JP2011203245A - 半導体ウェハの表面検査システム及び表面検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェハWの表面の全域に光源装置2によって斜め方向から光を照射し、CCDカメラ4で半導体ウェハW全体を撮影する。これにより、半導体ウェハWの各ポイントからの前記照射光の反射光または散乱光の強度を検出する。取得された光の2次元的な強度分布に基づいて、半導体ウェハWの表面に生成されたソーマークなどの凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。
【選択図】図1
Description
分布に基づいて、前記半導体ウェハの表面における凹凸を検出またはその大きさを測定することを最大の特徴とする。
半導体ウェハの表面の全域に対して斜め方向から、入射面において平行な光を照射する光源装置と、
前記半導体ウェハの表面全体を撮影する撮影装置と、を備え、
前記撮影装置で前記半導体ウェハの表面の全体を撮影することで得られた、前記光源装置から照射された光の散乱光または反射光の2次元的な強度分布に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする。
表面凹凸の検出精度または、凹凸の大きさの測定精度をより高くすることができる。
前記光源装置から照射された光の前記半導体ウェハの表面の各ポイントからの散乱光または反射光は、前記第1光源装置および前記第2光源装置のうち、前記ソーマークに垂直方向から光を照射する方の光源装置から照射された光の、前記半導体ウェハの表面の各ポイントからの散乱光または反射光とするようにしてもよい。
検出し、または該凹凸の大きさを測定するようにしてもよい。
る前記交線方向の平均的な凹凸の大きさを導出する。これによれば、試料である半導体ウェハの前記交線方向の平均的な凹凸の大きさをより簡単に取得することができ、試料の評価をより簡単、迅速に行うことが可能となる。
前記散乱光または反射光の2次元的な強度分布より得られた、前記散乱光または反射光の強度分布曲線または該強度分布曲線を積分した曲線を周波数分析し、
その中で前記多結晶の結晶粒の周波数成分に相当する第2の強度分布曲線または該第2の強度分布曲線を積分した曲線を導出し、
前記散乱光または反射光の強度分布曲線から前記第2の強度分布曲線に相当する成分を除去することで得られる第3の強度分布曲線または、前記強度分布曲線を積分した曲線から、前記第2の強度分布曲線を積分した曲線に相当する成分を除去することで得られる曲線に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定するようにしてもよい。
等の粗さの計測に影響を与えるため、これらを消し去ることで、結晶粒の影響を除いたより正確な半導体ウェハの表面の凹凸に関する情報が得られる。従って、本発明においては、前記散乱光または反射光の強度分布またはそれを積分した曲線を周波数分析し、その中で多結晶の結晶粒の周波数成分に相当する強度分布またはそれを積分した曲線を導出する。そして、全体の周波数範囲に相当する散乱光または反射光の強度分布またはそれを積分した曲線から、多結晶の結晶粒の周波数成分に相当する強度分布またはそれを積分した曲線を除去することとした。これにより、多結晶の結晶粒の影響を受けていない、半導体ウェハの表面からの散乱光または反射光の強度分布または当該分布を積分した曲線を得ることができる。その結果、半導体ウェハの表面の凹凸の検出または凹凸の大きさの測定をより精度よく行うことが可能となる。
直線状に構成された光源と、
前記直線と平行方向から見た断面図が放物線形状を示すとともに、前記直線と平行方向には該放物線形状を維持する反射鏡と、を有し、
前記直線と平行方向から見た場合に、前記光源は、前記放物線の焦点に配置されるようにしてもよい。
直線状に構成された光源と、
前記直線と平行方向の軸を有するシリンドリカルレンズまたはシリンダフレネルレンズと、を有し、
前記直線と平行方向から見た場合に、前記光源は、前記シリンドリカルレンズまたは前記シリンダフレネルレンズの焦点に配置されるようにしてもよい。
直線状に構成された光源と、
前記直線と平行方向の軸を有するとともに前記光源から照射される光を直線状に集光する第一シリンドリカルレンズまたは第一シリンダフレネルレンズと、
前記第一シリンドリカルレンズまたは第一シリンダフレネルレンズに対して前記光源と反対側に配置され前記直線と平行の開口部を有するスリットと、
