JP2011211035A - 検査装置並びに欠陥分類方法及び欠陥検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用いて、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像する。共焦点微分干渉画像は、試料表面の数nm程度の凹凸変化を輝度分布として表すので、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面に出現した結晶欠陥を、輝度分布に基づいて検出することができる。欠陥の種類に応じて、輝度分布が相違するので、欠陥画像の形状及び輝度分布の観点より欠陥を分類する。特に、本発明による分類方法を用いることにより、マイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を他の欠陥から区別することが可能である。
【選択図】図2
Description
また、本発明は、単結晶基板の表面の共焦点微分干渉画像を撮像し、エピタキシャル層の表面の共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥を判別する欠陥判別方法に関するものである。
本発明の別の目的は、SiC基板及びエピタキシャル層に形成されたマイクロパイプ欠陥を他の欠陥から区別して検出できる検査装置を実現することにある。
本発明の別の目的は、マイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を他の欠陥から区別して分類できる欠陥分類方法を提供することにある。
照明ビームを発生する光源と、検査すべき単結晶基板を支持すると共にX方向及びX方向と直交するY方向に移動可能なステージと、前記照明ビームを、集束した光ビームとしてステージ上に配置した単結晶基板に向けて投射する対物レンズと、前記対物レンズとステージ上の単結晶基板との間の光軸方向の相対距離を変化させる手段と、規制された光入射面を有し、前記単結晶基板の表面で反射した反射光を受光する光検出手段とを有する共焦点走査装置、
前記共焦点走査装置の対物レンズと光検出手段との間の光路中に選択的に配置され、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第1及び第2のサブビームに変換すると共に、前記単結晶基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、単結晶基板の表面高さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系、及び、
前記光検出手段から出力される輝度信号を受け取り、前記単結晶基板表面の共焦点微分干渉画像を形成する手段と、形成された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥検出を行う欠陥検出手段とを有する信号処理装置を具えることを特徴とする。
第1の方向に延在するライン状の照明ビームを発生する光源装置と、
検査すべき炭化珪素基板を支持すると共に前記第1の方向及びこれと直交する第2の方向に移動可能なステージと、
前記ライン状照明ビームを、集束性のライン状光ビームとしてステージ上に配置した炭化珪素基板の表面に向けて投射する対物レンズと、
前記対物レンズとステージ上の炭化珪素基板との間の光軸方向の相対距離を変化させる手段と、
前記第1の方向と対応する方向に配列された複数の受光素子を有し、前記微分干渉光学系から出射した干渉ビームを受光するリニァイメージセンサと、
前記対物レンズとリニアイメージセンサとの間の光路中に選択的に配置され、入射したライン状光ビームを、互いに干渉性を有する第1及び第2のサブビームに変換すると共に、前記炭化珪素基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、炭化珪素基板の表面高さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系と、
前記リニァイメージセンサの各受光素子から出力される輝度信号を受け取り、炭化珪素基板表面の共焦点微分干渉画像を形成すると共に当該共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥検出を行う信号処理装置とを具え、前記信号処理装置は、
前記リニアイメージセンサから出力される画像信号に基づいて炭化珪素基板の共焦点微分干渉画像を形成する手段と、
形成された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥を検出する欠陥検出手段と、
前記対物レンズとステージ上の炭化珪素基板との間の光軸方向の相対距離を変化させながら撮像した共焦点画像から炭化珪素基板の表面輪郭形状情報を取得する手段と、
