TW201426885A - 基板貼合裝置、位置配合裝置、基板貼合方法、位置配合方法及積層半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

即使基板彼此以良好精確度位置配合,也會因為位置配合後的主因,產生基板彼此的位置偏離。本發明之基板貼合裝置是將第一基板與第二基板彼此接合的基板貼合裝置,具備:位置配合部,將前述第一基板與前述第二基板以位置配合裝置彼此位置配合;搬送部,將已位置配合的前述第一基板及前述第二基板從位置配合部搬出;貼合部,將被前述搬送部搬送的前述第一基板及前述第二基板彼此貼合;以及判斷部,以前述位置配合部的位置配合後,被前述搬送部搬出前,判斷前述第一基板與前述第二基板有無位置偏離。

Description

基板貼合裝置、位置配合裝置、基板貼合方法、位置配合方法及積層半導體裝置之製造方法
本發明是關於一種基板貼合裝置、位置配合裝置、基板貼合方法、位置配合方法及積層半導體裝置之製造方法。
已知一種以校準標示(alignment mark)等將一對基板位置配合的位置配合裝置(例如參照專利文獻1)。
〔專利文獻1〕特開2005-251972號公報
但是,即使基板彼此以良好精確度位置配合,由於位置配合後的主因,仍有產生基板彼此的位置偏離的問題。
在本發明的第一態樣,提供一種基板貼合裝置,是將第一基板與第二基板彼此接合的基板貼合裝置,其特徵在於具備:位置配合部,將前述第一基板與前述第二基板以位置配合裝置彼此位置配合;搬送部,將已位置配合的前述第一基板及前述第二基板從位置配合部搬出;貼合部,將被前述搬送部搬送的前述第一基板及前述第二基板彼此貼合;以及判斷部,以前述位置配合部的位置配合後,被前述搬送部搬出前,判斷前述第一基板與前述第二基板有無位置偏離。
在本發明的第二態樣,提供一種位置配合裝置,具備:位置配合部,將一對基板位置配合;以及判斷部,以前述位置配合裝置內的前述一對基板資訊,判斷被前述位置配合部位置配合的前述一對基板的有無位置偏離。
在本發明的第三態樣,提供一種基板貼合方法,是將第一基板與第二基板彼此接合的基板貼合方法,其特徵在於包含:將前述第一基板與前述第二基板以位置配合裝置彼此位置配合的位置配合步驟;將已位 置配合的前述第一基板及前述第二基板從位置配合部搬出的搬送步驟;將被前述搬送步驟搬送的前述第一基板及前述第二基板彼此貼合的貼合步驟;以及以前述位置配合部的位置配合後,被前述搬送步驟搬出前,判斷前述第一基板與前述第二基板有無位置偏離的判斷步驟。
在本發明的第四態樣,提供一種基板貼合方法,具備:以位置配合部將一對基板以位置配合部位置配合的位置配合階段;以及以前述位置配合部內的前述一對基板資訊,判斷在前述位置配合階段位置配合的前述一對基板有無位置偏離。
在本發明的第五態樣,提供一種包含上述基板貼合方法的積層半導體裝置之製造方法。
又,上述發明概要,並非列舉本發明所有必要特徵者。又,這些特徵群的次結合也能成為本發明。
10‧‧‧基板貼合裝置
12‧‧‧環境腔
14‧‧‧大氣環境部
16‧‧‧真空環境部
18‧‧‧控制部
20‧‧‧基板卡匣
22‧‧‧基板夾具架
24、30、31、54、58‧‧‧機器臂
26‧‧‧預校準器
28‧‧‧校準裝置
32‧‧‧軌道
34‧‧‧框體
36‧‧‧固定台
38‧‧‧移動台
39‧‧‧分離台
48‧‧‧負載鎖定室
50‧‧‧進入門
52‧‧‧閘閥
53‧‧‧機器腔
55‧‧‧收容室
56‧‧‧加熱加壓裝置
60‧‧‧冷卻室
70‧‧‧上顯微鏡
72‧‧‧下顯微鏡
74‧‧‧頂板
75‧‧‧底板
76‧‧‧側壁
78‧‧‧導引軌道
80‧‧‧X台
82‧‧‧Y台
84‧‧‧升降部
85‧‧‧微動台
90‧‧‧基板
93‧‧‧基板積層體
94‧‧‧基板夾具
95‧‧‧貼合基板
96‧‧‧積層半導體裝置
100‧‧‧位置檢測部
102、112、114‧‧‧干涉計
104、106‧‧‧上側固定鏡
108、110‧‧‧下側固定鏡
200‧‧‧上基板夾具
202‧‧‧上載置部
206、207‧‧‧上靜電墊
208‧‧‧結合部件
210‧‧‧下基板夾具
212‧‧‧下載置部
214、216‧‧‧下靜電墊
218‧‧‧下彈性部件
220‧‧‧被結合部件
300‧‧‧控制部
302‧‧‧存放部
310‧‧‧取得部
312‧‧‧驅動控制部
314‧‧‧判斷部
Ba‧‧‧凸出
M‧‧‧校準標示
第一圖係基板貼合裝置10的全體結構圖。
第二圖係說明以基板貼合裝置10進行的貼合基板95的貼合步驟的積層半導體裝置96的製造方法的圖。
第三圖係說明以基板貼合裝置10進行的貼合基板95的貼合步驟的積層半導體裝置96的製造方法的圖。
第四圖係說明以基板貼合裝置10進行的貼合基板95的貼合步驟的積層半導體裝置96的製造方法的圖。
第五圖係說明以基板貼合裝置10進行的貼合基板95的貼合步驟的積層半導體裝置96的製造方法的圖。
第六圖係校準裝置28的側面圖。
第七圖係位置檢測部100邊的全體斜視圖。
第八圖係從下方來看為一基板夾具94的上基板夾具200的斜視圖。
第九圖係從上方來看為另一基板夾具94的下基板夾具210的斜視圖。
第十圖係校準裝置28的控制系統的方塊圖。
第十一圖係說明以校準裝置28進行位置配合處理的流程圖。
第十二圖係表示位置資訊的一例的圖。
以下,經由發明的實施形態來說明本發明,但以下實施形態並非限定關於申請專利範圍的發明者。又,在實施形態中所說明的所有特徵組合,可以不是發明解決手段所必須。
第一圖係基板貼合裝置10的全體結構圖。基板貼合裝置10將兩片基板90、90貼合,來製造貼合基板95。又,基板貼合裝置10也可以將三片以上的基板90貼合,來製造貼合基板95。
如第一圖所示,基板貼合裝置10具備:大氣環境部14、真空環境部16、控制部18以及複數個基板卡匣20。控制部18控制基板貼合裝置10的整體動作。
基板卡匣20收容基板90以及貼合基板95。被基板貼合裝置10所貼合的基板90,除了是單體的矽晶圓、化合物半導體晶圓、玻璃基板等之外,也可以於其形成元件、電路、端子等。
