JP6051917B2 - 半導体発光素子の検査方法及び半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1には、半導体からなる発光素子に紫外線を照射し、活性層及びn型半導体層におけるフォトルミネッセンス効果による発光のイメージをCCD(電荷結合素子)カメラで撮像し、その色相又は光強度情報に基づいて良否を判断する発光素子の検査方法が記載されている。この検査方法では、製造不良等により活性層からのフォトルミネッセンス効果による青色光の発光量が少ないと、n型半導体層からのフォトルミネッセンス効果による黄色光との混色として観察される発光色の色相が良品と異なること、又は全体として光強度が良品より低いことを利用して、良否を判定するものである。
これに対し、本願の発明者は、フォトルミネッセンス効果による活性層から放出される光に、本来の波長の光に加えて、これより短波長の光が混ざって観察されることがあり、発光色の色調が良品と異なるほかに、この短波長の光が観察された発光素子は、初期に十分な光強度を有していても、使用を続ける間に光強度が低下し、又は故障して発光しなくなる恐れがあることを見出した。ここで、本発明の検査方法が検出対象とする不良品の発光色の色相は、特許文献1に記載された検査方法が検出対象とする不良品の発光色の色相とは異なるものである。このため、特許文献1に記載の検査方法では、短波長の光が混ざって放出される発光素子を、不良品として適切に検出することができなかった。
また、本発明に係る半導体発光素子の製造方法によれば、かかる検査方法による良否の判定結果に基づいて半導体発光素子を選別するため、不良品を適切に除外することができる。
[検査方法の原理]
まず、図2及び図3を参照して、本発明の第1実施形態に係る半導体発光素子の検査方法(以下、適宜「検査方法」という)の原理について説明する。
なお、図3に示した例は、検査方法の原理を説明するために、模式的に蛍光画像を示したものである。
また、本実施形態に係る検査方法は、好ましい実施形態として、更に、検査領域となる発光領域から発光される光強度の平均が所定の閾値(第2閾値)より小さい場合に不良品であると判定するとともに、検査領域における光強度のばらつきが所定の閾値(第3閾値)よりも大きい場合にも不良品であると判定するものである。すなわち、3つの判定方法の内の、少なくとも何れか1つにおいて不良品であると判定された場合に、当該発光素子を不良品と判定する。
以下、3つの判定方法について、更に詳細に説明する。
前記したように、本願の発明者は、励起光を発光素子に照射して、励起された活性層から放出される本来の波長である第1波長の光よりも短波長である第2の光が観察される場合に、良品と色調が異なるほかに、当該発光素子は使用を続ける間に経時劣化して、光強度が低下し、又は故障して発光しなくなる恐れがあることを見出した。
なお、第2波長の光は、半導体層を成長中に生じる欠陥に起因して、活性層の厚さが所定値よりも薄くなった場合に放出されると考えられる。
図2に、半導体材料として窒化物半導体を用い、第1波長として緑色に発光する発光素子の蛍光画像の例を示す。図2(a)に示すように、輝度成分で観察すると、2次元に配列して形成されたウエハ状態の発光素子(ここでは、14×10個)が撮影されているのが分かる。
なお、図2(a)〜(d)に示した各成分の画像は、明るく(白く)表示されているほど、その成分が大きいことを示している。また、図2(a)〜(f)の各図において、縦横の格子状の暗線は発光素子間の分割領域であり、各発光素子について下辺側の黒い円形の領域はn側電極を形成するためにp型半導体層及び活性層が除去された領域であり、何れも構造的に発光しない非発光領域である。
また、図2(f)においてハッチングを施して示した18個の発光素子は、対応する蛍光画像の検査領域中に、第2波長の光である青色光の強度が所定の閾値(第1閾値)より大きくなる画素が検出されたものを示している。本判定方法では、これらの発光素子を不良品と判定する。
なお、第2波長の光の強度についての閾値(第1閾値)は、例えば、良品における第1波長の強度の10分の1程度とすることができる。すなわち、本来の光強度の10分の1程度以上の強度で、第2波長の光を放出する画素がある場合に、不良品と判定ようにすることができる。
発光素子が発光する光強度が、1個の発光素子として所定の閾値以上かどうかを判定するものである。前記したように、図2(e)にハッチングを施した発光素子が、光強度平均に基づいて不良品と判定されたものである。
図3に示したサンプル1〜3は、前記したように、光強度を示す指標として輝度を用いて蛍光画像を示したものである。ここで、輝度は最暗部を「0」、最明部を「255」とする256階調の画素値で表わされているものとする。
