KR102201911B1

KR102201911B1 - 섀도우 그램 이미지를 이용한 자동화 인라인 검사 및 계측

Info

Publication number: KR102201911B1
Application number: KR1020167026040A
Authority: KR
Inventors: 히만슈 바자리아; 시나 자한빈; 브래들리 리스; 모한 마하데반
Original assignee: 케이엘에이 코포레이션
Priority date: 2014-02-25
Filing date: 2015-02-25
Publication date: 2021-01-11
Also published as: JP2017515097A; US9734568B2; WO2015130803A1; KR20160127046A; EP3111468A4; TWI664390B; EP3111468A1; TW201538926A; US20150243018A1; CN106030775A; CN106030775B; JP6618478B2

Abstract

적층형 웨이퍼의 에지 검사 및 계측을 위해 섀도우 그램이 사용된다. 시스템은 적층형 웨이퍼의 에지에 시준광을 지향시키는 광원과, 상기 광원의 반대쪽에 있는 검출기와, 상기 검출기에 연결된 제어기를 포함한다. 적층형 웨이퍼는 광원과 관련하여 회전할 수 있다. 제어기는 적층형 웨이퍼 에지의 섀도우 그램 이미지를 분석한다. 섀도우 그램 이미지에서 적층형 웨이퍼의 실루엣의 측정치들은 미리 정해진 측정치와 비교된다. 적층형 웨이퍼의 에지를 따라 상이한 지점에서의 복수의 섀도우 그램 이미지가 집계 및 분석될 수 있다.

Description

섀도우 그램 이미지를 이용한 자동화 인라인 검사 및 계측{AUTOMATED INLINE INSPECTION AND METROLOGY USING SHADOW-GRAM IMAGES}

이 출원은 2014년 2월 25일자 출원된 미국 가특허 출원 제61/944,244호를 우선권 주장하며, 이 우선권 출원의 전체 내용은 인용에 의해 본원에 통합된다.

본 발명은 섀도우 그램(shadow-gram) 이미지를 이용한 검사 및 계측에 관한 것으로, 특히 섀도우 그램 이미지를 이용한 적층형 웨이퍼의 검사 및 계측에 관한 것이다.

적층형(또는 접합형) 웨이퍼는 반도체 산업에서 빈번하게 사용된다. 캐리어 웨이퍼에 접합된 하나 이상의 초박형 웨이퍼는 적층형 웨이퍼의 일 예이지만, 다른 반도체 웨이퍼 설계도 또한 적층형 웨이퍼가 될 수 있다. 예를 들면, 적층형 웨이퍼는 캐리어 웨이퍼에 접합된 디바이스 웨이퍼를 포함할 수 있다. 이러한 적층형 웨이퍼는 메모리 및 로직 애플리케이션 모두에 이용될 수 있다. 3차원 집적 회로("3D IC")는 적층형 웨이퍼를 이용하여 생성될 수 있다.

적층형 웨이퍼는 복합적인 에지 프로파일(edge profile)을 가질 수 있다. 적층형 웨이퍼의 각 층은 상이한 높이 및 직경을 가질 수 있다. 이러한 치수들은 적층 전의 각종 웨이퍼의 크기에 의해 또는 처리 단계에 의해 영향을 받을 수 있다. 그러한 처리 단계들은 적층형 웨이퍼의 에지 프로파일에 영향을 줄 수 있고, 잠재적으로 바람직하지 않은 에지 프로파일을 만들 수도 있다.

제작 오차가 있는 적층형 웨이퍼는 제조 중에 문제를 야기할 수 있다. 예를 들면, 사양에 맞지 않는 에지 프로파일을 가진 적층형 웨이퍼는 화학 기계적 연마(CMP), 기타의 처리 단계 또는 웨이퍼 취급 중에 위험할 수 있다. 적층형 웨이퍼의 중심성은 CMP 처리에 영향을 주거나 취급 위험을 증가시킨다. CMP 중에, 중심성은 적층형 웨이퍼의 중심과 관련하여 연마 패드의 배치 및 후속되는 평탄화에 영향을 준다. 웨이퍼 취급 중에, 적층형 웨이퍼의 균형 또는 제조 장비 내에서의 여유 공간(clearance)은 적층형 웨이퍼의 중심성에 의해 영향을 받을 수 있다.

부적당한 중심성은 적층형 웨이퍼를 파괴하거나 제조 장비를 손상시킬 수 있다. 만일 적층형 웨이퍼가 언더컷(undercut)되거나 부적당하게 접합되거나 너무 많은 아교를 내포하고 있으면, 적층형 웨이퍼는 CMP 툴 내에서 깨져서 CMP 툴을 오염시키거나 손상시킬 수 있다. 이러한 오염 또는 손상은 원치않는 가동 휴지 시간(downtime)을 유도하거나 반도체 생산시설(fab)에서의 생산을 정지시킬 수도 있다.

더 나아가, CMP 처리는 적층형 웨이퍼에서 바람직하지 않은 에지 프로파일을 야기할 수 있다. 예를 들면, CMP 처리 중에 재료가 너무 많이 또는 불충분하게 제거될 수 있고, 또는 CMP 처리가 언더컷, 오버행(overhang) 또는 위스커(whisker)를 야기할 수 있다. 이러한 바람직하지 않은 에지 프로파일은 소자 수율에 영향을 줄 수 있고, 또는 나중의 제조 단계에 영향을 줄 수 있다.

검사는 적층형 웨이퍼에서 문제점을 식별하기 위해 사용될 수 있지만, 적층형 웨이퍼는 독특한 에지 검사 난제를 제시한다. 적층형 웨이퍼의 언더컷 또는 다른 에지 프로파일은 이미지 검출기에서 산란광 또는 반사광의 획득을 어렵게 한다. 적층형 웨이퍼의 에지 프로파일을 검사하기 위해 적층형 웨이퍼를 향해 방사상으로 광빔을 지향시키면 검출기로 되반사되지 않는 광이 발생할 수 있다. 더 복잡한 에지 프로파일은 이러한 문제점을 조성한다. 들쭉날쭉한 에지 또는 복잡한 에지 프로파일도 또한 노이즈를 유도할 수 있다. 예를 들면, 적층형 웨이퍼가 부적절하게 적층되었을 때, 디바이스 웨이퍼의 일측은 캐리어 웨이퍼의 에지 위로 오버행을 가질 수 있고, 디바이스 웨이퍼의 다른 측은 캐리어 웨이퍼의 내측에서 너무 멀리 위치된다. 그러한 상황에서, 종래의 시스템은 오버행 또는 캐리어 웨이퍼의 내측에서 너무 멀리 위치된 디바이스 웨이퍼의 검출만을 최적화할 수 있다. 노이즈와 산란광 또는 반사광의 부족은 부적당한 적층이 효과적으로 분석될 수 없다는 것을 의미한다.