大氣環境部14具備:環境腔12、基板夾具架22、機器臂24、30、31、預校準器26、校準裝置28(位置配合裝置的一例)以及分離台39。環境腔12被形成為包圍大氣環境部14。包圍環境腔12的區域被連通於空氣調整機等,進行溫度管理。
基板夾具架22收容複數對基板夾具94,基板夾具94從上下方向保持重合的基板90及貼合基板95。基板夾具94以靜電吸附來保持基板90。又,基板夾具94也可以用真空吸附來保持基板90。
機器臂24將裝填於基板卡匣20的基板90與裝填於基板夾具架22的基板夾具94搬送至預校準器26。機器臂24在預校準器26內將保持於基板夾具94的基板90搬送至校準裝置28。又,機器臂24將連續被搬送的兩組基板夾具94及基板90中的一組基板夾具94及基板90翻轉並搬送。機器臂24在貼合後,將搬送到基板夾具架22的貼合基板95搬送到任一基板卡匣20。
預校準器26對於基板夾具94定位基板90,並搭載於該基板夾具94上。雖然是高精確度但為了在狹窄的校準裝置28的調整節圍裝 填各基板90,預校準器26配合基板90與基板夾具94的相對位置。藉此,校準裝置28可以迅速且正確地進行基板90彼此的定位。
校準裝置28根據在一基板90所形成的複數個校準標示的位置與在另一基板90所形成的複數個校準標示的位置,位置配合並重合一對基板90。校準裝置28被配置在機器臂24與機器臂30之間。校準裝置28具備:框體34、固定台36移動台38(移動部的一例)。固定台36及移動台38是將一對基板位置配合的位置配合部的一例。
框體34被形成為包圍固定台36及移動台38。在框體34的基板卡匣20側的面與真空環境部16側的面,形成有開口。藉此,包含從兩側夾持重合狀態的一對基板90的一對基板夾具94的基板積層體93,經由開口被搬入及搬出。
固定台36被設成面對移動台38的上方。固定台36的下面真空吸附並保持基板夾具94,基板夾具94保持被機器臂24翻轉並搬送的基板90。
移動台38的上面真空吸附並保持基板夾具94,基板夾具94不被翻轉,保持被機器臂24搬送的基板90。移動台38在XY方向移動,並使一對基板90的一基板90在水平面內移動。藉此,移動台38將固定台36的基板90與移動台38的基板90位置配合。移動台38上升,使保持於基板夾具94的一對基板90重合。此後,一對基板90被基板夾具94夾持。藉此,重合狀態下的一對基板90形成被一對基板夾具94夾持的基板積層體93。基板90與基板90也可以用接著劑暫時接合,也可以用電漿暫時接合,也可以只是重合。
機器臂30真空吸附基板積層體93,並搬送至真空環境部16。機器臂30將包含貼合基板95的基板積層體93從真空環境部16搬送至分離台39。分離台39將貼合基板95與基板夾具94分離。機器臂31將被分離台39分離的貼合基板95與基板夾具94,沿著軌道32搬送至基板夾具架22。
真空環境部16在基板貼合裝置10的貼合步驟中,被設定成真空狀態。真空環境部16具備:負載鎖定室48、進入門50、閘閥52、機 器腔53、機器臂54、三個收容室55、三個加熱加壓裝置56、機器臂58以及冷卻室60。又,加熱加壓裝置的個數並非限定成三個,也可以做適當變更。
負載鎖定室48連接大氣環境部14與真空環境部16。負載鎖定室48可以設定真空狀態以及大氣壓。在負載鎖定室48的大氣環境部14側與真空環境部16側形成有開口,該開口可以搬入及搬出包含貼合前的一對基板90的基板積層體93與包含貼合基板95的基板積層體93。
進入門50開關負載鎖定室48之大氣環境部14側的開口。閘閥52開關負載鎖定室48之真空環境部16側的開口。機器臂54被配置成可在機器腔53的中心轉動。機器臂54將被機器臂30搬入負載鎖定室48之基板積層體93搬入至任一個加熱加壓裝置56。
收容室55具有閘閥57,經由閘閥57與機器腔53連接。收容室55具有在搬入及搬出基板積層體93時開關的閘閥57。
三個加熱加壓裝置56是以機器腔53為中心被放射狀地配置。加熱加壓裝置56經由閘閥57與機械腔53連接。加熱加壓裝置56夾住基板積層體93並加熱及加壓,來貼合一對基板90。
機器臂58被配置成可在機器腔53中心轉動。藉此,機器臂58將基板積層體93從加熱加壓裝置56搬送到冷卻室60。又,機器臂58將基板積層體93從冷卻室60搬送到負載鎖定室48。
冷卻室60具有冷卻功能。藉此,冷卻室60冷卻被搬送的基板積層體93。冷卻室60經由閘閥57與機器腔53連接。
第二~五圖是說明包含以基板貼合裝置10進行貼合基板95的貼合步驟的積層半導體裝置96的製造方法圖。在貼合步驟中,機器臂24將基板夾具94從基板夾具架22取出,搬送到預校準器26。接下來,機器臂24從任一基板卡匣20取出基板90,並搬送到預校準器26。預校準器26觀察基板90及基板夾具94的外形來進行位置配合,如第二圖所示,被載置於基板90及基板夾具94上。基板夾具94吸附並保持被載置的基板90。
如第三圖所示,機器臂24翻轉基板90及基板夾具94,並搬送到固定台36的下面。固定台36與基板90一起以真空吸附來保持基板 夾具94。
機器臂24將下一個基板90及基板夾具94搬送到預校準器26。機器臂24不用翻轉以預校準器26位置配合的基板90及基板夾具94,搬送到移動台38。移動台38保持基板90及基板夾具94。移動台38移動到固定台36的下方。藉此,移動台38的基板90與固定台36的基板90被校準裝置28位置配合。
接下來,如第四圖所示,移動台38移動到上方,移動台38的基板90的上面與固定台36的基板90的下面重合,基板夾具94彼此以磁力吸附。藉此,基板積層體93被形成。固定台36解除基板積層體93的吸附後,機器臂30將移動台38上的基板積層體93搬送到負載鎖定室48。機器臂54將基板積層體93從負載鎖定室48搬入到加熱加壓裝置56。
加熱加壓裝置56將基板積層體93加熱到結合溫度為止後,維持結合溫度並從上下方向加壓基板積層體93。藉此,基板積層體93的一對基板90被貼合並成為貼合基板95。此後,基板積層體93降溫至固定溫度為止,則機器臂58將基板積層體93搬入到冷卻室60。冷卻室60進一步冷卻基板積層體93。機器臂58將已冷卻的基板積層體93從冷卻室60搬送到負載鎖定室48。
