CN112798923A - 发光二极管晶圆以及发光二极管晶圆检测装置与方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管晶圆以及发光二极管晶圆检测装置与方法。发光二极管晶圆包括一晶圆基底以及设置在晶圆基底上的多个发光二极管芯片、多个测试用正极线路层、多个测试用负极线路层、多个测试用正极接点以及多个测试用负极接点。每一发光二极管芯片的一正极接点与一负极接点分别电性连接于相对应的测试用正极线路层与相对应的测试用负极线路层。多个测试用正极接点分别电性连接于多个测试用正极线路层，多个测试用负极接点分别电性连接于多个测试用负极线路层。借此，让电流由多个测试用正极接点输入后，再从多个测试用负极接点输出，以便于激发每一发光二极管芯片产生一光源。

Description

发光二极管晶圆以及发光二极管晶圆检测装置与方法
技术领域
本发明涉及一种晶圆以及晶圆检测装置与方法，特别是涉及一种发光二极管晶圆以及发光二极管晶圆检测装置与方法。
背景技术
目前，发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说，为了使得采用发光二极管作为发光组件的显示设备能具有较佳的色彩表现能力，现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片的相互搭配而组成一全彩发光二极管显示设备，此全彩发光二极管显示设备可利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片分别发出的红、绿、蓝三种的颜色光，然后再通过混光后形成一全彩色光，以进行相关信息的显示。然而，现有技术中对于发光二极管芯片的检测仍有进步空间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光二极管晶圆以及发光二极管晶圆检测装置与方法。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种发光二极管晶圆检测装置，其包括：一发光二极管晶圆以及一光检测模块。所述发光二极管晶圆包括一晶圆基底、多个发光二极管芯片、多个测试用正极线路层、多个测试用负极线路层、多个测试用正极接点以及多个测试用负极接点。所述光检测模块设置在所述发光二极管晶圆的上方。其中，多个所述发光二极管芯片、多个所述测试用正极线路层、多个所述测试用负极线路层、多个所述测试用正极接点以及多个所述测试用负极接点都设置在所述晶圆基底上；其中，每一所述发光二极管芯片的一正极接点与一负极接点分别电性连接于相对应的所述测试用正极线路层与相对应的所述测试用负极线路层；其中，多个所述测试用正极接点分别电性连接于多个所述测试用正极线路层，多个所述测试用负极接点分别电性连接于多个所述测试用负极线路层；其中，让电流由多个所述测试用正极接点输入后，再从多个所述测试用负极接点输出，以便于激发每一所述发光二极管芯片产生一光源，并利用所述光检测模块对每一所述发光二极管芯片所产生的所述光源进行光学检测。
进一步地，多个所述测试用正极接点彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个正极测试接点，多个所述测试用负极接点彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个负极测试接点。
进一步地，多个所述测试用正极接点彼此相连而形成一单一个正极测试区域，多个所述测试用负极接点彼此相连而形成一单一个负极测试区域。
进一步地，所述测试用正极线路层与所述测试用负极线路层分别设置在一第一水平面以及一第二水平面上，所述测试用正极接点与所述测试用负极接点分别设置在所述第一水平面与所述第二水平面上，且所述第一水平面高于、低于或者等于所述第二水平面；其中，所述测试用正极线路层包括多个第一正极末端部、一第二正极末端部以及连接于所述第一正极末端部与所述第二正极末端部之间的一正极连接部，所述第一正极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述正极接点，所述第二正极末端部电性连接于相对应的所述测试用正极接点，且所述正极连接部沿着一第一切割路径延伸；其中，所述测试用负极线路层包括多个第一负极末端部、一第二负极末端部以及连接于所述第一负极末端部与所述第二负极末端部之间的一负极连接部，所述第一负极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述负极接点，所述第二负极末端部电性连接于相对应的所述测试用负极接点，且所述负极连接部沿着一第二切割路径延伸。