JP6280365B2

JP6280365B2 - 薄膜太陽電池の加工溝検出方法および加工溝検出装置

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Publication number: JP6280365B2
Application number: JP2013271656A
Authority: JP
Inventors: 良吾堀井
Original assignee: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Current assignee: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd
Priority date: 2013-12-27
Filing date: 2013-12-27
Publication date: 2018-02-14
Anticipated expiration: 2033-12-27
Also published as: CN104752558B; TW201526133A; US20150185162A1; JP2015126206A; CN104752558A; KR20150077275A; TWI635549B; US9523644B2; KR102353442B1

Description

本発明は、カルコパイライト化合物等の化合物半導体を用いた集積型薄膜太陽電池の加工溝を検出する加工溝検出方法、および、これに用いられる加工溝検出装置に関する。
ここで、カルコパイライト化合物とは、ＣＩＧＳ（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_２）の他に、ＣＩＧＳＳ（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）_２）、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳ_２）等が含まれる。

化合物半導体を光吸収層として用いる薄膜太陽電池においては、基板上に複数のユニットセルを直列接続した集積型構造が一般的である。

従来のカルコパイライト化合物系集積型薄膜太陽電池の製造方法について説明する。図５は、その製造工程を示す模式図である。
まず、図５（ａ）に示すように、ソーダライムガラス（ＳＬＧ）等からなる絶縁基板１１上に、プラス側の下部電極となるＭｏ電極層１２を積層した後、スクライブ加工により下部電極分離用の溝Ｓを形成する。

その後、図５（ｂ）に示すように、Ｍｏ電極層１２上に、化合物半導体（ＣＩＳ）薄膜からなる光吸収層１３を積層し、その上にヘテロ接合のためのＺｎＳ薄膜等からなるバッファ層１４を積層する。このバッファ層１４は実質的に光吸収層１３の一部を構成する。次いで、溝Ｓから横方向に所定距離離隔した位置に、スクライブ加工によりＭｏ電極層１２にまで到達する電極間コンタクト用の溝Ｍ１を溝Ｓに対して平行に形成する。

続いて、図５（ｃ）に示すように、バッファ層１４の上にＺｎＯ：ＡＩ薄膜などからなる上部電極としての透明電極層１５を形成し、スクライブ加工により下部のＭｏ電極層１２にまで到達する電極分離用の溝Ｍ２を、溝Ｍ１に対して平行に形成する。

上述した集積型薄膜太陽電池を製造する工程において、各溝をスクライブにより溝加工する技術としては、例えば特許文献１で開示されているようなレーザ光を用いたレーザスクライブ法や、特許文献２および３で開示されているような先端に刃先を有する溝加工ツールを用いたメカニカルスクライブ法が用いられている。

特開平１１−３１２８１５号公報特開２００２−０９４０８９号公報特開２００４−１１５３５６号公報

高品質で発電効率の高い太陽電池を得るためには、発電に有効な領域の面積をできるだけ広く確保することが重要である。そのためには電極間コンタクト用の溝Ｍ１を、先行して加工してある下部電極分離用の溝Ｓに対して、所定距離を離隔させた位置で、溝Ｓに対して平行に加工することが発電領域の面積ロスを抑える上で有効である。なお、溝Ｍ２については溝Ｍ１の加工後、溝Ｍ１に対して平行に加工することになる。そのため、太陽電池基板の上方に配置したカメラで位置を観察し、溝Ｍ１を加工するための位置調整を行う際には、予め基板に設けられたアライメントマークを用いた位置調整ではなく、前工程において実際に加工された溝Ｓを光学的に観察して、溝Ｓそのものを基準とすることが望ましい。

しかしながら、図５（ｂ）に示されているように、溝Ｍ１を加工する時点では、溝Ｓの上にはＣＩＳ等の化合物半導体からなる光吸収層１３、バッファ層１４が積層されている。光吸収層１３は厚さが１μｍ程度であるが、可視光から近赤外光の波長の太陽光（波長範囲０．３μｍ〜１．４μｍ）を吸収して光電変換する層であるため、可視光はほとんど透過しない。よって光吸収層１３より下層のＭｏ電極層１２の溝Ｓを光吸収層１３の上方から可視光による光学カメラで観測しても、溝Ｓが隠れているか、微かに写るだけの不鮮明な画像が確認できるにすぎなかった。

