JP5548848B2 - 検査装置、検査方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図10を用いて、照明装置22の変形例の構成に付いて説明する。図10は、別の照明装置22の構成を示す上面図である。なお、照明装置22以外の基本的構成については、図2と同様であるため説明を省略する。照明装置22は、光源25と、レンズ26と、ポリゴンミラー27と、レンズ28と、を備えている。
11 シリコン基板
12 エッチストップ膜
13 多層膜
14 開口部
21 ステージ
22 照明装置
23 検出器(ラインセンサ)
25 LED光源
26 レンズ
27 ポリゴンミラー
28 レンズ
31 入射方向
32 受光方向
33 正反射方向
34 照明領域
41 導光板
42 拡散板
43 絞り
Claims (19)
- 一方の面に開口部が周期的に形成された半導体ウェハの検査装置であって、
前記半導体ウェハの前記一方の面と反対側の他方の面の法線から傾斜した第1の方向に向けて光を出射し、前記他方の面を照明する照明装置と、
前記照明装置から第1の方向に出射された光の正反射方向の近傍位置に配置され、前記照明装置で照明可能な照明領域の長手方向に沿って配列された受光画素で前記照明領域からの光をレンズを介して受光する検出器と、
前記半導体ウェハと前記照明領域の位置を相対移動して、走査を行う走査手段と、を備えた検査装置。 - 前記照明装置が、前記照明領域の長手方向に沿って配列された複数の光源を有することを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
- 前記照明装置が導光板と拡散板を備え、
前記光源からの照明光が前記導光板の内部で全反射を繰り返しながら伝播し、
前記導光板から出射した照明光が前記拡散板によって拡散されることを特徴とする請求項2に記載の検査装置。 - 前記照明装置が、
光源と、
前記光源からの光を偏向することで、前記照明領域の長手方向に沿って走査するスキャナと、
前記スキャナで走査された光を屈折して、前記半導体ウェハに対する前記光の入射角度を一定にするレンズと、を備える請求項1に記載の検査装置。 - 前記照明装置が、前記開口部の幅よりも長い波長の光を照射することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の検査装置。
- 前記検出器が、前記半導体ウェハの前記他方の面で正反射した正反射光を受光しないように配置され、前記開口部の底面からの反射光と隣接する前記開口部の領域からの反射光との合成波を検出する請求項1〜5のいずれか1項に記載の検査装置。
- 前記検出器の受光量に応じて、前記半導体ウェハのCDを測定する請求項1〜6のいずれか1項に記載の検査装置。
- 前記照明装置からの光が、前記半導体ウェハを透過する波長の光であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に検査装置。
- 前記照明装置からの光が、シリコンを透過する赤外光であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に検査装置。
- 一方の面に周期的に形成された開口部を有する半導体ウェハの検査方法であって、
前記半導体ウェハの前記一方の面と反対側の他方の面の法線から傾斜した第1の方向に向けて光を出射する照明装置で、前記他方の面を照射するステップと、
前記照明装置から第1の方向に出射された光の正反射方向の近傍位置に配置され、前記照明装置で照明可能な照明領域の長手方向に沿って配列された受光画素を有する検出器によって、前記照明領域からの光をレンズを介して受光するステップ、
前記半導体ウェハと前記照明領域の位置を相対移動して走査を行った時の前記検出器の受光結果に基づいて検査を行うステップと、を備えた検査方法。 - 前記照明装置が、前記照明領域の長手方向に沿って配列された複数の光源を有することを特徴とする請求項10に記載の検査方法。
- 前記照明装置が導光板と拡散板を備え、
前記光源からの照明光が前記導光板の内部で全反射を繰り返しながら伝播し、
前記導光板から出射した照明光が前記拡散板によって拡散されることを特徴とする請求項11に記載の検査方法。 - 前記照明装置が、
光源と、
前記光源からの光を偏向することで、前記照明領域の長手方向に沿って走査するスキャナと、
前記スキャナで走査された光を屈折して、前記半導体ウェハに対する前記光の入射角度を一定にするレンズと、を備える請求項10に記載の検査方法。 - 前記照明装置が、前記開口部の幅よりも長い波長の光を照射することを特徴とする請求項10〜13のいずれか1項に記載の検査方法。
- 前記検出器が、半導体ウェハの前記他方の面で正反射した正反射光を受光しないように配置され、前記開口部の底面からの反射光と隣接する前記開口部の領域からの反射光との合成波を検出する請求項10〜14のいずれか1項に記載の検査方法。
- 前記検出器の受光量に応じて、前記半導体ウェハのCD欠陥領域を検出する請求項10〜15のいずれか1項に記載の検査方法。
- 前記照明装置からの光が、前記半導体ウェハを透過する波長の光であることを特徴とする請求項10〜16のいずれか1項に検査方法。
- 前記照明装置からの光が、シリコンを透過する赤外光であることを特徴とする請求項10〜17のいずれか1項に検査方法。
- 請求項10〜18のいずれか1項に記載の欠陥検査方法により、前記半導体ウェハを検査する検査ステップと、
前記検査ステップの検査結果に応じて良否判定を行うステップと、を有する半導体装置の製造方法。
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