JP2006253387A - 外周研削装置及び貼り合わせ基板の研削方法 - Google Patents
外周研削装置及び貼り合わせ基板の研削方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006253387A JP2006253387A JP2005067411A JP2005067411A JP2006253387A JP 2006253387 A JP2006253387 A JP 2006253387A JP 2005067411 A JP2005067411 A JP 2005067411A JP 2005067411 A JP2005067411 A JP 2005067411A JP 2006253387 A JP2006253387 A JP 2006253387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonded substrate
- grinding
- wafer
- bonded
- base wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】デバイスが作製されるボンドウェーハと支持基板となるベースウェーハとを貼り合わせた貼り合わせ基板の外周部を研削する装置であって、少なくとも、前記貼り合わせ基板をアライメントするアライメント手段と、該アライメント手段によりアライメントされた前記貼り合わせ基板のボンドウェーハの外周部を研削する研削手段とを具備し、前記アライメント手段がベースウェーハを基準として前記貼り合わせ基板をアライメントするものである外周研削装置。
【選択図】図2
Description
例えば、デバイス作製側となる貼り合わせ基板のボンドウェーハの外周部を除いてマスキングテープを粘着し、しかる後にエッチングしてウェーハ周辺部の未結合部を除去するものや(特許文献1参照)、ボンドウェーハの外周部を任意のテラス幅に研削加工し、加工部分をエッチング除去するものがある(特許文献2参照)。
貼り合わせ基板の外周部1〜3mmには、未結合部分が存在することが知られており、この部分を除去するため、様々な技術が開発されている。例えば、ボンドウェーハを任意のテラス幅に外周段差研削を行い、加工部分をエッチング除去する方法がある。
このように貼り合わせ基板を製作する際、外周部の未結合部分を除去するためにボンドウェーハに例えば研削加工等を施す。
しかし、研削加工後の貼り合わせ基板のテラス加工幅において、位置によって大きな差が生じており、公差の縮小が困難であるという問題があった。
そこで、貼り合わせ基板全体ではなく、ベースウェーハだけを基準として貼り合わせ基板をアライメントする研削装置および研削方法を考え出し、本発明を完成させた。
まず、図1を用いて本発明の外周研削装置の一例について説明する。
この外周研削装置1はウェーハ出入ロボット2を備えており、周囲にはウェーハキャリア3が配置されている。また、ウェーハキャリア3の側には仮置き台4が設置されており、外周研削装置1の奥には搬送ロボット5、アライメント手段6、チャックテーブル7、研削手段8が配置されている。
アライメント手段6に運ばれた貼り合わせ基板Wは、保持台12上に保持され、まずノッチ、オリエンテーションフラットの光学的検出などが行われてプリアライメント(粗アライメント)される。その後、アライメント手段6により、貼り合わせ基板Wのベースウェーハを基準としてアライメントされる。
貼り合わせ基板Wは、アライメントされた後に搬送ロボット5によりチャックテーブル7に搬送されて固定され、研削手段8の研削ホイール9により外周部を研削される。
このように、保持台12とピン13の相対位置の調整手段は、ピン13がベースウェーハ11のみに当接してアライメントできるような位置調整を行うことができるものであればよく、特に限定されない。
また、アライメントの際に例えば保持台12とピン13を用いて、保持台12とピン13の貼り合わせ基板Wの厚さ方向の相対位置を調整することにより、また、貼り合わせ基板Wの周囲からピン13をベースウェーハ11に当接させることにより、いかなる厚さ・直径の貼り合わせ基板Wに対してもベースウェーハ11を基準としてアライメントすることができ、そのためボンドウェーハ10の外周部を高精度に研削することができる。
従来方法では、貼り合わせ基板W全体を基準に貼り合わせ基板Wをアライメントして、その後ボンドウェーハ10の外周部に研削が施される。このため、ボンドウェーハ10とベースウェーハ11の貼り合わせにおける平行方向のずれの影響を受け、研削後のボンドウェーハ10とベースウェーハ11との中心軸が一致せず、テラス加工幅L3、L4に差が生じている。このように従来方法ではアライメントの際、貼り合わせのずれに左右され、そのため研削精度にも影響が出て、テラス加工幅の公差は大きなものとなってしまう。
(実施例1)
直径6インチ(150mm)、ベースウェーハ及びボンドウェーハの厚さがそれぞれ625μmのシリコン単結晶ウェーハからなる貼り合わせ基板を50枚用意した。
本発明の外周研削装置を用いて、ベースウェーハを基準としてアライメントし、幅3mm狙いでこれらの貼り合わせ基板の外周部の研削を行った。研削条件としては、#800のダイヤモンド砥石を用い、砥石の周速1600m/min、貼り合わせ基板の周速300mm/minで相互に逆回転させた。研削速度は、0.6mm/minとし、ボンドウェーハの厚さが100μmとなるまで研削して除去した。研削後、NaOHを用いたアルカリエッチングを行い、その後テラス加工幅を4点測定した。
