JPS63250835A - エピタキシヤルウエハの検査方法 - Google Patents
エピタキシヤルウエハの検査方法Info
- Publication number
- JPS63250835A JPS63250835A JP62086363A JP8636387A JPS63250835A JP S63250835 A JPS63250835 A JP S63250835A JP 62086363 A JP62086363 A JP 62086363A JP 8636387 A JP8636387 A JP 8636387A JP S63250835 A JPS63250835 A JP S63250835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial wafer
- wafer
- light
- photoluminescence
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 40
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 241000238557 Decapoda Species 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BTYUGHWCEFRRRF-UHFFFAOYSA-N [As].[K] Chemical compound [As].[K] BTYUGHWCEFRRRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009658 destructive testing Methods 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、エピタキシャルウェハの検査方法に関するも
のである。
のである。
［従来の技術］
発光ダイオードやレーザダイオード等の発光素子の特性
を評価する場合は、素子の特性とともに素子を形成する
エピタキシャル成長方法による化合物半導体（以下、エ
ピタキシャルウェハと称する）の特性を求める必要があ
る。
を評価する場合は、素子の特性とともに素子を形成する
エピタキシャル成長方法による化合物半導体（以下、エ
ピタキシャルウェハと称する）の特性を求める必要があ
る。
前者については、発光波長、光出力、逆方向降伏電圧、
立上り立下り時間および接合問答量などの特性が求めら
れ、後者に関してはキャリヤ濃度、成長膜厚および混晶
比などの特性が求められる。
立上り立下り時間および接合問答量などの特性が求めら
れ、後者に関してはキャリヤ濃度、成長膜厚および混晶
比などの特性が求められる。
これらの諸特性を求めるにはウェハの段階より素子の段
階まで、通常次の三つの方法が用いられる。
階まで、通常次の三つの方法が用いられる。
（Ａ） エピタキシャルウェハに直径数１００μｍの
リング状の溝を所定の位置に数個所設け、この溝の部分
で発光特性を調べる方法 （Ｂ） エピタキシャルウェハにダイシングで壁間用
の溝を設け、ウェハの状態でチップの特性を測定する方
法 （Ｃ） 各チップよりデバイスまで組立てて素子の特
性を測定する方法 ［発明が解決しようとする問題点］ 上述したように、発光素子を製作する場合にはウェハの
状態から素子に至るまで、およそ（Ａ）〜（Ｃ）に示す
ような三つの方法を用いて評価が行なわれるが、（Ａ）
の方法は一部破壊検査を用いねばならず、（Ｂ）の方法
は溝を形成する場合に他のチップを破損あるいは汚損さ
せ、測定終了後はこの溝部分を使用不能にする嫌いがあ
り、（Ｃ）の方法は針状電極をウェハ表面に当てて測定
するため、接触が不十分で正確な評価ができない恐れを
生ずる。
リング状の溝を所定の位置に数個所設け、この溝の部分
で発光特性を調べる方法 （Ｂ） エピタキシャルウェハにダイシングで壁間用
の溝を設け、ウェハの状態でチップの特性を測定する方
法 （Ｃ） 各チップよりデバイスまで組立てて素子の特
性を測定する方法 ［発明が解決しようとする問題点］ 上述したように、発光素子を製作する場合にはウェハの
状態から素子に至るまで、およそ（Ａ）〜（Ｃ）に示す
ような三つの方法を用いて評価が行なわれるが、（Ａ）
の方法は一部破壊検査を用いねばならず、（Ｂ）の方法
は溝を形成する場合に他のチップを破損あるいは汚損さ
せ、測定終了後はこの溝部分を使用不能にする嫌いがあ
り、（Ｃ）の方法は針状電極をウェハ表面に当てて測定
するため、接触が不十分で正確な評価ができない恐れを
生ずる。
本発明の目的は、非接触測定法によりウェハの段階で発
光ダイオードの特性を評価するエピタキシャルウェハの
検査方法を提供することにある。
光ダイオードの特性を評価するエピタキシャルウェハの
検査方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、エピタキシャル成長方法により作製された発
光素子用ウェハの特性を測定して前記発光素子の良否を
判定するエピタキシャルウェハの検査方法において、前
記エピタキシャルウエバの表面に光エネルギーを照射し
て光ルミネッセンスを発生させ、この光ルミネッセンス
を光学的手段により検出してその検出特性より前記発光
素子の良否を評価することを特徴とし、エピタキシャル
ウェハの特性を非接触で測定できるようにして目的の達
成を計ったものである。
光素子用ウェハの特性を測定して前記発光素子の良否を
判定するエピタキシャルウェハの検査方法において、前
記エピタキシャルウエバの表面に光エネルギーを照射し
て光ルミネッセンスを発生させ、この光ルミネッセンス