前記直線と平行方向の軸を有するとともに前記スリットの開口部に焦点が位置するように配置され、前記スリットを通過した後に拡散した前記光源から照射された光を平行光にする第二シリンドリカルレンズまたは第二シリンダフレネルレンズと、
を有するようにしてもよい。
光の照射面が略長方形状になるように構成された光源と、
前記長方形の一辺と平行方向の軸を有するとともに前記光源から照射される光を直線状に集光する第一シリンドリカルレンズまたは第一シリンダフレネルレンズと、
前記第一シリンドリカルレンズまたは第一シリンダフレネルレンズの焦点部分に前記軸と平行の開口部を有するとともに前記光源から照射された光が直線状に集光した集光部分の幅を制限するスリットと、
前記長方形の一辺と平行方向の軸を有するとともに直線状に集光した後に拡散した前記光源から照射された光を平行光に戻す第二シリンドリカルレンズまたは第二シリンダフレネルレンズと、
を有するようにしてもよい。
選別された光を平行光に戻すことで、より正確に平行光束を得ることが可能となる。また、光源は、光の照射面が長方形状となるように構成されるので、より強い光強度を得ることが可能となる。なお、上記の光の照射面の形状は、必ずしも正確な長方形である必要はない。略長方形状は平行四辺形状、菱形状、台形状、楕円状などを含んでいる。
インラインで、前記半導体ウェハにおける前記ソーマークを検出し、または該凹凸の大きさを測定することが可能に構成されるようにしてもよい。
前記直線と平行方向から見た断面図が放物線形状を示すとともに、前記直線と平行方向には該放物線形状を維持する反射鏡と、を有し、
前記直線と平行方向から見た場合に、前記光源は、前記放物線の焦点に配置されたことを特徴とする半導体ウェハの表面検査システム用の光源装置であってもよい。
前記直線と平行方向の軸を有するシリンドリカルレンズまたはシリンダフレネルレンズと、を有し、
前記直線と平行方向から見た場合に、前記光源は、前記シリンドリカルレンズまたは前記シリンダフレネルレンズの焦点に配置されたことを特徴とする半導体ウェハの表面検査システム用の光源装置であってもよい。
前記長方形の一辺と平行方向の軸を有するとともに前記光源から照射される光を直線状
に集光する第一シリンドリカルレンズまたは第一シリンダフレネルレンズと、
前記第一シリンドリカルレンズまたは第一シリンダフレネルレンズの焦点部分に前記軸と平行の開口部を有するとともに前記光源から照射された光が直線状に集光した集光部分の幅を制限するスリットと、
前記長方形の一辺と平行方向の軸を有するとともに直線状に集光した後に拡散した前記光源から照射された光を平行光に戻す第二シリンドリカルレンズまたは第二シリンダフレネルレンズと、
を有することを特徴とする半導体ウェハの表面検査システム用の光源装置であってもよい。
前記直線と平行方向の軸を有するとともに前記光源から照射される光を直線状に集光する第一シリンドリカルレンズまたは第一シリンダフレネルレンズと、
前記第一シリンドリカルレンズまたは第一シリンダフレネルレンズに対して前記光源と反対側に配置され前記直線と平行の開口部を有するスリットと、
前記直線と平行方向の軸を有するとともに前記スリットの開口部に焦点が位置するように配置され、前記スリットを通過した後に拡散した前記光源から照射された光を平行光にする第二シリンドリカルレンズまたは第二シリンダフレネルレンズと、
を有することを特徴とする半導体ウェハの表面検査システム用の光源装置であってもよい。
半導体ウェハの表面の全域に対して斜め方向から入射面において平行な光を照射し、
前記半導体ウェハの表面全体を撮影し、
前記半導体ウェハの表面の全体を撮影することで得られた、前記照射された光の散乱光または反射光の2次元的な強度分布に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする半導体ウェハの表面検査方法であってもよい。
前記法線方向から見て前記ソーマークに垂直方向から照射された光の、前記半導体ウェハの表面の各ポイントからの散乱光または反射光の強度に応じた信号を、前記ソーマークに平行方向に積算した平行積算値に基づいて、前記凹凸を検出しまたは該凹凸の大きさを測定する半導体ウェハの表面検査方法としてもよい。この場合は、前記半導体ウェハの表面に光を照射する方向は、2方向に限られず、3方向以上としてもよい。
前記散乱光または反射光の2次元的な強度分布より得られた、前記散乱光または反射光の強度分布曲線または該強度分布曲線を積分した曲線を周波数分析し、