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种发光二极管晶圆，其包括：一晶圆基底、多个发光二极管芯片、多个测试用正极线路层、多个测试用负极线路层、多个测试用正极接点以及多个测试用负极接点。多个所述发光二极管芯片、多个所述测试用正极线路层、多个所述测试用负极线路层、多个所述测试用正极接点以及多个所述测试用负极接点都设置在所述晶圆基底上。其中，每一所述发光二极管芯片的一正极接点与一负极接点分别电性连接于相对应的所述测试用正极线路层与相对应的所述测试用负极线路层；其中，多个所述测试用正极接点分别电性连接于多个所述测试用正极线路层，多个所述测试用负极接点分别电性连接于多个所述测试用负极线路层；其中，让电流由多个所述测试用正极接点输入后，再从多个所述测试用负极接点输出，以便于激发每一所述发光二极管芯片产生一光源。
进一步地，多个所述测试用正极接点彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个正极测试接点，多个所述测试用负极接点彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个负极测试接点。
进一步地，多个所述测试用正极接点彼此相连而形成一单一个正极测试区域，多个所述测试用负极接点彼此相连而形成一单一个负极测试区域。
进一步地，所述测试用正极线路层与所述测试用负极线路层分别设置在一第一水平面以及一第二水平面上，所述测试用正极接点与所述测试用负极接点分别设置在所述第一水平面与所述第二水平面上，且所述第一水平面高于、低于或者等于所述第二水平面；其中，所述测试用正极线路层包括多个第一正极末端部、一第二正极末端部以及连接于所述第一正极末端部与所述第二正极末端部之间的一正极连接部，所述第一正极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述正极接点，所述第二正极末端部电性连接于相对应的所述测试用正极接点，且所述正极连接部沿着一第一切割路径延伸；其中，所述测试用负极线路层包括多个第一负极末端部、一第二负极末端部以及连接于所述第一负极末端部与所述第二负极末端部之间的一负极连接部，所述第一负极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述负极接点，所述第二负极末端部电性连接于相对应的所述测试用负极接点，且所述负极连接部沿着一第二切割路径延伸。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种发光二极管晶圆检测方法，其包括：提供一发光二极管晶圆，所述发光二极管晶圆包括多个发光二极管芯片、多个测试用正极线路层、多个测试用负极线路层、多个测试用正极接点以及多个测试用负极接点；让电流由多个所述测试用正极接点输入后，再从多个所述测试用负极接点输出，以便于激发每一所述发光二极管芯片产生一光源；以及，利用一光检测模块对每一所述发光二极管芯片所产生的所述光源进行光学检测。
进一步地，所述发光二极管晶圆包括一晶圆基底，且多个所述发光二极管芯片、多个所述测试用正极线路层、多个所述测试用负极线路层、多个所述测试用正极接点以及多个所述测试用负极接点都设置在所述晶圆基底上；其中，每一所述发光二极管芯片的一正极接点与一负极接点分别电性连接于相对应的所述测试用正极线路层与相对应的所述测试用负极线路层；其中，多个所述测试用正极接点分别电性连接于多个所述测试用正极线路层，多个所述测试用负极接点分别电性连接于多个所述测试用负极线路层；其中，所述测试用正极线路层与所述测试用负极线路层分别设置在一第一水平面以及一第二水平面上，所述测试用正极接点与所述测试用负极接点分别设置在所述第一水平面与所述第二水平面上，且所述第一水平面高于、低于或者等于所述第二水平面；其中，所述测试用正极线路层包括多个第一正极末端部、一第二正极末端部以及连接于所述第一正极末端部与所述第二正极末端部之间的一正极连接部，所述第一正极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述正极接点，所述第二正极末端部电性连接于相对应的所述测试用正极接点，且所述正极连接部沿着一第一切割路径延伸；其中，所述测试用负极线路层包括多个第一负极末端部、一第二负极末端部以及连接于所述第一负极末端部与所述第二负极末端部之间的一负极连接部，所述第一负极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述负极接点，所述第二负极末端部电性连接于相对应的所述测试用负极接点，且所述负极连接部沿着一第二切割路径延伸。