JP7391733B2 - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
実施形態にかかる半導体製造装置は、半導体デバイスの製造に用いられる装置であり、例えば、複数の基板が貼り合わせられた貼合基板を処理する際のアライメントに使用され得る。
Dist下=(D下max-D下min)/2・・・数式1
R下=(D下max+D下min)/2・・・数式2
Dist上=(D上max-D上min)/2・・・数式3
R上=(D上max+D上min)/2・・・数式4
Dir下=-α下・・・数式5
Dir上=-α上・・・数式6
Δx=DSC1,SC2×cos(γ-γ0)+(R下-R上)・・・数式7
DSC1,SC2=√(Dist上 2+Dist下 2-2×Dist上×Dist下×cos(Dir上-Dir下))・・・数式8
w1=-(-α下)+δ・・・数式9
δ=cos-1{(DSC1,SC2 2+Dist下 2-Dist上 2)/(2×DSC1,SC2×Dist下)}・・・数式10
Claims (16)
- 第1の基板及び第2の基板が貼り合わせられ半導体装置の製造に用いられる貼合基板が載置され、回転可能である基板ステージと、
前記第1の基板のエッジ及び前記第2の基板のエッジを第1の方向から計測する第1の計測機構と、
前記第1の基板のエッジ及び前記第2の基板のエッジを前記第1の基板の法線に対する角度が前記第1の方向と異なる第2の方向から計測する第2の計測機構と、
前記第1の計測機構の計測結果と前記第2の計測機構の計測結果に応じて、前記基板ステージの回転中心に対する前記第1の基板の中心の第1の位置関係と前記基板ステージの回転中心に対する前記第2の基板の中心の第2の位置関係とを求め、前記第1の位置関係及び前記第2の位置関係に応じて前記第1の基板の中心位置及び前記第2の基板の中心位置を決定するコントローラと、
を備えた半導体製造装置。 - 前記コントローラは、前記第1の計測機構の計測動作の制御と前記第2の計測機構の計測動作の制御とを並行して行い、前記第1の計測機構の計測結果と前記第2の計測機構の計測結果とを並行して取得する
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記コントローラは、前記第1の計測機構の計測動作の制御と前記第2の計測機構の計測動作の制御とを順次に行い、前記第1の計測機構の計測結果と前記第2の計測機構の計測結果とを順次に取得する
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記コントローラは、前記第1の基板の中心位置及び前記第2の基板の中心位置に応じて前記貼合基板の中心位置を決定する
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記コントローラは、前記第1の基板の中心位置又は前記第2の基板の中心位置を前記貼合基板の中心位置に決定する
請求項4に記載の半導体製造装置。 - 前記コントローラは、前記第1の基板の中心位置と前記第2の基板の中心位置との中点を前記貼合基板の中心位置に決定する
請求項4に記載の半導体製造装置。 - 前記第1の基板の外周及び前記第2の基板の外周の少なくとも一方を切削する切削機構をさらに備え、
前記コントローラは、前記第1の基板の中心位置及び前記第2の基板の中心位置に応じて前記貼合基板の中心位置を決定し、前記貼合基板の中心位置に応じて前記切削機構を制御する
請求項1に記載の半導体製造装置。 - 前記コントローラは、前記貼合基板の中心位置が前記基板ステージの回転中心に一致した状態で前記切削機構に前記貼合基板のエッジを切削させる
請求項7に記載の半導体製造装置。 - 前記コントローラは、前記第1の基板の中心位置及び前記第2の基板の中心位置に応じて前記第1の基板の中心位置と前記第2の基板の中心位置との距離を求め、前記距離が許容範囲内か否かを判断する
請求項7に記載の半導体製造装置。 - 第1の基板及び第2の基板が貼り合わせられ半導体装置の製造に用いられる貼合基板が回転可能である基板ステージに載置され回転された状態で前記第1の基板のエッジ及び前記第2の基板のエッジを計測することと、
前記計測の結果に応じて、前記基板ステージの回転中心に対する前記第1の基板の中心の第1の位置関係と前記基板ステージの回転中心に対する前記第2の基板の中心の第2の位置関係とを求めることと、
前記第1の位置関係及び前記第2の位置関係に応じて、前記第1の基板の中心位置及び前記第2の基板の中心位置を決定することと、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記計測は、
前記第1の基板のエッジ及び前記第2の基板のエッジを第1の方向から計測することと、
前記第1の方向からの計測の結果に応じて、前記第1の基板のエッジ及び前記第2の基板のエッジを前記第1の基板の法線に対する角度が前記第1の方向と異なる第2の方向から計測することと、
を含む
請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の基板の中心位置及び前記第2の基板の中心位置に応じて前記貼合基板の中心位置を決定することをさらに備えた
請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記貼合基板の中心位置を決定することは、前記第1の基板の中心位置と前記第2の基板の中心位置との中点を前記貼合基板の中心位置に決定することを含む
請求項12に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記貼合基板の中心位置に応じて前記貼合基板のエッジを切削することをさらに備えた
請求項12に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の基板の中心位置及び前記第2の基板の中心位置に応じて、前記第1の基板及び前記第2の基板の間の貼合ずれを求めることと、
前記貼合ずれが許容範囲に収まっていることに応じて、前記貼合基板の処理が可能であると判定し、前記貼合ずれが前記許容範囲から外れていることに応じて、前記貼合基板の処理が不可であると判定することと、
をさらに備えた
請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の基板の中心位置及び前記第2の基板の中心位置に応じて、前記第1の基板及び前記第2の基板の間の貼合ずれを求めることと、
前記貼合ずれに応じて処理条件を補正し、補正された処理条件で前記貼合基板を処理することと、
をさらに備えた
請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
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