なお、各サンプルの蛍光画像において、右辺側の黒い円形の領域は、n側電極を形成するためにp型半導体層及び活性層が除去されて、構造的に発光しない非発光領域である。
また、このような発光不良の原因となる欠陥が、外部に現れる場合には、従来の外観検査により検出することが可能であるが、例えば、内部の活性層に生じた欠陥の場合には、外観検査では検出することは困難である。
3つ目の判定方法は、前記したサンプル3のように、発光領域中に形成された発光不良領域の有無を検出し、発光不良領域を検出した場合は、不良品であると判定するものである。そして、発光不良領域の検出を、発光領域における光強度のばらつきを示す指標(例えば、分散や標準偏差)の大きさに基づいて行うものである。すなわち、光強度が非常に低い発光不良領域が存在すると、発光素子内における光強度のばらつきが大きくなることを利用して、当該発光不良領域の有無を判定するものである。
サンプル2では、輝度は低いが画素間の輝度差がなく、分散は「0」である。
サンプル3では、発光領域中に全く発光しないか、又は他の発光領域に比べて著しく輝度レベルの低い発光不良領域があり、輝度分布は、最高輝度と最低輝度とに2極化している。このため、分散は「100」と大きい。
ここで、輝度分散に基づく判定閾値を「10」とすると、「判定2」の欄に○(良品)及び×(不良品)で示したように、サンプル1,2が良品、サンプル3が不良品と判定される。
本実施形態に係る検査方法では、所定の閾値よりも大きな強度で第2波長の光を放出する画素の有無に基づく判定結果と、輝度平均に基づく判定結果と、輝度分散に基づく判定結果とを総合して判定する。すなわち、少なくとも何れか1つの判定において不良品と判定された場合に、不良品と判定する。言い換えれば、何れの判定においても不良品と判定されない(良品と判定される)場合に、良品と判定する。
そこで、本発明の検査方法では、構造的に非発光領域となる画素を予め除外して分散を算出することとした。なお、構造的に非発光領域がない場合は、発光素子の領域全体の画素値を用いて分散を算出すればよい。
次に、図1を参照して、本発明の第1実施形態に係る検査方法を実施するための検査装置の構成について説明する。
図1に示すように、本実施形態における検査装置1は、撮影装置2と、解析装置3とから構成されている。
このような照明光源21としては、LED、レーザ、キセノンアークランプ、水銀アークランプなどを用いることができる。
例えば、半導体材料としてGaN(窒化ガリウム)系の窒化物半導体を用いる場合は、365nm以下の波長の光を照射することで、フォトルミネッセンス効果により、活性層だけでなく、n型半導体層からも光が放出される。一方、活性層から、第1波長の光として、緑色光が放出される場合は、例えば、385〜430nm程度の波長の光を励起光として用いることができる。従って、このような波長の光を励起光とすることにより、活性層のみを選択的に励起することができる。このため、活性層以外の半導体層からのフォトルミネッセンス効果による光の影響を受けることなく、各判定方法による発光素子の検査を行うことができる。
また、光源自体の発光波長域が広い場合は、適宜に光学フィルタや分光器を組み合わせて照明光源21を構成し、活性層を選択的に励起する励起光を生成するようにしてもよい。
撮像手段22としては、例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色に色分解して撮影可能なカラーイメージセンサを用いることができる。
なお、ダイクロイックミラー23は、検査対象Wに応じて、所望の波長の励起光を反射する特性のものを設けるようにすればよい。
また、照明光源21からの光が、励起光として有効な波長のみの場合は、ダイクロイックミラー23に代えて、ハーフミラーを用いるようにしてもよい。
なお、本実施形態では、撮像手段22と対物レンズ24との間にダイクロイックミラー23を設けるように構成したがこれに限定されるもではなく、撮像素子と対物レンズとが一体になったカメラを用いるようにしてもよい。
なお、発光素子における検査領域及び非検査領域の詳細については後記する。
なお、検査領域情報は、検査に先立って、予め検査領域情報記憶手段32に記憶(登録)されるものとする。なお、検査領域情報は、本実施形態のように予め登録するのではなく、検査対象の種類に応じて、外部から、例えば通信回線を介して適宜に検査領域抽出手段31に入力するようにしてもよい。
標準偏差 = √(分散) …式(2)
平均偏差 = Σ|Xi - Xave| / N …式(3)
変動係数 = (標準偏差) / (平均) …式(4)
ここで、Xiはi番目の画素の輝度を示し、Xaveは検査領域の全画素の輝度平均を示し、Nは検査領域の画素数を示し、Σは検査領域の全画素についての右式の和を示す。