接下來,機器臂30將基板積層體93從負載鎖定室48搬送到分離台39。分離台39將基板積層體93的貼合基板95從基板夾具94分離。機器臂31將基板夾具94以及貼合基板95搬送到基板夾具架22。基板夾具架22回收基板夾具94。機器臂24在基板卡匣20搬出貼合基板95。藉此,以基板貼合裝置10進行的貼合步驟結束,完成貼合基板95。之後,沿著如第五圖所示的虛線,貼合基板被個別片化,完成積層半導體裝置96。
第六圖是校準裝置28的側面圖。將在第六圖以箭頭所示的XYZ做為校準裝置28的XYZ方向。校準裝置28的除了上述的框體34、固定台36及移動台38,更具有上顯微鏡70、下顯微鏡72以及位置檢測部100。
框體34被形成為包圍固定台36及移動台38。框體34具有:頂板74、底板75及側壁76。頂板74及底板75被水平地配置成彼此平行。 側壁76結合頂板74及底板75。側壁76的基板卡匣20側的面與側壁76的真空環境部16側的面,被開口成可以搬入及搬出基板90及貼合基板95。
固定台36被固定於頂板74的下面。固定台36被設於比移動台38更高的位置。固定台36的下面在保持基板90的狀態下真空吸附被機器臂24翻轉的基板夾具94。又,固定台36的下面也可以靜電吸附基板夾具94。
移動台38被配置於底板75上面。移動台38具有:導引軌道78、X台80、Y台82、升降部84以及微動台85。
導引軌道78被固定於底板75。導引軌道78在X方向延伸。X台80被配置於導引軌道78上。X台被導引軌道78引導並在X方向移動。Y台82被配置在X台80上。Y台沿著X台80上的導引軌道在Y方向移動。升降部84被固定於Y台82的上面。升降部84使微動台85在上下升降。
微動台85被固定於升降部84的上面。微動台85的上面真空吸附保持基板90的基板夾具94。又,微動台85的上面也可以靜電吸附基板夾具94。在吸附於微動台85的基板90所配有的凸出Ba與在吸附於固定台36的基板90所配有的凸出Ba電性接合。微動台85是以X台80、Y台82及升降部84在XYZ方向移動。微動台85使吸附的基板夾具94及基板90在XY方向移動,並使基板夾具94及基板90在鉛直軸周圍旋轉。又,微動台85的XY方向移動,相較於X台80及Y台82的移動是微小尺寸且可動範圍也小。藉此,移動台38可將吸附的基板90對於固定台36的基板90位置配合並重合配合。
上顯微鏡70被固定於頂板74。上顯微鏡70被配置成與固定台36相隔有間隔。上顯微鏡70觀察並攝影在吸附於微動台85的基板90所形成的校準標示M。吸附於微動台85的基板90所配有的校準標示M算出基板90的位置並用於在與固定台36的基板90的貼合的位置配合。校準標示M被形成於可由上顯微鏡70觀察的基板90的上面。上顯微鏡70輸出已攝影的校準標示M的圖像。
下顯微鏡72被固定於移動台38的Y台82上。下顯微鏡72 被配置成與升降部84相隔有間隔。因此,下顯微鏡72與升降部84及微動台85一起在XY方向移動。下顯微鏡72觀察並攝影在吸附於固定台36的基板90所形成的校準標示M。校準標示M被形成於可由下顯微鏡72觀察的基板90的下面。下顯微鏡72輸出已攝影的校準標示M的圖像。
位置檢測部100輸出關於固定台36與移動台38的位置的資訊(位置資訊)。換言之,位置檢測部100輸出關於保持再固定台36的基板90與保持在移動台38的基板90的位置的資訊(位置資訊)。該位置資訊是位置配合裝置內的一對基板資訊的一例。在一對基板90的相對位置資訊,包含重合的一對基板90的位置資訊。位置檢測部100具備:干涉計102、上側固定鏡104、106以及下側固定鏡108、110。上側固定鏡104、106以及下側固定鏡108、110是反射部件的一例。
第七圖是位置檢測部100周邊的全體斜視圖。如第七圖所示,位置檢測部100更具備干涉計112、114。
上側固定鏡104、106被固定於固定台36。下側固定鏡108、110被固定於移動台38。上側固定鏡104以及下側固定鏡108具有將X方向做為垂直線的平行於YZ平面的反射面。上側固定鏡106以及下側固定鏡110具有將Y方向做為垂直線的平行於XZ平面的反射面。
干涉計102被配置成面對上側固定鏡104以及下側固定鏡108。干涉計102將平行於X方向的雷射光向著上側固定鏡104以及下側固定鏡108射出。干涉計102是將以被上側固定鏡104以及下側固定鏡108反射的雷射光的干涉產生的雷射光強度所示訊號的振幅,做為固定台36與移動台38的鉛直軸周圍的旋轉方向的位置資訊來檢測並輸出。
干涉計112被配置成面對上側固定鏡104以及下側固定鏡108。干涉計112將平行於X方向的雷射光向著上側固定鏡104以及下側固定鏡108射出。干涉計112將是以被上側固定鏡104以及下側固定鏡108反射的雷射光的干涉產生的雷射光強度所示訊號的振幅,並將固定台36與移動台38的X方向位置的時間變化做為位置資訊來檢測並輸出。該位置資訊是一對基板位置的時間變化的一例。
干涉計114被配置成面對上側固定鏡106以及下側固定鏡 110。干涉計114將平行於Y方向的雷射光向著上側固定鏡106以及下側固定鏡110射出。干涉計114將是以被上側固定鏡106以及下側固定鏡110反射的雷射光的干涉產生的雷射光強度所示訊號的振幅,並將固定台36與移動台38的Y方向位置的時間變化做為位置資訊來檢測並輸出。該位置資訊是一對基板位置的時間變化的一例。
第八圖是從下方來看一基板夾具94(上基板夾具200)的斜視圖。將在第八圖以箭頭所示的上下做為上下方向。如第八圖所示,上基板夾具200具有:上載置部202、一對上靜電墊206、207以及三對結合部件208(夾鉗部的一例)。
上載置部202是由AlN等陶瓷所組成。上載置部202被形成為比基板90更大一圈的大致圓板狀。上載置部202的中央部的下面被形成為平面狀。上載置部202的中央部的下面比外周部更往下側突出。上載置部202的中央部的下面是做為載置基板90的載置面來運作。
上靜電墊206、207被形成為半圓形狀。上靜電墊206、207被埋入上載置部202的內部。一上靜電墊206夾住上載置部202的中心,被配置成與另一上靜電墊207成線對稱。在一上靜電墊206充電有正電荷。在另一上靜電墊207充電有負電荷。藉此,上靜電墊206、207使靜電力產生並靜電吸附基板90。
三對結合部件208被配置於上載置部202的外周側。三對結合部件208在周方向以大致120°間隔來配置。結合部件208具有結合用的永久磁石。
第九圖是從上方來看另一基板夾具94(下基板夾具210)的斜視圖。將在第九圖以箭頭所示的上下做為上下方向。如第九圖所示,下基板夾具210具有:下載置部212、一對下靜電墊214、216、下彈性部件218以及被結合部件220(夾鉗部的一例)。
下載置部212被形成為比基板90更大一圈的大致圓板狀。下載置部212的上面被形成為平面狀。下載置部212的中央部的上面比外周部更往上側突出。下載置部212的中央部的上面是做為載置基板90的載置面來運作。下載置部212在與上載置部202之間挾持著一對基板90。
下靜電墊214、216被形成為半圓形狀。下靜電墊214、216被埋入下載置部212的內部。一下靜電墊214夾住下載置部212的中心,被配置成與另一下靜電墊216成線對稱。在一下靜電墊214充電有負電荷。在另一下靜電墊216充電有正電荷。藉此,下靜電墊214、216使靜電力產生並靜電吸附基板90。
三個下彈性部件218被配置於下載置部212的外周側。三個下彈性部件218在周方向以大致120°間隔來配置。下彈性部件218是由可彈性變形的板彈簧所構成。下彈性部件218被形成為在周方向長的長方形狀。
在此,即使在被夾入於上基板夾具200與下基板夾具210之間的基板90的厚度變化,下彈性部件218仍使結合部件208與被結合部件220彼此結合。再者,下彈性部件218將因彈性變形產生的反作用力,做為夾入上基板夾具200與下基板夾具210之間的一對基板90的力來作用。
被結合部件220為吸附於磁石的材料,例如包含強磁性體材料。被結合部件220被設於下彈性部件218的端部。被結合部件220經由下彈性部件218被設於下載置部212。一對被結合部件220被配置於面對結合部件208的位置。藉此,當上基板夾具200的下面與下基板夾具210的上面在面對狀態下接近,則被結合部件220被磁力吸附於結合部件208並彼此結合。結果,基板90被上基板夾具200與下基板夾具210夾住。在此基板保持狀態下,下彈性部件218彈性變形,來適當地調整從上基板夾具200以及下基板夾具210作用於基板90的按壓力。
第十圖是校準裝置28的控制系統的方塊圖。如第十圖所示,校準裝置28更具備控制部300與存放部302。控制部300的一例為電腦。控制部300藉由讀取存放於存放部302的位置配合程式,做為取得部310、驅動控制部312以及判斷部314來運作。
取得部310從上顯微鏡70以及下顯微鏡72取得校準標示M的圖像,輸出到驅動控制部312。取得部310從干涉計102、112、114取得位置資訊,輸出到判斷部314。
驅動控制部312從取得部310取得上顯微鏡70以及下顯微 鏡72攝影的校準標示M的圖像。驅動控制部312從校準標示M的圖像檢測校準標示M的位置。驅動控制部312算出固定台36的基板90的校準標示M的位置與移動台38的基板90的校準標示M的位置成為相同位置的吸附於移動台38的基板90的移動量。移動量配合移動台38的XY方向的並進移動以及鉛直軸周圍的旋轉運動,並以(Sx、Sy、θ)來表示。Sx是X方向的基板90的移動量。Sy是Y方向的基板90的移動量。θ是鉛直軸周圍的基板90的旋轉量。驅動控制部312根據算出的移動量,使移動台38的X台80、Y台82以及微動台85驅動,將一對基板90位置配合。驅動控制部312在基板90彼此位置配合後,驅動升降部84,使移動台38的基板90在上方移動,使基板90彼此重合。
判斷部314是在以固定台36以及移動台38進行位置配合後,被機器臂30搬出前,判斷一對基板90有無位置偏離。判斷部314根據校準裝置28內的一對基板90的資訊,判斷一對基板90有無位置偏離。判斷部314將校準裝置28內的資訊的一例的位置資訊(即位置檢測部100的干涉計102、112、114輸出的位置資訊)從取得部310取得。判斷部314根據取得的位置資訊,判斷該位置資訊檢測後的一對基板90間的位置偏離。具體來說,判斷部314將從位置檢測部100取得的光的振幅與判斷位置偏離產生的閾值(判斷閾值)比較,來判斷位置偏離的產生。判斷閾值是從振幅與位置偏離的過去相關關係來設定。又,干涉計102、112、114檢測一對基板90中的一基板90的位置資訊,判斷部314也可以根據一基板90的位置資訊,來判斷有無位置偏離。以判斷部314進行有無位置偏離的判斷包含:根據取得的位置資訊,推測在檢測位置資訊後有無位置偏離。判斷閾值也可以對應位置資訊的檢測時序來設定。
第十一圖係說明以校準裝置28進行位置配合處理的流程圖。第十二圖係表示判斷部314從位置檢測部100取得位置資訊的一例的圖。校準裝置28的控制部300藉由讀取存放於存放部302的位置配合程式,執行位置配合處理。又,位置配合處理是藉由基板90、上基板夾具200及下基板夾具210被搬送到各固定台36以及移動台38來開始。在移動台38所搬送的下基板夾具210的被結合部件220,被移動台38限制。藉此,被 結合部件220在XY方向以及鉛直方向的移動被管制。
如第十一圖所示,當位置配合處理開始,則取得部310控制上顯微鏡70以及下顯微鏡72,使校準標示M攝影來取得圖像(S10)。取得部310將校準標示M的圖像輸出到驅動控制部312。
當驅動控制部312取得校準標示M的圖像,則算出固定台36的校準標示M與移動台38的校準標示在XY面內成為相同位置的基板移動量(S12)。當驅動控制部312算出移動量,則開始訊號輸出到判斷部314。