적층형 웨이퍼에 대한 수동식 및 오프라인의 에지 프로파일 측정 방법은 빈약한 품질 결과를 제공하는 느리고 시간 소모적인 도구이다. 이러한 오차 발생 가능성이 있는 기술은 적층형 웨이퍼에서의 결점을 정확히 측정 또는 검출하는데 실패할 수 있다. 더 나아가, 수동식 및 오프라인의 에지 프로파일 측정은 제조 중에 실시간 공정 제어용으로 사용할 수 없다.

얇게 되어 캐리어에 접합된 웨이퍼를 검사할 필요성이 특히 라인의 후단(back end of line, BEOL)에서 증가하고 있다. 일부 경우에, 이러한 적층형 웨이퍼는 표준의 에지 프로파일 형상을 갖지 않을 것이다. 또한, 적층형 웨이퍼의 부정확한 적층은 하나의 적층 단계가 오차를 갖는 경우에도 복수의 디바이스 웨이퍼의 손실을 유도할 수 있다. 예를 들면, 하이브리드 메모리 큐비클에서 하나의 적층 과실의 대가는 완전히 처리된 디바이스 웨이퍼를 8개만큼 많이 파괴할 수 있다.

에지 계측을 위한 현재의 해법은 적층형 웨이퍼에 대하여 충분히 정확하지 않거나 충분히 빠르지 않다. 더 나아가, 에지 계측을 위한 현재의 해법은 적층형 웨이퍼의 에지 프로파일이 특정 모델에 정합하지 않을 때를 정확히 표시하지 못할 수 있다. 그러므로, 적층형 웨이퍼에 대하여 개선된 에지 검사 기술이 필요하다.

제1 실시예에 있어서, 시스템이 제공된다. 시스템은 광원, 검출기 및 제어기를 갖는다. 광원은 적층형 웨이퍼의 에지에 시준광을 지향시키도록 구성된다. 검출기는 광원과 반대쪽에 배치되고 적층형 웨이퍼 에지의 섀도우 그램 이미지를 획득하도록 구성된다. 제어기는 검출기에 작동가능하게 연결된다. 제어기는 섀도우 그램 이미지를 수신하고, 적층형 웨이퍼의 에지 프로파일을 검사하기 위해 섀도우 그램 이미지의 특성을 미리 정해진 측정치와 비교하도록 구성된다. 검출기는 적층형 웨이퍼의 다른 위치의 복수의 섀도우 그램 이미지를 획득하도록 구성될 수 있다. 적층형 웨이퍼는 광원과 관련하여 회전하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 시스템은 적층형 웨이퍼를 회전시키도록 구성된 플래튼(platen)을 포함할 수 있다.

제2 실시예에 있어서, 하나 이상의 컴퓨팅 장치에서 하기의 단계들을 실행하는 하나 이상의 프로그램을 포함한 비일시적 컴퓨터 판독가능 기억 매체가 제공된다. 단계들은 적층형 웨이퍼 에지의 적어도 하나의 섀도우 그램 이미지를 수신하는 단계와, 섀도우 그램 이미지에서 적층형 웨이퍼의 실루엣의 에지를 검출하는 단계와, 섀도우 그램 이미지의 이미지 분석에 기초하여 실루엣 에지의 측정치를 결정하는 단계와, 실루엣 에지의 측정치를 미리 정해진 측정치와 비교하는 단계를 포함한다. 상기 비교의 결과는 디스플레이될 수 있다. 검출은 조사(search) 기반 검출, 제로 크로싱(zero-crossing) 기반 검출, 형태학적 검출 또는 분류 검출 중의 하나일 수 있다. 섀도우 그램 이미지의 이미지 분석은 비트 마스크의 적용과 같은 하나 이상의 형태학적 동작일 수 있고, 또한 비트 마스크를 이용하여 에지들을 결합하는 것을 포함할 수 있다. 상기 미리 정해진 측정치는 캐리어 높이, 디바이스 높이, 인세트(inset) 폭, 캐리어 높이 공차, 디바이스 높이 공차, 캐리어 에지 돌출 문턱치(protrusion threshold), 및 디바이스 에지 돌출 문턱치 중 적어도 하나일 수 있다. 실루엣의 에지는 체인 코드 알고리즘이 픽셀 매트릭스를 생성하도록 체인 코드 알고리즘을 이용하여 인코딩될 수 있다. 검출은 히스토그램 분석, 분할(segmentation) 분석, 또는 광선 추적 알고리즘 중의 하나일 수 있다.

적층형 웨이퍼 상의 복수 위치에서 실루엣 에지의 측정치들은 적층형 웨이퍼에 대한 정보가 제공되도록 집계될 수 있다. 적층형 웨이퍼에 대한 정보는 직경, 중심 오프셋, 두께, 평균 총 높이, 평균 디바이스 높이, 평균 캐리어 높이, 최소 양호성(goodness), 모든 언더컷 높이의 최대치, 모든 언더컷 폭의 최대치, 디바이스 에지 돌출의 최대치, 하부 캐리어 에지 돌출의 최대치(maximum of carrier edge protrusion below), 및 나머지 최대 캐리어 돌출(maximum carrier protrusion left) 중의 적어도 하나일 수 있다.

제3 실시예에 있어서, 방법이 제공된다. 적층형 웨이퍼 에지의 섀도우 그램 이미지가 검출기를 이용하여 획득된다. 섀도우 그램 이미지에서 적층형 웨이퍼의 실루엣의 측정치는 제어기를 이용하여 미리 정해진 측정치와 비교된다. 상기 미리 정해진 측정치는 캐리어 높이, 디바이스 높이, 인세트 폭, 캐리어 높이 공차, 디바이스 높이 공차, 캐리어 에지 돌출 문턱치, 및 디바이스 에지 돌출 문턱치 중 적어도 하나일 수 있다.