例えば、撮影装置2によって1画面に撮影される複数の発光素子について、まず、すべての発光素子の輝度平均を算出し、その輝度平均についての平均の大きさに応じて判定閾値を補正するようにしてもよい。
これによって、撮影装置2の光源21の経時での光量変化や検査対象のロット間の輝度の偏りを補正して、より適切に良否の判定を行うことができる。
= (基準判定閾値(輝度平均))×(検査対象輝度平均)/(基準輝度平均)
…式(5)
判定閾値(輝度分散)
= (基準判定閾値(輝度分散))×(検査対象輝度平均)/(基準輝度平均)
…式(6)
なお、色成分の抽出方法は、撮像手段22が分解した色成分から1色を選択することに限定されず、例えば、色分解されたデータから、色相や色差、彩度などの成分を算出して用いるようにすることもできる。
また、該当する画素が1個以上検出された場合に不良と判定する場合は、検査領域内の画素の最高値を検出し、当該最高値が色判定閾値よりも大きい場合に不良と判定することで、各画素値と色判定閾値とを比較する場合と等価な判定を行うことができる。
次に、図4を参照して、発光素子における検査領域及び非検査領域について説明する。
本実施形態の検査対象Wは、発光素子10が2次元に配列されたウエハ状態である。従って、撮影された蛍光画像には、図4(a)に示すように、複数の発光素子10が撮影される。本実施形態では、蛍光画像を発光素子10毎に分割し、更に、1個の発光素子10についての分割画像から予め定めた検査領域の画素を抽出する。
図4(a)に示すように、ウエハ状態の検査対象Wには、1枚の成長基板に複数の発光素子10が2次元に配列されている。各発光素子10は、分割領域15で縦横に分割されている。ここで分割領域15は、半導体層が除去されているため、構造的に非発光領域となる。ウエハには、発光素子10が、予め定められた形状及び配列で、規則的に配置されている。そうすると、蛍光画像においては、図4(a)においてハッチングを施して示したように、分割領域15が暗い縦横の格子線として観察され、発光素子10の発光領域16が、この格子線で区画されているように見える。そこで、例えば、この格子線の中央を境界線15bとして、蛍光画像を個々の発光素子10の画像領域に分割することができる。
なお、図4(a)において、発光領域16の右辺側にハッチングを施した円形の領域は、n側電極を形成するための領域であって、活性層が除去された半導体層の凹部12bに相当する領域である。なお、発光素子10の構造については後記する。
本実施形態では、構造的に発光領域となる領域のみを検査領域として、前記した輝度平均及び輝度分散の算出対象とする。そのために、個々の発光素子10の画像から、構造的に非発光領域となる画素を非検査領域として除外し、発光領域の画素のみを検査領域として抽出する。
なお、n側電極13n、p側電極13p及び全面電極13aは、例えば、金属層からなり、光を透過しないものとする。
このように、検査領域は、発光素子10の構造及び撮影方向に応じて定めることができる。
なお、活性層12aを有するすべての領域について発光不良領域の有無を検査するために、前記したp側電極13pや延伸部13bのような遮蔽物がない方向から撮影することが好ましい。
次に、図5を参照(適宜図1参照)して、検査装置1の動作について説明する。
図5に示すように、本実施形態において、検査装置1は、撮影位置設定工程S10と、撮影工程S11と、検査領域抽出工程S12と、輝度平均判定工程S13と、輝度分散判定工程S14と、色判定工程S15と、総合判定工程S16とが、発光素子10毎に、検査対象Wであるウエハのすべての領域について行われる。
次に、撮影工程(画像入力工程)S11において、検査装置1は、撮影装置2によって、検査対象Wの蛍光画像を撮影する。より詳細には、検査装置1は、照明光源21を点灯し、ダイクロイックミラー23及び対物レンズ24を介して、検査対象Wを励起するための照明光を検査対象Wに照射する。これにより、照明光の照射によって励起された検査対象Wから蛍光が放出され、放出された蛍光は、対物レンズ24を介し、更にダイクロイックミラー23を透過して、撮像手段22に入射される。そして、検査装置1は、撮像手段22によって、入射した蛍光を複数の色成分に分解して、各色成分について画素毎の光強度の信号に変換した蛍光画像データを生成する。
また、未撮影の領域がない場合は(ステップS18でNo)、検査装置1は処理を終了する。
なお、本実施形態では、複数の発光素子10が配列した検査対象Wを、複数の領域に分割して順次に撮影し、分割領域中の複数の発光素子10の画像を順次に分離して検査を行うようにしたが、これに限定されるものではない。例えば、1回の撮影で検査対象Wの全体を撮影するようにしてもよい。この場合は、ステップS18のループ判定は不要である。また、1つの撮影画像中に1つの発光素子10を撮影するようにしてもよい。この場合は、ステップS17のループ判定は不要である。更にまた、1個の発光素子10を検査対象Wとしてもよい。この場合は、ステップS17及びステップS18のループ判定は不要である。