當判斷部314從驅動控制部312取得開始訊號,則開始經由取得部310從位置檢測部110的干涉計102、112、114輸出位置資訊的取得(S14)。判斷部314將取得的位置資訊存放到存放部302。
當驅動控制部312算出移動量,與基板90一起,根據移動量使移動台38的X台80、Y台82以及微動台85移動。藉此,驅動控制部312在XY面內將基板90彼此位置配合(S16)。
驅動控制部312使升降部84驅動,與基板90一起使微動台85上升。藉此,驅動控制部312將固定台36的基板90與移動台38的基板90重合(S18)。由於被結合部件220被移動台38限制,所以在基板90彼此被重合的狀態下,被結合部件220與結合部件208不結合。
驅動控制部312解處以移動台38進行被結合部件220的限制。藉此,驅動控制部312藉由一對上基板夾具200以及下基板夾具210,使基板90夾住(S20)。驅動控制部312控制升降部84,使移動台38下降(S21)。驅動控制部312當移動台38的下降完畢,則將結束訊號輸出到判斷部314。判斷部314結束位置資訊的取得(S22)。
接下來,判斷部314解析存放部302所存放的第十二圖所示的位置資訊,來判斷位置資訊檢測後的位置偏離是否產生(S24)。在第十二圖中,時刻T1是藉由驅動控制部312使微動台85上升,來表示固定台36的基板90與移動台38的基板90的接觸時刻。換言之,時刻T1以後的位置資訊,是一對基板90彼此接觸時的位置資訊。時刻T2是驅動控制部312解除以移動台38進行的被結合部件220的限制,來表示一對基板90被 夾在上基板夾具200以及下基板夾具210的時刻。時刻T3是驅動控制部312使移動台38下降開始的時刻,也是上基板夾具200從固定台36脫離的時刻。從第十二圖可知,在時刻T1、T2、T3,振幅會變大。又,時刻T3以後,也可以將機器臂30接觸一對基板90的至少一者的時刻的振幅包含在判斷有無位置偏離的位置資訊。
判斷部314根據位置資訊的振幅大小來判斷位置偏離的產生。例如,判斷部314判定時刻T1、T2、T3的振幅最大值是否在判斷閾值以上。在判定時刻T1、T2、T3等附近的振幅最大值未滿位置偏離判斷用閾值(判斷閾值)的情況下,判斷部314判斷位置偏離未產生(S24:否),將搬送指示輸出到控制部18(S16)。藉此,機器臂30將被位置配合的基板積層體93搬送到負載鎖定室48,結束位置配合處理。
另一方面,當判斷部314判定振幅最大值為判斷閾值以上時,則判斷位置偏離產生(S24:是),執行位置偏離對應處理(S28),結束位置配合處理。位置偏離對應處理的一例是判斷部314輸出產生訊號到控制部18。藉此,控制部18將以機器臂30、54等進行的基板積層體93的搬送速度變得比通常慢來搬送到加熱加壓裝置56,抑制位置偏離。
如上述,在校準裝置28,判斷部314從位置檢測部100所取得的位置資訊,判斷位置資訊檢測後的位置偏離產生。藉此,校準裝置28為例如可以執行將來自校準裝置28的搬送變慢等的抑制位置偏離的處理。結果,基板貼合裝置10可以使基板90的貼合精確度提升。
接下來,說明在上述實施形態中的位置偏離的判斷方法的其他形態。
判斷部314也可以算出位置資訊的振幅的移動平均,若該移動平均在判斷閾值以上,則判定位置偏離產生。又,移動平均也可以是單純移動平均,也可以是加權移動平均。
判斷部314也可以根據複數個判斷閾值來判定位置偏離的產生。例如,判斷部314也可以根據在位置資訊(振幅)檢測時配合並設定的複數個判斷閾值,來判定位置偏離的產生。具體來說,判斷部314也可以根據關於從時刻T1所預定的時間振幅的第一判斷閾值,來判定位置偏 離的產生。同樣地,判斷部314也可以根據關於從時刻T2、T3所預定的時間振幅的第二判斷閾值以及第三判斷閾值,分別來判定位置偏離的產生。預定時間是在時刻T1、T2、T3的振幅增加到安定為止的平均時間,被經驗地設定。在此形態中,從第一到第三判斷閾值是從過去的光振幅與時間偏離的相關關係分別算出的不同值被設定。例如,在時刻T2,藉由夾住開始,在下彈性部件218積蓄應力的可能性高。當此應力在搬送中被解放,則在基板90間產生位置偏離的可能性高。因此,時刻T2的第二判斷閾值被設成比第一及第三判斷閾值更小。
再者,也可以在XY方向以及周方向設定不同的判斷閾值。例如,在上述時刻T2中,積蓄成為位置偏離原因的可能性高的應力的下彈性部件218是在基板夾具94的大致周方向延伸。因此,在應力作用的機率高的周方向位置偏離產生的可能性高,所以θ方向的判斷閾值被設成比XY方向的判斷閾值更小。在每個不同方向對於判斷閾值,也可以配合位置偏離的產生機率來進行加權。
判斷部314也可以在振幅變大時,僅根據預先預測的時間帶的振幅,來判定位置偏離的產生。例如判斷部314也可以根據從時刻T1、T2、T3所預先設定的時間之間檢測的振幅,來判定位置偏離的產生。
判斷部314也可以取得位置資訊,並在與該取得同時判斷位置偏離的產生。藉此,判斷部314可以在時刻T1、T2、T3之後立即等判斷位置偏離的產生。結果,校準裝置28可以對應位置偏離。例如,在判斷位置偏離產生的時間點,驅動控制部312藉由使移動台38下降,可再度進行位置配合,來重疊基板90。藉此,校準裝置28可以抑制在位置配合後的位置偏離。
判斷部314也可以在取得位置資訊的時間點檢測位置偏離的產生。例如,在位置資訊的振動中心偏離之前的振動中心的狀況下,判斷部314判定在基板90間產生位置偏離。判斷部314在位置配合後檢測到位置偏離的情況下,校準裝置28再度進行一對基板90的位置配合。
接下來,說明在上述實施形態中的位置偏離對應處理的其他形態。
在位置偏離對應處理中,判斷部314也可以將使基板積層體93搬出外部的搬出訊號輸出到控制部18。藉此,機器臂24將包含未貼合基板90的基板積層體93從校準裝置28搬出到基板卡匣20。再者,在其他位置偏離對應處理中,在夾住時,驅動控制部312也可以將被結合部件220以低速接近並接觸結合部件208之後離開。在其他的位置偏離對應處理中,在夾住時,驅動控制部312也可以將被結合部件220接近結合部件208之後離開。也就是說,在夾住時,為了緩和被結合部件220與結合部件208之間的衝擊,控制被結合部件220的位置以及速度的至少一者。如此,判斷部314在推測位置偏離產生的情況下,輸出成變更以控制位置資訊檢測後的步驟的控制部18進行的控制。
在上述實施形態中的結構的功能、連接關係、形狀、數值等也可以適當變更。又,也可以組合各實施形態。
例如,在上述實施形態中,表示干涉計102、112、114檢測基板90的位置資訊的例,但位置檢測部100也可以藉由線性編碼器、旋轉編碼器等來檢測位置資訊。
又,在上述實施形態中,干涉計102、112、114藉由檢測固定台36及移動台38的位置變化來取得基板90的位置資訊,但位置檢測部100也可以在直接照射於基板90後,藉由反射的雷射光的干涉,來檢測基板90的位置資訊。
判斷部314也可以組合複數個振幅來判斷位置偏離。例如,也可以比較合計XY方向的振幅的值與判斷閾值來判斷位置偏離。
判斷部314也可以根據位置資訊的訊號形狀(即波形)來推定並判斷位置偏離的產生主因。例如,判斷部314根據波形,從過去的位置偏離產生主因與波形的相關關係來推定並判斷在搬送時產生位置偏離、以加熱加壓裝置56產生位置偏離等主因。
又,也可以記憶在過去所計測的位置偏離產生時的波形資料。在此情況下,判斷部314藉由比較檢測到的波形與位置偏離產生時的波形,來判斷位置偏離是否產生。
再者,判斷部314也可以在超過判斷位置偏離產生的預定閾值大小的 振幅,於超過預定閾值期間連續產生的情況下,判斷位置偏離產生。在此情況下,閾值是根據振幅大小與預定大小的振幅連續產生的期間來設定。又,振幅的閾值也可以比第十一圖及第十二圖所示的例的閾值更小。在此情況下,記憶在過去所計測的振幅以及期間與位置偏離的相關關係,判斷部314藉由此記憶的資料與計測的振幅以及期間的比較,來判斷位置偏離是否產生。
在上述實施形態,雖然表示了藉由一對基板夾具94來保持一對基板90的例,但保持一對基板90的形態並不受限於此。例如,一對基板90也可以藉由一個基板夾具與設於該基板夾具的夾鉗等的保持部件來保持。在此情況下,例如,基板夾具被配置在一對基板90的下側,保持部件從上按壓並保持一對基板。在這種形態的情況下,保持部件為例如在基板夾具的外周以等間隔設置複數個,例如設置三個程度為較佳。位置檢測部100也可以將保持部件的位置做為基板90的位置資訊。在此情況下,干涉計也可以將雷射光照射於保持部件來取得位置資訊。又,基板夾具也可以保持一對基板的至少一者。
在上述實施形態,做為基板90的位置資訊,採用了平行於一對基板90的面的方向,即在X方向、Y方向以及θ方向的基板90的位置資訊,但基板90的位置資訊並不受限於此。例如,做為基板90的位置資訊,也可以採用垂直於一對基板的面的方向,即在Z方向的一對基板90的位置資訊。Z方向的位置資訊可以藉由安裝於固定台36的測力計、安裝於移動台38的線性編碼器以及Z方向的位置檢測的Z干涉計等來檢測及取得。在此情況下,判斷部314即使在不能從XY θ方向的位置資訊檢測有無位置偏離的情況下,在Z方向的位置資訊有變化的情況下,可以檢測在Z方向振動者。判斷部314在Z方向的位置資訊為Z方向用的判斷閾值以上的情況下,也可以判斷位置偏離產生。藉此,判斷部314為例如在夾住的板彈簧殘留應力,在之後的搬送中等,應力被釋放,可推測在一對基板90產生位置偏離。又,判斷部314在Z方向的位置變化的狀態持續的情況下,可判斷在基板90產生破裂。再者,判斷部314藉由組合XY θ方向及Z方向的位置資訊來取得三維位置資訊,在可重試位置配合時,可更正確地修 正位置配合。
在校準裝置28也可以設有顯示部,將關於位置偏離的資訊顯示給使用者。顯示部的一例為液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等。顯示部所顯示的資訊的一例是一對基板所產生的位置偏離的偏離量、位置偏離產生的時序、是否貼合、位置配合後的程序是否變更以及該程序的變更內容提案等。
以上,雖然用實施形態來說明本發明,但本發明的技術範圍並不受限於上述實施形態所記載的範圍。所屬領域中具有通常知識者明瞭可以在上述實施形態施加多種變更或改良。施加如此變更或改良的形態也可包含於本發明的技術範圍者,是從申請專利範圍的記載所明瞭者。
應留意在申請專利範圍、說明書以及圖式中所示的裝置、系統、程式以及方法中的動作、順序、步驟以及階段等的各處理的執行順序,只要沒有特別明示為「更前」、「之前」等,或在後處理使用前處理之輸出者,就可以任意順序實現。關於申請專利範圍、說明書以及圖式中的動作流程,即使權宜上使用「首先」、「其次」等來說明,並非意味必須以此順序實施者。
28‧‧‧校準裝置
70‧‧‧上顯微鏡
72‧‧‧下顯微鏡
80‧‧‧X台
82‧‧‧Y台
84‧‧‧升降部
85‧‧‧微動台
100‧‧‧位置檢測部
102、112、114‧‧‧干涉計
300‧‧‧控制部
302‧‧‧存放部
310‧‧‧取得部
312‧‧‧驅動控制部
314‧‧‧判斷部

Claims (57)

  1. 一種基板貼合裝置,是將第一基板與第二基板彼此接合的基板貼合裝置,其特徵在於具備:位置配合部,將前述第一基板與前述第二基板以位置配合裝置彼此位置配合;搬送部,將已位置配合的前述第一基板及前述第二基板從位置配合部搬出;貼合部,將被前述搬送部搬送的前述第一基板及前述第二基板彼此貼合;以及判斷部,以前述位置配合部的位置配合後,被前述搬送部搬出前,判斷前述第一基板與前述第二基板有無位置偏離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板貼合裝置,其中前述判斷部是以前述位置配合部內的前述第一基板及前述第二基板的資訊,判斷前述第一基板及前述第二基板有無位置偏離。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板貼合裝置,更具備:位置檢測部,檢測關於前述第一基板及前述第二基板的至少一者的位置資訊;前述判斷部根據前述位置資訊,判斷前述第一基板及前述第二基板有無位置偏離。