적층형 웨이퍼는 회전될 수 있고, 적층형 웨이퍼의 에지를 따라 상이한 지점에서 복수의 섀도우 그램 이미지가 획득될 수 있다. 복수의 섀도우 그램 이미지에서 실루엣의 측정치들은 적층형 웨이퍼에 대한 정보가 제공되도록 집계될 수 있다. 적층형 웨이퍼에 대한 정보는 직경, 중심 오프셋, 두께, 평균 총 높이, 평균 디바이스 높이, 평균 캐리어 높이, 최소 양호성, 모든 언더컷 높이의 최대치, 모든 언더컷 폭의 최대치, 디바이스 에지 돌출의 최대치, 하부 캐리어 에지 돌출의 최대치, 및 나머지 최대 캐리어 돌출 중의 적어도 하나일 수 있다.

발명의 특성 및 목적을 더 잘 이해할 수 있도록 첨부 도면과 함께 이하의 상세한 설명을 참조하기로 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 시스템의 상면도, 및 시스템 블록도의 A-A 선을 따라 취한 대응하는 측단면도이다.
도 3은 도 1 및 도 2의 실시예에 대응하는 시스템의 투시도이다.
도 4는 적층형 웨이퍼 에지의 예시적인 섀도우 그램 프로파일이다.
도 5는 적층형 웨이퍼 에지의 다른 예시적인 섀도우 그램 프로파일이다.
도 6은 언더컷 적층 과실이 있는 예시적인 섀도우 그램 에지 프로파일이다.
도 7은 적층형 웨이퍼(A)가 바람직한 프로파일 특성을 가진 에지를 구비하고 적층형 웨이퍼(B, C, D, E, F)가 바람직하지 않은 프로파일 특성을 가진 에지를 구비한, 상이한 적층형 웨이퍼들의 일련의 예시적인 섀도우 그램 프로파일이다.
도 8은 바람직한 프로파일 특성을 가진 적층형 웨이퍼 에지의 다른 예시적인 섀도우 그램 프로파일이다.
도 9는 바람직하지 않은 프로파일 특성을 가진 적층형 웨이퍼 에지의 4개의 예시적인 섀도우 그램 프로파일이다.
도 10은 적층형 웨이퍼 둘레 주변에서 획득된 일련의 예시적인 섀도우 그램 에지 프로파일이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 방법의 흐름도이다.

비록 청구되는 발명을 일부 실시예와 관련하여 설명하지만, 여기에서 설명하는 모든 장점 및 특징을 제공하지 않는 실시예를 포함한 다른 실시예들도 또한 본 발명의 범위 내에 있다. 각종 구조, 논리, 처리 단계 및 전자적 변화가 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 첨부된 특허 청구범위에 의해서만 정의된다.

본 발명의 실시예는 적층형 웨이퍼의 계측 측정, 에지 검사 및 결함 검출을 제공한다. 계측은 예컨대 중심성, 과잉 아교, 웨이퍼 위스커, 언더컷, 웨이퍼 적층각, 또는 다른 이슈와 같은 적층 특성들을 정량화하기 위해 적층형 웨이퍼의 에지를 따라 수 개의 지점에서 수행될 수 있다. 불규칙적인 웨이퍼의 검사가 수행될 수 있다.

도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 시스템(100)의 상면도, 및 시스템(100)의 블록도의 A-A 선을 따라 취한 대응하는 측단면도이다. 도 3은 도 1 및 도 2의 실시예에 대응하는 시스템(100)의 투시도이다. 시스템(100)은 섀도우 그램인 이미지를 획득함으로써 적층형 웨이퍼에서 에지 계측을 수행하도록 구성된다. 섀도우 그램은 섀도우그래프 기법을 적용하고 섀도우를 시각화 또는 이미지화한다. 플래튼(101)은 적층형 웨이퍼(102)를 회전시키도록 구성될 수 있다. 그러나 시스템(100)이 적층형 웨이퍼(102)와 관련하여 회전할 수도 있다. 이러한 회전은 단계적 또는 연속적일 수 있다. 적층형 웨이퍼(102)는 또한 검사 및 계측 중에 회전하지 않을 수 있고, 시스템(100)의 구성 요소들이 고정될 수 있다.

예시적인 적층형 웨이퍼(102)는 제1층(107) 및 제2층(108)을 갖는 것으로 도시되어 있다. 제1층(107) 및 제2층(108)은 도 1에 도시된 것처럼 직경이 다를 수 있다. 예를 들면, 제1층(107)은 캐리어 웨이퍼이고 제2층(108)은 디바이스 웨이퍼일 수 있다. 대안적으로, 제1층(107) 및 제2층(108)이 모두 디바이스 웨이퍼일 수 있고, 또는 제1층(107) 및 제2층(108)보다 더 많은 층이 적층형 웨이퍼(102)를 형성할 수 있다.

광원(103)은 적층형 웨이퍼(102)의 에지에 시준광(104)을 지향시키도록 구성된다. 일부 실시예에 있어서, 시준광(104)은 에지 프로파일의 섀도우를 생성하도록 적층형 웨이퍼(102)에 대하여 접선으로 지향된다. 예시적인 실시예에 있어서, 광원(103)은 발광 다이오드(LED)를 사용한다. 시준광을 생성하는 램프, 레이저, 초연속체(supercontinuum) 레이저, 레이저 구동형 인광체, 또는 레이저 구동형 램프와 같은 다른 적당한 광원(103)도 본 발명에 비추어 명백할 것이다. 레이저와 LED의 조합과 같은 광원(103)들의 조합을 이용할 수도 있다. 광원(103)은 단일 시스템 또는 복수의 시스템에서 단일 대역 광원 및 광대역 광원 둘 다를 포함할 수 있다. 시준광(104)은 적층형 웨이퍼(102)의 평면에 평행하다. 예를 들면, 시준광(104)은 제2층(108)이 위에 배치되는 제1층(107)의 평면에 평행할 수 있다. 웨이퍼 두께 또는 다른 치수의 측정에 악영향을 줄 수 있는 회절 관련 아티팩트를 제거하기 위해 회절 억제 기법을 사용할 수 있다. 시준광(104)을 이용한 프로파일에서는 적층형 웨이퍼(102)의 대략 수 밀리미터가 보이지만, 다른 치수도 가능하다.