[半導体発光素子の製造方法]
次に、本発明の第2実施形態として、第1実施形態に係る検査方法を検査工程として含む半導体発光素子の製造方法について、図6を参照(適宜図1及び図4参照)して説明する。
なお、製造する半導体発光素子として、図4(c)に示した構造の発光素子10を例に説明する。また、半導体材料として、窒化物半導体を例として説明する。
半導体発光素子形成工程S100では、図4(c)に示した構造の半導体発光素子10が、2次元に配列されたウエハ状態で形成される。
このとき同時に、各発光素子10を区画する分割領域15についても、半導体積層体12をエッチングにより除去する。なお、分割領域15については、凹部12bと同様に、n型半導体層12nの一部まで除去してもよいし、n型半導体層12nの全部を除去して、成長基板11を露出させるようにしてもよい。
更に、ウエハの表面全体に、例えば、スパッタリングにより、絶縁性のSiO2などの保護膜14を形成する。
以上により、ウエハ状態の半導体発光素子10が形成される。
次に、検査工程S101において、ウエハに形成された半導体発光素子10毎に、発光特性についての良否を判定する。この良否のための検査工程S101は、前記した第1実施形態に係る検査方法によって行うものである。このため、検査工程S101についての説明は省略する。
なお、検査結果である良否の判定結果は、各半導体発光素子10に対応付けて、判定結果記憶手段40に記憶されるものとする。
次に、個片化工程S102において、ダイシング法、スクライブ法などにより、ウエハを分割領域15で割断し、各半導体発光素子10のチップに個片化する。
最後に、選別工程S103において、個片化された半導体発光素子10のチップについて、検査工程S101で判定された良否の結果で不良品と判定されなかった半導体発光素子10を良品として選別する。これによって、輝度平均の低い不良品とともに、発光不良領域を有し経時劣化により輝度低下又は故障する可能性の高いチップを不良品として除去することができる。
検査工程S101で各半導体発光素子10についての良否の判定が終了すると、半導体発光素子10が2次元に配列されているウエハの表面(半導体層が積層された面)全体に、UV(紫外線)硬化型の粘着剤が塗布された粘着シートを貼付する。この粘着シートは、例えば、ポリオレフィンなどの樹脂からなるシートに、UV照射によって硬化し、粘着力を失う粘着剤が塗布されたシートである。
次に、ウエハの裏面側、すなわち成長基板11側からダイシングすることで、半導体発光素子10を割断する。
次に、各半導体発光素子10の裏面側に粘着シートを貼付する。裏面側に貼付する粘着シートは、表面側に貼付する粘着シートと同様のものでもよいが、シートが延伸性を有し、粘着剤がUV硬化型でないものが好ましい。
次に、表面側粘着シートにUV光を照射し、粘着剤を硬化させることで粘着力を消失させる。そして、粘着力を失った表面側の粘着シートを剥離する。これによって、各半導体発光素子10の裏面側に粘着シートが貼付された状態となる。
次に、裏面側粘着シートを、半導体発光素子10の縦横の配列方向に引き延ばす。これによって、ダイシング工程で個片化された半導体発光素子10が、二次元配列の位置関係を維持したまま、互いに離間させることができる。これによって、半導体発光素子10を個々にピックアップし易くなる。
次に、検査工程S101で判定された半導体発光素子10毎の総合判定結果に応じて、良品の半導体発光素子10を抽出する。半導体発光素子10の抽出は、例えば、先端に吸引ノズルを有するコレットをXYZステージに取り付け、順次に、良品と判定された半導体発光素子10が配置された位置にコレットを移動させ、ウエハの表面側から当該半導体発光素子10をコレットで吸引してピックアップするようにすればよい。また、コレットで半導体発光素子10をピックアップする際に、ウエハの裏面側から粘着シートを介して、当該半導体発光素子10をピンで押し上げるようにすることが好ましい。これによって、粘着シートから抽出対象である半導体発光素子10をピックアップし易くすることができる。
2 撮影装置(画像入力手段)
21 照明光源
22 撮像手段
23 ダイクロイックミラー
24 対物レンズ
25 載置台
3 解析装置
31 検査領域抽出手段
32 検査領域情報記憶手段
33 輝度平均判定手段(光強度平均判定手段)
34 輝度分散判定手段(光強度ばらつき判定手段)
35 色判定手段
36 総合判定手段
37 判定結果記憶手段
