액 처리 공정이 수행된다. 커버(140)가 차단 위치로 이동되면, 발광기(172)와 수광기(174)는 서로 대향되게 위치된다. 발광기(172)로부터 조사된 광 소자는 수광기(174)로 제공된다. 수광기(174)에 광 소자가 수광되면, 제어기(190)는 측정 센서(184)로부터 측정값을 전달받는다. 제어기(190)는 측정값을 기설정 범위와 비교하여 그 실링 상태가 정상 상태인지 불량 상태인지를 판단한다. 커버(140)와 하우징(120) 간의 실링 상태가 불량 상태라고 판단되면, 처리 공간에 발생된 퓸이 공정 챔버의 외부로 누출되었다고 판단하고 알람을 발생하여 이를 작업자에게 알린다.
상술한 실시예에는 감지 부재(180)가 공정 모듈(100)에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 감지 부재(180)는 공정 모듈(100) 및 세정 모듈(200) 각각에 제공될 수 있다.
또한 감지 부재(180)의 측정 센서(184)는 처리 공간과 통하는 연결 배관(182)을 통해 처리 공간의 상태를 측정한다. 이로 인해 처리 공간에서 발생된 퓸에 의해 측정 센서(184)가 손상되는 것을 최소화할 수 있다.
120: 하우징 130: 도어 어셈블리
140: 커버 180: 감지 부재
182: 연결 배관 184: 측정 센서

Claims (9)

  1. 내부에 기판을 처리하는 처리공간을 제공하며 개구가 형성되는 하우징과;
    상기 개구를 개방하는 개방 위치 및 상기 개구를 차단하는 차단 위치로 이동 가능한 커버를 가지는 도어 어셈블리와;
    상기 하우징 및 상기 커버 간의 실링 상태를 감지하는 감지 부재를 포함하되,
    상기 감지 부재는
    상기 처리공간과 통하도록 상기 하우징에 연결되는 연결 배관과;
    상기 연결 배관의 내부 상태를 측정하는 측정 센서를 포함하고,
    상기 개구와 인접한 상기 하우징의 영역에는 관통홀이 형성되고, 상기 연결 배관은 상기 관통홀이 연결되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 내부 상태는 압력을 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 측정 센서로부터 전달된 측정값을 통해 상기 실링 상태를 정상 상태 또는 불량 상태로 판단하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 정상 상태는 상기 측정값이 기설정 범위 값에 포함되는 상태이고, 상기 불량 상태는 상기 측정값이 상기 기설정 범위 값을 벗어난 상태로 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 도어 어셈블리는,
    상기 차단 위치에 위치된 상기 커버와 상기 하우징을 서로 결합시키는 잠금 부재와;
    상기 개방 위치 또는 상기 차단 위치에 위치된 상기 커버의 위치를 측정하는 위치 측정 부재를 포함하되,
    상기 위치 측정 부재는,
    상기 커버 및 상기 하우징 중 어느 하나에 제공되는 발광기와;
    상기 커버 및 상기 하우징 중 다른 하나에 제공되며, 상기 개구가 차단된 상태에서 상기 발광기로부터 발광 소자를 수광하는 수광기를 포함하고,
    상기 제어기는 상기 수광기에 상기 발광 소자가 수광되면, 상기 실링 상태를 판단하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 처리 공간에서 기판을 일 방향으로 반송시키는 반송 유닛과;
    상기 반송 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판 상에 처리액을 공급하여 처리 공정을 수행하는 방법에 있어서,
    상기 처리 공정은 하우징의 내부에 제공된 처리 공간에서 수행되며, 상기 처리 공간은 커버에 의해 외부와 밀폐되되,
    상기 처리 공정이 수행되는 중에는 상기 하우징과 상기 커버 간의 실링 상태를 감지하여 상기 처리 공간에서 발생된 퓸이 누출되는 것을 감지하는 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 실링 상태를 감지하는 것은,
    상기 처리 공간의 내부 압력을 측정한 측정값이 기설정 범위에 포함되면 상기 실링 상태를 정상 상태로 판단하고,
    상기 측정값이 상기 기설정 범위를 벗어나면 상기 실링 상태를 불량 상태로 판단하는 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 처리 공간의 내부 압력을 측정하는 것은,
    상기 하우징에 연결되며 상기 처리 공간과 통하는 연결 배관의 내부 압력을 측정하는 기판 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009158786A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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