を光学的手段により検出してその検出特性より前記発光
素子の良否を評価することを特徴とし、エピタキシャル
ウェハの特性を非接触で測定できるようにして目的の達
成を計ったものである。
［作 用］
本発明のエピタキシャルウェハの検査方法では、このエ
ピタキシャルウェハを用いて発光ダイオードを作製する
場合に、ダイオードに組立てる前のウェハの段階で発光
特性を非破壊的に求め、この特性から発光ダイオードの
良否を評価しようとするもので、例えばカリウム・ヒ素
（ＧａＡｓ）半導体ウェハによりＬＥＤ（゛発光ダイオ
ード）を作製する場合、ウェハの表面にレーザー光を斜
めに投射してこのとき発生する光ルミネッセンスを反射
ミラーを通して発電子増幅管で検出するようにしており
、この方法によれば、検出信号による光ルミネッセンス
のピーク波長（λ２）およびビーク高さくＨ）は、発光
ダイオードの発光波長（λ ）および発光出力（Ｐｏ）
と比例する関係■ が得られるので、この光ルミネッセンスの光特性を求め
ることにより、ＬＥＤの良否をウェハの段階で非抵触、
被破壊的に求めることが可能となる。
ピタキシャルウェハを用いて発光ダイオードを作製する
場合に、ダイオードに組立てる前のウェハの段階で発光
特性を非破壊的に求め、この特性から発光ダイオードの
良否を評価しようとするもので、例えばカリウム・ヒ素
（ＧａＡｓ）半導体ウェハによりＬＥＤ（゛発光ダイオ
ード）を作製する場合、ウェハの表面にレーザー光を斜
めに投射してこのとき発生する光ルミネッセンスを反射
ミラーを通して発電子増幅管で検出するようにしており
、この方法によれば、検出信号による光ルミネッセンス
のピーク波長（λ２）およびビーク高さくＨ）は、発光
ダイオードの発光波長（λ ）および発光出力（Ｐｏ）
と比例する関係■ が得られるので、この光ルミネッセンスの光特性を求め
ることにより、ＬＥＤの良否をウェハの段階で非抵触、
被破壊的に求めることが可能となる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図を用いて説明する。
第１図は本発明の検査方法によるＬＥＤ用エピタキシャ
ルウェハの発光特性測定用ブロック図を示す。
ルウェハの発光特性測定用ブロック図を示す。
図において１はエピタキシャルウェハ、２はエピタキシ
ャルウェハ１を固定する真空吸着式のウェハプローバー
、３はレーザー発振器、４は分光器でレーザ発振器３の
光Ｌ を光Ｌ２に分光する。
ャルウェハ１を固定する真空吸着式のウェハプローバー
、３はレーザー発振器、４は分光器でレーザ発振器３の
光Ｌ を光Ｌ２に分光する。
５はミラーで、光Ｌ を光Ｌ３に変換してエピタキシャ
ルウェハ１に斜めに投射する。６は反射用のミラーで、
反射した光Ｌ４光Ｌ５に変換して分光器７に入射する。
ルウェハ１に斜めに投射する。６は反射用のミラーで、
反射した光Ｌ４光Ｌ５に変換して分光器７に入射する。
８は光電子増倍管で光Ｌ５を電気信号に変換する。９は
ウェハプローバー２およびミラー５．６の位置極め制御
およびデータ処理を行なうマイクロコンピュータ、１０
は出力プリンタである。
ウェハプローバー２およびミラー５．６の位置極め制御
およびデータ処理を行なうマイクロコンピュータ、１０
は出力プリンタである。
この実施例では、エピタキシャルウェハ１がウェハプロ
ーバー２にセットされると、レーザー発振器３からアル
ゴンイオンレーザ−光Ｌｌが発射され分光器４に入射す
る分光器４はレーザー光Ｌ１を入射して光Ｌ２に分光し
てミラー５に投射する。ミラー５は光Ｌ２を受光して光
Ｌ３を生じ、エピタキシャルウェハ１の表面に斜め方向
より照射する。
ーバー２にセットされると、レーザー発振器３からアル
ゴンイオンレーザ−光Ｌｌが発射され分光器４に入射す
る分光器４はレーザー光Ｌ１を入射して光Ｌ２に分光し
てミラー５に投射する。ミラー５は光Ｌ２を受光して光
Ｌ３を生じ、エピタキシャルウェハ１の表面に斜め方向
より照射する。
光Ｌ３が入射するとそのエネルギーにより光励起による
光ルミネッセンスＬ４が発生する。
光ルミネッセンスＬ４が発生する。
光ルミネッセンスＬ４は反射ミラー６に入射して反射光
Ｌ５を発生し、反射光Ｌ５が分光器７に入射して光電子
増倍管８により増幅されて測定されることになる。
Ｌ５を発生し、反射光Ｌ５が分光器７に入射して光電子
増倍管８により増幅されて測定されることになる。
ウェハプローバー２とミラー５．６の位置はマイクロコ
ンピュータ９により微細に制御することができるので、
エピタキシャルウェハ１の表面各点における光ルミネッ
センスのスペクトル分布を自動あるいは手動により求め
ることができる。
ンピュータ９により微細に制御することができるので、
エピタキシャルウェハ１の表面各点における光ルミネッ
センスのスペクトル分布を自動あるいは手動により求め
ることができる。
第２図に測定に用いたエビタキシャルウ、エバの構造を
示す。
示す。
図の１１はＰ型ガリウムφヒ素（ＧａＡｓ）基板、１２
はＰ型ガリウム・アルミニウム・ヒ素（Ｃ；ａＡΩＡｓ
）層、１３はｎ型ＧａＡｇＡｓ層、４は発光部を示す。
はＰ型ガリウム・アルミニウム・ヒ素（Ｃ；ａＡΩＡｓ
）層、１３はｎ型ＧａＡｇＡｓ層、４は発光部を示す。
また、Ａは励起光、Ｂは発射光、Ｃは光ルミネッセンス
を表わす。
を表わす。
このエピタキシャルウェハでは、ＧａＡＳ基板１１の上
にＰ型のＧａＡ、ＱＡｓ層１２を２５ａｍ成長させ、さ
らにｎ型のＧａＡｌｌＡｓ層１３を３０μｍ成長させて
二層構造としている。
にＰ型のＧａＡ、ＱＡｓ層１２を２５ａｍ成長させ、さ
らにｎ型のＧａＡｌｌＡｓ層１３を３０μｍ成長させて
二層構造としている。