광원(103)에서 떨어져서 위치된 검출기(105)는 시준광(104)의 적어도 일부를 수신한다. 검출기(105)는 적층형 웨이퍼(102)가 검사중에 있을 때 섀도우(즉, 섀도우를 생성하는 광)의 적어도 일부가 검출기(105)에 의해 수신되도록 위치된다. 검출기(105)는 예를 들면 전하 결합 소자(CCD) 또는 상보적 금속 산화물 반도체(CMOS) 카메라일 수 있다. 이 방식으로 웨이퍼 에지 실루엣의 이미지가 형성된다. 검출기(105)는 높은 샘플링을 위해 적층형 웨이퍼(102)에서 수백개의 이미지를 수집하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 적층형 웨이퍼(102)의 1-500개의 이미지가 수집될 수 있고, 더 많은 이미지가 수집될 수도 있다. 이미지는 판독되어 처리될 수 있다. 일 예로서, 계측은 적층형 웨이퍼(102)가 검사를 위해 스핀업(spin up)하는 동안 적층형 웨이퍼(102)의 에지를 따라 수백개의 지점에서 수행될 수 있다.

시준광(104)은 섀도우를 생성하는 파장을 가질 수 있다. 예를 들면, 청색광 또는 백색광과 같은 가시광을 사용할 수 있다. 다른 적당한 시준광(104)도 본 발명에 비추어 명백할 것이다. 예를 들면, 자외선 광을 사용할 수 있다. 시준광(104)은 편광될 수 있고 펄스형 또는 연속형일 수 있다.

도 1 내지 도 3에는 단일 광원(103) 및 검출기(105)만이 도시되어 있지만, 복수의 광원(103) 및 검출기(105)를 이용할 수 있다. 복수의 광원(103) 및 검출기(105)는 적층형 웨이퍼(102)의 다른 위치에서 섀도우 그램 이미지를 수집하기 위해 적층형 웨이퍼(102)의 둘레 주변의 각종 위치에 배치될 수 있다. 이것은 검사 쓰루풋을 증가시키거나 검사 쓰루풋에 대한 영향을 최소화하면서 생성되는 섀도우 그램 이미지의 수를 증가시킬 수 있다. 만일 복수의 광원(103) 및 검출기(105)가 적층형 웨이퍼(102)의 둘레 주변의 각종 위치에 배치되면, 적층형 웨이퍼(102)는 광원(103) 또는 검출기(105)와 관련하여 회전하지 않을 수 있다.

제어기(106)는 검출기(105)에 작동가능하게 연결된다. 제어기(106)는 적층형 웨이퍼(102) 에지의 섀도우 그램을 분석하도록 구성되고 검출기(105)를 이용한 섀도우 그램 이미지의 획득을 제어할 수 있다. 예를 들면, 제어기(106)는 적층형 웨이퍼(102)를 광원(103) 또는 검출기(105)와 관련하여 회전시킬 수 있다. 제어기(106)는 또한 적층형 웨이퍼(102)에서의 섀도우 그램 이미지 획득의 타이밍 또는 위치를 제어할 수 있다. 섀도우 그램을 이용해서, 시스템(100)은 적층형 웨이퍼(102)의 에지 프로파일을 평가하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 시스템(100)은 적층형 웨이퍼(102)의 에지 프로파일이 예를 들면 인세트 폭의 크기와 관련된 기준과 같은 하나 이상의 미리 정해진 기준에 부합하는지를 결정할 수 있다.

시스템(100)은 풀 스캔 쓰루풋으로 수백개의 검사 및 측정 지점을 생성할 수 있는 자동화 인라인 시스템일 수 있다. 측정치의 수는 데이터로부터 실시간 통계적 결론을 인에이블할 수 있다. 1개 또는 수 개의 측정치만으로 충분할 수 있지만, 측정치의 수가 증가함에 따라서 데이터가 전체 적층형 웨이퍼(102)에 대하여 결론을 제공하는 것이 더 좋아질 수 있다. 예를 들면, 적층 문제 또는 아교 문제를 가진 것과 같은 결함있는 적층형 웨이퍼는 재가공 또는 폐기되는 제조로부터 제거될 수 있다. 다른 예로서, 제조 단계는 데이터로부터의 결론에 기초하여 조정될 수 있다. 예를 들면, CMP 처리 또는 포토레지스트 적용 처리는 수집된 데이터로부터의 결론에 기인하여 수정될 수 있다. 결론은 또한 글루잉(gluing), 본딩 또는 적층 처리를 위한 피드백으로서 사용될 수 있다. 따라서, 이러한 데이터 또는 결론은 이러한 검사 및 계측의 상류 또는 하류 처리를 위한 피드백으로서 사용될 수 있다.

도 4는 적층형 웨이퍼 에지의 예시적인 섀도우 그램 프로파일이다. 도 4의 적층형 웨이퍼는 제1층(107)과 제2층(108)을 포함한다. 이 예에서 제1층(107)은 캐리어 웨이퍼이고 제2층(108)은 디바이스 웨이퍼이다. 도 4에서 적층형 웨이퍼의 에지 프로파일은 1세트의 예시적인 바람직한 측정치 또는 특성을 만족시킬 수 있다.

도 5는 적층형 웨이퍼 에지의 다른 예시적인 섀도우 그램 프로파일이다. 도 4에서의 적층형 웨이퍼는 바람직하지 않은 프로파일 특성을 갖는다. 이러한 바람직하지 않은 프로파일 특성은 디바이스 돌출, 캐리어 돌출 및 언더컷을 포함한다.

도 6은 언더컷 적층 과실이 있는 다른 예시적인 섀도우 그램 에지 프로파일이다. 언더컷은 에칭 처리 또는 다른 처리 단계의 결과일 수 있다. 언더컷 영역은 디바이스 웨이퍼의 아래 또는 캐리어 웨이퍼와 디바이스 웨이퍼 사이와 같이 적층형 웨이퍼의 부품 아래로 연장한다. 언더컷 적층 과실은 적층형 웨이퍼의 수율에 악영향을 주거나 CMP 처리 중에 적층형 웨이퍼 파괴의 위험성을 증가시킬 수 있다.

도 7은 상이한 적층형 웨이퍼들의 일련의 예시적인 섀도우 그램 프로파일이다. 적층형 웨이퍼(A)는 바람직한 프로파일 특성을 갖는다. 적층형 웨이퍼(B, C, D, E, F)는 바람직하지 않은 프로파일 특성을 갖는다. 적층형 웨이퍼(B, D, E)는 언더컷이 있다. 적층형 웨이퍼(C, F)는 너무 많은 재료가 적층형 웨이퍼(C, F)로부터 제거되었기 때문에 CMP 툴에서 부정확하게 평탄화되었을 수 있다.