10 半導体発光素子(発光素子)
11 成長基板
12 半導体積層体
12n n型半導体層
12p p型半導体層
12a 活性層
12b 凹部
13n n側電極
13p p側電極
13a 全面電極
13b 延伸部
14 保護膜
15 分割領域
15a 基準点
15b 境界線
16 発光領域
W 検査対象
Claims (9)
- 所定の第1波長の光を発光する活性層を有する半導体発光素子の検査方法であって、
前記半導体発光素子に前記第1波長よりも短波長の照射光を照射し、前記活性層からの蛍光を複数の色成分に分解して撮影した画像を入力する画像入力工程と、
前記画像から、前記半導体発光素子が撮影された領域を検査領域として抽出する検査領域抽出工程と、
前記第1波長より短波長である第2波長の光についての光強度を示す色成分の画素値が所定の第1閾値よりも大きい画素が前記検査領域内にある場合に、前記半導体発光素子を不良であると判定する色判定工程と、
を含むことを特徴とする半導体発光素子の検査方法。 - 前記検査領域抽出工程において、前記半導体発光素子の非発光領域として予め定めておいた領域を除いて前記検査領域を抽出することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の検査方法。
- 前記検査領域内の画素について、前記蛍光の光強度の平均値を算出し、その平均値が所定の第2閾値よりも小さい場合に、前記半導体発光素子を不良であると判定する光強度平均判定工程と、を更に含み、
前記色判定工程及び前記光強度平均判定工程において、少なくとも一方で不良と判定された場合に、前記半導体発光素子を不良であると判定することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子の検査方法。 - 前記検査領域内の画素について、前記蛍光の光強度の平均値を算出し、その平均値が所定の第2閾値よりも小さい場合に、前記半導体発光素子を不良であると判定する光強度平均判定工程と、
前記検査領域内の画素について、前記蛍光の光強度のばらつき度合を示すばらつき値を算出し、当該ばらつき値が所定の第3閾値よりも大きい場合に、前記半導体発光素子を不良であると判定する光強度ばらつき判定工程と、を含み、
前記色判定工程、前記光強度平均判定工程及び前記光強度ばらつき判定工程の、少なくとも何れか1つにおいて不良と判定された場合に、前記半導体発光素子を不良であると判定することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子の検査方法。 - 前記ばらつき値は、前記検査領域における光強度の分散、標準偏差、平均偏差又は変動係数の何れか1つであることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子の検査方法。
- 前記画像入力工程において、複数の前記半導体発光素子をまとめて撮影した画像を入力し、前記検査領域抽出工程において、1個単位の前記半導体発光素子の領域の画素データを前記検査領域として順次に抽出することを特徴とする請求項1ないし請求項5の何れか一項に記載の半導体発光素子の検査方法。
- 前記検査領域抽出工程の後に、前記光強度平均判定工程と前記色判定工程とを並行して行うことを特徴とする請求項3、又は請求項3を引用する請求項6、の何れか一項に記載の半導体発光素子の検査方法。
- 前記検査領域抽出工程の後に、前記光強度平均判定工程と前記光強度ばらつき判定工程と前記色判定工程とを並行して行うことを特徴とする請求項4もしくは請求項5、又は請求項4もしくは請求項5を引用する請求項6、の何れか一項に記載の半導体発光素子の検査方法。
- 前記半導体発光素子を形成する半導体発光素子形成工程と、
前記半導体発光素子形成工程で形成した半導体発光素子を検査して不良かどうかを判定する検査工程と、
前記検査工程で不良と判定されなかった前記半導体発光素子を良品として選別する選別工程とを含み、
前記検査工程は、請求項1ないし請求項8の何れか一項に記載の半導体発光素子の検査方法であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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US10418527B2 (en) * | 2014-10-31 | 2019-09-17 | eLux, Inc. | System and method for the fluidic assembly of emissive displays |
US10446728B2 (en) * | 2014-10-31 | 2019-10-15 | eLux, Inc. | Pick-and remove system and method for emissive display repair |