図5より、加工基板の度数が、加工幅3.0mm近傍に集中し狙い通りとなっていることが確認できる。また、3.0mm近傍において加工基板枚数が突出しているだけでなく、加工幅の最大と最小の差が小さく、ばらつきが抑えられていることが判る(平均2.9839mm、σ=0.030、R=max−min=0.163)。
これより、本発明によって狙い加工幅に対して精度良く貼り合わせ基板の外周部を研削できたことが判る。このため、公差を縮小することができ、実施例1では、従来では±0.5mmであったが、±0.2mmに改善することができた。
実施例1に使用したものと同様にして作製された貼り合わせ基板を210枚用意した。
従来の外周研削装置を用いて、貼り合わせ基板全体を基準としてアライメントをし、実施例1と同様に加工幅3.0mm狙いでこれらの貼り合わせ基板の外周部の研削を行った。
他の研削条件は実施例1の場合と同様である。研削後、NaOHを用いたアルカリエッチングを行い、その後テラス加工幅を4点測定した。
図6より、加工幅の最大値と最小値の差が実施例1に比べて大きく、ばらつきが大きいことが確認できる(平均3.0932mm、σ=0.107、R=0.452)。実施例1のように±0.2mmの範囲内には収まらなかった。このような場合、狙い加工幅付近に加工基板数が集中する傾向があっても分布範囲が広いために公差が大きくなってしまう。また、例え公差内に分布範囲が収まっていても、分布範囲が広がっていて規格の限度に近接している状況であれば、全数検査する必要性がありコスト・時間等の面で問題が生じてしまう。
3…ウェーハキャリア、 4…仮置き台、 5…搬送ロボット、
6…アライメント手段、 7…チャックテーブル、 8…研削手段、
9…研削ホイール、 10…ボンドウェーハ、
11…ベースウェーハ、 12…保持台、 13、13’…ピン、
T1…貼り合わせ基板の面に平行な方向、
T2…貼り合わせ基板の厚さ方向
L1、L2、L3、L4…テラス加工幅、 W…貼り合わせ基板。
Claims (4)
- デバイスが作製されるボンドウェーハと支持基板となるベースウェーハとを貼り合わせた貼り合わせ基板の外周部を研削する装置であって、少なくとも、前記貼り合わせ基板をアライメントするアライメント手段と、該アライメント手段によりアライメントされた前記貼り合わせ基板のボンドウェーハの外周部を研削する研削手段とを具備し、前記アライメント手段がベースウェーハを基準として前記貼り合わせ基板をアライメントするものであることを特徴とする外周研削装置。
- 前記アライメント手段が、前記貼り合わせ基板を保持する保持台と、該貼り合わせ基板の周辺に配設された複数のピンであって、前記保持台と前記ピンは保持された貼り合わせ基板の厚さ方向の相対位置が可変であり、前記ピンが前記ベースウェーハのみと接触するように、保持された前記貼り合わせ基板の厚さ方向の相対位置を調整し、前記ピンが周囲からベースウェーハに当接することでアライメントするものであることを特徴とする請求項1に記載の外周研削装置。
- デバイスが作製されるボンドウェーハと支持基板となるベースウェーハとを貼り合わせた貼り合わせ基板の外周部を研削する方法であって、前記ベースウェーハを基準として前記貼り合わせ基板をアライメントし、該アライメントされた貼り合わせ基板の前記ボンドウェーハの外周部を研削することを特徴とする貼り合わせ基板の研削方法。
- 前記アライメントにおいて、前記貼り合わせ基板を保持台に保持し、該貼り合わせ基板の周辺に配設され、前記ベースウェーハのみと接触するように、保持された前記貼り合わせ基板の厚さ方向に対する位置が調整された複数のピンが、周囲からベースウェーハに当接することによって貼り合わせ基板のアライメントをすることを特徴とする請求項3に記載の貼り合わせ基板の研削方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005067411A JP4440808B2 (ja) | 2005-03-10 | 2005-03-10 | 外周研削装置及び貼り合わせ基板の研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005067411A JP4440808B2 (ja) | 2005-03-10 | 2005-03-10 | 外周研削装置及び貼り合わせ基板の研削方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006253387A true JP2006253387A (ja) | 2006-09-21 |
JP4440808B2 JP4440808B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=37093553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005067411A Active JP4440808B2 (ja) | 2005-03-10 | 2005-03-10 | 外周研削装置及び貼り合わせ基板の研削方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4440808B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101133660B1 (ko) | 2009-09-04 | 2012-04-10 | 주식회사 휴템 | 웨이퍼 위치 교정 장치, 웨이퍼 본더, 및 웨이퍼 본더용 지그 |
