TWI742109B - 積層基板製造方法、積層基板製造裝置、積層基板製造系統、及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明可抑制積層基板中之基板間的位置偏差。本發明之貼合第一基板與第二基板而製造積層基板的方法包含以下階段：依據關於第一基板及第二基板之各個彎曲的資訊，判斷第一基板及第二基板是否滿足指定條件；及滿足指定條件時，貼合第一基板與第二基板。上述積層基板製造方法中包含依據資訊推測將第一基板貼合於第二基板後之位置偏差量的階段，指定條件亦可包含位置偏差量在臨限值以下。

Description

積層基板製造方法、積層基板製造裝置、積層基板製造系統、及基板處理裝置
本發明係關於一種積層基板製造方法、積層基板製造裝置、積層基板製造系統、及基板處理裝置。
已有藉由積層二個基板來製造積層基板之方法(例如，參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開2013-098186號公報
即使對準二個基板後重疊二個基板，在基板間仍會產生位置偏差。
本發明第一種樣態提供一種積層基板製造方法，係貼合第一基板與第二基板來製造積層基板之方法，且包含以下階段：依據關於第一基板及第二基板之各個彎曲的資訊，判斷第一基板及第二基板是否滿足指定條件；及滿足指定條件時，貼合第一基板與第二基板。
本發明第二種樣態提供一種積層基板製造裝置，係貼合第一基板與第二基板來製造積層基板之裝置，且包含貼合部，其係貼合依據關於第一基板及第二基板之各個彎曲的資訊，判斷為滿足指定條件之第一基板與第二基板。
本發明第三種樣態提供一種積層基板製造系統，該系統具備：基板處理裝置，其係處理第一基板及第二基板；及貼合裝置，其係貼合經基板處理裝置處理過之第一基板與第二基板；且基板處理裝置包含：取得部，其係取得關於第一基板及第二基板之各個彎曲的資訊；判斷部，其係依據資訊判斷第一基板及第二基板是否滿足指定條件；及控制部，其係在滿足指定條件時，將貼合第一基板及第二基板之指示信號輸出至貼合裝置。
上述發明內容並非已列舉本發明之全部特徵者。此等特徵群之子組合亦可成為發明。
100:積層基板製造裝置
110:框體
120、130:基板匣盒
140:搬送部
150:控制部
210、211、213:基板
212:劃線
214:凹槽
216:電路區域
218:對準標記
220、221、223:基板固持器
225:保持面
230:積層基板
300:重疊部
310:框體
312:底板
316:頂板
322:上載台
324、334:顯微鏡
326、336:活化裝置
331:X方向驅動部
332:下載台
333:Y方向驅動部
338:昇降驅動部
400:固持器暫存盒
411:基部
412:致動器
413:吸著部
414:支柱
415:泵浦
416:閥門
422:壓力源
424:閥門
427:加壓流體
432:電壓源
434:開關
436:靜電夾盤
500:預對準器
601、602、603:修正部
第一圖係積層基板製造裝置100之模式圖。
第二圖係基板210之模式俯視圖。
第三圖係顯示重疊基板210之程序流程圖。
第四圖係保持基板211之基板固持器223的模式剖面圖。
第五圖係重疊部300之模式剖面圖。
第六圖係重疊部300之模式剖面圖。
第七圖係重疊部300之模式剖面圖。
第八圖係重疊部300之模式剖面圖。
第九圖係重疊部300之模式剖面圖。
第十圖係顯示基板211、213之重疊過程的部分放大圖。
第十一圖係顯示基板211、213之重疊過程的部分放大圖。
第十二圖係顯示基板211、213之重疊過程的部分放大圖。
第十三圖係顯示基板211中之各部偏差量的模式圖。
第十四圖係顯示決定基板210之組合的程序流程圖。
第十五圖係顯示決定基板210之組合的程序流程圖。
第十六圖係說明基板210之組合決定方法的模式圖。
第十七圖係顯示決定基板210之組合的程序流程圖。
第十八圖係保持基板211之基板固持器221的模式剖面圖。
第十九圖係修正部601之模式剖面圖。
第二十圖係顯示致動器412之佈局的模式圖。
第二十一圖係顯示修正部601之動作的模式圖。
第二十二圖係顯示基板211、213之重疊過程的部分放大圖。
第二十三圖係說明修正部602之動作的模式圖。
第二十四圖係修正部602之模式剖面圖。
第二十五圖係修正部603之模式剖面圖。
第二十六圖係修正部603之模式俯視圖。
第二十七圖係說明修正部603之動作的模式圖。
第二十八圖係顯示決定基板210之組合的程序流程圖。
以下說明發明之實施形態。下述實施形態並非限定申請專利範圍之發明者。實施形態中說明之特徵的全部組合在發明之解決手段中並非為必須。
第一圖係積層基板製造裝置100之模式俯視圖。積層基板製造裝置100具備：框體110；收容重疊之基板210的基板匣盒120；收容重疊 基板210而製作之積層基板230的基板匣盒130；控制部150；收容搬送部140、重疊部300、保持基板210之基板固持器220的固持器暫存盒400；及預對準器500。框體110內部實施溫度管理，例如保持在室溫。
搬送部140係搬送單獨之基板210、基板固持器220、保持基板210之基板固持器220、積層複數個基板210所形成之積層基板230等。控制部150進行統籌控制使積層基板製造裝置100之各部相互配合。此外，控制部150受理來自外部之使用者的指示，設定製造積層基板230時之製造條件。再者，控制部150亦具有將積層基板製造裝置100之動作狀態向外部顯示的使用者介面。
重疊部300具有分別保持基板210而相對之一對載台，並藉由將保持於載台之基板210相互對準後彼此接觸重疊而形成積層基板230。
預對準器500進行基板210與基板固持器220之對準，並使基板210保持於基板固持器220。基板固持器220藉由氧化鋁陶瓷等硬質材料形成，並藉由靜電夾盤或真空夾盤等吸著基板210而保持。
上述之積層基板製造裝置100中，除了形成有元件、電路、端子等的基板210之外，亦可接合未加工之矽晶圓、添加鍺(Ge)之矽鍺基板、鍺單晶基板、III-V族或II-VI族等化合物半導體晶圓、及玻璃基板等。接合之對象亦可係電路基板及未加工基板，亦可係各個未加工基板。接合之基板210亦可係具有其本身已經積層複數個基板的積層基板230。
第二圖係積層基板製造裝置100中重疊之基板210的模式俯視圖。基板210具有：凹槽214、複數個電路區域216及複數個對準標記218。
電路區域216係在基板210表面週期地配置於基板210的面方 向。各個電路區域216中設置藉由光微影技術等所形成的配線、保護膜等構造物。電路區域216中亦配置將基板210電性連接於其他基板210、引導框架等時成為連接端子之焊墊、凸塊等連接部。連接部亦係形成於基板210表面之構造物的一例。
對準標記218係形成於基板210表面之構造物的一例，且配置於配置在電路區域216相互之間的劃線212上。對準標記218係將基板210與其他基板210對準時之指標。
第三圖係顯示在積層基板製造裝置100中積層二個基板210來製作積層基板230之程序的流程圖。首先，從複數個基板210中決定相互重疊而接合之基板211、213的組合(步驟S101)。決定基板211、213之組合的方法可例示複數個，因此就基板210之重疊程序作說明後，參照第十四圖以後作說明。
其次，在預對準器500中，將重疊之基板211、213保持於各個基板固持器221、223(步驟S102)。然後，如第五圖所示，將個別保持基板211、213之基板固持器221、223依序搬入重疊部300(步驟S103)。第四圖所示之例係基板固持器223具有平坦且平滑之保持面225。
