JP6806554B2 - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
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Description
まず、実施の形態にかかる半導体装置の検査方法に用いる検査用素子の構造ついて説明する。図1〜3は、実施の形態にかかる半導体装置の検査方法に用いる検査用素子の断面構造の一例を示す断面図である。実施の形態にかかる半導体装置の検査方法に用いる検査用素子(以下、検査用素子とする)は、製品となる半導体素子(不図示)と同一の炭化珪素(SiC)基体12に形成される。図1〜3に示すように、検査用素子として、バイポーラ動作を含む第1〜3素子構造10a〜10cが想定可能である。
2 n型バッファ層
3 n-型ドリフト層
4 p型ベース層
5 p+型コンタクト領域
6 アノード電極
7 カソード電極
8 エピ/基板界面
8a n型領域
8b トレンチ
8c 絶縁膜
10a〜10c 素子構造
11 炭化珪素エピタキシャル成長層
12 炭化珪素基体
21 アノード電極の窓開け部
22 炭化珪素基体の表面に傷をつける機器
31,36 炭化珪素基体の傷をつけた部分
32,37 積層欠陥
33 炭化珪素基体のおもて面に平行で、かつ<11−20>方向に垂直な方向
41 近似線
Vf,Vf1 順方向電圧
p1 ホール密度
v,v1 積層欠陥の拡散速度
Claims (11)
- 炭化珪素からなる半導体基体の主面に設けられた電極に電圧を印加して前記半導体基体の品質を検査する半導体装置の検査方法であって、
炭化珪素からなる半導体基板上に炭化珪素からなるエピタキシャル成長層を積層した前記半導体基体に、前記半導体基体の、前記エピタキシャル成長層側の第1主面に配置した前記電極をアノード電極とし、前記半導体基板側の第2主面に配置した前記電極をカソード電極とするダイオードを形成する第1工程と、
前記半導体基体の第1主面に傷をつける第2工程と、
前記ダイオードを順方向に通電して発光させて、前記傷をつけた部分から前記ダイオードの順方向通電時に拡張した積層欠陥を観測し、前記積層欠陥の拡張速度を算出する第3工程と、
前記第3工程の算出結果に基づいて、前記エピタキシャル成長層と前記半導体基板との界面のホール密度を算出する第4工程と、
前記第4工程の算出結果に基づいて、前記半導体基体が良品か否かを判定する第5工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の検査方法。 - 前記第1工程では、前記アノード電極を選択的に除去して前記エピタキシャル成長層の一部を露出させる窓開け部を形成し、
前記第2工程では、前記エピタキシャル成長層の、前記窓開け部に露出する部分に前記傷をつけ、
前記第3工程では、前記エピタキシャル成長層の、前記窓開け部に露出する部分から前記積層欠陥の拡張現象を観測することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の検査方法。 - 前記第2工程では、前記アノード電極越しに前記エピタキシャル成長層に前記傷をつけ、
前記第3工程では、前記ダイオードを順方向に通電させて前記傷をつけた部分から前記積層欠陥を拡張させた後、前記アノード電極を除去し、前記ダイオードを発光させて前記積層欠陥を観測することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の検査方法。 - 前記第2工程では、前記エピタキシャル成長層を凹ませることで前記傷をつけることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置の検査方法。
- 前記第2工程では、前記エピタキシャル成長層を引っ掻くことで前記傷をつけることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の検査方法。
- 前記第2工程では、前記エピタキシャル成長層に不活性元素を局所的にイオン注入することで前記傷をつけることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の検査方法。
- 前記不活性元素のイオン注入は、不純物濃度を1×1014/cm3以上1×1018/cm3以下とし、注入深さを0.5μmとすることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の検査方法。
- 前記第4工程では、
前記積層欠陥の拡張速度と前記エピタキシャル成長層のホール密度との関係を示す特性式を予め取得し、
前記第3工程の算出結果および前記特性式に基づいて、前記ダイオードの前記エピタキシャル成長層と前記半導体基板との界面のホール密度を取得することを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体装置の検査方法。 - 前記第5工程では、
前記積層欠陥が発生する前記エピタキシャル成長層のホール密度の範囲の下限値を閾値として予め取得し、
前記第4工程の算出結果が前記閾値未満である場合に、前記半導体基体を良品と判定することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の半導体装置の検査方法。 - 前記閾値は、1.0×1015/cm3であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の検査方法。
- 前記半導体基体に、前記ダイオードと同じ条件の半導体領域を備えた製品となる半導体素子を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の半導体装置の検査方法。
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