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种发光二极管晶圆以及发光二极管晶圆检测装置与方法，其能通过“多个所述发光二极管芯片、多个所述测试用正极线路层、多个所述测试用负极线路层、多个所述测试用正极接点以及多个所述测试用负极接点都设置在所述晶圆基底上”以及“每一所述发光二极管芯片的一正极接点与一负极接点分别电性连接于相对应的所述测试用正极线路层与相对应的所述测试用负极线路层，多个所述测试用正极接点分别电性连接于多个所述测试用正极线路层，多个所述测试用负极接点分别电性连接于多个所述测试用负极线路层”的技术方案，让电流由多个所述测试用正极接点输入后，再从多个所述测试用负极接点输出，以便于激发每一所述发光二极管芯片产生一光源。
为使能进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例的发光二极管晶圆的俯视示意图。
图2为本发明第一实施例的发光二极管晶圆的电路示意图。
图3为本发明第一实施例的发光二极管晶圆检测装置的侧视示意图。
图4为本发明第一实施例的发光二极管晶圆检测方法的流程图。
图5为本发明第二实施例的发光二极管晶圆的俯视示意图。
图6为本发明第二实施例的发光二极管晶圆的电路示意图。
图7为本发明第三实施例的发光二极管晶圆的俯视示意图。
图8为本发明第三实施例的发光二极管晶圆的电路示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“发光二极管晶圆以及发光二极管晶圆检测装置与方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。应当可以理解的是，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
第一实施例
参阅图1至图4所示，本发明第一实施例提供一种发光二极管晶圆检测装置Z，其包括：一发光二极管晶圆1以及一光检测模块2。
首先，配合图1至图3所示，发光二极管晶圆1包括一晶圆基底10、多个发光二极管芯片11、多个测试用正极线路层12P、多个测试用负极线路层12N、多个测试用正极接点13P以及多个测试用负极接点13N，并且光检测模块2设置在发光二极管晶圆1的上方。举例来说，多个发光二极管芯片11、多个测试用正极线路层12P、多个测试用负极线路层12N、多个测试用正极接点13P以及多个测试用负极接点13N都是利用半导体的制作流程而设置在晶圆基底10上，然而本发明不以此为限。另外，每一发光二极管芯片11的一正极接点110P与一负极接点110N会分别电性连接于相对应的测试用正极线路层12P与相对应的测试用负极线路层12N。此外，多个测试用正极接点13P会分别电性连接于多个测试用正极线路层12P，并且多个测试用负极接点13N分别电性连接于多个测试用负极线路层12N。借此，每一发光二极管芯片11的正极接点110P与负极接点110N会分别通过相对应的测试用正极线路层12P与相对应的测试用负极线路层12N，以分别电性连接于相对应的测试用正极接点13P与相对应的测试用正极线路层12P。
此外，配合图1与图2所示，多个测试用正极接点13P会彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个正极测试接点，并且多个测试用负极接点13N会彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个负极测试接点。另外，如图1所示，测试用正极线路层12P与测试用负极线路层12N能分别设置在一第一水平面以及一第二水平面上(也就是说，测试用正极线路层12P与测试用负极线路层12N会分层设置而不会相互接触)，并且测试用正极接点13P与测试用负极接点13N分别设置在第一水平面与第二水平面上(也就是说，测试用正极接点13P与测试用负极接点13N会分层设置而不会相互接触)。举例来说，依据不同的设计需求，第一水平面可以高于、低于或者等于第二水平面。例如，本发明图1所示出的是，第一水平面会低于第二水平面。也就是说，测试用正极线路层12P的所在位置会低于测试用负极线路层12N的所在位置，并且测试用正极接点13P的所在位置会低于测试用负极接点13N的所在位置。当然，本发明不以此举例为限，例如测试用正极接点13P的所在位置也可以高于或者等于测试用负极接点13N的所在位置。
再者，如图1所示，测试用正极线路层12P包括多个第一正极末端部121P、一第二正极末端部122P以及连接于第一正极末端部121P与第二正极末端部122P之间的一正极连接部123P。进一步来说，第一正极末端部121P会电性连接于相对应的发光二极管芯片11的正极接点110P，第二正极末端部122P会电性连接于相对应的测试用正极接点13P，并且正极连接部123P会沿着一第一切割路径C1延伸。另外，测试用负极线路层12N包括多个第一负极末端部121N、一第二负极末端部122N以及连接于第一负极末端部121N与第二负极末端部122N之间的一负极连接部123N。进一步来说，第一负极末端部121N会电性连接于相对应的发光二极管芯片11的负极接点110N，第二负极末端部122N会电性连接于相对应的测试用负极接点13N，并且负极连接部123N会沿着一第二切割路径C2延伸。举例来说，切割时的切割宽度可以大于第一切割路径C1与第二切割路径C2，以使得大部分的测试用正极线路层12P与大部分的测试用负极线路层12N在切割时能够被一并移除。
再者，配合图1与图3所示，本发明能让电流由多个测试用正极接点13P输入后，再从多个测试用负极接点13N输出，以便于激发每一发光二极管芯片11产生一光源L(例如波段为450～750nm的可见光)。换句话说，当电流由多个测试用正极接点13P输入后，电流会通过测试用正极线路层12P而传送到发光二极管芯片11，并且电流会从发光二极管芯片11的正极接点110P输入后，再从发光二极管芯片11的负极接点110N输出，以便于激发发光二极管芯片11产生光源L，最后电流再通过测试用负极线路层12N而从多个测试用负极接点13N输出。举例来说，发光二极管芯片11可为微型半导体发光组件(Micro LED)，其包括呈堆栈状设置的一n型导电层、可被雷射光源穿过的一发光层以及一p型导电层。n型导电层可为n型氮化镓材料层或者n型砷化镓材料层，发光层可为多量子井结构层，并且p型导电层可为p型氮化镓材料层或者p型砷化镓材料层。另外，发光二极管芯片11也可为次毫米发光二极管(Mini LED)，其包括呈堆栈状设置的一基底层、一n型导电层、一被雷射光源穿过的发光层以及一p型导电层。基底层可为蓝宝石(sapphire)材料层，n型导电层可为n型氮化镓材料层或n型砷化镓材料层，发光层可为多量子井结构层，并且p型导电层可为p型氮化镓材料层或者p型砷化镓材料层。此外，基底层还可以是石英基底层、玻璃基底层、硅基底层或者任何材料的基底层。然而，本发明所提供的发光二极管芯片11不以上述所举的例子为限。
另外，配合图1、图3与图4所示，本发明第一实施例还提供一种发光二极管晶圆检测方法，其包括：首先，提供一发光二极管晶圆1，其包括多个发光二极管芯片11、多个测试用正极线路层12P、多个测试用负极线路层12N、多个测试用正极接点13P以及多个测试用负极接点13N(步骤S100)；接着，让电流由多个测试用正极接点13P输入后，再从多个测试用负极接点13N输出，以便于激发每一发光二极管芯片11产生一光源L(步骤S102)；然后，利用一光检测模块2对每一发光二极管芯片11所产生的光源L进行光学检测(步骤S104)。举例来说，光检测模块3可以是“电致发光光谱仪”或者是任何种类的光学检测器，并且光检测模块2对光源L进行光学检测所得到的数值至少包括波长范围、亮度值等等，通过检测光源L所得到的数值，以间接获得发光二极管晶圆1内的每一个发光二极管芯片11(wafer-grade LEDchip)的波长范围、亮度值等等，然而本发明并不以此为限。值得一提的是，本发明的发光二极管芯片11是利用电致发光的方式来提供光源L，而电致发光亦称电场发光(Electroluminescence，EL)，是指电流通过物质时或物质处于强电场下发光的现象，在消费品生产中有时被称为冷光。
第二实施例
参阅图5与图6所示，本发明第二实施例提供一种发光二极管晶圆检测装置，其包括：一发光二极管晶圆1以及一光检测模块(图未示)。由图5与图1的比较，以及图6与图2的比较可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于：在第二实施例中，多个测试用正极接点13P会彼此相连而形成一单一个正极测试区域，并且多个测试用负极接点13N会彼此相连而形成一单一个负极测试区域。也就是说，本发明除了可以使用单一个正极测试接点(单一个测试用正极接点13P)与单一个负极测试接点(单一个测试用负极接点13N)的配合来对单一个发光二极管晶圆1进行检测(如同配合图1与图2所示的第一实施例)，本发明还可以使用单一个正极测试区域(由多个测试用正极接点13P所整合)与单一个负极测试区域(由多个测试用负极接点13N所整合)的配合来对全部的发光二极管晶圆1进行检测(如同配合图5与图6所示的第二实施例)。
