JPH09257413A - 外周位置検出装置および方法 - Google Patents

外周位置検出装置および方法

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JPH09257413A
JPH09257413A JP9174196A JP9174196A JPH09257413A JP H09257413 A JPH09257413 A JP H09257413A JP 9174196 A JP9174196 A JP 9174196A JP 9174196 A JP9174196 A JP 9174196A JP H09257413 A JPH09257413 A JP H09257413A
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JP
Japan
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light
slit
transparent substrate
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peripheral position
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Application number
JP9174196A
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English (en)
Inventor
Fumiaki Kitayama
文昭 北山
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明基板の外周に特別の加工をすることな
く、透明基板の外周位置を検出する。 【解決手段】 発光手段と受光手段を向かい合わせ、こ
れらの発光手段と受光手段の間に載置された基板の外周
位置を受光手段で受光する光量により検出する際、前記
発光手段と前記透明基板の基板面との間に、第1のスリ
ットと、前記発光手段の像を第1のスリットに結像させ
る第1の光学手段と、第1のスリット透過光を基板面に
結像させる第2の光学手段とを配置し、前記基板面と前
記受光手段との間に、第2のスリットと、前記透明基板
がない状態で前記基板面の像を第2のスリットに結像さ
せる第3の光学手段と配置し、透明基板の透過光が、そ
の光路長の変化により前記第2のスリットでは結像せず
に一部が該スリットに蹴られることにより前記受光手段
での受光量が低下することを利用して透明基板の外周位
置を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリアライメント
等の位置決めに用いられる外周位置検出装置に関し、特
に透明基板の外周位置の検出が可能な外周位置検出装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置等において基板外周位置
の検出を行なう場合、発光ダイオード等の発光手段とリ
ニアイメージセンサ等の受光手段を用いて透過型光学系
を形成し、両者の間に載置された基板の外周位置を受光
手段での出力により検出するという方法が用いられてい
る。
【0003】ところが、前記方法では、ガラス等の材質
でできた透明基板が被検出物体となった場合、基板が載
置されなかった場合と比較して、受光手段での出力に殆
んど変化がないため、外周位置検出を行なうことはでき
ない。
【0004】そこで、前記基板外周位置検出装置にて透
明基板の外周位置検出を行なうために、基板外周部分を
面取りしておき、この面取り部分で発光手段からの照射
光が乱反射して、受光手段での受光量が低下することを
利用して基板外周位置の検出を行なっていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】通常、半導体製造装置
で使用される基板の形状は円形でかつその一部を結晶方
向を示すために切り欠いてある。前記従来技術で透明基
板の外周位置を検出するには基板外周部での面取りが不
可欠である。ユーザにとって、基板外周全域にわたって
面取りを行なうことは手間のかかることである。特に、
切り欠き部の面取りは円周部の面取りとは別の工程とな
り、更に手間やコストがかかる。また、基板厚の薄いも
のに関してはそもそも面取り自体が非常に困難な場合も
ある。
【0006】本発明は、上述の従来における問題点に鑑
みてなされたもので、透明基板の外周に面取り等の加工
を施すことなく、透明基板の外周位置の検出を可能にす
ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明では、発光手段と受光手段を向かい合わせ、こ
れらの発光手段と受光手段の間に載置された基板の外周
位置を受光手段で受光する光量により検出する際、発光
手段から受光手段に至る光路内での透明基板の有無によ