そのため、従来は溝Ｍ１を加工する際に、微かに写った不鮮明な画像から溝Ｓの位置を大雑把に検出する方法か、溝Ｓと加工すべき溝ＭＩとの間隔を予め設計情報から決めておき、画像で確認することなく、この決められた間隔で機械的にスクライブ加工を行う方法をとるようにしていた。しかし、スクライブ装置の各駆動部における移動誤差や太陽電池基板のテーブルへの位置決め誤差、基板の湾曲等の変動要因の影響により、溝Ｍ１の位置誤差の発生や、溝Ｓに平行な方向からの角度誤差の発生を避けることはできなかった。

また、他の方法として、絶縁基板１１として可視光が透過可能なガラス基板を用いている場合には、基板１１側からガラス面を介して光学カメラで測定することが考えられる。しかしながら、使用されるガラス基板の板厚は１ｍｍ以上（例えば１．８ｍｍ）であり、基板のソリに基づく光軸の傾きが生じると、無視できない大きさの屈折率誤差（例えば基板面に垂直な方向に対して０．５度の傾きで５μｍ程度の誤差）が発生することになる。
また、基板を上下反転させて、上からの光学カメラで基板１１側（裏面側）から溝Ｓを観察することも可能であるが、反転して観察した後、光吸収層１３に溝Ｍ１を加工する際には再び基板を反転しなければならないため、基板１１を載置したテーブルを反転するための機構が必要になり、装置が複雑で大掛かりかつ高価になるといった問題点があった。
また、絶縁基板１１が可視光を透過しない金属や樹脂からなる場合には、そもそも基板１１側から溝Ｓを観察することができなかった。

そこで本発明は、光吸収層の下側に加工されている下部電極分離用の溝Ｓを、新たな方法で正確に検出する加工溝検出方法、および、これに用いられる加工溝検出装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するためになされた本発明の加工溝検出方法では、基板上に下部電極層と光吸収層とがこの順で積層されるとともに、前記下部電極層の一部に下部電極分離用の溝が加工された薄膜太陽電池用加工品において、前記光吸収層に覆われた前記溝を検出する加工溝検出方法であって、前記加工品から輻射される前記光吸収層を透過可能な波長領域の撮像用赤外光を、前記光吸収層の上方側に配置され、可視光を検出せず前記撮像用赤外光を検出する赤外線撮像装置で検出して前記撮像用赤外光の輻射強度分布画像データを取得し、前記輻射強度分布画像データに基づいて前記下部電極層の溝を検出するようにしている。

また、別の観点からなされた本発明の加工溝検出装置は、基板上に下部電極層と光吸収層とがこの順で積層されるとともに、前記下部電極層の一部に下部電極分離用の溝が加工された薄膜太陽電池用加工品において、前記光吸収層に覆われた前記溝を検出する加工溝検出装置であって、前記光吸収層を上にして前記加工品が載置されるテーブルと、前記テーブルの上方に配置され、可視光を検出せず前記光吸収層を透過可能な波長領域の撮像用赤外光を検出し、当該撮像用赤外光の輻射強度分布画像データを取得する赤外線撮像装置と、前記輻射強度分布画像データに基づいて前記下部電極層の溝の位置を決定する加工溝決定部とを備えるようにしている。

