KR101903598B1 - 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법 및 이를 이용한 레이저 가공방법 - Google Patents

웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법 및 이를 이용한 레이저 가공방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101903598B1
KR101903598B1 KR1020160125583A KR20160125583A KR101903598B1 KR 101903598 B1 KR101903598 B1 KR 101903598B1 KR 1020160125583 A KR1020160125583 A KR 1020160125583A KR 20160125583 A KR20160125583 A KR 20160125583A KR 101903598 B1 KR101903598 B1 KR 101903598B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
distance
deformation
center
height change
Prior art date
Application number
KR1020160125583A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180035465A (ko
Inventor
최미진
지대공
Original Assignee
주식회사 이오테크닉스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이오테크닉스 filed Critical 주식회사 이오테크닉스
Priority to KR1020160125583A priority Critical patent/KR101903598B1/ko
Publication of KR20180035465A publication Critical patent/KR20180035465A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101903598B1 publication Critical patent/KR101903598B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법 및 이를 이용한 레이저 가공방법이 개시된다. 개시된 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법은 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화를 측정하는 방법에 있어서, 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지 상기 웨이퍼가 선형적으로 변형된다고 가정하는 단계; 상기 웨이퍼의 상부에 마련된 비젼 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 측정 거리인 제1 거리를 획득하는 단계; 상기 제1 거리와 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 실제 거리인 제2 거리를 이용하여, 상기 웨이퍼의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계; 및 상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계;를 포함한다.

Description

웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법 및 이를 이용한 레이저 가공방법{Height change measuring method according to deformation of wafer and laser processing method using the same}
웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법 및 이를 이용한 레이저 가공방법 에 관한 것으로, 상세하게는 비젼 카메라를 통해 웨이퍼의 특정 지점간의 거리를 획득하고, 특정 지점간의 실제 거리를 이용하여 임의 위치에서의 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화를 측정할 수 있는 웨이퍼 변형에 따른 높이 변화 측정 방법 및 이를 이용한 레이저 가공방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조공정에서 웨이퍼 상에는 많은 칩들이 형성된다. 그런데, 웨이퍼의 크기는 커지는 반면에 웨이퍼의 두께는 얇아지면서 웨이퍼의 휘어짐(워피지;warpage)이 큰 문제가 되고 있다.
한편, 다수의 칩이 형성된 웨이퍼는 자중, 웨이퍼 표면의 코팅 및 기타 가공 등의 영향으로 일정 방향으로 휘어지는 현상이 발생된다. 이러한 휨 현상은 웨이퍼의 크기가 크고, 두께가 얇을수록 그리고 코팅재질의 경화 시 수축량이 클수록 크게 나타난다. 이때 휨 현상에 의한 웨이퍼의 가공면의 높이 편차가 레이저 빔의 초점심도보다 큰 경우, 가공면 상의 칩의 위치에 따라서 레이저 출력의 밀도(beam density)와 레이저 빔의 크기가 달라져서 가공 품질이 저하되고 선폭도 일정하지 않게 되며, 가공 위치도 틀려지는 문제가 발생된다.
종래에는 높이 측정 센서를 이용하여 웨이퍼의 부분별 높이를 측정하는 방법이 이용되고 있다. 다만, 웨이퍼 상의 다수의 위치의 높이 변화를 측정하기 위해서는 검사 소요시간이 증가하는 등의 문제가 있었다.
예시적인 실시예는 비젼 카메라를 통한 웨이퍼의 중심으로부터 웨이퍼의 가장자리까지의 측정 거리 및 웨이퍼의 중심으로부터 웨이퍼의 가장자리까지의 실제 거리를 이용하여, 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산할 수 있는 웨이퍼의 높이 변화 측정 방법 및 이를 이용한 레이저 가공방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법은 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화를 측정하는 방법에 있어서, 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지 상기 웨이퍼가 선형적으로 변형된다고 가정하는 단계; 상기 웨이퍼의 상부에 마련된 비젼 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 측정 거리인 제1 거리를 획득하는 단계; 상기 제1 거리와 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 실제 거리인 제2 거리를 이용하여, 상기 웨이퍼의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계; 및 상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계;를 포함한다.