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之基板貼合裝置,其中前述判斷部是比較前述位置資訊與判斷位置偏離產生的閾值,來判斷位置偏離有無產生。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之基板貼合裝置,其中前述閾值是根據前述位置資訊與位置偏離的過去相關關係來設定。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之基板貼合裝置,其中前述閾值是對應前述位置資訊的檢測時序來設定。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之基板貼合裝置,更具備:保持部,保持前述第一基板及前述第二基板的至少一者;前述位置資訊包含關於前述保持部位置的資訊。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之基板貼合裝置,其中前述位置資訊包含因從固定於前述保持部的反射部件或前述基板所反射的光的干涉所產生的光強度所表示的訊號資訊。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之基板貼合裝置,其中前述位置資訊包含前述訊號的振幅。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板貼合裝置,其中前述判斷部是判斷前述振幅的最大值是否在前述閾值以上,判斷前述最大值在前述閾值以上的情況下產生位置偏離。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之基板貼合裝置,其中前述閾值被設定成前述振幅大小與預定大小的前述振幅連續產生的期間:前述判斷部在超過前述閾值大小的振幅超過前述閾值的期間連續產生的情況下,判斷位置偏離產生。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之基板貼合裝置,其中前述位置資訊包含前述訊號波形。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之基板貼合裝置,其中前述判斷部藉由比較前述波形與位置偏離產生時的波形,來判斷位置偏離產生。
  14. 如申請專利範圍第3項所述之基板貼合裝置,其中前述判斷部根據前述位置資訊,推測在前述第一基板及前述第二基板位置偏離是否在前述位置資訊檢測後產生。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之基板貼合裝置,其中前述判斷部在推測前述位置偏離產生的情況下,輸出成改變以控制前述位置資訊的檢測後的步驟的控制部進行的控制。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之基板貼合裝置,其中前述判斷部根據前述位置資訊,推定前述位置偏離產生的主因。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之基板貼合裝置,其中前述判斷部根據前述位置資訊與過去位置偏離產生的主因的相關關係來推定前述主因。
  18. 如申請專利範圍第3項所述之基板貼合裝置,其中前述位置檢測部所檢測的前述位置資訊,包含關於在平行於前述第一基板及前述第二基板的面的方向的前述第一基板及前述第二基板的位置資訊。
  19. 如申請專利範圍第3項所述之基板貼合裝置,其中前述位置檢測部所檢測的前述位置資訊,包含關於在垂直於前述第一基板及前述第二基板的面的方向的前述第一基板及前述第二基板的位置資訊。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之基板貼合裝置,其中前述判斷部是比較前 述位置資訊與判斷位置偏離產生的閾值,來判斷位置偏離有無產生,前述閾值被設定成每一前述方向。
  21. 如申請專利範圍第5項所述之基板貼合裝置,其中前述閾值對應位置偏離的產生機率被加權。
  22. 如申請專利範圍第3項所述之基板貼合裝置,其中前述判斷部從被位置配合的前述第一基板及前述第二基板彼此接觸時的前述位置資訊來判斷位置偏離。
  23. 如申請專利範圍第3項所述之基板貼合裝置,其中前述判斷部從前述搬送部接觸前述第一基板及前述第二基板的至少一者時的前述位置資訊來判斷位置偏離。
  24. 如申請專利範圍第3項所述之基板貼合裝置,更具備:基板夾具,保持前述第一基板及前述第二基板的至少一者;在前述基板夾具設有夾鉗部,該夾鉗部是在前述第一基板及前述第二基板重合狀態下夾持;前述判斷部從前述夾鉗部進行夾持時的前述位置資訊來判斷位置偏離。
  25. 如申請專利範圍第3項所述之基板貼合裝置,更具備:夾鉗部,在前述第一基板及前述第二基板重合狀態下夾持;前述判斷部從前述夾鉗部進行夾持時的前述位置資訊來判斷位置偏離。
  26. 如申請專利範圍第3項所述之基板貼合裝置,具備:移動部,使前述第一基板及前述第二基板的至少任一者移動;以及驅動控制部,使前述移動部驅動並將前述第一基板及前述第二基板位置配合;前述判斷部是根據前述位置資訊,在位置配合後檢測位置偏離的情況下,前述驅動控制部再次將前述第一基板及前述第二基板位置配合。
  27. 如申請專利範圍第2項所述之基板貼合裝置,其中前述位置配合部內的前述第一基板及前述第二基板的資訊,包含關於前述第一基板及前述第二基板的位置的時間變化的資訊。
  28. 一種位置配合裝置,具備: 位置配合部,將一對基板位置配合;以及判斷部,以前述位置配合裝置內的前述一對基板資訊,判斷被前述位置配合部位置配合的前述一對基板的有無位置偏離。