US10012593B2 (en) * | 2015-05-04 | 2018-07-03 | Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. | Micro photoluminescence imaging |
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JP2017152653A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | ウシオ電機株式会社 | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子用ウェハの製造方法 |
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US20220178837A1 (en) * | 2019-03-28 | 2022-06-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Inspection apparatus and inspection method |
WO2020250619A1 (ja) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | コニカミノルタ株式会社 | 二次元分光装置 |
JP2022108752A (ja) * | 2019-06-12 | 2022-07-27 | コニカミノルタ株式会社 | 二次元分光装置 |
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US20230122514A1 (en) * | 2021-10-18 | 2023-04-20 | Kla Corporation | Laser Anneal Pattern Suppression |
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---|---|---|---|---|
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JP2711966B2 (ja) * | 1992-09-10 | 1998-02-10 | 信越半導体株式会社 | 発光素子製造用ウエーハの検査方法 |
JP2004170374A (ja) | 2002-11-22 | 2004-06-17 | Toyota Motor Corp | 表面欠陥検出装置、及び表面欠陥検出方法 |
JP2006266780A (ja) | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Aisin Seiki Co Ltd | 欠陥検査装置および方法 |
KR101101132B1 (ko) | 2007-11-23 | 2012-01-12 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법 |
KR101856533B1 (ko) * | 2011-03-28 | 2018-05-14 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 검사 장치 및 그 검사 방법 |
DE112012002619T5 (de) * | 2011-06-24 | 2014-04-17 | Kla-Tencor Corp. | Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion von lichtemittierenden Halbleiterelementen mittels Photolumineszenz-Abbildung |
-
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-
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- 2014-02-12 US US14/179,423 patent/US9546956B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006087809A1 (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Shishiai-Kabushikigaisha | 熱媒体液組成物 |
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