상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계는, 상기 비젼 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 임의 위치로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 측정 거리인 제3 거리를 획득하는 단계; 및 상기 제1 거리, 상기 제3 거리 및 상기 웨이퍼의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화를 이용하여, 상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계; 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계는, 상기 비젼 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 임의 위치까지의 측정 거리인 제3 거리를 획득하는 단계; 및 상기 제1 거리, 상기 제3 거리 및 상기 웨이퍼의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화를 이용하여, 상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계; 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공방법은 웨이퍼에 레이저 가공을 수행하는 레이저 가공방법에 있어서, 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지 상기 웨이퍼가 선형적으로 변형된다고 가정하는 단계; 상기 웨이퍼의 상부에 마련된 비젼 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 측정 거리인 제1 거리를 획득하는 단계; 상기 제1 거리와 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 실제 거리인 제2 거리를 이용하여, 상기 웨이퍼의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계; 상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계; 및 상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 반영하여, 상기 임의 위치에 레이저 가공을 수행하는 단계;를 포함한다.
상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계는, 상기 비젼 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 임의 위치로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 측정 거리인 제3 거리를 획득하는 단계; 및 상기 제1 거리, 상기 제3 거리 및 상기 웨이퍼의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화를 이용하여, 상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계; 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계는, 상기 비젼 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 임의 위치까지의 측정 거리인 제3 거리를 획득하는 단계; 및 상기 제1 거리, 상기 제3 거리 및 상기 웨이퍼의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화를 이용하여, 상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계; 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에 따른 웨이퍼의 높이 변화 측정 방법은 비젼 카메라를 통한 웨이퍼의 중심으로부터 웨이퍼의 가장자리까지의 측정 거리 및 웨이퍼의 중심으로부터 웨이퍼의 가장자리까지의 실제 거리를 이용하여, 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산할 수 있으므로, 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 빠른 속도로 측정할 수 있다.
또한, 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화를 반영하여 웨이퍼에 레이저 가공을 수행하므로, 가공 위치의 정확도 및 가공 품질이 향상될 수 있다.
도 1은 스테이지 상에 웨이퍼가 안착되는 경우, 웨이퍼의 휘어짐(워피지;warpage)이 발생하는 것을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 예시적인 실시예에 따른 레이저 가공장치를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3 내지 도 5는 웨이퍼에 휘어짐(워피지;warpage)이 발생하였을 때, 웨이퍼의 중심으로부터 웨이퍼의 가장자리까지 선형적으로 변형된다고 가정하고 웨이퍼를 개략적으로 도시한 것이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 스테이지(30) 상에 웨이퍼(W)가 안착되는 경우, 웨이퍼(W)의 휘어짐(워피지;warpage)이 발생하는 것을 개략적으로 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 스테이지(30)에 안착된 웨이퍼(W)는 중력방향으로 휘어지는 현상이 발생할 수 있다. 이러한 휨 현상은 웨이퍼(W)의 크기가 크고, 두께가 얇을수록 그리고 코팅재질의 경화 시 수축량이 클수록 크게 나타날 수 있다. 특히, 웨이퍼(W)의 중심(O)은 변형에 따른 높이 변화가 가장 크게 나타날 수 있다. 이러한 웨이퍼(W)의 휨 현상에 의판 웨이퍼(W)의 가공면의 높이 편차가 레이저 빔의 초점심도보다 큰 경우, 가공면 상의 칩의 위치에 따라서 레이저 출력의 밀도(beam density)와 레이저 빔의 크기가 달라져서 가공 품질이 저하되고 선폭도 일정하지 않게 되며, 가공 위치도 틀려질 수 있다.
도 2는 예시적인 실시예에 따른 레이저 가공장치(100)를 개략적으로 도시한 것이다. 도 2를 참조하면, 레이저 가공장치(100)는 레이저 헤드(10), 비젼 카메라(20), 웨이퍼(W)가 안착되는 스테이지(30) 및 제어부(40)를 포함한다.