  29. 一種基板貼合方法,是將第一基板與第二基板彼此接合的基板貼合方法,其特徵在於包含:將前述第一基板與前述第二基板以位置配合裝置彼此位置配合的位置配合步驟;將已位置配合的前述第一基板及前述第二基板從位置配合部搬出的搬送步驟;將被前述搬送步驟搬送的前述第一基板及前述第二基板彼此貼合的貼合步驟;以及以前述位置配合部的位置配合後,被前述搬送步驟搬出前,判斷前述第一基板與前述第二基板有無位置偏離的判斷步驟。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之基板貼合方法,其中前述判斷步驟是以前述位置配合部內的前述第一基板及前述第二基板的資訊,判斷前述第一基板及前述第二基板有無位置偏離。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之基板貼合方法,更具備:檢測關於前述第一基板及前述第二基板的至少一者的位置資訊的位置檢測步驟;前述判斷步驟根據前述位置資訊,判斷前述第一基板及前述第二基板有無位置偏離。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之基板貼合方法,其中前述判斷步驟是比較前述位置資訊與判斷位置偏離產生的閾值,來判斷位置偏離有無產生。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之基板貼合方法,其中根據前述位置資訊與位置偏離的過去相關關係來設定前述閾值。
  34. 如申請專利範圍第32項所述之基板貼合方法,其中對應前述位置資訊的檢測時序來設定前述閾值。
  35. 如申請專利範圍第32項所述之基板貼合方法,前述位置資訊包含關於保持前述第一基板及前述第二基板的至少一者的保持部的位置的資訊。
  36. 如申請專利範圍第35項所述之基板貼合方法,其中前述位置資訊包含因從固定於前述保持部的反射部件或前述基板所反射的光的干涉所產生的光 強度所表示的訊號資訊。
  37. 如申請專利範圍第36項所述之基板貼合方法,其中前述位置資訊包含前述訊號的振幅。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之基板貼合方法,其中前述判斷步驟是判斷前述振幅的最大值是否在前述閾值以上,判斷前述最大值在前述閾值以上的情況下產生位置偏離。
  39. 如申請專利範圍第37項所述之基板貼合方法,其中前述閾值被設定成前述振幅大小與預定大小的前述振幅連續產生的期間:前述判斷步驟在超過前述閾值大小的振幅超過前述閾值的期間連續產生的情況下,判斷位置偏離產生。
  40. 如申請專利範圍第36項所述之基板貼合方法,其中前述位置資訊包含前述訊號波形。
  41. 如申請專利範圍第40項所述之基板貼合方法,其中前述判斷步驟藉由比較前述波形與位置偏離產生時的波形,來判斷位置偏離產生。
  42. 如申請專利範圍第35項所述之基板貼合方法,其中前述判斷步驟根據前述位置資訊,推測在前述第一基板及前述第二基板位置偏離是否在前述位置資訊檢測後產生。
  43. 如申請專利範圍第42項所述之基板貼合方法,其中前述判斷步驟在推測前述位置偏離產生的情況下,輸出成改變以控制前述位置資訊的檢測後的步驟的控制部進行的控制。
  44. 如申請專利範圍第42項所述之基板貼合方法,其中前述判斷步驟根據前述位置資訊,推定前述位置偏離產生的主因。
  45. 如申請專利範圍第44項所述之基板貼合方法,其中前述判斷步驟根據前述位置資訊與過去位置偏離產生的主因的相關關係來推定前述主因。
  46. 如申請專利範圍第31項所述之基板貼合方法,其中前述位置檢測步驟所檢測的前述位置資訊,包含關於在平行於前述第一基板及前述第二基板的面的方向的前述第一基板及前述第二基板的位置資訊。
  47. 如申請專利範圍第31項所述之基板貼合方法,其中前述位置檢測步驟所檢測的前述位置資訊,包含關於在垂直於前述第一基板及前述第二基板的面的方向的前述第一基板及前述第二基板的位置資訊。
  48. 如申請專利範圍第46項所述之基板貼合方法,其中前述判斷步驟是比較前述位置資訊與判斷位置偏離產生的閾值,來判斷位置偏離有無產生,前述閾值被設定成每一前述方向。
  49. 如申請專利範圍第33項所述之基板貼合方法,其中前述閾值對應位置偏離的產生機率被加權。
  50. 如申請專利範圍第31項所述之基板貼合方法,其中前述判斷步驟從被位置配合的前述第一基板及前述第二基板彼此接觸時的前述位置資訊來判斷位置偏離。
  51. 如申請專利範圍第31項所述之基板貼合方法,其中前述判斷部從前述搬送部接觸前述第一基板及前述第二基板的至少一者時的前述位置資訊來判斷位置偏離。
  52. 如申請專利範圍第31項所述之基板貼合方法,更具備:基板夾具,保持前述第一基板及前述第二基板的至少一者;在前述基板夾具設有夾鉗部,該夾鉗部是在前述第一基板及前述第二基板重合狀態下夾持;前述判斷步驟是從前述夾鉗部進行夾持時的前述位置資訊來判斷位置偏離。
  53. 如申請專利範圍第31項所述之基板貼合方法,更具備:夾鉗部,在前述第一基板及前述第二基板重合狀態下夾持;前述判斷步驟是從前述夾鉗部進行夾持時的前述位置資訊來判斷位置偏離。
  54. 如申請專利範圍第31項所述之基板貼合方法,具備:移動部,使前述第一基板及前述第二基板的至少任一者移動;以及驅動控制部,使前述移動部驅動並將前述第一基板及前述第二基板位置配合;前述判斷步驟是根據前述位置資訊,在位置配合後檢測位置偏離的情況下,前述驅動控制部再次將前述第一基板及前述第二基板位置配合。
  55. 如申請專利範圍第30項所述之基板貼合方法,其中前述位置配合部內的前述第一基板及前述第二基板的資訊,包含關於前述第一基板及前述第二基板的位置的時間變化的資訊。
  56. 一種位置配合方法,具備:以位置配合部將一對基板位置配合的位置配合階段;以及以前述位置配合部內的前述一對基板資訊,判斷在前述位置配合階段位置配合的前述一對基板有無位置偏離。
  57. 一種積層半導體裝置之製造方法,包含如申請專利範圍第31項所述之基板貼合方法。
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