前記取得された表面輪郭形状情報に基づいてマイクロパイプ欠陥を検出する手段とを具えることを特徴とする。
第1の方向に沿って配列されたマルチビームを発生する光源装置と、
検査すべき炭化珪素基板を支持すると共に、前記第1の方向及びこれと直交する方向に移動可能なステージと、
前記マルチビームを、集束性のマルチビームとしてステージ上に配置した炭化珪素基板の表面に向けて投射する対物レンズと、
前記対物レンズとステージ上の炭化珪素基板との間の光軸方向の相対距離を変化させる手段と、
前記第1の方向と対応する方向に配列された複数の受光素子を有し、前記微分干渉光学系から出射した干渉マルチビームを受光するリニァイメージセンサと、
前記対物レンズとリニアイメージセンサとの間の光路中に選択的に配置され、入射したマルチビームを、互いに干渉性を有する第1及び第2のサブビーム列に変換すると共に、前記炭化珪素基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、炭化珪素基板の表面高さと関連する位相差情報を含む干渉マルチビームを出射させる微分干渉光学系と、
前記リニァイメージセンサの各受光素子から出力される輝度信号を受け取り、炭化珪素基板表面の共焦点微分干渉画像を形成すると共に当該共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥検出を行う信号処理装置とを具え、前記信号処理装置は、
前記リニアイメージセンサから出力される画像信号に基づいて炭化珪素基板の共焦点微分干渉画像を形成する手段と、
形成された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥を検出する欠陥検出手段と、
前記対物レンズとステージ上の炭化珪素基板との間の光軸方向の相対距離を変化させながら撮像した共焦点画像に基づいて表面輪郭形状情報を取得する手段と、
前記取得された表面輪郭形状情報に基づいてマイクロパイプ欠陥を検出する手段とを具えることを特徴とする。
エピタキシャル層が形成される前の炭化珪素基板に存在する欠陥及びその座標情報を取得する第1の欠陥検出工程と、
微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用い、エピタキシャル層が形成された前記炭化珪素基板について、エピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像し、撮像された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥及びその座標情報を取得する第2欠陥検出工程と、
前記第2の欠陥検出工程において明暗の輝度画像として撮像された欠陥について、第1の欠陥検出工程において取得された欠陥の座標情報と第2の欠陥検出工程において取得された欠陥の座標情報とを比較し、その比較結果に基づいて、前記明暗の輝度画像として検出された欠陥が基底面内欠陥か否かを判別することを特徴とする。エピタキシャル層に形成される基底面内欠陥は、エピタキシャル層の表面において、エピタキシャル層の厚さとオフ角により規定される位置に明暗画像として検出されるので、エピタキシャル層形成前後の座標比較により検出することが可能である。
微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用い、炭化珪素基板又はエピタキシャル層が形成された炭化珪素基板について、基板表面又はエピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像し、撮像された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥を検出する欠陥検出工程と、
前記欠陥検出工程において点状の低輝度画像として検出された欠陥について、断面形状情報を取得する工程と、
取得した断面形状情報に基づき、前記検出された欠陥がマイクロパイプ欠陥か否かを判別することを特徴とする。
エピタキシャル層が形成される前の炭化珪素基板に存在する欠陥及びその座標情報を取得する第1の欠陥検出工程と、
前記炭化珪素基板にエピタキシャル層を形成し、微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用い、エピタキシャル層が形成された基板について、前記第1の欠陥検出工程において検出された欠陥座標情報により特定される部位の共焦点微分干渉画像を撮像し、撮像された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥を検出すると共に欠陥の座標を取得する第2の欠陥検出工程と、
前記第2の欠陥検出工程において撮像された共焦点微分干渉画像の形状に基づいて欠陥を分類する第1の欠陥分類工程と、
第2の欠陥検出工程において検出された共焦点微分干渉画像の輝度分布に基づいて、欠陥を分類する第2の欠陥分類工程と、
前記第2の欠陥分類工程において、点状の低輝度画像として撮像された欠陥について、前記共焦点走査装置を用いて、対物レンズとステージ上の炭化珪素基板との間の光軸方向の相対距離を変化させながら撮像した共焦点画像に基づいて炭化珪素基板の表面輪郭形状情報を取得し、得られた表面輪郭形状情報に基づいてマイクロパイプか否かを判別する第3の欠陥分類工程と
前記第2の欠陥分類工程において、明暗画像として撮像された欠陥について、第1の欠陥検出工程において検出された欠陥の座標情報と第2の欠陥検出工程において検出された欠陥の座標情報とを比較し、当該欠陥が基底面内欠陥であるか否かを判別する第4の欠陥分類工程とを有することを特徴とする。
微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用い、エピタキシャル層が形成された単結晶基板について、エピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像する工程と、
前記撮像された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥を検出し、欠陥画像及びその座標を取得する欠陥検出工程と、
前記欠陥検出工程において取得された共焦点微分干渉画像の欠陥形状に基づいて欠陥を分類する第1の欠陥分類工程と、
前記欠陥検出工程において取得された共焦点微分干渉画像の輝度分布に基づいて、欠陥を分類する第2の欠陥分類工程と、
前記第2の欠陥分類工程において、点状の低輝度画像として撮像された欠陥について、当該欠陥の表面輪郭形状情報を取得し、取得された表面輪郭形状情報に基づいてマイクロパイプ欠陥か否かを判別する第3の欠陥分類工程と
前記第2の欠陥分類工程において、明暗画像として撮像された欠陥について、当該欠陥の座標情報と、エピタキシャル層が形成される前に取得された当該欠陥の座標情報とを比較し、座標比較の結果に基づいて当該欠陥が基底面内欠陥であるか否かを判別する第4の判別工程とを有することを特徴とする。
[マイクロパイプ欠陥]
マイクロパイプは中空孔の形態をした欠陥である。従って、走査ビームがマイクロパイプ欠陥上を走査した際、孔の底面からの反射光がリニアイメージセンサに入射せず又は微少光量の反射光しか入射しないため、点状の低輝度画像として検出される。
[異物付着]
表面に異物が付着した場合、金属等の反射率の高い異物が付着した場合点状の高輝度画像として検出され、反射率の低い異物が付着した場合点状の暗い低輝度画像として検出される。
[ダウンフォール]
ダウンフォールは、エピタキシャル層の成長中に塊がエピタキシャル層上に付着することにより形成され、上向き及び下向きの2つの傾斜面を有する形態をとる。よって、微分干渉画像として撮像した場合、明るい画像部分と暗い画像部分とが結合した明暗の輝度画像として検出される。
[刃状転位欠陥]
刃状転位欠陥は、SiC基板又はエピタキシャル層の表面上においてピット構造として出現する。従って、下向き及び上向きの2つの傾斜面を有する形態であり、微分干渉画像においては低輝度の画像部分と高輝度の画像部分とが結合した明暗の輝度画像として検出される。
[螺旋転位欠陥]
螺旋転位は、刃状転位欠陥と同様にSiC基板及びエピタキシャル層の表面においてピット構造として出現し、明暗の輝度画像として検出される。
[基底面内欠陥]
基底面内欠陥は、SiC基板の表面及びエピタキシャル層の表面において、ピット構造として出現する。従って、微分干渉画像において、明暗の輝度画像として検出される。
[バンプ]
バンプは、突起状の欠陥であり、下向きの斜面と上向きの斜面を有するので、明暗の輝度画像として検出される。
[スクラッチ]
基板の研磨処理中にスクラッチが形成される場合がある。このスクラッチは、線状の凹部構造であるので、共焦点微分干渉画像上線状の明暗の輝度画像として検出される。
2 光ファイバ
3 フィルタ
4 集束性レンズ
5 スリット
6 偏光子
7 ハーフミラー
8,12,13 リレーレンズ
9 振動ミラー
10 駆動回路
11 信号処理装置
14 ノマルスキープリズム
15 対物レンズ
16 ステージ
17 SiC基板
18 モータ
19 駆動回路
20 位置検出センサ
21 検光子
22 ポジショナ
23 リニアイメージセンサ
24 増幅器
30 A/D変換器
31 制御手段
32 2次元画像生成手段
33 第1の画像メモリ
34 欠陥検出手段
35 第1の欠陥メモリ
36 欠陥分類手段
37 3次元形状情報取得手段
38 断面形状情報取得手段
Claims (15)
- 単結晶基板又はエピタキシャル層が形成された単結晶基板について欠陥検査を行う検査装置であって、
照明ビームを発生する光源と、検査すべき単結晶基板を支持すると共にX方向及びX方向と直交するY方向に移動可能なステージと、前記照明ビームを、集束した光ビームとしてステージ上に配置した単結晶基板に向けて投射する対物レンズと、前記対物レンズとステージ上の単結晶基板との間の光軸方向の相対距離を変化させる手段と、規制された光入射面を有し、前記単結晶基板の表面で反射した反射光を受光する光検出手段とを有する共焦点走査装置、
前記共焦点走査装置の対物レンズと光検出手段との間の光路中に選択的に配置され、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第1及び第2のサブビームに変換すると共に、前記単結晶基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、単結晶基板の表面高さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系、及び、
前記光検出手段から出力される輝度信号を受け取り、前記単結晶基板表面の共焦点微分干渉画像を形成する手段と、形成された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥検出を行う欠陥検出手段とを有する信号処理装置を具えることを特徴とする検査装置。 - 請求項1に記載の検査装置において、前記信号処理装置は、さらに、前記対物レンズとステージ上の単結晶基板との間の光軸方向の相対距離を変化させながら撮像された共焦点画像から単結晶基板の表面輪郭形状情報を取得する手段と、
前記取得された表面輪郭形状情報に基づいてマイクロパイプ欠陥を検出する手段とを有することを特徴とする検査装置。 - 請求項1又は2に記載の検査装置において、前記信号処理装置は、前記単結晶基板上にエピタキシャル層が形成される前後の欠陥の座標情報を用い、エピタキシャル層が形成された後に検出された欠陥の座標と、エピタキシャル層が形成される前に検出された欠陥の座標と比較し、座標比較の結果に基づいて基底面内欠陥を検出する手段とを具えることを特徴とする検査装置。
- 請求項2に記載の検査装置において、前記信号処理装置は、さらに、検出された欠陥を分類する欠陥分類手段を有し、当該欠陥分類手段は、検出された欠陥の形状情報、輝度分類情報、及び表面輪郭形状情報に基づいて欠陥を分類し、欠陥が点状の低輝度画像として検出された場合、当該欠陥の表面輪郭形状情報を取得し、取得した表面輪郭形状情報に基づいてマイクロパイプ欠陥か否かを判別することを特徴とする検査装置。
- 請求項3に記載の検査装置において、前記信号処理装置は、さらに、検出された欠陥を分類する欠陥分類手段を有し、当該欠陥分類手段は、検出された欠陥の形状情報、輝度分類情報、表面輪郭形状情報、及び座標情報に基づいて欠陥を分類し、欠陥が点状の明暗の輝度画像として検出された場合、当該欠陥のエピタキシャル層の形成前後の座標情報を取得し、取得した座標情報に基づいて基底面内欠陥か否かを判別することを特徴とする検査装置。
- 炭化珪素基板又はエピタキシャル層が形成された炭化珪素基板について欠陥検査を行う検査装置であって、
第1の方向に延在するライン状の照明ビームを発生する光源装置と、
検査すべき炭化珪素基板を支持すると共に前記第1の方向及びこれと直交する第2の方向に移動可能なステージと、
前記ライン状照明ビームを、集束性のライン状光ビームとしてステージ上に配置した炭化珪素基板の表面に向けて投射する対物レンズと、
前記対物レンズとステージ上の炭化珪素基板との間の光軸方向の相対距離を変化させる手段と、
前記第1の方向と対応する方向に配列された複数の受光素子を有し、前記微分干渉光学系から出射した干渉ビームを受光するリニァイメージセンサと、
前記対物レンズとリニアイメージセンサとの間の光路中に選択的に配置され、入射したライン状光ビームを、互いに干渉性を有する第1及び第2のサブビームに変換すると共に、前記炭化珪素基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、炭化珪素基板の表面高さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系と、
前記リニァイメージセンサの各受光素子から出力される輝度信号を受け取り、炭化珪素基板表面の共焦点微分干渉画像を形成すると共に当該共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥検出を行う信号処理装置とを具え、前記信号処理装置は、
前記リニアイメージセンサから出力される画像信号に基づいて炭化珪素基板の共焦点微分干渉画像を形成する手段と、
形成された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥を検出する欠陥検出手段と、
前記対物レンズとステージ上の炭化珪素基板との間の光軸方向の相対距離を変化させながら撮像した共焦点画像から炭化珪素基板の表面輪郭形状情報を取得する手段と、
前記取得された表面輪郭形状情報に基づいてマイクロパイプ欠陥を検出する手段とを具えることを特徴とする検査装置。 - 請求項6に記載の検査装置において、前記信号処理装置は、前記炭化珪素基板上にエピタキシャル層が形成される前後の欠陥の座標情報を用い、エピタキシャル層が形成された後に検出された欠陥の座標と、エピタキシャル層が形成される前の欠陥の座標と比較し、座標比較の結果に基づいて基底面内欠陥を検出する手段とを具えることを特徴とする検査装置。
- 炭化珪素基板又はエピタキシャル層が形成された炭化珪素基板について欠陥検査を行う検査装置であって、
第1の方向に沿って配列されたマルチビームを発生する光源装置と、
検査すべき炭化珪素基板を支持すると共に、前記第1の方向及びこれと直交する方向に移動可能なステージと、
前記マルチビームを、集束性のマルチビームとしてステージ上に配置した炭化珪素基板の表面に向けて投射する対物レンズと、
前記対物レンズとステージ上の炭化珪素基板との間の光軸方向の相対距離を変化させる手段と、
前記第1の方向と対応する方向に配列された複数の受光素子を有し、前記微分干渉光学系から出射した干渉マルチビームを受光するリニァイメージセンサと、
前記対物レンズとリニアイメージセンサとの間の光路中に選択的に配置され、入射したマルチビームを、互いに干渉性を有する第1及び第2のサブビーム列に変換すると共に、前記炭化珪素基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、炭化珪素基板の表面高さと関連する位相差情報を含む干渉マルチビームを出射させる微分干渉光学系と、
前記リニァイメージセンサの各受光素子から出力される輝度信号を受け取り、炭化珪素基板表面の共焦点微分干渉画像を形成すると共に当該共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥検出を行う信号処理装置とを具え、前記信号処理装置は、
前記リニアイメージセンサから出力される画像信号に基づいて炭化珪素基板の共焦点微分干渉画像を形成する手段と、
形成された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥を検出する欠陥検出手段と、
前記対物レンズとステージ上の炭化珪素基板との間の光軸方向の相対距離を変化させながら撮像した共焦点画像に基づいて表面輪郭形状情報を取得する手段と、
前記取得された表面輪郭形状情報に基づいてマイクロパイプ欠陥を検出する手段とを具えることを特徴とする検査装置。 - 請求項8に記載の検査装置において、前記信号処理装置は、前記炭化珪素基板上にエピタキシャル層が形成される前後の欠陥の座標情報を用い、エピタキシャル層が形成された後に検出された欠陥の座標と、エピタキシャル層が形成される前の欠陥の座標と比較し、座標比較の結果に基づいて基底面内欠陥を検出する手段とを具えることを特徴とする検査装置。
- 請求項6から9までのいずれか1項に記載の検査装置において、前記微分干渉光学系は、光路中に挿脱可能に配置したノマルスキープリズムにより構成され、当該ノマルスキープリズムは、前記炭化珪素基板の共焦点微分干渉画像を撮像する場合光路中に挿入され、共焦点画像を取得する場合光路から外されることを特徴とする検査装置。
- 請求項10に記載の検査装置において、前記信号処理装置は、検出された欠陥の種別を判別する欠陥分類手段を有し、当該欠陥分類手段は、
検出された欠陥の共焦点微分干渉画像の形状に基づいて欠陥を分類する第1の分類手段と、
共焦点微分干渉画像の輝度分布に基づいて欠陥を分類する第2の分類手段と、
第2の分類手段により、点状の低輝度画像として検出された場合、当該欠陥の表面輪郭形状情報を用いてマイクロパイプ欠陥か否かを判別する第3の分類手段と、
前記第2の分類手段により、明暗画像として検出された場合、エピタキシャル層が形成される前後の座標比較により基底面内欠陥か否かを判別する第4の分類手段とを有することを特徴とする検査装置。 - 炭化珪素基板上に形成されたエピタキシャル層に存在する基底面内欠陥を判別する欠陥判別方法であって、
エピタキシャル層が形成される前の炭化珪素基板に存在する欠陥及びその座標情報を取得する第1の欠陥検出工程と、
微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用い、エピタキシャル層が形成された前記炭化珪素基板について、エピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像し、撮像された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥及びその座標情報を取得する第2欠陥検出工程と、