り生じる光路長の差を、前記受光手段への入射光量の差
へ変換し、その入射光量の違いにより透明基板の外周位
置を検出することを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】前記光路長の差を受光手段の入射
光量の差へ変換する変換手段としては、例えば、発光手
段結像面での像を受光手段結像面へ映した像の一部ある
いは全部を選択的に通過させるスリット等を用いること
ができる。具体例としては、前記発光手段と前記透明基
板の基板面との間の所定の位置に配置された第1のスリ
ットと、前記発光手段の像を第1のスリットに結像させ
る第1の光学手段と、第1のスリット透過光を基板面に
結像させる第2の光学手段と、前記受光手段の手前に配
置された第2のスリットと、前記透明基板がない状態で
前記基板面の像を第2のスリットに結像させる第3の光
学手段とからなるものを用いることができる。その場
合、前記各スリットは、その長手方向を前記透明基板の
外周と直交する向きに配置することが好ましい。また、
前記第2のスリットの形状は、前記透明基板がない状態
での前記第2および第3の光学手段による第1のスリッ
トの投影像と同一であることが好ましい。また、本発明
においては、前記第2のスリットと受光手段の代わりに
該第2のスリットの位置に1次元イメージセンサを配置
し、該センサへの入射光量の急変位置を前記透明基板の
外周位置として検出することも可能である。
【0009】
【作用】上記の構成によれば、透明基板の透過光は、そ
の光路長の変化により、受光側結像面では結像せず、受
光側結像面に設けられたスリットに蹴られることにより
受光手段での受光量が低下する。これを利用することに
より、発光手段と受光手段の間に載置された透明基板の
外周位置の検出が可能となる。
【0010】
【実施例】図1は本発明の一実施例に係る外周位置検出
装置の構成を示す。同図において、1は発光ダイオード
等の発光手段、2は1次元イメージセンサ等の受光手
段、3は発光側結像面上に設けられた発光側スリット、
4は受光側結像面上に設けられた受光側スリット、5は
発光手段1と受光手段2の間に載置された透明基板、6
は発光手段1からの照射光を発光側スリット3上へ結像
させるための結像手段、7は発光側スリット3からの照
射光を透明基板5上へ結像させるための結像手段、8は
透明基板5からの照射光を結像側スリット4上へ結像さ
せるための結像手段を表わす。
【0011】図2は図1の点線Aの断面(透明基板5を
通る断面)で切った図面、図3は図1の点線Bの断面
(透明基板5を通らない断面)で切った図面である。図
1において被検出物体である透明基板が無い場合につい
て、図3を参照しながら、その装置構成要素の作用を説
明する。発光手段1からの照射光は結像手段6を通って
発光側結像面にて結像する。ここで、発光側結像面には
発光側スリット3が設けられており、スリット領域に照
射された光のみが発光側結像面を通過して行く。なお、
発光側スリット3は、その通過光が被検出物体である基
板上で結像した時、必要な計測領域を確保できるもので
あれば、特にその形状は限定されるものではない。発光
側スリット3を通過した光は結像手段7により、透明基
板5が載置された時の検出面の高さで結像する様に構成
しておく。その後、検出面上を通過した光は結像手段8
を通って、受光側結像面にて結像する。この受光側結像
面での像形状は、発光側スリットを投影したものとなっ
ており、この投影像の形状に合わせた受光側スリット4
を受光側結像面上に設けておく。なお本実施例では受光
側スリットの形状は投影像の形状に合わせたが、受光手
段の計測領域に合わせて形状を変えることも可能であ
る。受光側スリット4を通過した光は受光手段2に照射
される。
【0012】次に、検出装置光路内に透明基板が存在す
る場合の作用について、図2を参照しながら説明する。
発光手段1からの照射光が基板上への結像を担う結像手
段7を通過するまでは透明基板が無い場合と同様であ
る。結像手段7を通過した光は透明基板5がなければ該
基板検出面にて結像するように構成されているが、光路
上に透明基板5が存在するためその光路長が変わり、こ
れに伴い結像面が変化する。この結像面の変化した光が
結像手段8を通過し受光側スリット4上に照射される。
ところがこの照射光は、透明基板を通過したことにより
光路長が変化しているため、図2で表されるように、受
光側スリット4上では結像せず、その光の一部は該スリ
ット4により蹴られてしまう。その結果、光路上に透明
基板のある場合には、無い場合と比較して受光手段2で
の受光量が低下する。そして受光手段2をCCDのよう
な検出位置ごとに受光量の大小を検出可能なものにして
おけば、透明基板5の外周位置を検出することが可能と
なる。
【0013】なお、本実施例の基板外周位置検出装置で
は透明でない基板の外周位置を検出することも可能であ
る。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