重疊部300具備：框體310；上載台322及下載台332。上載台322向下固定於框體310之頂板316上。上載台322具有真空夾盤、靜電夾盤等保持功能。
另外，圖示之狀態係保持於具有平坦保持面225之基板固持器223的基板213係保持於位於圖中上側的上載台322上，具有彎曲之保持面225的基板固持器221係保持於位於圖中下側的下載台332上。但是，上載台 322及下載台332、與基板固持器221、223之組合不限於此。此外，亦可在上載台322及下載台332兩者上搬入平坦之基板固持器223或保持面彎曲的基板固持器221。
在頂板316上，將顯微鏡324及活化裝置326固定於上載台322的側方。顯微鏡324可觀察保持於下載台332之基板211的上面。活化裝置326產生淨化保持於下載台332之基板211上面的電漿。
下載台332搭載於與配置於框體310的底板312之X方向驅動部331重疊的Y方向驅動部333之圖中上面。X方向驅動部331與底板312平行地在圖中箭頭X指示之方向移動。Y方向驅動部333係在X方向驅動部331上，與底板312平行地在圖中箭頭Y指示的方向移動。藉由組合X方向驅動部331及Y方向驅動部333之動作，下載台332與底板312平行地平面移動。
此外，下載台332對底板312垂直，並藉由在箭頭Z指示之方向升降的昇降驅動部338支撐。藉此，下載台332可對Y方向驅動部333升降。
下載台332藉由X方向驅動部331、Y方向驅動部333及昇降驅動部338之移動量，係使用干擾計等精密計測。
Y方向驅動部333中，顯微鏡334及活化裝置336分別搭載於下載台332之側方。顯微鏡334可觀察保持於上載台322之朝下的基板213下面。活化裝置336產生淨化保持於上載台322之基板213下面的電漿。另外，亦可將該活化裝置326及336設置於與重疊部300不同的裝置中，並將上面活化後之基板及基板固持器藉由機器人從活化裝置326、336搬送至重疊部300。
另外，重疊部300亦可進一步具備：使下載台332在對底板312 垂直之旋轉軸周圍旋轉的旋轉驅動部；及使下載台332搖動之搖動驅動部。藉此，下載台332對上載台322形成平行的同時使保持於下載台332之基板211旋轉，可使基板211、213之對準精度提高。
顯微鏡324、334藉由控制部150指示觀察將焦點相互對準的共同指標來進行校正。藉此，測定一對顯微鏡324、334在重疊部300中之相對位置。
繼續第五圖所示之狀態而如第六圖所示，控制部150係使X方向驅動部331及Y方向驅動部333動作，並藉由顯微鏡324、334檢測設於各個基板211、213之對準標記218(第三圖之步驟S104)。
如此，藉由相對位置已知之顯微鏡324、334檢測基板211、213的對準標記218位置，判斷基板211、213的相對位置(步驟S105)。藉此，對準基板211、213情況下，只須以基板211、213對應之對準標記218間的位置偏差在臨限值以下之方式，或是基板211、213間對應之電路區域216或連接部的位置偏差在臨限值以下之方式，算出基板211、213之相對移動量即可。位置偏差是指在積層的基板211、213之間對應之各對準標記218的位置偏差、及對應之各連接部的位置偏差，並包含因二個基板211、213分別產生的應變量之差造成的位置偏差。關於應變於後述。
繼續第六圖所示之狀態而如第七圖所示，控制部150係記錄一對基板211、213之相對位置，並將一對基板211、213之各個接合面化學性活化(第三圖之步驟S106)。控制部150首先將下載台332之位置重設於初始位置後使其水平移動，並藉由活化裝置326、336生成之電漿掃瞄基板211、213的表面。藉此，淨化基板211、213之各個表面，化學性活性提高。
暴露於電漿的方法之外，亦可藉由使用惰性氣體之濺鍍蝕刻、離子束、或高速原子束等將基板211、213表面活化。使用離子束或高速原子束時，可在減壓下生成重疊部300。又再者，亦可藉由照射紫外線、臭氧灰化機等來活化基板211、213。再者，例如亦可使用液體或氣體蝕刻劑，藉由化學性淨化基板211、213表面而活化。基板210表面活化後，亦可藉由親水化裝置將基板211、213表面親水化。
繼續第七圖所示之狀態而如第八圖所示，控制部150係將基板211、213相互對準(第三圖之步驟S107)。控制部150首先依據最初檢測之顯微鏡324、334的相對位置、與在步驟S104中檢測之基板211、213的對準標記218位置，使下載台332移動而使彼此對應於基板211、213的電路區域216位置一致。
繼續第八圖所示之狀態而如第九圖所示，控制部150係使昇降驅動部338動作而使下載台332上昇，並使基板211、213相互接觸。藉此，基板211、213之一部分接觸而接合(步驟S108)。
由於基板211、213表面已活化，因此，一部分接觸時，藉由基板211、213各個分子間力，鄰接區域自律性相互吸著而接合。因而，例如藉由對保持於上載台322之基板固持器223解除基板213的保持，接合基板211、213之區域從接觸的部分依序擴大至鄰接區域。藉此，接觸區域依序擴大而產生接合波，基板211、213之接合進行。隨之，基板211、213全面接觸且接合(步驟S108)。藉此，基板211、213形成積層基板230。
另外，如上述，在基板211、213之接觸區域擴大的過程，控制部150亦可解除基板固持器223對基板213之保持。此外，亦可解除上載台 322對基板固持器223之保持。
再者，亦可在上載台322中不釋放基板213，而藉由在下載台332中釋放基板211進行基板211、213之接合，亦可釋放二個基板211、213兩者。再者，亦可在上載台322及下載台332兩者中保持基板213、211狀態下，藉由將上載台322及下載台332進一步靠近而使基板211、213接合。
如此形成之積層基板230藉由搬送部140與基板固持器221一起從重疊部300搬出(步驟S109)。然後，在預對準器500中分離積層基板230與基板固持器221，並將積層基板230搬送至基板匣盒130。
二個基板210分別產生之應變量彼此不同時，即使在重疊部300中依據對準標記218等就基板210之面方向進行對準，仍有可能無法算出基板211、213間之位置偏差量為臨限值以下的相對移動量及相對旋轉量，而無法消除基板211、213之位置偏差。因此，在第三圖所示之步驟S101中，係以將基板211、213彼此貼合，結果因最後倍率之差異產生的位置偏差在臨限值以下之方式決定重疊基板211、213的組合。
此處，所謂基板211(213)上產生之應變，係在基板211(213)中從構造物之設計座標亦即設計位置的變位。基板211(213)上產生之應變包含平面應變與立體應變。
平面應變係沿著基板211、213之接合面的方向產生之應變，且包含：基板211、213分別對構造物之設計位置變位的位置，藉由線形轉換而表示的線形應變、及無法藉由線形轉換表示之線形應變以外的非線形應變。
線形應變包含變位量從中心沿著徑方向以一定增加率而增 加的倍率。倍率係將在基板211、213之中心起的距離X中與設計值的偏差量除以X而獲得之值，單位係ppm。倍率包含：具有從設計位置之變位向量為等量之X成分及Y成分的各向同性倍率；及從設計位置起之變位向量具有彼此不等量的成分之各向異性倍率。
本實施例係貼合之二個基板211、213各個構造物之設計位置為相同，將二個基板211、213之各個設計位置為基準的倍率差成為二個基板211、213之位置偏差量。
此外，線形應變包含正交應變。正交應變係將基板中心作為原點設定彼此正交之X軸及Y軸時，構造物從原點起在Y軸方向愈遠其值愈大之量，且從設計位置在X軸方向平行變位之應變。該應變量在平行於X軸而橫跨Y軸的複數個區域分別相等，變位量之絕對值隨著從X軸離開而變大。再者，正交應變係Y軸正端之變位方向與Y軸負端的變位方向彼此相反。