薄膜太陽電池の光吸収層には、光電変換効率を高めるため太陽光に多く含まれる可視光が効率よく吸収できる材料が選択使用されている。よって可視光は光吸収層を通過する際にほとんど吸収されて透過できないため、光吸収層よりも下側に存在する下部電極層に形成された溝を見ることができない。しかし、光吸収層で吸収されない波長領域の赤外光については光吸収層を透過できる。ここで、本願では、光吸収層で吸収されない波長領域の光を「撮像用赤外光」という。例えばカルコパイライト系太陽電池等では、１．４μｍ以上の波長であれば確実に光吸収層を透過するため撮像用赤外光に該当する。
一方、下部電極は金属（例えばＭｏ）で形成されており、赤外光は透過されずに一部が吸収され、一部が反射される。したがって、赤外光を含む自然光、あるいは蛍光灯等の照明光が上方から入射したとき、光吸収層を透過して下部電極層に至った赤外光は、当該下部電極層で吸収、反射され、輻射光として再び光吸収層を通過し、輻射赤外光として上方に出射されるようになる。
そこで、可視光の波長領域に対する感度はなく、輻射赤外光の波長領域に対する感度を有する赤外線撮像装置（例えば１．４μｍ以上の波長の赤外光を検出する赤外線撮像装置）を用いて、薄膜太陽電池用加工品における下部電極分離用の溝が加工された近傍の領域を撮像する。すると、光吸収層（薄膜）の表面で反射される可視光、および、光吸収層内で吸収される可視光については全く検出されず、光吸収層を透過して下部電極層で吸収、あるいは反射されて再び光吸収層を透過した輻射赤外光（撮像用赤外光）については検出されるようになる。このとき撮像される画像データは輻射赤外光の強度の分布を表している。そして下部電極層がない溝の部分については、下部電極層が存在する部分に比べると輻射赤外光の光量がはるかに少ないため、溝の存在する部分はそれ以外の部分に比べて暗く撮像される。したがって、明暗（輝度値の差）によって下部電極層と溝との境界が示された画像データ（サーモグラフィ）を取得することができる。
このようにして得られた画像データに対し、輝度値が大きく変化した位置を抽出することにより、溝と電極との境界の位置を検出することができるので、左右一対の境界の位置を検出することで加工溝の位置や方向を正確に決定することができる。

よって、本発明によれば、可視光に対する感度はなく、輻射赤外光に対する感度を有する赤外線撮像装置により撮像された画像データから下部電極層に形成された溝と下部電極との境界を検出することができ、これにより、光吸収層の下に隠れている下部電極層の溝の位置や方向を正確に把握して基準線とすることができるという優れた効果を奏する。
そして、この基準線に基づいて、平行に溝加工することで光吸収層の溝Ｍ１を、下部電極の溝Ｓと平行になるように加工することが可能となる。これにより発電領域のロスを抑制して発電効率の優れた高品質の薄膜太陽電池を製造することができるといった効果がある。

本発明の加工溝検出装置を備えた薄膜太陽電池加工装置の一実施形態を示す概略的な正面図。図１における加工溝検出装置の主要部分の説明図。撮像された画像データから溝の位置を決定する工程の説明図。本発明の加工溝検出方法を適用した製造工程を示す説明図。一般的な薄膜太陽電池の製造工程を示す模式図。

以下において、本発明の詳細を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は本発明に係る加工溝検出装置を備えた薄膜太陽電池の加工装置の一例を示す概略的な正面図であり、図２はその加工溝検出装置の主要部分を説明するための図である。
加工溝検出装置Ａは、ガラス基板上に薄膜層が積層された太陽電池用加工品Ｗを載置して保持するテーブル１を備えている。テーブル１は、水平なレール２に沿ってＹ方向（図１の前後方向）に移動できるようになっており、モータ（図示外）によって回転するネジ軸３により駆動される。さらにテーブル１は、モータを内蔵する回転駆動部４により水平面内で回動できるようになっている。

テーブル１を跨ぐように配置された門型のブリッジ５の水平なビーム６には、Ｘ方向に延びるガイド７が設けられ、このガイド７にスクライブヘッド８がモータＭによってＸ方向に移動できるように取り付けられている。このスクライブヘッド８に、テーブル１上に載置された太陽電池用加工品（被加工品）Ｗの薄膜表面を機械的にスクライブして溝を加工する溝加工ツール、あるいは、熱的にスクライブして溝を加工するレーザ照射機構のいずれかの溝加工機構が取り付けられる。本実施例では、このような溝加工機構として、加工対象である溝Ｍ１の溝幅とほぼ同じ刃幅を有する刃先を有し、当該刃先を薄膜層に当接させて剥離することにより溝加工を行う溝加工ツール９が取り付けられている。
そして、コンピュータで構成された制御部（図示外）により、スクライブヘッド８のＸ方向への移動とテーブル１のＹ方向への移動とを連動させる制御を行うことにより、斜め方向も含むＸＹ面内の任意の方向へのスクライブ加工ができるようにしてある。

加工溝検出装置Ａは、被加工品Ｗの光吸収層を透過可能な波長領域の赤外光（撮像用赤外光）が光吸収層側から入射される環境の下で使用される。ただし、自然光あるいは蛍光灯等の照明Ｌに含まれる赤外光があれば十分であることから、積極的に撮像用赤外光を照射するための光源を設ける必要はなく、赤外光が照射されない暗室のような場所でさえなければ使用することができる。