레이저 헤드(10)는 레이저 빔을 출사시킬 수 있다. 레이저 헤드(10)는 스테이지(30)의 하방에 배치되어 스테이지(30)의 개구부를 통해 노출되는 웨이퍼(W)에 마련된 반도체 칩들에 레이저 빔을 조사하여 가공 작업을 수행할 수 있다. 레이저 헤드(10)를 포함하는 레이저 시스템은 레이저 빔이 발생되는 레이저 발진기(미도시), 레이저 발진기로부터 출사된 레이저 빔을 웨이퍼의 하방으로 유도하기 위해 경로를 형성해 주는 반사 미러(미도시), 레이저 빔을 소정 각도로 편향시키기 위한 갈바노미터 스캐너(미도시), 레이저 빔의 수차를 보정하기 위한 f-theta 렌즈(미도시) 등을 포함할 수 있다.
비젼 카메라(20)는 웨이퍼(W)에 마련된 반도체 칩들을 촬영하여, 반도체 칩들의 위치를 인식할 수 있다. 인식된 반도체 칩들의 위치정보로부터 칩들의 위치를 파악하여 레이저 헤드(10)로부터 출사되는 레이저 빔을 이용하여 반도체 칩들에 가공 작업을 수행할 수 있다.
또한, 비젼 카메라(20)는 웨이퍼(W)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지의 거리를 측정할 수 있다. 스테이지(30)에 안착된 웨이퍼(W)는 휘어짐에 따른 높이 변화가 발생할 수 있기 때문에, 비젼 카메라(20)를 통해 측정된 웨이퍼(W)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지의 거리는 실제 웨이퍼(W)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지의 거리보다 짧을 수 있다.
또한, 비젼 카메라(20)는 웨이퍼(W)의 임의 위치로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지의 거리를 측정하거나, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 임의 위치까지의 거리를 측정할 수 있다. 스테이지(30)에 안착된 웨이퍼(W)는 훼어짐에 따른 높이 변화가 발생할 수 있기 때문에, 비젼 카메라(20)를 통해 측정된 웨이퍼(W)의 임의 위치로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지의 거리는 실제 웨이퍼(W)의 임의 위치로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지의 거리보다 짧을 수 있다. 또한, 스테이지(30)에 안착된 웨이퍼(W)는 훼어짐에 따른 높이 변화가 발생할 수 있기 때문에, 비젼 카메라(20)를 통해 측정된 웨이퍼(W)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 임의 위치까지의 거리는 실제 웨이퍼(W)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 임의 위치까지의 거리보다 짧을 수 있다.
제어부(40)는 비젼 카메라(20)를 통해 측정된 웨이퍼(W)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지의 거리 및 실제 웨이퍼(W)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지의 거리를 이용하여 웨이퍼(W)의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산할 수 있다. 또한, 제어부(40)는 웨이퍼(W)의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화 및 비젼 카메라(20)를 통해 측정된 웨이퍼(W)의 임의 위치로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지의 거리 또는 웨이퍼(W)의 중심으로부터 웨이퍼(W)의 임의 위치까지의 거리를 이용하여 웨이퍼(W)의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산할 수 있다.
또한, 제어부(40)는 웨이퍼(W)의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 반영하여 레이저 헤드(10)가 웨이퍼(W)에 레이저 가공을 수행할 수 있도록 레이저 헤드(10)를 제어할 수 있다.
도 3 내지 도 5는 웨이퍼(W)에 휘어짐(워피지;warpage)이 발생하였을 때, 웨이퍼(W)의 중심(O)으로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지 선형적으로 변형된다고 가정하고 웨이퍼(W)를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 웨이퍼(W)의 중심(O)으로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지 웨이퍼(W)가 선형적으로 변형된다고 가정한다.
다음, 비젼 카메라(20)를 통해 웨이퍼(W)의 중심(O')으로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지의 측정 거리인 제1 거리(L1)를 획득할 수 있다.