基板211、213之立體應變係對沿著基板211、213之接合面的方向以外之方向亦即與接合面交叉的方向之變位。立體應變包含藉由基板211、213全面或局部彎曲，而在基板211、213之整體或一部分產生的彎曲。此處，所謂「基板彎曲」，是指基板211、213變化成基板211、213表面包含不存在於藉由該基板211、213上之3點所特定的平面上之點的形狀。
此外，所謂彎曲，係基板表面形成曲面之應變，例如包含基板211、213之翹曲及撓曲。本實施例中，翹曲是指在排除重力影響狀態下基板211、213上殘留的應變。並將對翹曲施加重力影響之基板211、213的應變稱為撓曲。另外，基板211、213之翹曲包含：基板211、213整體以概略一樣之曲率而彎曲的全面翹曲；與基板211、213之一部分局部的曲率變 化產生之局部翹曲。
此處，倍率依發生原因而分類成：初期倍率、平坦化倍率、及接合過程倍率。
初期倍率係藉由將對準標記218、電路區域216等形成於基板211、213之處理產生的應力、基板211、213因結晶定向產生的各向異性、因配置劃線212、電路區域216等造成週期性的剛性變化等，違背基板211、213之設計規格的條件，而在重疊基板211、213之前的階段產生。因而，基板211、213之初期倍率可在開始積層基板211、213之前知道，例如，控制部150亦可從製造基板211、213之處理設備取得關於初期倍率的資訊。
平坦化倍率對應於產生翹曲等應變之基板211、213藉由接合或對平坦之保持構件的吸著而平坦化時產生之倍率變化。亦即，將產生翹曲之基板210例如吸著於第四圖所示之平坦的基板固持器223而保持時，基板210仿效保持面225之形狀而平坦。此處，基板210從具有翹曲之狀態變化成平坦狀態時，與保持之前比較，基板210之應變量變化。
藉此，基板210表面對電路區域216之設計規格的位置偏差量比保持前變化。基板210之應變量的變化，依形成於基板210之電路區域216等構造物的構造、用於形成該構造物之處理、保持前基板210之翹曲大小等而不同。平坦化倍率之大小與接合過程倍率同樣地，在基板211、213上產生翹曲等應變時，藉由預先調查其應變與倍率之關係，可從包含基板211、213之翹曲量及翹曲形狀等應變狀態算出。
接合過程倍率係在接合過程因基板211、213上產生的應變而造成，係新產生的倍率變化。第十圖、第十一圖、第十二圖、及第十三圖 係說明接合過程倍率之圖。第十、十一、十二圖中放大顯示在重疊部300接合之過程的基板211、213中，基板211、213相互接觸之接觸區域、與基板211、213相互不接觸而分離，從此處重疊之非接觸區域的邊界K附近之區域Q。
如第十圖所示，在重疊之二個基板211、213的接觸區域從中央朝向外周擴大面積的過程，邊界K從基板211、213之中央側向外周側移動。在邊界K附近，從基板固持器223之保持而釋放的基板213上產生伸展。具體而言，在邊界K，對基板213厚度方向之中央的面，在基板213之圖中下面側基板213伸展，在圖中上面側基板213收縮。
藉此，如圖中虛線所示，基板213中，在接合於基板211之區域的外端，以基板213表面對電路區域216之設計規格的倍率是否對基板211擴大的方式應變。因而，如圖中虛線呈現的偏差，在保持於基板固持器221下側之基板211、與從基板固持器223釋放的上側基板213之間，產生因基板213之伸展量亦即因倍率差異造成的位置偏差。
再者，如第十一圖所示，上述狀態下基板211、213接觸而接合時，基板213之擴大倍率固定。再者，如第十二圖所示，藉由接合而固定之基板213的伸展量在基板211、213之外周累積邊界K移動程度。
上述接合過程倍率之量可依據重疊之基板211、213的剛性、及夾在基板211、213中之環境氣體的黏性等物理量而算出。此外，亦可預先測定將重疊之基板211、213與同一批所製造的基板重疊而產生的偏差量加以記錄，將記錄之測定值作為關於該批之基板211、213接合中產生的接合過程倍率之資訊，而由控制部150取得。
第十三圖係顯示構成積層基板230之二個基板211、213因倍率差造成位置偏差的分布圖。圖示之偏差具有從積層基板230中心點在面方向放射狀漸增的偏差量。另外，圖示之倍率包含：重疊基板211、213前產生之初期倍率及平坦化倍率；及在重疊基板211、213過程產生的接合過程倍率。
另外，接合基板211、213時，在保持一方基板例如基板211狀態下釋放另一方基板213。因而，在接合基板211、213之時間，保持之基板211的形狀被固定，而釋放之基板213應變而接合。因而，就固定狀態下接合之基板211無須考慮接合過程倍率，但是就釋放之基板213應該考慮接合過程倍率。
被固定之基板211在因基板固持器221之形狀等而應變狀態下保持時，對釋放之基板213應考慮接合過程倍率與平坦化倍率兩者。再者，該基板213有翹曲等應變時，應該考慮加上該應變之接合過程倍率與平坦化倍率。
如此，重疊之基板211、213在重疊後的最後倍率差，係在基板211、213當初具有的初期倍率之差上重疊使基板211、213保持於基板固持器221、223等時產生的平坦化倍率之差、與在接合過程釋放保持之基板213的接合過程倍率而形成。
如上述，積層基板211、213而形成之積層基板230上產生的位置偏差與初期倍率差、平坦化倍率差、及接合過程倍率的大小有關。此外，基板211、213上產生之倍率與翹曲等基板的應變有關。
再者，此等初期倍率差、平坦化倍率差及接合過程倍率，如 上述可藉由在接合前之測定、計算等來預測。因而，依據就基板211、213所預測之倍率，藉由在接合前判斷接合之基板211、213的組合進行對應，可抑制藉由貼合所製造之積層基板230的位置偏差過大。
第十四圖顯示決定在第三圖所示之步驟S101重疊之基板211、213的組合之程序內容。
決定重疊之基板211、213的組合時，積層基板製造裝置100之控制部150首先就一個基板匣盒120或是屬於同一批之複數個基板210等一群基板211、213，分別收集關於基板211、213之彎曲的資訊(步驟S201)。
控制部150形成取得部，其係取得關於包含重疊之基板211、213的翹曲之彎曲的資訊。
關於基板211、213彎曲之資訊包含如基板211、213之翹曲大小、方向、翹曲部分、內部應力等，藉由測定基板210而獲得之資訊、關於基板211、213產生翹曲之原因的資訊、及從該原因估計基板211、213翹曲之大小及方向等的資訊。
測定基板211、213之翹曲時，係支撐面方向中心使基板211、213在中心周圍旋轉，同時例如藉由設於重疊部300之顯微鏡等非接觸式距離計觀察基板211、213表面或背面，依據從顯微鏡之光學系統具有的自動對焦功能獲得之距離資訊的分布來計測表面或背面之位置。
藉此，可測定基板211、213之撓曲大小、方向等。基板211、213之撓曲大小及方向係從以支撐之中心為基準時基板211、213的厚度方向之表面或背面的複數個位置之變位求出。本實施例係基板211、213之各個複數個位置上之變位的平均值為整個翹曲的大小。基板211、213中撓曲與 翹曲之差可依據以相同條件測定未產生翹曲之基板211、213的結果知道。因而，測定產生翹曲之基板211、213的撓曲後，藉由減去該差分即可算出基板211、213之翹曲量。
再者，亦可藉由基板固持器221等吸著基板211、213而強制形成平坦狀態下，藉由喇曼散射等計測基板211、213之殘留應力，將該殘留應力作為關於基板之翹曲的資訊。再者，關於基板211、213翹曲之資訊，亦可在比積層基板製造裝置100之前進行處理而使用的曝光裝置、成膜裝置等前處理裝置中測定。此外，亦可在將基板211、213搬入重疊部300之前進行基板211、213翹曲的測定。例如亦可在積層基板製造裝置100中，於預對準器500內設置測定基板211、213之翹曲的測定裝置。