テーブル１の上方には、テーブル１に載置された被加工品Ｗから発生する輻射赤外光を画像データ（サーモグラフィ）として検知するための赤外線撮像装置として、赤外線ラインスキャンカメラ１６が設けられている。この赤外線ラインスキャンカメラ１６は、光吸収層１３、１４を透過する波長領域である１．４μｍ以上の波長の赤外光（撮像用赤外光）を検出することができるとともに、１．４μｍ以下の波長の可視光（一部赤外光を含む）が検出されないような検出感度を有し、波長範囲が制限されるようにしてある。具体的には１．４μｍ未満の波長光をカットするフィルタを光路上に介在させることにより簡単に実現することができる。あるいは赤外線カメラに分光測定機能を設けておくことで、１．４μｍ以上の波長による画像データを作成するようにしてもよい。

そして、テーブル１上の赤外線ラインスキャンカメラ１６で撮像できる範囲内に被加工品Ｗの溝Ｓの一端側が位置するように当該被加工品Ｗが載置され、テーブル１を溝Ｓの方向（Ｙ方向；図１の前後方向）に駆動したときに溝Ｓ上の各点が赤外線ラインスキャンカメラ１６の撮像範囲に入るようにして、溝Ｓの各点が画像データとして撮像されるようにしてある。

撮像された画像データは、コンピュータからなる制御部（図示外）に送られ、各点での画像データが合成されて溝Ｓの近傍を含んだ画像データが作成される。なお、制御部にはこの画像データに基づいて正確な溝Ｓの位置を決定する機能を有する基準線決定部が設けられている。基準線決定部では、デジタルフィルタ処理、平均化処理等の統計的処理を行って画像データから溝Ｓの中心位置となる直線の位置を決定するようにしてある。

図３は、撮像された画像データに基づいて基準線決定部が溝Ｓの位置を決定する工程を説明する図である。ここでは溝Ｓに沿ってｎ箇所の撮影点で画像データを撮像するものとする。また、赤外線ラインスキャンカメラ１６は１回の撮影で、Ｘ方向に画素（例えば６４画素）が並んだ画像データが得られるものとする。

被加工品Ｗが載置されたテーブル１をＹ方向に移動することにより、図３（ａ）に示す溝Ｓ上の各撮影点１〜ｎが赤外線ラインスキャンカメラ１６の撮像領域に移動し、順次、撮像が行われる。図３（ｂ）は撮影点のうち、撮影点ｊでの画像データの一例を模式的に示しており、各画素の数値は輝度値を示している。

図２に示すように、照明Ｌからの光に含まれている１．４μｍ以上の波長である撮像用赤外光は、被加工品Ｗの光吸収層１３、１４を透過し、一部がＭｏ電極層１２に到達し、一部がＭｏ電極層１２に形成された溝Ｓに到達する。Ｍｏ電極層１２に到達した撮像用赤外光は一部がＭｏ電極層１２に吸収され、一部は反射された後に輻射赤外光として、再び光吸収層１３、１４を透過して被加工品Ｗの上方に出射される。一方、溝Ｓからはほとんど輻射赤外光は出射されない。
そして、被加工品Ｗの上方に配置された赤外線ラインスキャンカメラ１６は、この輻射赤外光を検出する。

一般に、赤外線輻射率は物質の材料や表面状態によって異なる。蒸着されたＭｏ層は表面が滑らかであり、また、蒸着されるガラス面も滑らかである。この場合、Ｍｏ層の表面と溝Ｓの表面（ガラスの露出面）とでは表面からの輻射量（輻射率）が数倍程度異なる。