その中で前記多結晶の結晶粒の周波数成分に相当する第2の強度分布曲線または該第2の強度分布曲線を積分した積分曲線を導出し、
前記散乱光または反射光の強度分布曲線から前記第2の強度分布曲線に相当する成分を除去することで得られる第3の強度分布曲線または、前記強度分布曲線を積分した曲線から、前記第2の強度分布曲線を積分した積分曲線に相当する成分を除去することで得られる曲線に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定するようにしてもよい。
〔実施例1〕
る光の強度を画像の上下(垂直)方向(V方向)と左右(水平)方向(H方向)について積算し、図2(b)に示すように、各々1次元データ列V(x)と、H(y)とする。そして、一次元のデータ列V(x)とH(y)におけるデータ変動の大きさにより、ソーマークの凹凸の大きさを検出する。
〔実施例2〕
直の方向に、第2の光源装置12を備えており、光源装置2と垂直の方向から半導体ウェハWに対して光を照射する点である。
しく向上させることができる。なお、本実施例において光源装置2は第1光源装置に相当し、光源装置12は第2光源装置に相当する。
〔実施例3〕
〔実施例4〕
の正面図を、図6(b)には光源装置22の横断面図を示す。図に示すように、光源装置22には、断面が放物線状である反射鏡22bが備えられている。また、反射鏡22bが形成する放物線の焦点に相当する位置に、白色LED22aが、図6(a)に示すように、幅方向に並べて配置されている。
ンドリカルレンズ37bの焦点を通過する。そして、第2シリンドリカルレンズ37dに入射し、円弧面で屈折して水平方向に進む。すなわち、長方形状に並べられた白色LED37aから照射され水平方向に進む平行光は、第1シリンドリカルレンズ37bによって焦点に集光され、その後発散した後、第2シリンドリカルレンズ37dによって平行光に戻される。
〔実施例5〕
検査をインラインで行なえるようにした例について説明する。
〔実施例6〕
(2)式によれば、y軸方向で得られた光の強度Iは半導体ウェハの表面の傾きθの関数となる。(2)式においてθの前の係数にCOSθ0が含まれており、この値が大きいほど表面の傾きに対する感度が大きいことを示している。従ってθ0が小さくなるように、光源からの照射光は半導体ウェハの表面に平行に近い浅い角度で入射することが望ましい。
(3)式より、半導体ウェハの垂直上方に例えばCCDカメラを設置して半導体ウェハの表面の画像を撮影した際に、その散乱光または反射光の強度分布は半導体ウェハの表面形状の傾きの分布を表していることが分かる。
(5)式において、右辺にはtに比例する項が現れるが、表面粗さを記述するには、形状の変動分だけを求めればよいので、この項は直線的に変化する分として補正により取り除くことができる。また、この式の中にはいくつかの定数が含まれているが、これらの値は、表面粗さの判っている試験片をこの方法で測定して較正することにより求めることが可能である。
照度に与える影響を抑制できる。本実施例においてはこれらの点を考慮し、光源装置52の光源52aとして、複数のLEDを入射面と垂直方向に一列に並べた線状LED光源52aを用いることにした。LEDの列から出射された光は第1の円筒レンズ52bによりその後ろに置いたスリット52c上に結像され、その一部はスリット52cを通過した後に再び拡散し、第2の円筒レンズ52dにより平行光とされる。
〔実施例7〕
ウェハの表面の画像の例を示す。図16ではソーマークにおいて散乱または反射された光を撮影することで得られた強度分布を模式的に帯で示している。前述の(3)式で示したとおり、この強度の違いがその部分における表面の傾きの違いを表している。なお、図16では照射光は図中上方から下方に向かって入射している。
〔実施例8〕
ここで、I0は、19(a)に示す各ポイントにおける散乱光または反射光の強度、IGは、19(b)に示す各ポイントにおける散乱光または反射光の強度である。図19(c)に示す曲線は、(6)式で算出されたIの分布、すなわち、結晶粒による明るさのコントラストを除去した表面凹凸のみによる強度分布を表している。この曲線は本実施例において第3の強度分布に相当する。これを前述の(5)式に従って積分することにより、図19(d)に示す表面凹凸の大きさを示す曲線が得られた。
布曲線に相当する。また、図19(a)に示す強度分布曲線と、図19(b)に示す強度分布曲線とから(6)式を用いて、図19(c)に示す曲線を導出する過程は、散乱光または反射光の強度分布曲線または該強度分布曲線を積分した曲線を周波数分析し、その中で多結晶の結晶粒の周波数成分に相当する第2の強度分布曲線または該第2の強度分布曲線を積分した曲線を導出し、散乱光または反射光の強度分布曲線から第2の強度分布曲線に相当する成分を除去することで第3の強度分布曲線を得ることに相当する。