另外，亦可不測定基板211、213之翹曲，藉由分析取得關於基板211、213翹曲之資訊時，依據關於形成於基板211、213之電路區域216等構造物的構造、材料之資訊，估計基板211、213上產生之翹曲的大小及方向等。此外，亦可將在形成上述構造物過程產生之對基板211、213的處理程序，亦即關於伴隨成膜等而來的熱履歷、蝕刻等化學處理的資訊作為翹曲原因的資訊，依據此等資訊估計基板211、213上產生的翹曲。
此外，估計基板211、213上產生之翹曲時，亦可一併參照成為在基板211、213上產生翹曲之原因而獲得的基板211、213之表面構造、積層於基板210之薄膜的膜厚、用於成膜之CVD裝置等成膜裝置的情況、變動、成膜程序、條件等周邊資訊。此等周邊資訊亦可基於估計翹曲之目的而再度測定。
再者，如上述估計基板211、213之翹曲時，亦可參照處理過 同等基板之過去的資料等，亦可預先準備對與重疊之基板211、213同等的基板進行假設程序的實驗，翹曲量與倍率之關係、翹曲量差異與倍率差之關係、或倍率之差亦即位置偏差量在臨限值以下的翹曲量之組合資料。再者，亦可依據重疊之基板211、213的成膜構造、成膜條件，藉由有限要素法等分析求出翹曲量，作為備用資料。
另外，對基板211、213測定應變量亦可在積層基板製造裝置100外部執行，亦可在積層基板製造裝置100或包含積層基板製造裝置100之系統內部組裝測定基板211、213之應變的裝置。再者，亦可併用內外之測定裝置增加測定項目。
其次，控制部150從在步驟S201中取得關於彎曲之資訊的複數個基板210選擇任意1片第一基板213(步驟S202)。重疊選出之第一基板213與暫定組合的第二基板211時分別算出最後殘留倍率(步驟S203)。在以後之記載中，將二個基板211、213中最後的殘留倍率稱為最後倍率。再者，控制部150藉由將算出的最後倍率之差與預定的臨限值比較，判斷上述第一基板213及第二基板211之暫定組合是否滿足對積層基板230預定的條件(步驟S204)。
另外，本實施例中，所謂預定條件，例如係對應於彼此貼合基板211、213的結果，基板211、213間可電性導通之最大偏差量的臨限值，且分別在基板211、213中設有連接部等構造物時，係各個構造物至少一部分接觸時對應於基板211、213間之位置偏差量的值。臨限值例如為1.0μm以下，更宜為0.5μm以下。位置偏差量比臨限值大時，各連接部不接觸或無法獲得適當之電性導通，或是接合部間無法獲得指定之接合強度。臨限值亦 可依後述用於修正應變之基板固持器或修正機構等修正部的修正量而設定。
控制部150在步驟S204中判斷為基板211、213之暫定組合滿足預定條件時(步驟S204：是)，對該基板211、213之組合執行步驟S102(第三圖)以後的貼合程序。另外，在步驟S204中，判斷為基板211、213之組合不滿足預定條件時(步驟S204：否)，控制部150不執行暫定組合之基板211、213的貼合，並執行對策使此等基板211、213可滿足條件(步驟S205)。
第十五圖係說明上述步驟S205中執行之對策的一個程序之流程圖。控制部150首先決定執行對策之一片第一基板213(步驟S301)。其次，控制部150就選出之第一基板213取得關於在步驟S201(第十四圖)所測定之彎曲的資訊(步驟S302)。
其次，控制部150從就選出之第一基板213所取得的資訊，以及貼合第一基板213作為積層基板230時滿足預定條件的最後倍率差之值，算出可與第一基板213組合之第二基板211中容許的倍率範圍，亦即與第一基板213貼合結果，最後在第二基板211上產生的倍率範圍。此時，控制部150算出例如可與在重疊過程第一基板213產生之接合過程倍率抵銷的倍率，並將該值為中心之數值範圍作為容許範圍。
其次，從在步驟S201(第十四圖)中已經取得關於彎曲資訊之複數個基板中選擇具有對應於該範圍之倍率的翹曲等應變狀態之第二基板211，而與第一基板213組合(步驟S303)。此時，控制部150依據關於翹曲等彎曲之資訊估計第二基板211的最後倍率，決定該最後倍率在上述範圍內之第二基板(步驟S303)。如此貼合時，形成可形成滿足指定條件之積 層基板230的基板組合。
在上述步驟S303中，將基板211、213分別以平坦狀態重疊時，宜以保持於基板固持器221、223狀態下的倍率差，亦即基板211、213之各個初期倍率與平坦化倍率之和的差變小之方式，組合第一基板213及第二基板211。各基板211、213之保持於基板固持器221、223狀態下的倍率，可從關於翹曲之資訊算出，或是從翹曲量與倍率之關係推測。
此外，在步驟S303中，藉由解除第一基板213之保持而重疊保持於具有凸面保持面之基板固持器223的第一基板213、與保持於具有平坦保持面之基板固持器221的第二基板211時，係組合對保持於具有平坦保持面之基板固持器221狀態下之倍率亦即初期倍率與平坦化倍率之和、以及第一基板213中成為最後倍率之初期倍率與接合過程倍率之和的差小之倍率的差為臨限值以下的第二基板211。此時，基板211、213中之最後倍率與基板翹曲狀態的關係亦可預先在實驗中求出。
此外，將第二基板211保持於基板固持器221狀態之倍率、及第一基板213之最後倍率，可分別從關於彎曲之資訊或翹曲量與倍率之關係算出。
如此，在決定基板211、213之組合的階段，藉由依據基板211、213之翹曲等應變估計在重疊基板211、213階段中之倍率或重疊後的最後倍率，可防止或抑制因倍率差異造成位置偏差。此外，藉由組合在重疊階段之倍率差為臨限值以下的基板210，可防止因倍率差異造成接合不良。
此外，藉由組合重疊階段之倍率差小的基板210，可至少減 少位置偏差，再者，如後述，即使對基板210進行某種修正時，仍可藉由小修正消除位置偏差。再者，藉由在重疊部300中進行對準階段之前或進行對準標記檢測之前決定基板的組合以抑制倍率差異，可加快重疊部300中之對準，使積層基板製造裝置100之處理量提高。
另外，依據關於基板210彎曲之資訊來決定組合，如上述，宜在基板211、213重疊階段(第三圖所示之步驟S103)之前，同時宜在重疊之基板211、213的表面活化(第三圖所示之步驟S106)之前。藉此，可避免儘管已將基板211、213活化，卻無法決定成為重疊對象之組合，而造成基板211、213不必要的活化。
上述實施例中，對於在一批或一個匣盒內，無法決定倍率差在容許範圍內之組合的基板210，亦可將組合之範圍擴大到其他批或其他基板匣盒120。此時，亦可設置收容無法決定組合之基板210的匣盒，讓該匣盒等待直到找到應組合之基板210。
上述實施例係依據從關於第一基板213及第二基板211之彎曲的資訊推測之位置偏差量及倍率等，來決定第一基板213及第二基板211之組合，不過，亦可取而代之，而依據第一基板213之應變種類及應變量等應變狀態、及第二基板211的應變狀態來決定組合。應變狀態係關於彎曲的一個資訊，且包含翹曲形狀及翹曲量等翹曲狀態。此時，為了組合須滿足之條件包含第一基板213之應變狀態與第二基板211的應變狀態之組合相當於預定應變狀態之組合。如此，可依據第一基板213及第二基板211中之如應變狀態的形狀來決定組合。