よって、赤外線ラインスキャンカメラ１６で溝Ｓの近傍を撮像すると、輻射量の違いが輝度値として明確に検出されるようになり、溝Ｓが画像データ（輝度データ）として検出される。
すなわち、溝Ｓに対応する位置では輻射量が小さいため輝度値が小さくなり、下部電極層（Ｍｏ電極層）１２の位置ではそれよりも輻射量が大きいため輝度値が大きくなる。
図３（ｂ）では輝度値１が溝Ｓ、輝度値５が下部電極位置に対応している。そして、隣の画素の輝度値と大きく変化する部分が境界となることから、輝度値が大きく変化している左右の２箇所を境界位置として抽出することで、溝Ｓの幅（位置）を求めることができる。撮影点１から撮影点ｎまでの各画像データの左右の境界位置を求め、それらの中間位置を結ぶことにより溝Ｓの中心を決定する。実際には、振動等の影響を受けたり、また、パルスレーザによるレーザスクライブではパルスごとに溝幅に微小な凹凸が形成され、中心どうしを結ぶ線は完全な直線にならないことから近似計算を行うことになる。例えばデジタルフィルタ処理により振動の影響を除去したり、平均化処理により最も確からしい直線を決定したりする統計処理を行うことで、溝Ｓの中心位置を溝Ｓの位置に対応する直線として決定し、これを溝Ｍ１の加工のための基準線とすることができる。

このようにして基準線が決定された後は、この線に沿って平行にスクライブヘッド８が移動するように加工装置を調整することにより、溝Ｓに平行な溝Ｍ１の溝加工が行われる。
具体的には、基準線が加工溝検出装置ＡのＹ方向と平行になるまでテーブル１を回転する調整を行った後に、溝加工ツール９でスクライブすることにより、基準線に平行なスクライブ加工ができるようになる。あるいは、テーブル１は回転させず、スクライブヘッド８のＸ方向への移動と、テーブル１のＹ方向への移動とを制御部により連動させる制御により、斜め方向へのスクライブ加工を行うことで基準線に平行なスクライブができるようになる。

なお、溝Ｓと溝Ｍ１とは平行に加工するだけでなく、各溝間の距離が設計した値になるように加工することが必要である。そのためには、赤外線ラインスキャンカメラ１６と溝加工ツール９との間の相対的な位置関係を対応付けておき、溝Ｍ１の設計上の加工位置に溝加工ツール９の刃先が移動できるようにしておくことが必要となる。赤外線ラインスキャンカメラ１６と溝加工ツール９との位置関係の対応付けは、予め、基準線とそこからの距離を測るスケールが刻まれた標準スケール基板を用いて、赤外線ラインスキャンカメラ１６で当該標準スケール基板の基準線を撮像する。そして加工原点位置に移動させた溝加工ツール９で標準スケール基板上に実際にスクライブ線の加工を行って、基準線とスクライブ線との距離を標準スケール基板上のスケールで計測し、計測された距離を加工溝検出装置Ａに設定することにより対応付けておけばよい。

次に、本発明を用いた薄膜太陽電池の製造工程全体について説明する。図４は薄膜太陽電池の製造工程を示す説明図である。
まず、図４（ａ）に示すように、ソーダライムガラス（ＳＬＧ）等からなる絶縁基板１１上に、プラス側の下部電極となるＭｏ電極層１２を蒸着法、スパッタリング法によって形成する。次いで、図４（ｂ）に示すように、Ｍｏ電極層１２に、溝加工ツール９（図１参照）によるスクライブによって下部電極層分離用の溝Ｓを加工する。なお、既述のように溝Ｓの加工は、レーザ光を用いたレーザスクライブによっても加工することができる。

次いで、図４（ｃ）に示すように、Ｍｏ電極層１２上に、化合物半導体（ＣＩＧＳ）の薄膜からなる光吸収層１３を蒸着法、スパッタリング法等によって積層する。この光吸収層１３の上に、ヘテロ接合のためのＺｎＳ薄膜等からなるバッファ層１４がＣＢＤ法（ケミカルバスデポジション法）により形成され、光吸収層の一部となる。

続いて、図４（ｄ）に示すように、バッファ層１４を含む光吸収層１３の上に、下部電極分離用の溝Ｓから横方向に所定距離離隔した平行位置で、溝加工ツール９によりＭｏ電極層１２にまで到達する電極間コンタクト用の溝Ｍ１が加工されるのであるが、この加工に先立って、上述した赤外線ラインスキャンカメラ（赤外線撮像装置）１６でＭｏ電極層１２の溝Ｓを溝方向に沿ってスキャンして溝Ｓの位置を検出し、これに基づいて溝Ｍ１の加工位置、すなわち、溝加工ツール９のスクライブ位置と加工の方向（角度）を決定する。
そして、この距離と方向（角度）とを維持するように溝加工ツール９を移動させることにより、光吸収層１３に溝Ｍ１を加工する。
これにより、光吸収層１３の上方から光吸収層１３の下方にあるＭｏ電極層１２の溝Ｓが可視光で見ることができなくても、その位置と方向とを上方から赤外線ラインスキャンカメラ１６で正しく計測することができ、これを基準として光吸収層１３の溝Ｍ１を正確に平行して加工することが可能となり、発電領域の面積ロスを減らすことができる。