第１層と第２層の界面において第１層側のアルミ混晶比
は０．１，０．２，０．３，０．３５のものが用いられ
た。第１層のドーパントには亜鉛（Ｚ ｎ）が用いられ
、キャリア濃度は１×１０１８ｃｍ−”であった。第２
層はテルル（Ｔｅ）をドーパントに用い、キャリア濃度
は５×１０１７０ｍ−３、表面のＡｇ混晶比は０．７２
であった。
は０．１，０．２，０．３，０．３５のものが用いられ
た。第１層のドーパントには亜鉛（Ｚ ｎ）が用いられ
、キャリア濃度は１×１０１８ｃｍ−”であった。第２
層はテルル（Ｔｅ）をドーパントに用い、キャリア濃度
は５×１０１７０ｍ−３、表面のＡｇ混晶比は０．７２
であった。
励起光Ａにはアルゴンイオンレーザ−光を用いたが、分
光器により５１４５Ａの発振線のみが得られるようにし
ている。５１４５Ａのレーザー光のエネルギーは約２．
４ｅＶであってこの値はエピタキシャル層第２層のバン
ドギャップボルテージより小さいので、エピタキシャル
層内部を通過して第１層と第２層の界面に達する。
光器により５１４５Ａの発振線のみが得られるようにし
ている。５１４５Ａのレーザー光のエネルギーは約２．
４ｅＶであってこの値はエピタキシャル層第２層のバン
ドギャップボルテージより小さいので、エピタキシャル
層内部を通過して第１層と第２層の界面に達する。
このレーザー光の照射により発光部１４の表面より一部
は反射光Ｂとして反射し、一部は光ルミネッセンスＣと
なって放射されることになる。
は反射光Ｂとして反射し、一部は光ルミネッセンスＣと
なって放射されることになる。
光ルミネッセンスＣのエネルギーは第２層のバンドギャ
ップボルテージより小さいため吸収されずに放出される
ことになる。この光ルミネッセンスＣをミラー６で反射
させて光電子増倍管８で検出することによりそのスペク
トルを測定することができる。
ップボルテージより小さいため吸収されずに放出される
ことになる。この光ルミネッセンスＣをミラー６で反射
させて光電子増倍管８で検出することによりそのスペク
トルを測定することができる。
第３図はこのエピタキシャルウェハを用いて光ルミネッ
センススペクトルを測定した後、０．５１角のＬＥＤを
作製して発光波長λ１と光ルミネッセンスビーク波長λ
２との関係を求めたものである。
センススペクトルを測定した後、０．５１角のＬＥＤを
作製して発光波長λ１と光ルミネッセンスビーク波長λ
２との関係を求めたものである。
図により、両者は殆んど完全に一致していることが認め
られる。
られる。
従ってＬＥＤに組立てる前にウェハにより光ルミネッセ
ンスピーク波長λ２を測定することにより、ＬＥＤ組立
後の発光波長λ１を求めることができる。
ンスピーク波長λ２を測定することにより、ＬＥＤ組立
後の発光波長λ１を求めることができる。
第４図はＬＥＤの発光出力Ｐ。と同一波長における光ル
ミネッセンスのピーク値Ｈとの関係を示すもので、この
場合も両者は略完全に一致しているので、第３図の場合
と同様にウェハの段階でピーク値Ｈを測定し、これより
ＬＥＤの発光出力Ｐｏを求めることが可能となる。
ミネッセンスのピーク値Ｈとの関係を示すもので、この
場合も両者は略完全に一致しているので、第３図の場合
と同様にウェハの段階でピーク値Ｈを測定し、これより
ＬＥＤの発光出力Ｐｏを求めることが可能となる。
なお、この実施例ではＧａＡｇＡｓのＬＥＤについて説
明したが、ガリウム・リン（ＧａＰ）によるＬＥＤやそ
の他の化合物によるＬＥＤについても光源の波長やスペ
クトラムアナライザーの検出波長を適切に選定すること
により前述の場合と同様の効果が得られる。
明したが、ガリウム・リン（ＧａＰ）によるＬＥＤやそ
の他の化合物によるＬＥＤについても光源の波長やスペ
クトラムアナライザーの検出波長を適切に選定すること
により前述の場合と同様の効果が得られる。
以上、本実施例を用いることにより、発光ダイオードに
組立てる前にエピタキシャルウェハについて発光特性を
非接触法により求め、これより発光ダイオードの特性を
評価することができるので、検査工程を低減して発光ダ
イオードのコストを大幅に低減することができる。
組立てる前にエピタキシャルウェハについて発光特性を
非接触法により求め、これより発光ダイオードの特性を
評価することができるので、検査工程を低減して発光ダ
イオードのコストを大幅に低減することができる。
［発明の効果コ
本発明によれば、非接触測定法によりウェハの段階で発
光ダイオードの特性を評価するエピタキシャルウェハの
検査方法を提供することができる。
光ダイオードの特性を評価するエピタキシャルウェハの
検査方法を提供することができる。
第１図は本発明のエピタキシャルウェハの検査方法の一
実施例による測定方法を示すブロック図、第２図はエピ
タキシャルウェハの構造図、第３図は発光ダイオードの
発光波長と光ルミネッセンスのピーク波長の関係を示す
説明図、第４図は発光ダイオードの発光出力と光ルミネ
ッセンスのピーり高さの関係を示す説明図ある。 １：エピタキシャルウェハ、 ２：ウェハプローバー、 ３：レーザー発振器、 ４．７二分光器、 ５ 、 ６ ： ミ ラ − 、 ８：光電子増倍管、 ９：マイクロコンピュータ、 １１ ： ＧａＡｓ基板、 １２：Ｐ型ＧａＡｊ７Ａｓ層、 １３：ｎ型ＧａＡｊ７Ａｓ層、 １４：発光部。 第１の 茅２１ｇ ９・ マイクロフ′−１１−タ Ｍ１頁の続き ０発 明 者 杉 本 洋 茨城県日立
往線研究所内
実施例による測定方法を示すブロック図、第２図はエピ
タキシャルウェハの構造図、第３図は発光ダイオードの
発光波長と光ルミネッセンスのピーク波長の関係を示す
説明図、第４図は発光ダイオードの発光出力と光ルミネ