此外，上述實施例中，亦可考慮基板211、213之局部翹曲來 決定基板211、213的組合。並可與上述全面翹曲同樣地測定及估計基板211、213之翹曲區域的翹曲狀態，還可先將關於局部翹曲之資訊與應變相關連。此時，在二個基板211、213相對狀態下的翹曲狀態，為組合關於沿著二個基板211、213表面之平面變成鏡像關係的基板。而後，接合該組合之二個基板211、213時，宜從基板固持器221、223釋放兩方的基板211、213。藉此，由於可在兩基板211、213之產生局部翹曲的區域產生同等的應變，因此抑制在局部翹曲區域因應變差造成位置偏差。
供重疊之基板210，當初如第十六圖之圖中左側所示，隨機具有各種翹曲狀態。因此，積層基板製造裝置100之控制部150在步驟S201中取得關於基板210之各種彎曲的資訊時，係依據取得之資訊而取得關於一批或基板匣盒120中包含之基板210彎曲的資訊後，按照翹曲大小排列基板210。
此處，基板210之排列即使不使基板210移動，而將識別基板210之代碼與在基板匣盒120中之收容位置相關連，藉由控制部150處理，例如亦可對收容於一個基板匣盒120之複數個基板210編序列。藉此，藉由將編有序列之複數個基板210依序組合而重疊，可使匣盒或批次內的倍率差均勻，而製造整體品質高之積層基板230。
另外，藉由使用分類器等，將位置偏差為臨限值以下之基板210以成對相鄰的方式收容於基板匣盒120，積層基板製造裝置100之控制部150藉由單純地依序處理基板匣盒120中之基板210，可以適當組合執行貼合。藉此可減少控制部150之負荷，而提高處理量。
此外，如以下所述，亦可由與積層基板製造裝置100不同之 裝置決定組合，來取代在積層基板製造裝置100中決定基板210的組合。
此時，係由與積層基板製造裝置100不同之裝置計測包含基板210之翹曲的形狀。不同裝置係在接合之前階段處理接合的基板210之基板處理裝置，例如包含：曝光裝置、成膜裝置及研磨裝置等。
依據該應變之基板210的形狀資訊，將複數個基板210例如分類於每翹曲量之個別的基板匣盒120。此外，在一個基板匣盒120中將識別各基板210之識別資訊、及關於各基板210之彎曲的資訊相對應而記憶。該分類亦可使用分類器。在同一批內分類時，無須從原來收容基板210之匣盒重新放入專用的基板匣盒，而在批次間分類時，亦可重新放入專用的基板匣盒，亦可將複數個基板匣盒排列放置於積層基板製造裝置中。
基板處理裝置之控制部係從儲存有將複數個基板210與關於彎曲之資訊相對應的資料之資料伺服器讀取資料來決定組合，或是對決定組合之組合處理部輸出進行組合內容的指示信號令其處理。基板處理裝置之控制部將表示接合組合的基板210之組的指示之信號輸出至積層基板製造裝置100。積層基板製造裝置100依據從基板處理部之控制部接收的信號，按照基板處理裝置之控制部的指示接合設置之基板匣盒內的基板。
第十七圖係說明在步驟S205(第十四圖)中執行之對策的一個程序之流程圖。首先，控制部150從收集了關於基板彎曲之資訊的一群基板210選擇任意的第一基板213及第二基板211之組合(步驟S401)。亦即，控制部150發揮從複數個基板210中選擇滿足指定條件之第一基板213及第二基板211的組合之選擇部功能。不過，此處選擇之組合係在步驟S204(第十四圖)中已經判斷出不滿足條件之組合。
其次，控制部150係就選出之一組基板211、213取得關於在步驟S201(第十四圖)所測定之彎曲的資訊(步驟S402)。藉此，控制部150掌握該第一基板213及第二基板211之組合中最後倍率與賦予條件的背離，可算出為了滿足條件須執行的修正量。亦即控制部150發揮推測貼合二個基板211、213時之位置偏差量的推測部功能。此處，所謂修正量，係彼此接合之二個基板211、213的位置偏差為臨限值以下，而二個基板210之至少一方產生的應變量。
因而，藉由基板固持器223及後述之修正部602等使基板211、213之至少一方的應變狀態變化，而使估計之倍率變化(步驟S403)，並將選出之第一基板213的最後倍率接近設計規格的倍率。
另外，在未重疊基板211、213狀態下，亦可藉由使基板211、213之至少一方的形狀變化，而使基板211、213的應變量變化。此外，亦可分別使基板211、213按照設計規格變化形狀，亦可以積層之基板211、213的任一方對準另一方之方式，而使基板211、213之任一方的形狀變化。此外，亦可配合關於上述基板211、213之資訊而記錄的基板非線形應變等進行修正。
再者，控制部150亦可算出對照如接合過程倍率而在重疊過程產生之倍率的當初倍率，決定具有對算出的當初倍率之差為臨限值以下的倍率之第二基板211。
又再者，控制部150係藉由修正部601、602、603等修正決定之第二基板211的倍率，使重疊後之基板211、213的倍率差變成臨限值以下。如此，可使積層基板230中之基板211、213的倍率差極小。
另外，判明即使在步驟S403修正任一個基板211、213，仍無法滿足預定條件時，亦可按照第十四圖所示之程序變更基板211、213的組合。此外，即使如此仍然找不到組合之基板211、213，亦可暫時從程序中離開，等待可組合的基板產生。
再者，上述之例只是貼合之基板211、213滿足當初條件作為條件來處理基板211、213。但是，例如發生無法滿足條件之組合，亦可在選擇其他基板211的階段，藉由在當初的臨限值中加上預定之其他值，擴大可滿足條件之範圍。藉此，可將精度之降低抑制在預期的範圍內，並且提高基板211、213之良率。
第十八圖係說明在步驟S403(第十六圖)中一種修正基板210應變之方法，而修正基板210之初期倍率的方法之圖。該圖中顯示將基板211保持於基板固持器221之狀態。
此處，基板固持器221具有從周緣部朝向中央部厚度逐漸增加的剖面形狀。藉此，具有彎曲之保持面225。吸著於基板固持器221而保持之基板211與保持面225密合，並仿效保持面225之形狀而彎曲。因而，當保持面之表面形成曲面，例如圓筒面、球面、拋物面等時，吸著之基板213的形狀亦變化成此種曲面。
在此種形狀之保持面225上吸著基板211時，基板211彎曲之狀態，與圖中以一點鏈線表示之基板213厚度方向的中心部A比較，基板211在圖中之上面的表面變化成基板211之表面從中心朝向周緣部而在面方向擴大的形狀。此外，基板211在圖中之下面的背面變化成基板211之表面從中心朝向周緣部而在面方向縮小的形狀。
如此，藉由使基板211保持於基板固持器221，基板211在圖中上側之表面比基板211為平坦狀態時擴大。藉由此種形狀之變化，可修正與其他基板213之倍率差造成的位置偏差。另外，準備彎曲之保持面225的曲率不同之複數個基板固持器221時，亦可調整對倍率之修正量。
第十九圖係彎曲部之一例而可組裝於重疊部300的修正部601模式剖面圖。修正部601在圖示之例係設於重疊部300之下載台332，在上述步驟S403(參照第十七圖)中，使用於為了修正而使基板211形狀變化而彎曲的情況。
修正部601包含：基部411、複數個致動器412、及吸著部413。基部411經由致動器412而支撐吸著部413。
吸著部413具有真空夾盤、靜電夾盤等吸著機構，並形成在下載台332上面。吸著部413吸著搬入之基板固持器221而保持。
在吸著部413之下方沿著吸著部413的下面配置有複數個致動器412。此外，複數個致動器412在控制部150之控制下，藉由從外部通過泵浦415及閥門416供給工作流體而個別驅動。藉此，複數個致動器412在下載台332之厚度方向亦即基板211、213之重疊方向分別以不同之伸縮量伸縮，使結合吸著部413之區域上昇或下降。
此外，複數個致動器412分別經由鏈接而與吸著部413結合。吸著部413之中央部藉由支柱414與基部411結合。在修正部601中致動器412動作時，在每個結合致動器412之區域，吸著部413之表面在厚度方向變位。