〔実施例9〕
の測定を粗さの異なる種々の半導体ウェハに対して実施し、その結果から図22に示した較正曲線を得た。図の縦軸は触針式測定器SJ−210によるPV値であり、横軸は本実施例における半導体ウェハ表面検査システム50によるPV値を表している。これらの測定値の中で、比較的大きなものは顕著なソーマークが見られるサンプルについて、小さなものはソーマークが見られないか、ソーマークに平行に粗さを測定したものである。
〔実施例10〕
るが、その値の限界として上で求めた値を用いることは妥当である。すなわち、θ0の限界値は、COSθ0=1−0.0387=0.9613によって与えられる。これを解くことによってθ0が属するべき範囲の最大値θ0の値として16°を得ることができる。以上のように、本実施例における半導体ウェハ表件検査システム50においては、照射光の半導体ウェハの表面に対する傾きが属する範囲として、5°以上16°以下の範囲(入射角が74°以上85°以下)を得た。照射光の半導体ウェハの表面に対する傾きを上記範囲内とすることで、より精度よく充分な感度を有する測定が可能となる。
RPV)max、標準偏差を(RPV)devとする。また、CCDの1画素に対応する半導体ウェハ上の長さをdとして、上述と同様の考え方に沿えば、θ0の属するべき範囲は(7)式のように表わすことができる。
すなわち、半導体ウェハ表件検査システム50において(7)式が成立する範囲にθ0が属するように、光源装置52からの照射光の角度を調整することで、より精度よく高感度な測定が可能となる。
2、12、22・・・光源装置
3・・・ローダ
4、54・・・CCDカメラ
4a、54a・・・撮像レンズ
5・・・アンローダ
6・・・演算ユニット
7・・・ベルトコンベア
8・・・表示ユニット
32、37、42、47、52・・・光源装置
53・・・ミラー
W・・・半導体ウェハ
Claims (36)
- 半導体ウェハの表面における凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定する半導体ウェハの表面検査システムであって、
半導体ウェハの表面の全域に対して斜め方向から、入射面において平行な光を照射する光源装置と、
前記半導体ウェハの表面全体を撮影する撮影装置と、を備え、
前記撮影装置で前記半導体ウェハの表面の全体を撮影することで得られた、前記光源装置から照射された光の散乱光または反射光の2次元的な強度分布に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする半導体ウェハの表面検査システム。 - 前記光源装置が照射する光の前記半導体ウェハの表面への入射角は74度以上85度以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 前記半導体ウェハの表面における凹凸は、前記半導体ウェハの表面に生じるソーマークであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 前記撮影装置で前記半導体ウェハの表面を撮影することで得られた、前記光源装置から照射された光の前記半導体ウェハの表面の各ポイントからの散乱光または反射光の強度に応じた信号を、前記ソーマークに平行方向に積算した平行積算値に基づいて、前記凹凸を検出しまたは該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項3に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 前記光源装置は前記半導体ウェハの法線方向から見て互いに約90度異なる方向から前記半導体ウェハの表面に光を照射する第1光源装置及び第2光源装置からなり、