도 8은 바람직한 프로파일 특성을 가진 적층형 웨이퍼 에지의 다른 예시적인 섀도우 그램 프로파일이다. 도 9는 바람직하지 않은 프로파일 특성을 가진 적층형 웨이퍼 에지의 4개의 예시적인 섀도우 그램 프로파일이다. 도 8에서의 에지 프로파일은 예를 들면 언더컷, 위스커 또는 부적당한 치수를 포함한다.

본 발명의 실시예는 적층형 웨이퍼의 자동화 계측 및/또는 검사를 위한 시스템 및 방법뿐만 아니라 검사 및 검토를 위한 통계 정보의 사용을 포함한다. 시스템(100)의 전술한 실시예에 있어서, 제어기(106)는 뒤에서 설명하는 것과 같은 방법을 이용하여 적층형 웨이퍼(102)의 에지 프로파일을 분석하도록 구성될 수 있다.

예를 들면, 에지 추출 알고리즘을 제1 단계로서 사용하여 적층형 웨이퍼의 관련 섀도우 그램의 검사를 자동화할 수 있다. 에지 추출 알고리즘은 섀도우 그램의 코너, 라인 세그먼트 및 곡선과 같은 검사에 중요한 섀도우 그램 이미지의 속성을 식별할 수 있다. 예를 들면 조사 기반형 에지 검출, 제로 크로싱 기반형 에지 검출 및 다른 형태학적 이미지 처리 방법과 같은 많은 에지 검출 알고리즘을 사용할 수 있다. 조사 기반형 방법은 예를 들면 에지 강도의 측정치를 먼저 계산함으로써 이미지에서 에지를 검출한다. 에지 강도의 측정치는 이미지 내의 별개의 데이터, 예를 들면 이웃 픽셀과 관련한 이미지의 특정 픽셀의 색(color), 색조(hue) 또는 명도에 기초를 둘 수 있다. 에지 강도는 이미지 픽셀의 기울기 크기(gradient magnitude)와 같은 이미지 픽셀의 1차 도함수 식을 계산함으로써 측정될 수 있다. 기울기의 방향으로 최대 기울기 값(즉, 기울기 크기의 국부 방향성 최대치)을 가진 픽셀은 에지 픽셀이 되고, 에지들은 기울기 방향에 수직한 방향으로 추적될 수 있다. 기울기를 이용하는 에지 검출 알고리즘의 일 예는 캐니(Canny) 에지 검출기이다. 다른 에지 검출 알고리즘을 사용할 수도 있다. 캐니 에지 검출기에서는 이미지의 수평, 수직 및 대각선 에지를 검출하기 위해 4개의 필터를 이용한다. 에지 검출 계산은 제1 도함수의 값을 수평 방향 및 수직 방향으로 복귀시킬 수 있다. 이것으로부터 에지 기울기 및 방향이 결정될 수 있다. 다시 말해서, 이미지는 색, 색조 또는 명도의 최대 변화가 발생하는 영역을 결정하기 위해 수학적으로 분석될 수 있다(즉, 실루엣의 에지에서).

제로 크로싱 기반형 방법은 에지를 찾기 위하여 이미지 픽셀로부터 계산된 2차 도함수 식의 제로 크로싱, 예를 들면, 라플라시안의 제로 크로싱 또는 비선형 미분식의 제로 크로싱를 조사할 수 있다. 예를 들면, 일부 에지 검출 연산자는 이미지의 픽셀 강도의 2차 도함수에 기초를 둔다. 이것은 본질적으로 강도 기울기의 변화율을 포착한다. 따라서, 연속적인 경우에, 제2 도함수의 제로 크로싱의 검출은 기울기의 국부적 최대치를 포착한다.

에지 검출을 위한 전처리 단계로서, 평활화 단계, 예를 들면 가우시안 평활화가 적용될 수 있다. 다른 유형의 평활화 단계도 적용될 수 있다. 에지 검출은 이미지로부터의 노이즈에 의해 영향을 받을 수 있고, 그래서 노이즈를 걸러내면 일부 에지 검출의 실수를 방지할 수 있다. 예를 들면, 이미지를 평활화하기 위해, 가우시안 필터를 적용하여 이미지와 함께 콘볼브(convolve)할 수 있다. 이 단계는 이미지를 약간 평활화할 수 있고, 그래서 이미지의 별개의 명백한 노이즈에 의해 크게 영향을 받지 않을 것이다. 필터의 크기가 크면 클수록 노이즈에 대한 에지 검출기의 감도가 저하한다. 게다가 에지를 검출하기 위한 국부화 오차는 가우시안 필터의 크기 증가에 따라 약간 증가할 수 있다.

비-최대치 억제(non-maximum suppression)(현재 픽셀이 최대 에지 강도를 갖는지 결정하기 위해 픽셀의 에지 강도를 양 및 음의 기울기 방향에 있는 픽셀들의 에지 강도와 비교하고 기울기의 다른 것들을 억제하는 것) 및 역치화(미리 정해진 역치 값을 이용하여 약한 기울기 값을 가진 에지 픽셀을 걸러내는 것)와 같은 다른 에지 검출 단계를 수행할 수 있다. 섀도우 그램 이미지에서 웨이퍼 프로파일 에지를 검출하기 위해 다른 대안적인 접근법을 이용할 수 있다. 각각의 접근법은 그 자체의 독특한 장단점을 가질 수 있다. 예를 들면, 섀도우 그램 이미지는 섀도우 그램 이미지의 히스토그램을 분석함으로써 이진 이미지로 먼저 변환될 수 있다. 연결형 컴포넌트 분석은 이진 이미지로부터 잘못된 외부 및 내부 블롭(blob)들을 제거하기 위해 사용할 수 있다. 이진 이미지로부터 프로파일 에지 맵이 형태학적 섭동을 적용함으로써 검출될 수 있다.