CN105609404A (zh) * | 2014-11-17 | 2016-05-25 | 株式会社迪思科 | 双层结构晶片的加工方法 |
CN114883187A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-09 | 成都功成半导体有限公司 | 一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺 |
-
2005
- 2005-03-10 JP JP2005067411A patent/JP4440808B2/ja active Active
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101133660B1 (ko) | 2009-09-04 | 2012-04-10 | 주식회사 휴템 | 웨이퍼 위치 교정 장치, 웨이퍼 본더, 및 웨이퍼 본더용 지그 |
CN105609404A (zh) * | 2014-11-17 | 2016-05-25 | 株式会社迪思科 | 双层结构晶片的加工方法 |
JP2016096295A (ja) * | 2014-11-17 | 2016-05-26 | 株式会社ディスコ | 2層構造ウェーハの加工方法 |
CN114883187A (zh) * | 2022-07-12 | 2022-08-09 | 成都功成半导体有限公司 | 一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺 |
CN114883187B (zh) * | 2022-07-12 | 2022-09-06 | 成都功成半导体有限公司 | 一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4440808B2 (ja) | 2010-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9034735B2 (en) | Laser processing method for workpiece | |
US9649775B2 (en) | Workpiece dividing method | |
TWI801437B (zh) | 積層基板之製造方法、積層基板之製造裝置、及記錄有積層基板之製造程序之電腦可讀取媒介 | |
WO2017217431A1 (ja) | 積層装置および積層方法 | |
JP2013258377A (ja) | 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2011040637A (ja) | 検出方法、ウェーハ搬入方法および検出装置 | |
JP5436876B2 (ja) | 研削方法 | |
US8918989B2 (en) | Device for aligning and pre-fixing a wafer | |
JP5215159B2 (ja) | 位置合わせ機構、研削装置、位置合わせ方法および研削方法 | |
US20080061255A1 (en) | Wafer aligning apparatus of a semiconductor manufacturing device | |
TWI354325B (ja) | ||
JP4440808B2 (ja) | 外周研削装置及び貼り合わせ基板の研削方法 | |
JP2022186971A (ja) | ウェーハの位置決め装置及びそれを用いた面取り装置 | |
JP2016153154A (ja) | ウェーハの位置合わせ方法 | |
JP6301565B1 (ja) | マイクロチップをウェーハーから切り離して該マイクロチップを基板上に装着する方法および装置 | |
JP2009018406A (ja) | 研磨機及びその搬送治具 | |
KR20210024078A (ko) | 접합 방법 및 접합 장치 | |
US9815091B2 (en) | Roll to roll wafer backside particle and contamination removal | |
CN111479654B (zh) | 基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质 | |
CN107316833B (zh) | 晶片的加工方法 | |
CN110491813B (zh) | 双面晶舟、晶圆翻转装置及晶圆翻转方法 | |
JP5454856B2 (ja) | ワーク収納方法 | |
JP2009186181A (ja) | 結晶方位測定装置、結晶加工装置及び結晶加工方法 | |
US20170316977A1 (en) | Wafer processing method | |
CN112005359A (zh) | 基板处理系统和基板处理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091222 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100107 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4440808 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140115 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |