JP5791830B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
<製造方法>
図1は、本発明の本実施形態に関する炭化珪素半導体装置の製造方法の概略を示すフローチャートである。本実施形態では、半導体装置の一例として、炭化珪素半導体MOSFET(Metal−Oxide−Semiconductor Field−Effect Transistor)を想定する。
製造工程を簡略化するため、図1における検査工程(ステップS3、5および7)のうちのいずれかの検査工程のみが行われてもよい。但し、より多くの検査結果データを参照する場合には、分別工程(ステップS8)において、より正確な分別を行うことができる。
本発明に関する実施形態によれば、炭化珪素半導体装置の製造方法が、(a)素子構造としてのボディダイオード1およびボディダイオード1Aの、順方向通電の特性を検査する工程と、(b)工程(a)の検査結果に基づいて、ボディダイオード1およびボディダイオード1Aを、順方向通電に適する第1群と順方向通電に適さない第2群とに分別する工程と、(c)第1群のボディダイオード1を用いて、当該ボディダイオード1における順方向通電を要する炭化珪素半導体MOSFET10を製造し、第2群のボディダイオード1Aを用いて、当該ボディダイオード1Aにおける順方向通電を要しない炭化珪素半導体MOSFET10Aを製造する工程とを備える。
<製造方法>
図4は、本実施形態に関する炭化珪素半導体装置の製造方法の概略を示すフローチャートである。図4において、ステップS1〜7までは第1実施形態と同様であるので、詳細な説明を省略する。
製造工程を簡略化するため、図4における検査工程(ステップS3、5、7、10および11)のうちのいずれかの検査工程のみが行われてもよい。但し、より多くの検査結果データを参照する場合には、分別工程(ステップS8)において、より精度の高い分別を行うことができる。
本発明に関する実施形態によれば、(a)素子構造としてのボディダイオード1およびボディダイオード1Aの、順方向通電の特性を検査する工程と、(b)ボディダイオード1およびボディダイオード1Aを用いて炭化珪素半導体MOSFET10および炭化珪素半導体MOSFET10Aを製造する工程と、(c)工程(a)の検査結果に基づいて、製造された炭化珪素半導体MOSFET10および炭化珪素半導体MOSFET10Aを、順方向通電に適する第1群のボディダイオード1を有する炭化珪素半導体MOSFET10と、順方向通電に適さない第2群のボディダイオード1Aを有する炭化珪素半導体MOSFET10Aとに分別する工程とを備える。
Claims (7)
- 第1導電型の炭化珪素半導体基板上に形成された第1導電型のエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層に接触して形成された第2導電型の不純物層とを備える素子構造(1、1A)を有する炭化珪素半導体装置(10、10A)の製造方法であって、
(a)前記素子構造(1、1A)の、前記エピタキシャル層と前記不純物層との間の順方向通電の特性を検査する工程と、
(b)前記工程(a)の検査結果に基づいて、前記素子構造(1、1A)を、前記順方向通電に適する第1群と前記順方向通電に適さない第2群とに分別する工程と、
(c)前記第1群の前記素子構造(1)を用いて、当該素子構造における順方向通電を要する前記炭化珪素半導体装置(10)を製造し、前記第2群の前記素子構造(1A)を用いて、当該素子構造における順方向通電を要しない前記炭化珪素半導体装置(10A)を製造する工程とを備えることを特徴とする、
炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(c)が、前記第1群の前記素子構造(1)を用いた前記炭化珪素半導体装置(10)を製造する場合と、前記第2群の前記素子構造(1A)を用いた前記炭化珪素半導体装置(10A)を製造する場合とでは、異なる露光マスクを用いる工程であることを特徴とする、
請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(c)が、前記第2群の前記素子構造(1A)を用いた前記炭化珪素半導体装置(10A)を製造する場合、前記素子構造(1A)と並列に接続され、かつ、前記素子構造(1A)の順方向と同じ向きの順方向を有するダイオード(2)をさらに搭載する工程であることを特徴とする、
請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)が、前記エピタキシャル層における結晶欠陥の観察、前記素子構造(1、1A)におけるリーク電流の測定、および、前記素子構造(1、1A)に順方向通電を行った場合の順方向抵抗の時間変化の測定の少なくとも1つを行うことによって、前記素子構造(1、1A)における前記順方向通電の特性を検査する工程であることを特徴とする、
請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)が、前記エピタキシャル層における結晶欠陥を、走査型のフォトルミネッセンス法により観察し、前記素子構造(1、1A)における前記順方向通電の特性を検査する工程を含むことを特徴とする、
請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)が、前記エピタキシャル層における結晶欠陥を、X線トポ観察法により観察し、前記素子構造(1、1A)における前記順方向通電の特性を検査する工程を含むことを特徴とする、
請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記工程(a)が、ブール単位または製造ロット単位で選択された一部の前記炭化珪素半導体基板の前記エピタキシャル層における結晶欠陥を観察し、前記素子構造(1、1A)における前記順方向通電の特性を検査する工程を含むことを特徴とする、
請求項4から6のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11869814B2 (en) | 2021-04-15 | 2024-01-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6613883B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2019-12-04 | 富士電機株式会社 | 3レベル電力変換回路 |
JP6490017B2 (ja) * | 2016-01-19 | 2019-03-27 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール、3相インバータシステム、およびパワーモジュールの検査方法 |
JP6605393B2 (ja) * | 2016-05-12 | 2019-11-13 | 株式会社日立製作所 | パワーモジュール、電力変換装置、及びパワーモジュールの製造方法 |
WO2017203623A1 (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 株式会社日立製作所 | パワーモジュール、パワーモジュールの製造方法、及び電力変換装置の製造方法 |
JP6688184B2 (ja) | 2016-07-20 | 2020-04-28 | 東レエンジニアリング株式会社 | ワイドギャップ半導体基板の欠陥検査装置 |
JP6917911B2 (ja) * | 2018-01-15 | 2021-08-11 | 三菱電機株式会社 | テスト条件決定装置及びテスト条件決定方法 |
JP7056515B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2022-04-19 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
CN114883213A (zh) * | 2022-07-11 | 2022-08-09 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 半导体工艺的集成化监测方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004289023A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Fuji Electric Advanced Technology Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の検査方法および検査装置、並びに炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2008004437A1 (fr) * | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Panasonic Corporation | Élément semi-conducteur émettant de la lumière et procédé de fabrication de celui-ci |
JP2009044083A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 炭化珪素単結晶ウェハの欠陥検出方法、及び炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JP2011211035A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Lasertec Corp | 検査装置並びに欠陥分類方法及び欠陥検出方法 |
JP2011254013A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体装置およびこれを用いた半導体リレー |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6410356B1 (en) * | 2000-03-07 | 2002-06-25 | General Electric Company | Silicon carbide large area device fabrication apparatus and method |
US9455356B2 (en) | 2006-02-28 | 2016-09-27 | Cree, Inc. | High power silicon carbide (SiC) PiN diodes having low forward voltage drops |
JP2009159184A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Hitachi Ltd | フリーホイールダイオードとを有する回路装置、及び、ダイオードを用いた回路装置とそれを用いた電力変換器 |
JP5543786B2 (ja) * | 2008-01-09 | 2014-07-09 | ローム株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5368721B2 (ja) | 2008-03-28 | 2013-12-18 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
JP5368722B2 (ja) | 2008-03-28 | 2013-12-18 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
JP5366521B2 (ja) | 2008-12-05 | 2013-12-11 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
JP5502528B2 (ja) | 2010-02-26 | 2014-05-28 | 株式会社デンソー | 半導体ウエハの処理方法と処理済の半導体ウエハ |
US20110242312A1 (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Lasertec Corporation | Inspection system and inspection method |
-
2012
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004289023A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Fuji Electric Advanced Technology Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の検査方法および検査装置、並びに炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2008004437A1 (fr) * | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Panasonic Corporation | Élément semi-conducteur émettant de la lumière et procédé de fabrication de celui-ci |
JP2009044083A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 炭化珪素単結晶ウェハの欠陥検出方法、及び炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JP2011211035A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Lasertec Corp | 検査装置並びに欠陥分類方法及び欠陥検出方法 |
JP2011254013A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体装置およびこれを用いた半導体リレー |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11869814B2 (en) | 2021-04-15 | 2024-01-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104871301A (zh) | 2015-08-26 |
CN104871301B (zh) | 2017-07-14 |
KR101766562B1 (ko) | 2017-08-08 |
DE112012007246T5 (de) | 2015-10-29 |
US20150262892A1 (en) | 2015-09-17 |
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