에지 검출 후에, 체인 코드 유형 알고리즘은 섀도우 그램 실루엣을 수학적으로 설명하기 위해 사용할 수 있는 몇 가지 옵션 중의 하나이다. 다른 옵션들은 에지 추적, 특수화 속성에 기초한 분류 방법 및 강도 기반형의 분할 알고리즘을 포함한다. 체인 코드 유형 알고리즘은 특정 길이 및 방향의 직선 세그먼트의 연결 시퀀스에 의해 경계를 표시하기 위해 사용할 수 있다. 각 세그먼트의 방향은 번호붙임 방식을 이용하여 부호화된다. 각각의 연결된 컴포넌트(즉, 이미지 내의 각 "블롭(blob)")에 대하여, 컴포넌트의 에지 상의 지점이 선택되고 그 좌표가 기록될 수 있다. 체인 코드 알고리즘은 그 다음에 에지를 따라 이동할 수 있고, 각 단계에서 이 이동 방향을 표시하는 값을 기록한다. 전형적으로, 방향 값은 4개의 방향(N, E, S, W), 8개의 방향 또는 그 이상의 방향에 기초하여 선택될 수 있다. 에지의 체인 코드는 시작점에 의존할 수 있다. 예를 들면, 세그먼트의 좌측 단부에서의 시작은 우측 단부로부터 시작하는 것과 다른 체인 코드를 야기할 수 있다. 그러나 체인 코드는 번호들의 결과적인 시퀀스가 정수 최소치 크기를 형성하도록 시작점을 방향 번호들의 순환 시퀀스로서 취급하고 시작점을 재정의함으로써 시작점과 관련하여 정상화될 수 있다. 체인 코드 알고리즘은 실루엣의 각각의 연결된 컴포넌트를 별도로 인코딩하기 위해 사용될 수 있다.

예시적인 체인 코드 알고리즘은 2차원 좌표 집합과 관련하여 방향을 기록한다. 체인 코드 알고리즘은 에지의 이동 방향을 별개의 방향으로 및 일부 실시예에서는 길이로 인코딩한다. 체인 코드는 8개의 방향(즉, N, NE, E, SE, S, SW, W 및 NW 또는 2차원 좌표 집합에서 이들의 균등물)을 이용하여 표현될 수 있다. 더 빠른 계산을 위해 4개의 방향(N, S, E, W) 또는 더 높은 해상도를 위해 16개(즉, N, NNE, NE, ENE, E, ESE, SE, SSE, S, SSW, SW, WSW, W, WNW, NW 및 NNW) 및 32개 방향 체인 코드 알고리즘과 같은 다른 양의 방향을 사용할 수 있다. 전형적으로, 체인 코드 알고리즘은 문자 대신 숫자를 이용하여 인코딩된 방향을 표현한다. 예를 들면, 8-방향 체인 코드 알고리즘에서는 N=0, NE=1, E=2, SE=3 등이다. 숫자는 전형적으로 시계방향 방식으로 지정된다. 일 실시예에 있어서, 기록된 체인 코드 값들은 구현시에 수학적 편리성을 위해 오프셋될 수 있다. 이 방법으로 앞의 예를 이용하면 N=1, NE=2, E=3, SE=4 등이다. 체인 코드 값을 오프셋하면 제로 기반형의 번호붙임 수학적 계산을 회피하기 위해 유리할 수 있다.

에지 추출 알고리즘은 기록된 체인 코드 값으로부터의 세그먼트 생성을 포함할 수 있다. 예를 들면, 체인 코드 값은 에지 위치(즉, 에지 검출 알고리즘의 시작점으로부터 시작하여 에지의 끝까지 에지 내 픽셀들)가 x축에 있고 체인 코드 값들이 y축에 있어서 이진 행렬을 발생하도록 행렬 형태로 표시될 수 있다. 세그먼트들은 합병되어 삭제될 수 있다. 예를 들면, 1×3 이진 마스크(예를 들면, [111])와 같은 비트 마스크는 이진 행렬에 나타나는 세그먼트들의 갭을 채우도록 이진 행렬에 적용될 수 있다. 일부 세그먼트는 만일 세그먼트가 소정의 역치 길이 이하이면 삭제될 수 있다. 예를 들면, 알고리즘은 세그먼트 길이를 계산하기 위해 세그먼트 시작점과 끝점을 찾도록 이진 행렬의 각 행을 분석할 수 있다.

이웃 세그먼트들은 합병될 수 있다. 예를 들면, 각 세그먼트의 중심들이 계산되고 서로 비교될 수 있다. 예를 들어서 만일 2개의 비교되는 세그먼트의 중심이 특정된 픽셀들의 수보다 적게 이격되어 있고 끝점들이 다른 특정된 픽셀들의 수보다 적게 이격되어 있으면, 그 세그먼트들은 결합될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 특정된 수의 픽셀 이격은 10 픽셀이다. 이러한 단계들을 완료함으로써, 적층형 웨이퍼의 결함 영역 내의 작은 세그먼트들이 제거될 수 있고 계산 속도가 증가될 수 있다. 비록 분할이 해상도를 감소시킬 수 있지만, 해상도의 손실은 만곡된 세그먼트 행에 특수한 주의를 제공함으로써 회피될 수 있다. 예를 들면, 이웃의 만곡된 세그먼트들은 반원 또는 다른 일반적인 프로파일로 합병될 수 있다.

에지 추출 알고리즘은 포착된 이미지 내 픽셀 크기와 적층형 웨이퍼 간의 공지된 관계에 기초하여 세그먼트들을 측정하는 것을 또한 포함한다. 측정은 하나의 세그먼트 또는 모든 세그먼트에 대하여 계산될 수 있다. 이러한 계산은 임의의 순서로 수행될 수 있고, 또는 계산은 체인 코드 방향의 순서로 수행될 수 있다. 적당한 측정치들의 쌍은 중심 거리 및 세그먼트 독립성을 이용하여 결정될 수 있다.

다른 접근법은 적층형 웨이퍼 표면들 간의 경계표 위치가 인접 세그먼트들 간의 천이 영역 내 에지 추적점들을 분석함으로써 결정되는 투영 기반 알고리즘을 포함할 수 있다. 에지 트레이스에 대한 국부적 접선각(tangent angle), 에지 지점들의 행방향 열방향 카운트, 천이 영역 내 지점들을 따르는 곡률의 최소 반경과 같은 속성들은 검사중인 웨이퍼에서 관심있는 핵심 지점들의 위치를 정확히 나타내기 위해 사용될 수 있다. 필요한 경계표의 집합이 검출된 때, 총 높이, 디바이스 웨이퍼 높이, 캐리어 웨이퍼 높이, 인세트 폭, 언더컷 폭/높이, 과잉 아교 치수(폭/높이/부피) 등과 같은 각종 계측 간격들이 측정될 수 있다.