第二十圖係修正部601之模式俯視圖，且係顯示修正部601中之致動器412的佈局圖。修正部601中致動器412以支柱414為中心放射狀 配置。此外，致動器412之排列亦可採用以支柱414為中心之同心圓狀。致動器412之配置不限於圖示者，例如亦可配置成晶格狀、渦卷狀等。藉此，亦可使基板211之形狀變化成同心圓狀、放射狀、渦卷狀等來進行修正。
第二十一圖係說明修正部601之動作圖。如圖示，藉由個別地開閉閥門416使致動器412伸縮，可使吸著部413之形狀變化。因而，在吸著部413吸著基板固持器221，且基板固持器221保持基板211之狀態時，藉由使吸著部413之形狀變化，可使基板固持器221及基板211之形狀變化而彎曲。
如第二十圖所示，致動器412可看成排列成同心圓狀，亦即排列於下載台332之周方向。因而，如第二十一圖中虛線M所示，將每周之致動器412作為一群，藉由逐漸接近周緣而增大驅動量，可在吸著部413表面使中央隆起，而變化成球面、拋物面、圓筒面等形狀。
藉此，與使基板211保持於彎曲之基板固持器221時同樣地，可使基板211之形狀仿效球面、拋物面等變化而彎曲。因而，在修正部601中，與圖中一點鏈線所示之基板213厚度方向的中心部B比較時，基板211之圖中上面的形狀變化成基板211表面在面方向擴大。此外，在基板211之圖中下面，使基板211表面的形狀變化成在面方向縮小。再者，亦可藉由個別控制複數個致動器412之伸縮量，藉由使基板211之形狀除了圓筒面等其他形狀之外，變化成包含複數個凹凸部之形狀而彎曲，來修正非線形應變。
因而，藉由通過控制部150使修正部601之致動器412個別地動作，可局部或全面調整基板211表面中之電路區域216對設計規格的偏差。此外，可調整藉由致動器412之動作量而使形狀變化之量。
上述之例係吸著部413在中央具有隆起之形狀。但是，藉由在吸著部413之周緣部使致動器412之動作量增加，而使吸著部413之中央部對周緣部陷落，亦可縮小電路區域216在基板211表面之倍率。
此外，上述之例係將重疊部300在下載台332上組裝修正部601，不過亦可在上載台322上組裝修正部601，而在上載台322中修正基板213。又再者，亦可在上載台322及下載台332兩者上組裝修正部601。再者，亦可由上載台322與下載台332分擔修正。基板211、213之倍率的修正不限於上述方法，亦可進一步採用溫度調節之熱膨脹或熱收縮等其他修正方法。
第二十二圖係說明在步驟S403(第十六圖)中一種修正基板210應變之方法，而修正基板210之接合過程倍率的方法之圖。圖中下側之基板211藉由保持於中央突出的基板固持器221而擴大倍率。此處修正之基板211的倍率係估計基板213之接合過程倍率者。因而，可減低因基板211、213之倍率差異造成的偏差。
基板固持器221之保持面225具有中央隆起之形狀。但是，藉由準備保持面225之中央部對周緣部陷落的基板固持器223而保持基板211，可縮小基板211表面之倍率，亦可調整電路區域216對設計規格之位置偏差。
第二十三圖係組裝於重疊部300可修正基板211、213之接合過程倍率的其他修正部602之模式剖面圖。修正部602組裝於重疊部300使用之基板固持器221、223。該修正部602亦可與具有彎曲之保持面225的基板固持器221、上述修正部601等併用。此外，亦可將修正部602兼用於基板固持器221吸著基板211時使用的靜電夾盤。
修正部602具有：開關434、靜電夾盤436、及電壓源432。靜電夾盤436埋設於基板固持器221、223中。靜電夾盤436分別經由個別之開關434而結合於共同的電壓源432。藉此，靜電夾盤436分別在控制部150控制下開閉之開關434關閉時，在基板固持器221、223表面產生吸著力而吸著基板211、213。
修正部602中之靜電夾盤436在基板固持器221、223中配置於保持基板213的整個保持面。藉此，基板固持器221、223分別具有複數個吸著區域。因而當開關434之任何一個關閉時，對應之靜電夾盤436產生吸著力，而在基板固持器223保持面之任意位置對基板211、213作用吸著力。另外，關閉全部開關434時，全部靜電夾盤436產生吸著力，而使基板211、213強固地保持於基板固持器221、223。
第二十四圖係修正部602之修正動作的說明圖。第二十四圖中，與第二十二圖同樣地顯示在重疊過程之基板211、213的一部分。
在重疊過程中，在基板213之形狀產生變化的邊界K附近區域，藉由修正部602從圖中上方對基板213作用吸著力時，對不進行修正時之形狀的變化，而在基板213上產生更大之形狀變化。藉此，在使靜電夾盤436動作之部位可修正基板213之伸展量更大。
此外，在重疊過程中，局部解除基板固持器221對基板211之保持時，在該區域中，藉由來自上側基板213之拉伸力，下側之基板211從基板固持器221浮起而彎曲。藉此，由於下側之基板211表面伸展而形狀變化，因此，與上側基板213表面的伸展量之差變小該伸展量部分。因此，藉由調整基板211之彎曲量亦即伸展量，可縮小基板211、213間之倍率差造 成的位置偏差。
另外，在下載台332上基於修正目的而解除基板211之保持情況下，亦可改成使保持力完全消失，而停止減弱保持力。如此，即使藉由調整基板固持器221對基板211之保持力，仍可調節基板211之倍率，並可修正與基板213之倍率差造成的位置偏差。
如此，可藉由修正部602之動作抑制基板211、213相互的倍率差異。此外，配置於整個基板固持器221、223之靜電夾盤436可個別產生或遮斷吸著力。因而，即使基板211、213中之伸展量的不均勻分布複雜時，仍可藉由修正部602修正。
另外，上述之例係藉由對下載台332保持之基板211，一次釋放上載台322對基板213之保持，藉由基板213自律性接合而重疊基板211、213。但是，亦可藉由將靜電夾盤436之吸著力，就上載台322的面方向從基板中心部朝向外側依序消除，抑制基板213之自律性接合，基板211、213之接觸區域擴大，亦即控制邊界K之移動速度、移動時間、移動方向等。藉此，可抑制愈接近外周愈累積倍率之變化，愈接近外周倍率愈增加。
第二十五圖係組裝於重疊部300可修正基板211、213之接合過程倍率的其他修正部603之模式剖面圖。修正部603組裝於重疊部300之上載台322所使用的基板固持器223。
修正部603包含設於基板固持器223，而朝向保持於基板固持器223之基板213開口的複數個開口部426。各個開口部426之一端通過上載台322並經由閥門424連通於壓力源。壓力源422例如係壓縮之乾燥空氣等加壓流體。閥門424在控制部150之控制下個別開閉。閥門424打開時，從對應 之開口部426噴射加壓流體。
第二十六圖係顯示修正部603中之開口部426的佈局圖。開口部426在基板固持器223中配置於保持基板213之整個保持面。因而，藉由打開閥門424之任何一個，可在基板固持器223之保持面的任意位置朝向圖中下方噴射加壓流體。
基板固持器223例如藉由靜電夾盤保持基板213。靜電夾盤可藉由遮斷電力供給而消除吸著力，不過藉由殘留電荷等在釋放保持之基板213前會產生時滯。因此，係在遮斷對靜電夾盤饋電之後，從整個基板固持器223之開口部426噴射加壓流體即可立即釋放基板213。
第二十七圖係顯示修正部603之修正動作的模式圖。第二十七圖中與第二十四圖同樣地顯示在重疊過程之基板211、213的一部分。
在重疊過程中，在基板213之形狀變化的邊界K附近區域，藉由修正部603而從圖中上方噴射加壓流體427時，基板213朝向另一方基板211按壓而形狀的變化量減少。藉此，可在噴吹加壓流體之部位修正基板213之伸展量使其更小。