다음, 제1 거리(L1)와 웨이퍼(W)의 중심(O)으로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지의 실제 거리인 제2 거리(L2)를 이용하여 웨이퍼(W)의 중심(O)에서의 변형에 따른 높이 변화(H0)를 계산할 수 있다. 웨이퍼(W)의 중심(O)에서의 변형에 따른 높이 변화(H0)는 다음과 같은 수식을 통해 계산될 수 있다.
Figure 112016094664460-pat00001
도 4를 참조하면, 웨이퍼(W)의 임의 위치(P)에서의 변형에 따른 높이 변화(H1)를 계산하기 위해, 비젼 카메라(20)를 통해 웨이퍼(W)의 임의 위치(P')로부터 웨이퍼(W)의 가장자리까지의 측정 거리인 제3 거리(L3)를 획득할 수 있다.
다음, 제1 거리(L1), 제3 거리(L3) 및 웨이퍼(W)의 중심(O)에서의 변형에 따른 높이 변화(H0)를 이용하여, 웨이퍼(W)의 임의 위치(P)에서의 변형에 따른 높이 변화(H1)를 계산할 수 있다.
도 5를 참조하면, 웨이퍼(W)의 임의 위치(P)에서의 변형에 따른 높이 변화(H1)를 계산하기 위해, 비젼 카메라(20)를 통해 웨이퍼(W)의 중심(O')으로부터 웨이퍼(W)의 임의 위치(P')까지의 측정 거리인 제3 거리(L3')를 획득할 수 있다.
다음, 제1 거리(L1), 제3 거리(L3') 및 웨이퍼(W)의 중심(O)에서의 변형에 따른 높이 변화(H0)를 이용하여, 웨이퍼(W)의 임의 위치(P)에서의 변형에 따른 높이 변화(H1)를 계산할 수 있다.
제어부(40)는 웨이퍼(W)의 임의 위치(P)에서의 변형에 따른 높이 변화(H1)를 반영하여 레이저 헤드(10)가 웨이퍼(W)의 임의 위치(P)에 레이저 가공을 수행할 수 있도록 레이저 헤드(10)를 제어할 수 있다.
예시적인 실시예에 따른 웨이퍼의 높이 변화 측정 방법은 비젼 카메라를 통한 웨이퍼의 중심으로부터 웨이퍼의 가장자리까지의 측정 거리 및 웨이퍼의 중심으로부터 웨이퍼의 가장자리까지의 실제 거리를 이용하여, 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산할 수 있으므로, 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 빠른 속도로 측정할 수 있다.
또한, 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화를 반영하여 웨이퍼에 레이저 가공을 수행하므로, 가공 위치의 정확도 및 가공 품질이 향상될 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10 … 레이저 헤드
20 … 비젼 카메라
30 … 스테이지
40 … 제어부
100 … 레이저 가공장치
W … 웨이퍼
L1 … 제1 거리
L2 … 제2 거리
L3, L3' … 제3 거리
O, O' … 웨이퍼의 중심
P, P' … 웨이퍼의 임의 위치
H0, H1 … 높이 변화

Claims (6)

  1. 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화를 측정하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지 상기 웨이퍼가 선형적으로 변형된다고 가정하는 단계;
    상기 웨이퍼의 상부에 마련된 비젼 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 측정 거리인 제1 거리를 획득하는 단계;
    상기 제1 거리와 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 실제 거리인 제2 거리를 이용하여, 상기 웨이퍼의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계; 및
    상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계;를 포함하며
    상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계는,
    상기 비젼 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 임의 위치로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 측정 거리 또는 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 임의 위치까지의 측정 거리인 제3 거리를 획득하는 단계; 및
    상기 제1 거리, 상기 제3 거리 및 상기 웨이퍼의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화를 이용하여, 상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계; 를
    포함하는 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 웨이퍼에 레이저 가공을 수행하는 레이저 가공방법에 있어서,
    상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지 상기 웨이퍼가 선형적으로 변형된다고 가정하는 단계;
    상기 웨이퍼의 상부에 마련된 비젼 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 측정 거리인 제1 거리를 획득하는 단계;
    상기 제1 거리와 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 실제 거리인 제2 거리를 이용하여, 상기 웨이퍼의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계;
    상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계; 및
    상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 반영하여, 상기 임의 위치에 레이저 가공을 수행하는 단계;를 포함하며
    상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계는,
    상기 비젼 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 임의 위치로부터 상기 웨이퍼의 가장자리까지의 측정 거리 또는 상기 웨이퍼의 중심으로부터 상기 웨이퍼의 임의 위치까지의 측정 거리인 제3 거리를 획득하는 단계; 및
    상기 제1 거리, 상기 제3 거리 및 상기 웨이퍼의 중심에서의 변형에 따른 높이 변화를 이용하여, 상기 웨이퍼의 임의 위치에서의 변형에 따른 높이 변화를 계산하는 단계; 포함하는 레이저 가공방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
KR1020160125583A 2016-09-29 2016-09-29 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법 및 이를 이용한 레이저 가공방법 KR101903598B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160125583A KR101903598B1 (ko) 2016-09-29 2016-09-29 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법 및 이를 이용한 레이저 가공방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160125583A KR101903598B1 (ko) 2016-09-29 2016-09-29 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법 및 이를 이용한 레이저 가공방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180035465A KR20180035465A (ko) 2018-04-06
KR101903598B1 true KR101903598B1 (ko) 2018-10-04

Family

ID=61973951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160125583A KR101903598B1 (ko) 2016-09-29 2016-09-29 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법 및 이를 이용한 레이저 가공방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101903598B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008196855A (ja) * 2007-02-08 2008-08-28 Yamatake Corp ウェハの位置決め方法および位置決め装置
JP2011177771A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Hitachi High-Technologies Corp レーザ加工方法及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008196855A (ja) * 2007-02-08 2008-08-28 Yamatake Corp ウェハの位置決め方法および位置決め装置
JP2011177771A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Hitachi High-Technologies Corp レーザ加工方法及びレーザ加工装置並びにソーラパネル製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180035465A (ko) 2018-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2769800B1 (en) Laser processing machine
US10668569B2 (en) Laser processing apparatus
KR101469403B1 (ko) 하전 입자선 장치
US10340170B2 (en) Method and device for grooving wafers
CN103252576B (zh) 激光加工装置及激光加工方法
KR20050024275A (ko) 반도체 와이퍼와 같은 공작물을 마킹하는 방법 및시스템과 이에 이용하는 레이저마커
TWI228816B (en) Chip scale marker and marking method
CN108620743B (zh) 切割方法及激光加工装置
JP2017013092A (ja) プリント配線板の製造装置とプリント配線板の製造方法
CN108701678B (zh) 一种标记位置校正装置及方法
JP2009152288A (ja) レーザーダイシング装置及びダイシング方法
KR101857414B1 (ko) 마킹 위치 보정장치 및 방법
JP2007229786A (ja) レーザ加工装置及び焦点合わせ制御方法
TW202000350A (zh) 加工方法及加工裝置
JP2010274267A (ja) レーザー加工機
KR101867390B1 (ko) 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법
KR101903598B1 (ko) 웨이퍼의 변형에 따른 높이 변화 측정 방법 및 이를 이용한 레이저 가공방법
TWI698953B (zh) 校正雷射打印方法
CN115943056A (zh) 激光阵列位置检测
KR20180104682A (ko) 레이저 가공 장치, 및 레이저 가공 방법
JP2018031824A (ja) 露光装置
US10780522B2 (en) Method for automatable or automated determination of the focal position of a laser beam generated by an exposure device
TWI641872B (zh) 拍攝方法及其裝置與對象物排列方法及其裝置
US11491730B2 (en) Three-dimensional printing system with laser calibration system
KR101892576B1 (ko) 복수의 3차원 레이저 스캐너의 캘리브레이션 방법 및 이를 이용한 레이저 가공 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant