JP4853968B2 - ウェハの位置決め方法および位置決め装置 - Google Patents
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Description
特にウェハが、例えばその表面に保護フィルムが貼付された薄い円板型の半導体ウェハであっても、そのエッジ位置を正確に検出して回転テーブル上に精度良く位置決めすることのできるウェハの位置決め方法および位置決め装置を提供することを目的としている。
テーブルに載置したウェハのエッジ位置を複数箇所に亘ってそれぞれ検出すると共に、検出したエッジ位置における前記受光パターンの傾きから該エッジ位置と前記ラインセンサとの光軸間距離をそれぞれ求めて前記ウェハの反りおよび/または撓みを検出し、検出した反りおよび/または撓みに従って前記検出したエッジ位置を補正して前記ウェハの予め設定した基準位置への位置合わせに用いることを特徴としている。
先ず上記各エッジセンサによりテーブルに載置したウェハの同一部位におけるエッジ位置を複数箇所に亘ってそれぞれ検出すると共に、検出したエッジ位置において前記レーザ平行光エッジセンサにて求められた前記受光パターンの傾きから該エッジ位置と前記ラインセンサとの光軸間距離をそれぞれ求めることで前記ウェハの反りおよび/または撓みを検出し、しかる後、検出した反りおよび/または撓みに従って前記結像光学系エッジセンサにて検出したエッジ位置を補正して前記ウェハの予め設定した基準位置への位置合わせに用いることを特徴としている。
先ず上記各エッジセンサにてウェハにおける同一部位のエッジ位置をそれぞれ検出し、これらのエッジ位置の差からそのエッジ検出距離によって変化する前記結像光学系エッジセンサの計測スパンを計測スパン倍率として評価し、しかる後、上記計測スパン倍率に従って前記結像光学系エッジセンサにより検出される前記ウェハのエッジ位置に含まれる計測スパンの誤差を補正し、補正したエッジ位置に従って前記ウェハを予め定められた基準位置に位置合わせすることを特徴としている。
前記回転テーブルの周囲に設けられて該回転テーブル上に載置された前記ウェハのエッジ位置を検出する結像光学系エッジセンサおよびレーザ平行光エッジセンサと、
前記回転テーブルを回転させ、前記結像光学系エッジセンサおよびレーザ平行光エッジセンサにより前記ウェハのエッジ位置を周方向に亘ってそれぞれ検出するエッジ位置検出手段と、
前記結像光学系エッジセンサおよびレーザ平行光エッジセンサにより前記ウェハの周方向に亘ってそれぞれ求められたエッジ位置を前記ウェハに設けられたノッチの検出位相に従って相互に対応付けるエッジ検出部位の位相合わせ手段と、
更には位相が合わせられた同一のエッジ検出部位毎に前記レーザ平行光エッジセンサにて求められたフレネル回折パターンの傾きから該エッジの検出距離を求め、この検出距離に基づいて前記結像光学系エッジセンサにて検出したエッジ位置を補正する補正手段とを具備したことを特徴としている。
r2=(r−Δr)2+Δz2
なる関係から、そのずれ量Δrを
Δr=r−(r2−Δz2)1/2
として求めることができる。従ってウェハWの半径rが既知であり、またエッジセンサによるウェハWのエッジ位置検出距離(ワーキングディスタンスWD)から該エッジの面方向におけるずれ量Δzが明らかとなれば、上述したずれ量Δrの関係からエッジセンサにより検出されたエッジ位置を補正することができる。
A(Δx)=1.37・sech{1.98(2/λz)1/2Δx−2.39}
として与えられる。従って前述したフレネル回折パターンにおいて、例えば受光量が[0.25]となる位置と、受光量が[0.75]となる位置の距離Δx[μm]を求めれば、上記近似式を逆算することでそのワーキングディスタンスWDを計算することができる。更にはレーザ光の波長λとして、例えば670[nm]を代入することで、そのワーキングディスタンスWDを
z=0.001153・Δx2
として算出することが可能となる。但し、Δxの単位は[μm]であり、zの単位は[mm]である。
K=1−(Ea−Eb)/Eb
として与えられる。そして結像光学系エッジセンサ21にて検出されるウェハWのエッジ位置Ecは、保護フィルムFのエッジ位置Eaと同じ計測スパン倍率の下で求められているので、上述した保護フィルムFのエッジ位置検出結果から求められる計測スパン倍率Kを上記エッジ位置Ecに乗じることで該結像光学系エッジセンサ21にて検出されたウェハWのエッジ位置Ecに含まれる計測スパン誤差を打ち消す(補正する)ことができる。前述した計測スパン倍率検出処理31は、このような観点に立脚して結像光学系エッジセンサ21およびレーザ平行光エッジセンサ11にてそれぞれ検出される同一部位における保護フィルムFのエッジ位置の差から計測スパン倍率Kを求め、結像光学系エッジセンサ21の計測スパンを評価している。
x=R・cosθ
y=R・sinθ
としてウェハWの中心位置[x,y]を求める。そしてこのウェハWの中心位置[x,y]を回転テーブルTの回転軸に位置付けるように該ウェハWを位置決めすれば良い。
2 コリメータレンズ
3 ラインセンサ
5 拡散光の面光源
6 結像レンズ
8 ラインセンサ
11 レーザ平行光エッジセンサ
12 エッジ位置検出処理
13 WD検出処理
14 反り/撓み検出処理
15 ずれ補正処理
21 結像光学系エッジセンサ
22,23,24 エッジ位置検出処理
25 WD検出処理
26 反り/撓み検出処理
27 ずれ補正処理
31 計測スパン倍率検出処理
32 WD検出処理
33 反り/撓み検出処理
34 ずれ補正処理
Claims (8)
- ラインセンサに向けて照射したレーザ平行光の検出対象物のエッジにて生じたフレネル回折を、前記ラインセンサ上での画素セル配列方向における受光パターンから解析して前記検出対象物のエッジ位置を検出するレーザ平行光エッジセンサを用い、
テーブルに載置したウェハの複数箇所のエッジ位置を検出すると共に、検出したエッジ位置における前記受光パターンの傾きから該エッジ位置と前記ラインセンサとの光軸間距離をそれぞれ求めて前記ウェハの反りおよび/または撓みを検出し、検出した反りおよび/または撓みに従って前記検出したエッジ位置を補正して前記ウェハの予め設定した基準位置への位置合わせに用いることを特徴とするウェハの位置決め方法。 - 拡散光にて透過照明され、結像光学系を介してラインセンサにて撮像される検出対象物の像の画素セル配列方向におけるレベル変化から上記検出対象物のエッジ位置を検出する結像光学系エッジセンサと、
ラインセンサに向けて照射したレーザ平行光の検出対象物のエッジにて生じたフレネル回折を、前記ラインセンサ上での画素セル配列方向における受光パターンから解析して前記検出対象物のエッジ位置を検出するレーザ平行光エッジセンサとを用い、
テーブルに載置したウェハの同一部位のエッジ位置を複数箇所に亘ってそれぞれ検出すると共に、
検出したエッジ位置において前記レーザ平行光エッジセンサにて求められた前記受光パターンの傾きから該エッジ位置と前記ラインセンサとの光軸間距離をそれぞれ求めて前記ウェハの反りおよび/または撓みを検出し、
検出した反りおよび/または撓みに従って前記結像光学系エッジセンサにて検出したエッジ位置を補正して前記ウェハの予め設定した基準位置への位置合わせに用いることを特徴とするウェハの位置決め方法。 - 前記結像光学系エッジセンサを用いて検出したエッジ位置の補正は、前記受光パターンの傾きから求められる該レーザ平行光エッジセンサのラインセンサと前記ウェハのエッジとの光軸間距離に従って、前記結像光学系エッジセンサにおける計測スパンの誤差を補正した上で行われるものである請求項2に記載のウェハの位置決め方法。
- 拡散光にて透過照明され、結像光学系を介してラインセンサにて撮像される検出対象物の像の画素セル配列方向における受光レベルの変化から上記検出対象物のエッジ位置を検出する結像光学系エッジセンサと、
ラインセンサに向けて照射したレーザ平行光の検出対象物のエッジにて生じたフレネル回折を、前記ラインセンサ上での画素セル配列方向における受光パターンから解析して前記検出対象物のエッジ位置を検出するレーザ平行光エッジセンサとを用い、
ウェハにおける同一部位のエッジ位置を複数箇所に亘ってそれぞれ検出し、これらの各同一部位でのエッジ位置の差からそのエッジ検出距離によって変化する前記結像光学系エッジセンサの計測スパンを計測スパン倍率として評価し、
この計測スパン倍率に従って前記結像光学系エッジセンサにより検出される前記ウェハのエッジ位置に含まれる計測スパンの誤差を補正し、計測スパン誤差の補正により補正されたエッジ位置を前記ウェハの予め設定した基準位置への位置合わせに用いることを特徴とするウェハの位置決め方法。 - 拡散光にて透過照明され、結像光学系を介してラインセンサにて撮像される検出対象物の像の画素セル配列方向における受光レベルの変化から上記検出対象物のエッジ位置を検出する結像光学系エッジセンサと、
ラインセンサに向けて照射したレーザ平行光の検出対象物のエッジにて生じたフレネル回折を、前記ラインセンサ上での画素セル配列方向における受光パターンから解析して前記検出対象物のエッジ位置を検出するレーザ平行光エッジセンサとを用い、
ウェハにおける同一部位のエッジ位置を複数箇所に亘ってそれぞれ検出し、これらの同一部位におけるエッジ位置の差からそのエッジ検出距離によって変化する前記結像光学系エッジセンサの計測スパンを計測スパン倍率として評価し、
この計測スパン倍率に従って前記エッジ位置と前記結像光学系エッジセンサのラインセンサとの光軸間距離を求めて前記ウェハの反りおよび/または撓みを検出すると共に、検出した反りおよび/または撓みと前記計測スパン倍率とに従って前記結像光学系エッジセンサにて検出されるエッジ位置を補正して前記ウェハの予め設定した基準位置への位置合わせに用いることを特徴とするウェハの位置決め方法。 - 前記ウェハは、その表面に保護フィルムを貼付した薄い半導体ウェハであって、
前記レーザ平行光エッジセンサにより前記保護フィルムのエッジを検出すると共に、前記結像光学系エッジセンサにより前記半導体ウェハのエッジを検出するものである請求項4〜5のいずれかに記載のウェハの位置決め方法。 - 表面に保護フィルムを貼付した円板状のウェハを回転テーブル上に同軸に位置合わせするウェハの位置決め装置であって、
前記回転テーブルの周囲に設けられて該回転テーブル上に載置された前記ウェハのエッジ位置を検出する結像光学系エッジセンサおよびレーザ平行光エッジセンサと、
前記回転テーブルを回転させ、前記結像光学系エッジセンサおよびレーザ平行光エッジセンサにより前記ウェハのエッジ位置を周方向に亘ってそれぞれ検出するエッジ位置検出手段と、
前記結像光学系エッジセンサおよびレーザ平行光エッジセンサにより前記ウェハの周方向に亘ってそれぞれ求められたエッジ位置を前記ウェハに設けられたノッチの検出位相に従って相互に対応付けるエッジ検出部位の位相合わせ手段と、
位相が合わせられた同一のエッジ検出部位毎に前記レーザ平行光エッジセンサにて求められたフレネル回折パターンの傾きから該エッジの検出距離を求め、この検出距離に基づいて前記結像光学系エッジセンサにて検出したエッジ位置を補正する補正手段と
を具備したことを特徴とするウェハの位置決め装置。 - 表面に保護フィルムを貼付した円板状のウェハを回転テーブル上に同軸に位置合わせするウェハの位置決め装置であって、
前記回転テーブルの周囲に設けられて該回転テーブル上に載置された前記ウェハのエッジ位置を検出する結像光学系エッジセンサおよびレーザ平行光エッジセンサと、
前記回転テーブルを回転させ、前記結像光学系エッジセンサおよびレーザ平行光エッジセンサにより前記ウェハのエッジ位置を周方向に亘ってそれぞれ検出するエッジ位置検出手段と、
前記結像光学系エッジセンサおよびレーザ平行光エッジセンサにより前記ウェハの周方向に亘ってそれぞれ求められたエッジ位置を前記ウェハに設けられたノッチの検出位相に従って相互に対応付けるエッジ検出部位の位相合わせ手段と、
位相が合わせられた同一のエッジ検出部位毎に前記レーザ平行光エッジセンサにて求められたエッジ位置と前記結像光学系エッジセンサにて求められたエッジ位置との差から前記結像光学系エッジセンサの計測スパン倍率を求め、この計測スパン倍率に従って前記結像光学系エッジセンサにて検出したエッジ位置を補正する補正手段と
を具備したことを特徴とするウェハの位置決め装置。
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