JP2020004856A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】クラックの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ2を用意することと、半導体ウェハ2の表面および内部の結晶欠陥を検出することと、結晶欠陥が検出された位置に基づいて、半導体ウェハ2を正常部と欠陥部とに分けることと、半導体ウェハ2に複数の半導体素子3を形成することと、正常部に形成された半導体素子3を検査対象とし、欠陥部に形成された半導体素子3を検査対象から除外して電気特性検査を行うことと、を備える。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
半導体装置の製造プロセスでは、半導体ウェハ上に半導体素子や配線を形成した後に、電気特性検査を行う。電気特性検査では、半導体素子に電圧を印加することで、リーク電流の有無等のデバイス特性や信頼性を評価する。電圧を印加する部分に半導体ウェハの結晶欠陥が存在すると、電圧の印加によって結晶欠陥が存在する部分からクラックが生じ、チップ割れおよびウェハ割れが発生するおそれがある。
これについて、あらかじめ非破壊検査によって結晶欠陥を検出し、結晶欠陥を含む領域に形成された半導体装置については電気特性検査をスキップする方法が提案されている。例えば、特許文献1に記載の半導体装置の検査方法では、紫外光を利用したフォトルミネッセンス(PL)法によって結晶の内部の欠陥を検出し、不良品チップについては電気特性検査をスキップしている。
しかしながら、半導体材料においては、結晶の内部だけでなく表面にも欠陥が存在することがあり、結晶表面の欠陥によっても電圧印加の際にクラックが生じるおそれがある。
特に、パワーデバイスとして実用化が進み、Siに代わる高機能半導体材料として注目されている炭化珪素(SiC)で構成される半導体ウェハは、Siウェハに比べて多くの結晶欠陥を含む。また、SiCデバイスの電気特性検査では、1000V、あるいは、1400V以上の高電圧が印加されるため、結晶欠陥を起点としたクラックが生じやすい。
また、一般に、パワーデバイスの製造プロセスでは、ウェハを所望の厚さにするために、後工程において研削や研磨等によってウェハが薄板化されるが、ウェハにチップ割れが生じていると、研削等を行う際にチップ割れを起点としたウェハ割れが生じるおそれがある。
本発明は上記点に鑑みて、クラックの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体装置の製造方法であって、半導体ウェハ(2)を用意することと、半導体ウェハの表面および内部の結晶欠陥を検出することと、結晶欠陥が検出された位置に基づいて、半導体ウェハを正常部と欠陥部とに分けることと、半導体ウェハに複数の半導体素子(3)を形成することと、正常部に形成された半導体素子を検査対象とし、欠陥部に形成された半導体素子を検査対象から除外して電気特性検査を行うことと、を備える。
これによれば、電気特性検査の前に半導体ウェハの表面および内部の結晶欠陥が検出され、欠陥部に形成された半導体素子については電気特性検査がスキップされるので、電圧の印加によるクラックの発生を抑制することができる。
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
(第1実施形態)
第1実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置の製造方法は、図1に示すような半導体装置に適用される。なお、図1では、半導体ウェハに複数の半導体素子が形成された後であって、ダイシングカットにより半導体ウェハがチップ単位に分割される前の状態について図示している。
第1実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置の製造方法は、図1に示すような半導体装置に適用される。なお、図1では、半導体ウェハに複数の半導体素子が形成された後であって、ダイシングカットにより半導体ウェハがチップ単位に分割される前の状態について図示している。
図1に示すように、半導体装置1は、半導体ウェハ2上に形成された半導体素子3を備えている。半導体ウェハ2は例えばSiCウェハであるが、半導体ウェハ2がSi、GaN等の半導体材料で構成されたウェハであってもよい。なお、半導体ウェハ2には半導体素子3の他に図示しない配線等が形成されている。
本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態では、図2に示すステップS1〜ステップS8を順に行うことで、半導体装置1が製造される。
ステップS1では、半導体ウェハ2を用意し、図3に示すような検査装置10を用いて、半導体ウェハ2の表面の結晶欠陥を検出する。具体的には、光源11から射出されたレーザ光を、半導体ウェハ2の表面に平行な方向に走査しながら半導体ウェハ2に照射し、半導体ウェハ2からの反射光に基づいて半導体ウェハ2の表面の凹凸に起因した欠陥を検出する。このような光学式表面検査装置としては、例えば、レーザーテック社のSICAを用いることができる。また、ステップS1では、検出された欠陥の位置を検査装置10が備える記憶部12に記憶させる。
ステップS2では、図4に示す検査装置20を用いて、半導体ウェハ2の内部の結晶欠陥を検出する。具体的には、SiCのバンドギャップエネルギーよりも大きなエネルギーを有する紫外光を光源21から半導体ウェハ2に照射し、PL法によって欠陥を検出する。そして、検出された欠陥の位置を検査装置20が備える記憶部22に記憶させる。
ステップS3では、ステップS1およびステップS2での検出結果に基づいて、半導体ウェハ2における各半導体装置1の形成予定領域を正常部と欠陥部とに分類し、分類結果を図示しない記憶部に記憶させる。ここでの正常部は、ステップS1、ステップS2のいずれにおいても結晶欠陥が検出されなかった部分であり、欠陥部は、ステップS1またはステップS2のうち少なくともいずれか一方において結晶欠陥が検出された部分である。
ステップS4では、表面工程を行い、ショットキーバリアダイオード、MOSFET等の半導体素子3、および、図示しない配線等を半導体ウェハ2に形成する。
ステップS5では、ステップS4で形成した半導体素子3に電圧を印可して、耐圧等のデバイス性能を評価するための電気特性検査を行う。なお、ここでは、ステップS3において正常部に分類された領域に形成された半導体素子3を検査対象として電気特性検査を行い、欠陥部に分類された領域に形成された半導体素子3を検査対象から除外する。
ステップS6では、半導体ウェハ2の研削および研磨のうちいずれか一方または両方を行い、半導体ウェハ2を薄板化して所望の厚さにする。ステップS7では、半導体ウェハ2の裏面に電極等を形成する裏面工程を行う。ステップS8では、半導体ウェハ2のダイシングカットを行い、半導体ウェハ2をチップ単位に分割する。このようにして、複数の半導体装置1が製造される。
以上説明したように、本実施形態では、電気特性検査の前に半導体ウェハ2の表面および内部の結晶欠陥を検出し、欠陥が含まれる領域に形成された半導体素子3については電気特性検査をスキップするので、電圧の印加によるクラックの発生を抑制することができる。また、クラックの発生を抑制することにより、ステップS6で半導体ウェハ2を薄板化する際のウェハ割れの発生を抑制することができる。
(第2実施形態)
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して正常部と欠陥部の分類方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して正常部と欠陥部の分類方法を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本実施形態では、図5に示すように正常部、欠陥部への分類が2回に分けて行われる。具体的には、ステップS1の後、ステップS31にて、半導体ウェハ2のうち、ステップS1で結晶欠陥が検出されなかった部分を正常部に分類し、結晶欠陥が検出された部分を欠陥部に分類する。
ステップS31の後、ステップS2では、ステップS31において正常部に分類された領域について、半導体ウェハ2の内部の結晶欠陥を検出する。ステップS2の後、ステップS32では、半導体ウェハ2のうち、ステップS2で結晶欠陥が検出されなかった部分をそのまま正常部とし、結晶欠陥が検出された部分を欠陥部に変更して、ステップS4に進む。
ステップS4の後、ステップS5では、ステップS32で正常部に分類された領域に形成された半導体素子3を検査対象とし、ステップS31またはステップS32で欠陥部に分類された領域に形成された半導体素子3を検査対象から除外して、電気特性検査を行う。
このように、半導体ウェハ2の表面の結晶欠陥が検出された領域について、半導体ウェハ2の内部の結晶欠陥の検出をスキップすることで、結晶欠陥の検出に要する時間を短縮することができる。
なお、半導体ウェハ2の表面の結晶欠陥よりも先に内部の結晶欠陥を検出してもよい。半導体ウェハ2に、表面の結晶欠陥が内部の結晶欠陥よりも多い傾向がある場合には、本実施形態のように表面の欠陥を先に検出することで、検出時間をより短縮することができる。また、半導体ウェハ2に、内部の結晶欠陥が表面の結晶欠陥よりも多い傾向がある場合には、内部の欠陥を先に検出することで、検出時間をより短縮することができる。
(他の実施形態)
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
例えば、ステップS5では、すべての正常部に形成された半導体素子3を検査対象としてもよいし、一部の正常部に形成された半導体素子3のみを検査対象としてもよい。
また、ステップS1とステップS2とで別の光源を用いてもよいし、結晶の表面および内部の欠陥を検出するための光を射出できる光源であれば、ステップS1とステップS2とで同じ光源を用いてもよい。
また、ステップS1〜S3では、結晶欠陥の位置等を検査装置に自動で記憶させてもよいし、ステップS1、S2で結晶欠陥が検出された領域に作業者がインク等を付着させておき、インクが付着した領域の座標をステップS3にて検査装置に入力してもよい。
2 半導体ウェハ
3 半導体素子
3 半導体素子
Claims (4)
- 半導体装置の製造方法であって、
半導体ウェハ(2)を用意することと、
前記半導体ウェハの表面および内部の結晶欠陥を検出することと、
前記結晶欠陥が検出された位置に基づいて、前記半導体ウェハを正常部と欠陥部とに分けることと、
前記半導体ウェハに複数の半導体素子(3)を形成することと、
前記正常部に形成された前記半導体素子を検査対象とし、前記欠陥部に形成された前記半導体素子を検査対象から除外して電気特性検査を行うことと、を備える半導体装置の製造方法。 - 前記電気特性検査を行うことの後に、前記半導体ウェハを薄板化することを備える請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薄板化することでは、前記半導体ウェハの研削および研磨のうちいずれか一方または両方を行う請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体ウェハは、炭化珪素で構成されている請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP2018123326A JP2020004856A (ja) | 2018-06-28 | 2018-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
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JP (1) | JP2020004856A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2021112250A (ja) * | 2020-01-16 | 2021-08-05 | 株式会社三共 | 遊技機 |
JP2021112240A (ja) * | 2020-01-16 | 2021-08-05 | 株式会社三共 | 遊技機 |
WO2023112401A1 (ja) | 2021-12-17 | 2023-06-22 | 株式会社日立製作所 | 半導体デバイス管理システム及び半導体デバイス管理方法 |
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2018
- 2018-06-28 JP JP2018123326A patent/JP2020004856A/ja active Pending
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