획득된 측정치들은 캐리어 높이, 디바이스 높이, 인세트 폭, 캐리어 높이 공차, 디바이스 높이 공차, 캐리어 에지 돌출 문턱치 및 디바이스 에지 돌출 문턱치와 같은 미리 정해진 측정치들과 비교될 수 있다. 이러한 결과들은 보고서 또는 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)로 운영자에게 디스플레이될 수 있다. 그 결과들은 상기 비교에 기초하여 "통과" 또는 "실패"로서 단순화될 수 있다.

각 섀도우 그램의 비교는 직경, 중심 오프셋, 두께, 평균 총 높이, 평균 디바이스 높이, 평균 캐리어 높이, 최소 양호성, 모든 언더컷 높이의 최대치, 모든 언더컷 폭의 최대치, 디바이스 에지 돌출의 최대치, 하부 캐리어 에지 돌출의 최대치, 및 나머지 최대 캐리어 돌출와 같은 웨이퍼 수준 통계를 제공하도록 집계될 수 있다.

이하에서는 본 발명에 따른 에지 검사 알고리즘의 예시적인 실시예를 설명한다.

A. 에지 추출 알고리즘은 적층형 웨이퍼의 하나 이상의 섀도우 그램 이미지를 수신 또는 검색한다. 수신 또는 검색된 이미지들은 알고리즘에 의해 판독 가능하고 도 1의 검출기(105)와 같은 이미지 포착 장치에 의해 생성되는 파일 형태를 가질 수 있다. 섀도우 그램 이미지는 적층형 웨이퍼 주변 상의 각종 위치로부터 취해질 수 있다. 에지 추출 알고리즘은 하나 이상의 이미지를 연다. 각 이미지는 에지 추출 전에 조작될 수 있다. 예를 들면, 이미지는 검출기의 위치에 따라 수평으로 또는 수직으로 플립(flip)될 수 있다. 이미지의 콘트라스트를 조정하는 것 또는 이미지로부터 노이즈를 제거하기 위해 각종 필터를 적용하는 것과 같은 다른 조작들이 수행될 수 있다.

B. 에지 추출 알고리즘은 적층형 웨이퍼 실루엣의 에지를 검출한다. 일 실시예에 있어서, 각 이미지의 픽셀들이 분석될 수 있다. 색, 명도 또는 색조와 같은 각 픽셀의 속성이 정상화되어 각 속성이 0-100의 규모로 되게 할 수 있다. 이미지는 정상화된 속성에 기초하여 0 또는 1의 픽셀 값을 선택함으로써 "역치화"될 수 있다.

C. 에지 추출 알고리즘은 이미지에서 형태학적 동작을 수행한다. 일부 실시예에 있어서, 침식 및/또는 팽창이 이미지에 대하여 수행될 수 있다. 예를 들면, 3×3 비트 마스크(

)와 같은 비트 마스크를 적용할 수 있다. 비트 마스크는 복수회 적용될 수 있다. 형태학적 동작은 에지들을 결합함으로써 검출된 에지들의 갭을 막을 수 있다. 짧은 에지들은 완전히 제거될 수 있다. 에지 추출 알고리즘은 또한 이미지의 에지로부터 도달될 수 없는 이미지의 영역들을 채울 수 있다. 이 방법으로, 에지 추출 알고리즘은 에지 검출 처리에 의해 야기된 홀 및 아티팩트를 채운다.

D. 에지 추출 알고리즘은 예를 들면 체인 코드 알고리즘과 같은 알고리즘을 이용하여 적층형 웨이퍼 실루엣의 에지를 검출 및 인코딩할 수 있다. 실루엣의 에지에 대하여 체인 코드가 결정되면, 세그먼트들은 체인 코드에 의해 인코딩된 각각의 방위에 대하여 걸러내지거나 결합(join together)될 수 있다. 이것은 이진 행렬을 생성함으로써 행하여질 수 있고, 여기에서 하나의 축은 체인 코드 값에 대응하고 다른 축은 에지 검출 알고리즘의 시작점으로부터 시작하여 에지의 끝까지 에지의 픽셀에 대응한다. 일 실시예에 있어서, 픽셀의 절반의 간격만큼 분리된 세그먼트들을 합체하기 위해 팽창이 수행될 수 있다. 세그먼트들의 중심이 계산되고 세그먼트들이 합병될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 만일 세그먼트들이 x축 또는 y축으로 10 픽셀 미만으로 이격되어 있으면 연속적인 세그먼트들이 합병될 수 있다. 합병된 세그먼트들의 중심이 재계산되고 다른 세그먼트의 중심과 비교될 수 있다.

E. 에지 추출 알고리즘은 포착된 이미지 내 픽셀 크기와 적층형 웨이퍼 간의 공지된 관계에 기초하여 세그먼트들을 측정하는 것을 또한 포함할 수 있다. 측정은 하나의 세그먼트 또는 모든 세그먼트에 대하여 계산될 수 있다. 국부적 접선 기울기, 에지 트레이스를 따르는 국부적 곡률, 수평축 및 수직축에서 투영된 에지 지점들의 카운트와 같은 속성들이 적층형 웨이퍼에서 표면들의 천이 및 접합재(아교)를 표시하는 핵심 경계표를 결정하기 위해 사용될 수 있다. 획득된 측정치들은 캐리어 높이, 디바이스 높이, 인세트 폭, 캐리어 높이 공차, 디바이스 높이 공차, 캐리어 에지 돌출 문턱치 및 디바이스 에지 돌출 문턱치와 같은 미리 정해진 측정치들과 비교될 수 있다. 이러한 결과들은 보고서 또는 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)로 운영자에게 디스플레이될 수 있다. 그 결과들은 상기 비교에 기초하여 "통과" 또는 "실패"로서 단순화될 수 있다.

단일의 적층형 웨이퍼에 대하여 복수의 섀도우 그램 이미지가 획득될 수 있다. 도 10은 적층형 웨이퍼 둘레 주변에서 획득된 일련의 예시적인 섀도우 그램 에지 프로파일이다. 도 10에는 16개의 이미지가 도시되어 있지만, 사용자는 섀도우 그램 이미지 획득 위치의 수 및 배치를 선택할 수 있다. 예를 들면, 섀도우 그램은 풀 스캔 쓰루풋으로 적층형 웨이퍼 둘레 주변의 수백개의 지점에서 획득될 수 있다. 적층형 웨이퍼는 광원 또는 검출기와 관련하여 회전할 수 있다. 예를 들면, 도 1의 제어기(106)와 같은 제어기는 적층형 웨이퍼가 플래튼 위에서 회전할 때 복수의 이미지를 획득할 수 있다. 도 10의 예에서, 적층형 웨이퍼 둘레 주변의 검사는 적어도 22.5°, 315° 및 337.5°에서 부적절한 프로파일을 나타낸다.