ッセンスのピーり高さの関係を示す説明図ある。 １：エピタキシャルウェハ、 ２：ウェハプローバー、 ３：レーザー発振器、 ４．７二分光器、 ５ 、 ６ ： ミ ラ − 、 ８：光電子増倍管、 ９：マイクロコンピュータ、 １１ ： ＧａＡｓ基板、 １２：Ｐ型ＧａＡｊ７Ａｓ層、 １３：ｎ型ＧａＡｊ７Ａｓ層、 １４：発光部。 第１の 茅２１ｇ ９・ マイクロフ′−１１−タ Ｍ１頁の続き ０発 明 者 杉 本 洋 茨城県日立
往線研究所内
Claims (2)
- （１）エピタキシャル成長方法により作製されたエピタ
キシャルウェハの特性を測定して発光素子としての良否
を判定するエピタキシャルウェハの検査方法において、
前記エピタキシャルウェハの表面に光エネルギーを照射
して光ルミネッセンスを発生させ、該光ルミネッセンス
を光学的手段により検出してその検出特性より前記発光
素子としての良否を評価することを特徴とするエピタキ
シャルウェハの検査方法。 - （２）前記光エネルギーの照射光路および前記エピタキ
シャルウエハへの照射位置を移動させて前記光ルミネッ
センスの強度およびばらつきを手動および自動により測
定するものである特許請求の範囲第１項記載のエピタキ
シャルウェハの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62086363A JPS63250835A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | エピタキシヤルウエハの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62086363A JPS63250835A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | エピタキシヤルウエハの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250835A true JPS63250835A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13884801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62086363A Pending JPS63250835A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | エピタキシヤルウエハの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63250835A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291624A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハの検査方法 |
| EP0587091A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-16 | Shin-Etsu Handotai Kabushiki Kaisha | Method of inspecting wafers for manufacturing light emitting elements |
| JPH07226564A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその評価方法 |
| KR20020039018A (ko) * | 2000-11-20 | 2002-05-25 | 황인길 | 웨이퍼 표면검사장치의 잔류빔 제거장치 |
| JP2002181710A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 蛍光検出測定装置 |
| CN102778295A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-11-14 | 南昌黄绿照明有限公司 | 在线测量发光二极管外延片光致发光光谱装置 |
| JP2015010834A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-19 | 東レエンジニアリング株式会社 | 発光体の発光波長推定方法とその装置 |
| US9395406B2 (en) | 2013-01-31 | 2016-07-19 | Nichia Corporation | Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device |
| US9546956B2 (en) | 2013-02-18 | 2017-01-17 | Nichia Corporation | Method of inspecting semiconductor light-emitting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device |
| JP6720429B1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-07-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| JP6720430B1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-07-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| JP2020161778A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| WO2020195138A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| WO2020195136A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| JP2020177032A (ja) * | 2020-08-05 | 2020-10-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49107483A (ja) * | 1973-02-16 | 1974-10-12 | ||
| JPS5539628A (en) * | 1978-09-14 | 1980-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoluminescence measuring method for semiconductor layer |
| JPS5857764A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-06 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶の評価法 |
| JPS6139596A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
-
1987
- 1987-04-08 JP JP62086363A patent/JPS63250835A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49107483A (ja) * | 1973-02-16 | 1974-10-12 | ||
| JPS5539628A (en) * | 1978-09-14 | 1980-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoluminescence measuring method for semiconductor layer |
| JPS5857764A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-06 | Fujitsu Ltd | 半導体結晶の評価法 |
| JPS6139596A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05291624A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハの検査方法 |
| EP0587091A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-16 | Shin-Etsu Handotai Kabushiki Kaisha | Method of inspecting wafers for manufacturing light emitting elements |
| JPH0697508A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子製造用ウエーハの検査方法 |
| US5440384A (en) * | 1992-09-10 | 1995-08-08 | Shin-Etsu Handotai Kabushiki Kaisha | Methods of inspecting wafers for manufacturing light emitting elements |
| JPH07226564A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその評価方法 |
| KR20020039018A (ko) * | 2000-11-20 | 2002-05-25 | 황인길 | 웨이퍼 표면검사장치의 잔류빔 제거장치 |
| JP2002181710A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 蛍光検出測定装置 |
| CN102778295A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-11-14 | 南昌黄绿照明有限公司 | 在线测量发光二极管外延片光致发光光谱装置 |
| US9395406B2 (en) | 2013-01-31 | 2016-07-19 | Nichia Corporation | Inspection method for semiconductor light-emitting device and manufacturing method for semiconductor light-emitting device |
| US9546956B2 (en) | 2013-02-18 | 2017-01-17 | Nichia Corporation | Method of inspecting semiconductor light-emitting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device |
| JP2015010834A (ja) * | 2013-06-26 | 2015-01-19 | 東レエンジニアリング株式会社 | 発光体の発光波長推定方法とその装置 |
| JP6720429B1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-07-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| JP6720430B1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-07-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| JP2020161778A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| WO2020195137A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| WO2020195138A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| WO2020195136A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| JP2021076577A (ja) * | 2019-03-28 | 2021-05-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
| KR20210144693A (ko) * | 2019-03-28 | 2021-11-30 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 검사 장치 및 검사 방법 |
| US11694324B2 (en) | 2019-03-28 | 2023-07-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Inspection apparatus and inspection method |
| JP2020177032A (ja) * | 2020-08-05 | 2020-10-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63250835A (ja) | エピタキシヤルウエハの検査方法 | |
| US6693286B2 (en) | Method for evaluating the quality of a semiconductor substrate | |
| CN103765567A (zh) | 使用光致发光成像检验发光半导体装置的方法和设备 | |
| JP2975815B2 (ja) | 半導体発光素子の評価装置及び評価方法 | |
| WO2010019992A1 (en) | Method and apparatus for defect detection | |
| JP2525894B2 (ja) | 半導体試料の螢光特性検査装置 | |
| JP2711966B2 (ja) | 発光素子製造用ウエーハの検査方法 | |
| JPH10135291A (ja) | 半導体装置の評価方法及びその評価装置 | |
| US20230282526A1 (en) | Method and device for measuring the thickness of thin films even on rough substrates | |
| US7154607B2 (en) | Flat spectrum illumination source for optical metrology | |
| JPH0864652A (ja) | エピタキシャルウェハの検査方法 | |
| US4238686A (en) | Method of analyzing localized nonuniformities in luminescing materials | |
| GB1454013A (en) | Method and apparatus for testing luminescent materials | |
| US9383323B2 (en) | Workpiece characterization system | |
| JP2970818B2 (ja) | ビーム変調分光装置およびその測定方法 | |
| JPS63312649A (ja) | 半導体中の不純物準位およびキャリヤ寿命同時測定方法 | |
| JPH05291624A (ja) | 発光ダイオード用エピタキシャルウェーハの検査方法 | |
| US20050112853A1 (en) | System and method for non-destructive implantation characterization of quiescent material | |
| JPH0542820B2 (ja) | ||
| JPH02216435A (ja) | 時間分解分光方法 | |
| CN113984727A (zh) | 一种半导体缺陷对荧光寿命影响的检测装置及检测方法 | |
| Guo et al. | Photoluminescence spectrum measurement of GaAs photocathode material | |
| Imler | High-speed photoluminescence mapping of III-V epitaxial layers for light-emitting diodes | |
| JPS61181945A (ja) | 結晶評価装置 | |
| JP2002033516A (ja) | 発光ダイオードの活性層の評価方法およびその評価装置 |