如此，由於藉由修正部603動作可抑制基板213中之伸展，因此可修正因基板211、213相互間之倍率差造成的位置偏差。另外，在修正部603中，開口部426可個別地噴射加壓流體。因而須修正之基板213伸展量分布不均勻時，亦可在基板213每個區域以不同修正量作修正。
另外，上述之例係說明在上載台322上設置修正部603的情況。但是，釋放保持於下載台332之基板211而貼合於基板213的構造之重疊部300，亦可將修正部603設於下載台332，來修正圖中下側之基板211的伸 展量。再者，亦可在下載台332及上載台322兩者設置修正部603，以兩者基板211、213執行修正。
此外，除了使用第十五圖說明之抑制基板211、213之組合產生的倍率差之外，亦可併用使用第十八圖所示之具有曲面狀保持面225之基板固持器221來修正倍率，以及利用第十九圖等所示之修正部601、第二十三圖所示之修正部602、第二十五圖等所示之修正部603等來修正倍率。
此時，在決定適合指定條件之二個基板211、213的組合時，係決定具有二個基板211、213之位置偏差量可以上述修正手段修正的大小之組合。換言之，係決定基板211、213之位置偏差量與位置偏差量之臨限值的差亦即必要之修正量，比上述修正手段之最大修正量小的基板211、213之組合。
藉此，依據關於彎曲之資訊，配合第一基板213而決定第二基板211時，由於可減少因無法消除之應變差造成的位置偏差，因此，即使無法決定位置偏差量為臨限值以下之組合時，仍可藉由使用修正手段增加組合數。
另外，由於可藉由以具備致動器412等之修正機構使具有曲面狀保持面225之基板固持器221的形狀變化，使基板固持器221之凸量連續性變化，因此，可調整基板固持器221之修正量。此外，可藉由利用基板211、213之溫度差、對基板211、213之吸著力等的修正機構，調整對基板211、213之翹曲、應變等的修正量。藉此，可擴大修正範圍，進一步提高基板210之例用效率。
此外，如上述之例，依據關於基板之彎曲的資訊，藉由修正 機構修正基板間之位置偏差時，取得部取得之資訊係修正應變時之修正方法、修正量等資訊。再者，取得部取得之資訊亦可係用於算出修正量之修正量以外的資訊。此處，所謂修正量以外之資訊，例如可例示基板210之批號、在前工序處理基板210時使用之設備的ID、重疊前對該基板210實施之處理的履歷、基板210之規格等。
此外，利用第十七圖所示之程序使用上述修正手段修正位置偏差時，在第十四圖之S204中，亦可將從關於二個基板211、213之彎曲的資訊算出或推測之二個基板211、213的位置偏差量，或位置偏差量與位置偏差量的臨限值之差亦即需要之修正量，是否為上述修正手段可修正之大小以下作為指定條件。滿足該條件時，藉由上述修正手段進行修正，不滿足條件時，按照第十五圖所示之步驟決定滿足該條件之組合。
如此，可藉由預先取得關於基板211、213之彎曲的資訊，推測重疊後包含倍率之應變或位置偏差，可組合關於積層適應性佳的基板211、213。藉此，可有效製造因倍率等造成位置偏差小於臨限值之積層基板230。此外，即使重疊之基板211、213有倍率等差異，仍可有效執行抑制倍率差之修正，可提高位置偏差小之積層基板230的生產性與良率。
此外，上述實施例中，求出從關於基板211、213之彎曲的資訊預測之倍率，及依據基板211、213上之對準標記218而藉由全面對準或增強全面對準所計測之接合前的倍率、或接合後的倍率之差分，該差分比預定之臨限值大時，亦可將該差分反映到下次起之測定及判定的臨限值等。藉此，可使基板211、213之對準精度進一步提高。
此時，控制部150亦可對每個基板211、213，或是決定重疊 之基板211、213的組合時之每個該組合，從對準標記218之位置資訊算出基板211、213的應變狀態並加以記錄，作為關於基板211、213之資訊。
此外，上述實施例係顯示依據基板211、213上產生之倍率應變的狀態來判斷組合適當與否之例，不過亦可取而代之或是除此之外，還依據基板211、213之各個產生的正交應變狀態判斷組合適當與否。二個基板211、213分別產生正交應變情況下，亦可藉由使一方基板旋轉，檢測二個基板211、213間之位置偏差量是否小於臨限值，當小於臨限值情況下，判斷為適當的組合。
第二十八圖係說明在步驟S205(第十四圖)中執行之對策的其他程序流程圖。首先，控制部150從收集了關於彎曲之資訊的一群基板210選擇任意的第一基板213(步驟S501)。不過，此處選擇之組合係從在步驟S204(第十四圖)中判斷為不滿足條件之組合取出的基板213。
其次，控制部150就選擇之第一基板213取得關於在步驟S201(第十四圖)所測定之關於彎曲的資訊(步驟S502)。藉此，控制部150可算出藉由組合於該第一基板213而滿足指定條件之第二基板211的倍率。因此，控制部150將顯示第二基板211之要求規格的資訊輸出至基板211、213之製造設備，而製造與選擇之第一基板213組合作為積層基板230時可滿足條件的第二基板211(步驟S503)。
如此，藉由將組合於第一基板213作為前提來製造第二基板211，可使用第一基板213製作確實滿足條件之積層基板230。另外，在步驟S503中，除了製造與第一基板213組合的第二基板211之外，在其他批或其他生產線，只要係適合第一基板213者，亦可使用於找不到組合而暫存的基 板210上。
再者，無法決定組合之基板210時，亦可製作具有組合於該基板210之適當倍率的基板210。
例如，亦可對現有之第一基板213，在以後製造最後倍率之差小於臨限值的第二基板211。此時，亦可倒算最後倍率差小於臨限值之基板211的翹曲量，從晶圓之製造在包含成膜之基板211的製造過程，將關於第一基板213之翹曲的資訊反饋至成膜裝置，而刻意使基板211翹曲。
如此，藉由準備不產生倍率差之基板，可使基板211、213之重疊的處理量提高。此時，係將二個基板211、213之倍率差為零的翹曲量作為目標值來製造，與目標值之誤差部分亦可如上述使用基板211、213之組合或修正機構來消除。
此外，如上述製造之基板決定對第一基板213組合之第二基板211後，亦可對其餘基板製造倍率差小於臨限值的基板。藉此，可提高基板211、213之良率。
此外，本實施例係顯示判斷第一基板213及第二基板211之組合對積層基板230是否滿足預定條件之例，不過亦可取代其而個別判斷第一基板213及第二基板211是否分別滿足指定條件。此時，指定條件係在第一基板213及第二基板211中分別預測為係在從搬入積層基板製造裝置100至貼合完成為止的貼合過程中產生之應變量，為分別設於第一基板213及第二基板211之連接端子的寬幅尺寸一半以下。或是預先記憶滿足該條件時第一基板213及第二基板211之各個彎曲狀態，從測定之彎曲狀態判斷是否滿足條件。
以上係使用實施形態說明本發明，不過本發明之技術性範圍不限定於上述實施形態中記載的範圍。熟悉本技術之業者明瞭可對上述實施形態加以多樣的變更或改良。從申請專利範圍之記載即可明瞭加上此種變更或改良之形態亦可包含於本發明之技術性範圍中。
請注意申請專利範圍、說明書、及圖式中顯示之裝置、系統、程式及方法中的動作、程序、步驟及階段等各處理之執行順序，只要並未特別明示為「更早」、「事先」等，或在後面的處理使用前面處理之輸出者，可以任意順序實現。關於申請專利範圍、說明書及圖式中之動作流程，即使權宜上使用「首先」、「其次」等作說明，並不表示必須按照該順序實施。
S102、S205、S301、S302、S303‧‧‧步驟

Claims (26)

  1. 一種積層基板製造方法，係貼合第一基板與第二基板來製造積層基板，包含以下階段：取得關於前述第一基板之彎曲的資訊；以及以下至少其中之一：(i)依據關於前述彎曲的資訊，估計前述第一基板與前述第二基板彼此貼合時在前述第一基板產生的應變量的階段，以及(ii)依據關於前述彎曲的資訊，算出前述第一基板與前述第二基板彼此貼合時前述第一基板與前述第二基板之間的位置偏差量的階段。