前記光源装置から照射された光の前記半導体ウェハの表面の各ポイントからの散乱光または反射光は、前記第1光源装置および前記第2光源装置のうち、前記法線方向から見て前記ソーマークに垂直方向から光を照射する方の光源装置から照射された光の、前記半導体ウェハの表面の各ポイントからの散乱光または反射光としたことを特徴とする請求項4に記載の半導体ウェハの表面検査システム。 - 前記撮影装置で前記半導体ウェハの表面の全体を撮影することで得られた、前記光源装置から照射された光の前記半導体ウェハの表面の各ポイントからの散乱光または反射光の強度に応じた信号を、前記半導体ウェハの表面を分割して得られる複数の領域に相当するよう分割し、分割された各々の領域について前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項3から5のいずれか一項に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 前記散乱光または反射光の2次元的な強度分布より得られた、前記散乱光または反射光の強度分布曲線を積分した曲線に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 前記散乱光または反射光の2次元的な強度分布より、前記光源装置が照射する光の前記半導体ウェハの表面への入射面と前記半導体ウェハの表面との交線方向についての前記散乱光または反射光の1次元的な強度分布曲線を取得し、該1次元的な強度分布曲線を前記交線方向について積分した曲線に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項7に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 複数の前記1次元的な強度分布曲線より、前記交線方向についての平均の強度分布曲線
を導出し、該平均の強度分布曲線を前記交線方向について積分した曲線を導出することで、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項8に記載の半導体ウェハの表面検査システム。 - 前記散乱光または反射光の2次元的な強度分布より得られた、前記散乱光または反射光の強度分布曲線または該強度分布曲線を積分した曲線を周波数分析し、各周波数に対する振幅の密度分布に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 前記散乱光または反射光の2次元的な強度分布より、前記光源装置が照射する光の前記半導体ウェハの表面への入射面と前記半導体ウェハの表面との交線方向についての前記散乱光または反射光の1次元的な強度分布曲線を取得し、該1次元的な強度分布曲線を前記交線方向について積分した曲線を導出し、導出された曲線を周波数分析することを特徴とする請求項10に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 複数の前記1次元的な強度分布曲線を前記交線方向について積分した曲線を導出し、導出された複数の曲線を各々周波数分析して得られた複数の前記密度分布を平均して得られる平均密度分布に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項11に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 前記半導体ウェハが多結晶ウェハであり、
前記散乱光または反射光の2次元的な強度分布より得られた、前記散乱光または反射光の強度分布曲線または該強度分布曲線を積分した曲線を周波数分析し、
その中で前記多結晶の結晶粒の周波数成分に相当する第2の強度分布曲線または該第2の強度分布曲線を積分した曲線を導出し、
前記散乱光または反射光の強度分布曲線から前記第2の強度分布曲線に相当する成分を除去することで得られる第3の強度分布曲線または、前記強度分布曲線を積分した曲線から、前記第2の強度分布曲線を積分した曲線に相当する成分を除去することで得られる曲線に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項10に記載の半導体ウェハの表面検査システム。 - 前記光源装置は、
直線状に構成された光源と、
前記直線と平行方向から見た断面図が放物線形状を示すとともに、前記直線と平行方向には該放物線形状を維持する反射鏡と、を有し、
前記直線と平行方向から見た場合に、前記光源は、前記放物線の焦点に配置されたことを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の半導体ウェハの表面検査システム。 - 前記光源装置は、
直線状に構成された光源と、
前記直線と平行方向の軸を有するシリンドリカルレンズまたはシリンダフレネルレンズと、を有し、
前記直線と平行方向から見た場合に、前記光源は、前記シリンドリカルレンズまたは前記シリンダフレネルレンズの焦点に配置されたことを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の半導体ウェハの表面検査システム。 - 前記光源装置は、