도 11은 본 발명의 실시예에 따른 방법의 흐름도이다. 점선으로 표시된 단계들은 선택적일 수 있다.

단일 적층형 웨이퍼의 복수의 지점에서 섀도우 그램 이미지의 획득은 추가적인 또는 전체 웨이퍼 피드백을 제공할 수 있다. 이것은 적층형 웨이퍼의 에지 프로파일에 대한 더 완전한 결론을 제공할 수 있다.

중심성, 접합 특성, 과잉 아교, 언더컷, 위스커, 적층각, 또는 다른 에지 프로파일 특성들이 본 발명의 실시예를 이용하여 검출 또는 측정될 수 있다. 부정확하게 적층된 웨이퍼들은 추가의 처리 전에 식별될 수 있고, 예를 들면, CMP 툴 또는 다른 제조 장비에 대한 손상 또는 오염을 방지할 수 있다. 여기에서 설명한 시스템의 실시예의 검사 쓰루풋은 제조 세팅에 대하여 충분히 높다. 적층형 웨이퍼는 불규칙적일 수 있고, 또는 복잡한 형상, 들쭉날쭉한 에지 또는 높은 신호대 잡음비를 가질 수 있으며, 이것은 이전에는 정확히 또는 제조 세팅에서 측정할 수 없었다. 사실, 측정이 전에는 가능하지 않았던 적층형 웨이퍼는 여기에서 설명한 바와 같이 섀도우 그램 이미지를 이용하여 측정될 수 있다.

본 발명의 실시예는 글루잉 및 접합 처리에 특징이 있는 적층형 웨이퍼 오차 또는 상위를 결정 또는 찾을 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 두께, 웨이퍼 동심성 또는 프로파일 정보가 제공될 수 있다. 이러한 정보는 다른 검사 툴 또는 다른 제조 또는 웨이퍼 취급 툴에의 입력으로서 사용될 수 있다.

제조 쓰루풋은 악영향을 받지 않을 수 있고, 또는 제조 쓰루풋에 대한 임의의 충격이 본 발명의 실시예를 이용하여 최소화될 수 있다. 여기에서 설명한 계측 및/또는 검사 처리는 다른 처리와 동시에 수행될 수 있다. 예를 들면, 여기에서 설명한 계측 및/또는 검사 처리는 검사 툴의 구성(set-up) 중에 수행될 수 있다. 물론, 여기에서 설명한 계측 및/또는 검사 처리는 독립형 처리로서 별도로 또한 수행될 수 있다.

섀도우 그램은 명시야 및 암시야 모드에 대하여 많은 장점을 제공한다. 예를 들면, 섀도우 그램은 명시야 또는 암시야 모드에서 발생하지 않는 언더컷 유형 웨이퍼 적층 결함으로부터 충분한 신호를 수신한다.

비록 본 발명을 하나 이상의 특정 실시예와 관련하여 설명하였지만, 본 발명의 다른 실시예들이 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 만들어질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명은 첨부된 특허 청구범위 및 그 정당한 해석에 의해서만 제한되는 것으로 간주된다.

Claims

시스템에 있어서,
적층형 웨이퍼의 주변 에지에 시준광을 접선으로 지향시키도록 구성되는 복수의 광원;
상기 복수의 광원과는 상기 적층형 웨이퍼의 반대쪽에 배치되고, 상기 적층형 웨이퍼의 주변 에지의 섀도우 그램(shadow-gram) 이미지를 획득하도록 구성되는 복수의 검출기; 및
상기 복수의 검출기 각각에 작동가능하게 연결되며, 상기 섀도우 그램 이미지를 수신하고, 상기 적층형 웨이퍼의 에지 프로파일을 검사하기 위해 상기 섀도우 그램 이미지의 특성을 미리 정해진 측정치와 비교하도록 구성되는 제어기
를 포함하고,
상기 복수의 광원 및 상기 복수의 검출기는 상기 적층형 웨이퍼의 상이한 위치들의 복수의 섀도우 그램 이미지를 획득하기 위해 상기 적층형 웨이퍼의 둘레 주변의 위치들에 배치되는 것인, 시스템.
삭제
제1항에 있어서,
상기 적층형 웨이퍼를 회전시키도록 구성되는 플래튼(platen)을 더 포함하는, 시스템.
제3항에 있어서,
상기 복수의 검출기는, 상기 적층형 웨이퍼가 회전되는 동안, 상기 적층형 웨이퍼의 주변 에지를 따라 상이한 지점들에서 복수의 섀도우 그램 이미지를 획득하도록 구성되는 것인, 시스템.
제1항에 있어서,
상기 적층형 웨이퍼는 상기 복수의 광원에 대해 회전하도록 구성되는 것인, 시스템.
제1항에 있어서,
상기 섀도우 그램 이미지는 실루엣을 포함하고, 상기 제어기는 또한, 상기 섀도우 그램 이미지 내의 상기 적층형 웨이퍼의 실루엣의 측정치를 상기 미리 정해진 측정치와 비교하도록 구성되는 것인, 시스템.
제6항에 있어서,
상기 제어기는 또한, 상기 적층형 웨이퍼에 대한 정보가 제공되도록, 복수의 섀도우 그램 이미지 내의 상기 실루엣의 측정치를 집계하도록(aggregate) 구성되는 것인, 시스템.
제1항에 있어서,
상기 복수의 광원은 LED를 포함하는 것인, 시스템.
제1항에 있어서,
상기 복수의 검출기는 CCD 카메라 또는 CMOS 카메라 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 시스템.
제1항에 있어서,
상기 시준광은 가시광 또는 UV 광 중 하나인 것인, 시스템.
제1항에 있어서,
상기 복수의 광원은 펄스형 시준광을 제공하도록 구성되는 것인, 시스템.
삭제
제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 적층형 웨이퍼의 상기 에지 프로파일의 특성을 측정하기 위해 적어도 하나의 에지 추출 알고리즘을 사용하도록 구성되는 것인, 시스템.
제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 섀도우 그램 이미지에 평활화를 적용하도록 구성되는 것인, 시스템.
제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 섀도우 그램 이미지를 설명하기 위해 체인 코드 유형 알고리즘을 사용하도록 구성되는 것인, 시스템.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제