  2. 如申請專利範圍第1項之積層基板製造方法，其中前述資訊包含關於前述第二基板之彎曲的資訊；前述積層基板製造方法包含以下階段：依據前述資訊，判斷前述第一基板及前述第二基板是否滿足指定條件；及滿足前述指定條件時，將前述第一基板及前述第二基板貼合。
  3. 如申請專利範圍第2項之積層基板製造方法，其中前述指定條件包含前述位置偏差量小於臨限值。
  4. 如申請專利範圍第2項之積層基板製造方法，其中前述資訊包含前述第一基板之應變狀態及前述第二基板的應變狀態，前述指定條件包含前述第一基板之前述應變狀態與前述第二基板的前述應變狀態之組合符合預定之組合。
  5. 如申請專利範圍第2項之積層基板製造方法，其中在前述判斷階段不滿足前述指定條件時，進一步具備以彼此貼合前述第一基板及前述第二基板時之位置偏 差量小於臨限值的方式，使前述第一基板及前述第二基板之至少一方的形狀變化之階段。
  6. 如申請專利範圍第2項之積層基板製造方法，其中在前述判斷階段不滿足前述指定條件時，進一步具備取代判斷為不滿足前述指定條件之前述第二基板，而從其他複數個第二基板選擇與前述第一基板貼合時之位置偏差量小於臨限值的第二基板之階段。
  7. 如申請專利範圍第2項之積層基板製造方法，其中在前述判斷階段不滿足前述指定條件時，具備製造貼合於前述第一基板時，與前述第一基板之間之位置偏差量小於臨限值的基板之階段。
  8. 如申請專利範圍第7項之積層基板製造方法，其中具備以與前述第一基板貼合狀態之倍率對前述第一基板的倍率在指定範圍內之方式製造前述第二基板的階段。
  9. 如申請專利範圍第2項之積層基板製造方法，其中前述指定條件包含彼此貼合前述第一基板及前述第二基板時之位置偏差量，或前述位置偏差量與臨限值之差，為可藉由修正部修正前述第一基板及前述第二基板之位置偏差的大小。
  10. 如申請專利範圍第1項之積層基板製造方法，其中前述資訊包含顯示前述第一基板之翹曲大小、翹曲方向、撓曲大小、及撓曲方向的至少一個之資訊。
  11. 如申請專利範圍第10項之積層基板製造方法，其中前述資訊包含從將 前述第一基板之中心作為基準時在複數個位置的變位求出之整體彎曲資訊。
  12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項之積層基板製造方法，其中，依據前述第一基板之製造程序，估計前述資訊。
  13. 如申請專利範圍第1項之積層基板製造方法，其中前述資訊包含顯示前述第一基板之製造程序的資訊。
  14. 如申請專利範圍第1項之積層基板製造方法，其中前述資訊包含顯示前述第一基板中之應力分布的資訊。
  15. 如申請專利範圍第1項之積層基板製造方法，其中前述資訊包含顯示形成於前述第一基板之構造物的規格之資訊。
  16. 一種積層基板製造方法，係貼合第一基板與第二基板來製造積層基板的方法，其包含：取得關於前述第一基板之彎曲的資訊的階段；以及依據關於前述彎曲之資訊，以及前述第一基板與前述第二基板彼此貼合時推測在前述第一基板產生的應變量至少其中之一方，算出貼合前述第一基板及前述第二基板彼此時之前述第一基板與前述第二基板之間之位置偏差量成為閾值以下這樣的修正量的階段。
  17. 一種積層基板製造方法，係包含以下階段：依據關於複數個基板之各個彎曲的資訊，依據(i)前述複數個基板中的第一基板與第二基板彼此貼合時在前述第一基板產生的應變量，以及(ii)前述第一基板與前述第二基板彼此貼合時前述第一基板與前述第二基板之間之位置偏差量至少其中之一方，選擇前述第一基板及前述第二基板。
  18. 一種積層基板製造方法，係包含以下階段：依據關於彼此貼合之第一基 板及第二基板的各個彎曲之資訊，以彼此貼合前述第一基板及前述第二基板時之位置偏差量小於臨限值的方式，使前述第一基板及前述第二基板之至少一方產生應變，以修正前述第一基板與前述第二基板彼此貼合時的位置偏差量。
  19. 一種積層基板製造方法，係包含以下階段：依據關於彼此貼合之第一基板及第二基板的各個彎曲之資訊，判斷(i)前述第一基板之應變之狀態及前述第二基板之應變之狀態是否符合預定之應變之狀態的組合，以及(ii)前述第一基板與前述第二基板組合時，彼此貼合時的前述第一基板與前述第二基板之間的位置偏差量是否滿足預定的條件，這兩者至少其中之一方。
  20. 一種積層基板製造裝置，係貼合第一基板與第二基板來製造積層基板，其具備：取得部，其係取得關於前述第一基板之彎曲的資訊；及推測部，其係進行(i)依據關於前述彎曲的資訊，估計在前述第一基板與前述第二基板彼此貼合時在前述第一基板產生的應變量，以及(ii)依據關於前述彎曲的資訊，算出前述第一基板與前述第二基板彼此貼合時的前述第一基板與前述第二基板之間之位置偏差量，這兩者至少其中之一方。
  21. 如申請專利範圍第20項之積層基板製造裝置，其中具備判斷部，其係依據前述資訊判斷前述第一基板及前述第二基板是否滿足前述指定條件，前述判斷部在不滿足前述指定條件時，取代判斷為不滿足前述指定 條件之前述第二基板，而從其他複數個第二基板選擇與前述第一基板貼合時之位置偏差量小於預定值的第二基板。
  22. 如申請專利範圍第20或21項之積層基板製造裝置，其中進一步具備修正部及判斷部，該修正部係在不滿足前述指定條件時，以彼此貼合前述第一基板及前述第二基板時之位置偏差量小於預定值的方式，使前述第一基板及前述第二基板之至少一方形狀變化來修正；前述判斷部判斷前述第一基板及前述第二基板是否滿足指定條件。
  23. 一種積層基板製造系統，具備：基板處理裝置，其係處理第一基板及第二基板；及貼合裝置，其係貼合經前述基板處理裝置處理過之前述第一基板與前述第二基板；前述基板處理裝置包含：取得部，其係取得關於前述第一基板之彎曲的資訊；及推測部，其係進行(i)依據關於前述彎曲之資訊，估計前述第一基板與前述第二基板彼此貼合時在前述第一基板產生的應變量，以及(ii)依據關於前述彎曲之資訊，算出前述第一基板與前述第二基板彼此貼合時前述第一基板與前述第二基板之間之位置偏差量，這兩者至少其中之一方。
  24. 如申請專利範圍第23項之積層基板製造系統，其中：前述基板處理裝置更包含：判斷部，其依據前述資訊，判斷前述第一基板及前述第二基板是否滿足指定條件；及 控制部，其將貼合滿足前述指定條件之前述第一基板及前述第二基板的指示信號輸出至前述貼合裝置；前述資訊包含關於前述第二基板之彎曲的資訊；前述判斷部判斷為不滿足前述指定條件時，從複數個第二基板選擇與前述第一基板貼合時之位置偏差量小於臨限值的第二基板，前述控制部將貼合藉由前述判斷部所選擇之前述第二基板與前述第一基板的指示信號輸出至前述貼合裝置。
  25. 一種積層基板製造裝置，係貼合第一基板與第二基板貼合來製造積層基板的積層基板製造裝置，其具備取得部及控制部，該取得部取得關於前述第一基板之彎曲的資訊，該控制部，其係依據關於前述彎曲之資訊，以及前述第一基板與前述第二基板彼此貼合時推測在前述第一基板產生的應變量之至少其中之一方，算出貼合前述第一基板及前述第二基板彼此時之前述第一基板與前述第二基板之間之位置偏差量成為閾值以下這樣的修正量。
  26. 一種基板處理裝置，係具備選擇部，其係依據關於複數個基板之各個彎曲的資訊，依據(i)前述複數個基板中的第一基板與第二基板彼此貼合時在前述第一基板產生的應變量、以及(ii)在前述第一基板與前述第二基板彼此貼合時前述第一基板與前述第二基板之間的位置偏差量之至少其中之一方，選擇前述第一基板及前述第二基板。
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