直線状に構成された光源と、
前記直線と平行方向の軸を有するとともに前記光源から照射される光を直線状に集光す
る第一シリンドリカルレンズまたは第一シリンダフレネルレンズと、
前記第一シリンドリカルレンズまたは第一シリンダフレネルレンズに対して前記光源と反対側に配置され前記直線と平行の開口部を有するスリットと、
前記直線と平行方向の軸を有するとともに前記スリットの開口部に焦点が位置するように配置され、前記スリットを通過した後に拡散した前記光源から照射された光を平行光にする第二シリンドリカルレンズまたは第二シリンダフレネルレンズと、
を有することを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の半導体ウェハの表面検査システム。 - 前記光源装置は、
光の照射面が略長方形状になるように構成された光源と、
前記長方形の一辺と平行方向の軸を有するとともに前記光源から照射される光を直線状に集光する第一シリンドリカルレンズまたは第一シリンダフレネルレンズと、
前記第一シリンドリカルレンズまたは第一シリンダフレネルレンズの焦点部分に前記軸と平行の開口部を有するとともに前記光源から照射された光が直線状に集光した集光部分の幅を制限するスリットと、
前記長方形の一辺と平行方向の軸を有するとともに直線状に集光した後に拡散した前記光源から照射された光を平行光に戻す第二シリンドリカルレンズまたは第二シリンダフレネルレンズと、
を有することを特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の半導体ウェハの表面検査システム。 - 前記光源は、LED素子を直線状に並列させることで構成されることを特徴とする請求項14から16のいずれか一項に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 前記光源は、LEDからの光を複数の光ファイバの一端に入射し、該複数の光ファイバの他端を直線状に並列させることで構成されることを特徴とする請求項14から16のいずれか一項に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 前記光源は、LED素子を平面状に並列させることで構成されることを特徴とする請求項17に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 前記半導体ウェハは、太陽電池用のウェハであることを特徴とする請求項1から20のいずれか一項に記載の半導体ウェハの表面検査システム。
- 前記半導体ウェハが載置されるとともに、該半導体ウェハを、前記光源装置が該半導体ウェハの表面に対して斜め方向から光を照射することが可能で且つ前記撮影装置が該半導体ウェハの表面全体を撮影することが可能な位置に導く運搬装置をさらに備え、
インラインで、前記半導体ウェハにおける前記ソーマークを検出し、または該凹凸の大きさを測定することが可能に構成されたことを特徴とする請求項1から21のいずれか一項に記載の半導体ウェハの表面検査システム。 - 半導体ウェハの表面における凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定する半導体ウェハの表面検査方法であって、
半導体ウェハの表面の全域に対して斜め方向から入射面において平行な光を照射し、
前記半導体ウェハの表面全体を撮影し、
前記半導体ウェハの表面の全体を撮影することで得られた、前記照射された光の散乱光または反射光の2次元的な強度分布に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする半導体ウェハの表面検査方法。 - 前記半導体ウェハの表面の全域に対して照射する光の入射角は74度以上85度以下であることを特徴とする請求項23に記載の半導体ウェハの表面検査方法。
- 前記半導体ウェハの表面における凹凸は、前記半導体ウェハの表面に生じるソーマークであることを特徴とする請求項23または24に記載の半導体ウェハの表面検査方法。
- 前記半導体ウェハの表面の全体を撮影することで得られた、前記照射された光の前記半導体ウェハの表面の各ポイントからの散乱光または反射光の強度に応じた信号を、前記ソーマークに平行方向に積算した平行積算値に基づいて、前記凹凸を検出しまたは該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項25に記載の半導体ウェハの表面検査方法。