透明基板の面取りを行なわずに基板外周位置を検出でき
るので、ユーザが面取りを行なう手間が無くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る外周位置検出装置の
概略の構成を表した図である。
【図2】 図1の点線Aの断面で切った図面である。
【図3】 図1の点線Bの断面で切った図面である。
【符号の説明】 1:発光手段、 2:受光手段、 3:発光側スリッ
ト、4:受光側スリット、 5:透明基板、 6:発光
側スリットへの結像手段、7:透明基板上への結像手
段、 8:受光側スリットへの結像手段。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光手段および受光手段を備え、発光手
    段と受光手段の間に載置された基板の外周位置を受光手
    段で受光する光量により検出する基板外周位置検出装置
    において、 発光手段から受光手段に至る光路内での透明基板の有無
    により生じる光路長の差を、前記受光手段への入射光量
    の差へ変換する手段を設け、その入射光量の違いにより
    透明基板の外周位置を検出することを特徴とする外周位
    置検出装置。
  2. 【請求項2】 前記変換手段が、前記発光手段と前記透
    明基板の基板面との間に配置された第1のスリットと、
    前記発光手段の像を第1のスリットに結像させる第1の
    光学手段と、第1のスリット透過光を基板面に結像させ
    る第2の光学手段と、前記受光手段の手前に配置された
    第2のスリットと、前記透明基板がない状態で前記基板
    面の像を第2のスリットに結像させる第3の光学手段と
    からなることを特徴とする請求項1に記載の外周位置検
    出装置。
  3. 【請求項3】 前記第2のスリットの形状が、前記透明
    基板がない状態での前記第2および第3の光学手段によ
    る第1のスリットの投影像と同一であることを特徴とす
    る請求項2に記載の外周位置検出装置。
  4. 【請求項4】 前記第2のスリットと受光手段の代わり
    に該第2のスリットの位置に1次元イメージセンサを配
    置し、該センサへの入射光量の急変位置を前記透明基板
    の外周位置として検出することを特徴とする請求項2ま
    たは3に記載の外周位置検出装置。
  5. 【請求項5】 前記第1のスリットが、その長手方向を
    前記透明基板の外周と直交する向きに配置されている請
    求項2〜4のいずれかに記載の外周位置検出装置。
  6. 【請求項6】 発光手段と受光手段を向かい合わせ、こ
    れらの発光手段と受光手段の間に載置された基板の外周
    位置を受光手段で受光する光量により検出する基板外周
    位置検出方法において、発光手段から受光手段に至る光
    路内での透明基板の有無により生じる光路長の差を、前
    記受光手段への入射光量の差へ変換し、その入射光量の
    違いにより透明基板の外周位置を検出することを特徴と
    する外周位置検出方法。
  7. 【請求項7】 前記発光手段と前記透明基板の基板面と
    の間に配置された第1のスリットと、前記発光手段の像
    を第1のスリットに結像させる第1の光学手段と、第1
    のスリット透過光を基板面に結像させる第2の光学手段
    と、前記受光手段の手前に配置された第2のスリット
    と、前記透明基板がない状態で前記基板面の像を第2の
    スリットに結像させる第3の光学手段とを用い、透明基
    板の透過光が、その光路長の変化により前記第2のスリ
    ットでは結像せずに一部が該スリットに蹴られることに
    より前記受光手段での受光量が低下することを利用して
    透明基板の外周位置を検出することを特徴とする請求項
    6に記載の外周位置検出方法。
  8. 【請求項8】 請求項1〜4のいずれかに記載の基板外
    周位置検出装置を具備することを特徴とする半導体製造
    装置。
  9. 【請求項9】 請求項1〜4のいずれかに記載の基板外
    周位置検出装置の出力に基づいてプリアライメントを行
    なうプリアライメント装置を具備することを特徴とする
    半導体露光装置。
JP9174196A 1996-03-22 1996-03-22 外周位置検出装置および方法 Pending JPH09257413A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11935775B2 (en) 2020-03-17 2024-03-19 Kioxia Corporation Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

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