前記第2の欠陥検出工程において明暗の輝度画像として撮像された欠陥について、第1の欠陥検出工程において取得された欠陥の座標情報と第2の欠陥検出工程において取得された欠陥の座標情報とを比較し、その比較結果に基づいて、前記明暗の輝度画像として検出された欠陥が基底面内欠陥か否かを判別することを特徴とする欠陥判別方法。 - 炭化珪素基板又は炭化珪素基板上に形成されたエピタキシャル層に存在するマイクロパイプ欠陥を判別する欠陥判別方法であって、
微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用い、炭化珪素基板又はエピタキシャル層が形成された炭化珪素基板について、基板表面又はエピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像し、撮像された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥を検出する欠陥検出工程と、
前記欠陥検出工程において点状の低輝度画像として検出された欠陥について、表面輪郭形状情報を取得する工程と、
取得した表面輪郭形状情報に基づき、前記検出された欠陥がマイクロパイプ欠陥か否かを判別することを特徴とする欠陥判別方法。 - 炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥の種類を分類する欠陥分類方法であって、
エピタキシャル層が形成される前の炭化珪素基板に存在する欠陥及びその座標情報を取得する第1の欠陥検出工程と、
前記炭化珪素基板にエピタキシャル層を形成し、微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用い、エピタキシャル層が形成された基板について、前記第1の欠陥検出工程において検出された欠陥座標情報により特定される部位の共焦点微分干渉画像を撮像し、撮像された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥を検出すると共に欠陥の座標を取得する第2の欠陥検出工程と、
前記第2の欠陥検出工程において撮像された共焦点微分干渉画像の形状に基づいて欠陥を分類する第1の欠陥分類工程と、
第2の欠陥検出工程において検出された共焦点微分干渉画像の輝度分布に基づいて、欠陥を分類する第2の欠陥分類工程と、
前記第2の欠陥分類工程において、点状の低輝度画像として撮像された欠陥について、前記共焦点走査装置を用いて、対物レンズとステージ上の炭化珪素基板との間の光軸方向の相対距離を変化させながら撮像した共焦点画像に基づいて炭化珪素基板の表面輪郭形状情報を取得し、得られた表面輪郭形状情報に基づいてマイクロパイプか否かを判別する第3の欠陥分類工程と
前記第2の欠陥分類工程において、明暗画像として撮像された欠陥について、第1の欠陥検出工程において検出された欠陥の座標情報と第2の欠陥検出工程において検出された欠陥の座標情報とを比較し、当該欠陥が基底面内欠陥であるか否かを判別する第4の欠陥分類工程とを有することを特徴とする欠陥判別方法。 - 単結晶基板上に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥の種類を判別する欠陥判別方法であって、
微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用い、エピタキシャル層が形成された単結晶基板について、エピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像する工程と、
前記撮像された共焦点微分干渉画像に基づいて欠陥を検出し、欠陥画像及びその座標を取得する欠陥検出工程と、
前記欠陥検出工程において取得された共焦点微分干渉画像の欠陥形状に基づいて欠陥を分類する第1の欠陥分類工程と、
前記欠陥検出工程において取得された共焦点微分干渉画像の輝度分布に基づいて、欠陥を分類する第2の欠陥分類工程と、
前記第2の欠陥分類工程において、点状の低輝度画像として撮像された欠陥について、当該欠陥の表面輪郭形状情報を取得し、取得された表面輪郭形状情報に基づいてマイクロパイプ欠陥か否かを判別する第3の欠陥分類工程と
前記第2の欠陥分類工程において、明暗画像として撮像された欠陥について、当該欠陥の座標情報と、エピタキシャル層が形成される前に取得された当該欠陥の座標情報とを比較し、座標比較の結果に基づいて当該欠陥が基底面内欠陥であるか否かを判別する第4の判別工程とを有することを特徴とする欠陥判別方法。
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