続いて、図４（ｅ）に示すように、バッファ層１４の上からＺｎＯ：ＡｌＩ薄膜からなる上部電極としての透明電極層１５を形成し、光電変換を利用した発電に必要な各機能層を備えた太陽電池基板とする。次いで、溝加工ツール９によるスクライブ加工により、透明電極層１５から下部のＭｏ電極層１２にまで到達する電極分離用の溝Ｍ２を形成する。
この溝Ｍ２の加工の際は、透明電極層１５が可視光を透過することができるので、先に加工した溝Ｍ１を透明電極層１５の上方から見ることが可能である。したがって、図示は省略するが、透明電極層１５の上方に可視光で見ることができるカメラを設置し、このカメラで溝Ｍ１の位置を検出し、この溝Ｍ１を基準として溝Ｍ１からの設定距離を維持しながら溝加工ツール９を平行移動させることにより、正確に溝Ｍ２を設定位置に形成することができる。

以上、本発明の代表的な実施例について説明したが、本発明は必ずしも上記の実施例に特定されるものでない。例えば上記した溝Ｍ１並びに溝Ｍ２の加工は、上述した溝加工ツール９に代えて、レーザ光によるレーザスクライブ法で加工することも可能である。
また、赤外線撮像装置としては赤外線ラインスキャンカメラ１６を用いて説明したが、これに換えて赤外線二次元カメラを用いてもよい。なお、その場合はラインスキャンカメラが複数並んでいるものとして処理を行うことができる。その他本発明では、その目的を達成し、請求の範囲を逸脱しない範囲内で適宜修正、変更することが可能である。

本発明は、化合物半導体膜を用いた集積型薄膜太陽電池の製造に適用することができる。

Ａスクライブ装置
Ｓ下部電極分離用の溝
Ｍ１電極間コンタクト用の溝
Ｍ２電極分離用の溝
Ｗ太陽電池基板
１テーブル
８スクライブヘッド
９溝加工ツール
１１絶縁基板
１２Ｍｏ電極層（下部電極層）
１３光吸収層
１４バッファ層
１５透明電極層
１６赤外線ラインスキャンカメラ（赤外線撮像装置）

Claims

基板上に下部電極層と光吸収層とがこの順で積層されるとともに、前記下部電極層の一部に下部電極分離用の溝が加工された薄膜太陽電池用加工品において、前記光吸収層に覆われた前記溝を検出する加工溝検出方法であって、
前記加工品から輻射される前記光吸収層を透過可能な波長領域の撮像用赤外光を、前記光吸収層の上方側に配置され、可視光を検出せず前記撮像用赤外光を検出する赤外線撮像装置で検出して前記撮像用赤外光の輻射強度分布画像データを取得し、
前記輻射強度分布画像データに基づいて前記下部電極層の溝を検出する加工溝検出方法。
前記赤外線撮像装置は１．４μｍ以上の波長領域の赤外光を撮像用赤外線として検出する請求項１に記載の加工溝検出方法。
前記赤外線撮像装置は赤外線ラインスキャンカメラであり、前記加工品の前記溝近傍に沿って相対的に移動しながら撮像することで溝の近傍の輻射強度分布画像データを取得する請求項１又は請求項２に記載の加工溝検出方法。
基板上に下部電極層と光吸収層とがこの順で積層されるとともに、前記下部電極層の一部に下部電極分離用の溝が加工された薄膜太陽電池用加工品において、前記光吸収層に覆われた前記溝を検出する加工溝検出装置であって、
前記光吸収層を上にして前記加工品が載置されるテーブルと、
前記テーブルの上方に配置され、可視光を検出せず前記光吸収層を透過可能な波長領域の撮像用赤外光を検出し、当該撮像用赤外光の輻射強度分布画像データを取得する赤外線撮像装置と、
前記輻射強度分布画像データに基づいて前記下部電極層の溝を検出する加工溝決定部とを備えたことを特徴とする加工溝検出装置。