- 前記半導体ウェハの法線方向から見て複数の方向から前記半導体ウェハの表面に光を照射し、
前記法線方向から見て前記ソーマークに垂直方向から照射された光の、前記半導体ウェハの表面の各ポイントからの散乱光または反射光の強度に応じた信号を、前記ソーマークに平行方向に積算した平行積算値に基づいて、前記凹凸を検出しまたは該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項26に記載の半導体ウェハの表面検査方法。 - 前記撮影装置で前記半導体ウェハの表面の全体を撮影することで得られた、前記光源装置から照射された光の前記半導体ウェハの表面の各ポイントからの散乱光または反射光の強度に応じた信号を、前記半導体ウェハの表面を分割して得られる複数の領域に相当するよう分割し、分割された各々の領域について前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項25から27のいずれか一項に記載の半導体ウェハの表面検査方法。
- 前記散乱光または反射光の2次元的な強度分布より得られた、前記散乱光または反射光の強度分布曲線を積分した曲線に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項23または24に記載の半導体ウェハの表面検査方法。
- 前記散乱光または反射光の2次元的な強度分布より、前記照射される光の前記半導体ウェハの表面への入射面と前記半導体ウェハの表面との交線方向についての前記散乱光または反射光の1次元的な強度分布曲線を取得し、該1次元的な強度分布曲線を前記交線方向について積分した曲線に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項29に記載の半導体ウェハの表面検査方法。
- 複数の前記1次元的な強度分布曲線より、前記交線方向についての平均の強度分布曲線を導出し、該平均の強度分布曲線を前記交線方向について積分した曲線を導出することで、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項30に記載の半導体ウェハの表面検査方法。
- 前記散乱光または反射光の2次元的な強度分布より得られた、前記散乱光または反射光の強度分布曲線または該強度分布曲線を積分した曲線を周波数分析し、各周波数に対する振幅の密度分布に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項23または24に記載の半導体ウェハの表面検査方法。
- 前記散乱光または反射光の2次元的な強度分布より、前記照射される光の前記半導体ウェハの表面への入射面と前記半導体ウェハの表面との交線方向についての前記散乱光または反射光の1次元的な強度分布曲線を取得し、該1次元的な強度分布曲線を前記交線方向について積分した曲線を導出し、導出された曲線を周波数分析することを特徴とする請求項32に記載の半導体ウェハの表面検査方法。
- 複数の前記1次元的な強度分布曲線を前記交線方向について積分した曲線を導出し、導出された複数の曲線を各々周波数分析して得られた複数の前記密度分布を平均して得られる平均密度分布に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項33に記載の半導体ウェハの表面検査方法。
- 前記半導体ウェハが多結晶ウェハであり、
前記散乱光または反射光の2次元的な強度分布より得られた、前記散乱光または反射光の強度分布曲線または該強度分布曲線を積分した曲線を周波数分析し、
その中で前記多結晶の結晶粒の周波数成分に相当する第2の強度分布曲線または該第2の強度分布曲線を積分した積分曲線を導出し、
前記散乱光または反射光の強度分布曲線から前記第2の強度分布曲線に相当する成分を除去することで得られる第3の強度分布曲線または、前記強度分布曲線を積分した曲線から、前記第2の強度分布曲線を積分した積分曲線に相当する成分を除去することで得られる曲線に基づいて、前記凹凸を検出し、または該凹凸の大きさを測定することを特徴とする請求項32に記載の半導体ウェハの表面検査方法。 - 前記半導体ウェハの表面の全域に対して斜め方向から、LEDによって光を照射することを特徴とする請求項23から35のいずれか一項に記載の半導体ウェハの表面検査方法。
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