第三实施例
参阅图7与图8所示，本发明第三实施例提供一种发光二极管晶圆检测装置，其包括：一发光二极管晶圆1以及一光检测模块(图未示)。由图7与图5、图1的比较，以及图8与图6、图2的比较可知，本发明第三实施例与第一、二实施例最大的差别在于：在第三实施例中，一部分的多个测试用正极接点13P会彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个正极测试接点，并且一部分的多个测试用负极接点13N会彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个负极测试接点。另外，其余的多个测试用正极接点13P会彼此相连而形成一单一个正极测试区域，并且其余的多个测试用负极接点13N会彼此相连而形成一单一个负极测试区域。也就是说，本发明第三实施例可以整合第一实施例与第二实施例，而使得本发明针对同一个发光二极管晶圆1，除了可以使用单一个正极测试接点(单一个测试用正极接点13P)与单一个负极测试接点(单一个测试用负极接点13N)的配合来对单一个发光二极管晶圆1进行检测，还可以使用单一个正极测试区域(由其余的多个测试用正极接点13P所整合)与单一个负极测试区域(由其余的多个测试用负极接点13N所整合)的配合来对全部的发光二极管晶圆1进行检测。
实施例的有益效果
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种发光二极管晶圆以及发光二极管晶圆检测装置与方法，其能通过“多个发光二极管芯片11、多个测试用正极线路层12P、多个测试用负极线路层12N、多个测试用正极接点13P以及多个测试用负极接点13N都设置在晶圆基底10上”以及“每一发光二极管芯片11的一正极接点110P与一负极接点110N分别电性连接于相对应的测试用正极线路层12P与相对应的测试用负极线路层12N，多个测试用正极接点13P分别电性连接于多个测试用正极线路层12P，多个测试用负极接点13N分别电性连接于多个测试用负极线路层12N”的技术方案，让电流由多个测试用正极接点13P输入后，再从多个测试用负极接点13N输出，以便于激发每一发光二极管芯片11产生一光源L。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。

Claims (10)

1.一种发光二极管晶圆检测装置，其特征在于，所述发光二极管晶圆检测装置包括：
一发光二极管晶圆，所述发光二极管晶圆包括一晶圆基底、多个发光二极管芯片、多个测试用正极线路层、多个测试用负极线路层、多个测试用正极接点以及多个测试用负极接点；以及
一光检测模块，所述光检测模块设置在所述发光二极管晶圆的上方；
其中，多个所述发光二极管芯片、多个所述测试用正极线路层、多个所述测试用负极线路层、多个所述测试用正极接点以及多个所述测试用负极接点都设置在所述晶圆基底上；
其中，每一所述发光二极管芯片的一正极接点与一负极接点分别电性连接于相对应的所述测试用正极线路层与相对应的所述测试用负极线路层；
其中，多个所述测试用正极接点分别电性连接于多个所述测试用正极线路层，多个所述测试用负极接点分别电性连接于多个所述测试用负极线路层；
其中，让电流由多个所述测试用正极接点输入后，再从多个所述测试用负极接点输出，以便于激发每一所述发光二极管芯片产生一光源，并利用所述光检测模块对每一所述发光二极管芯片所产生的所述光源进行光学检测。
2.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆检测装置，其特征在于，多个所述测试用正极接点彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个正极测试接点，多个所述测试用负极接点彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个负极测试接点。
3.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆检测装置，其特征在于，多个所述测试用正极接点彼此相连而形成一单一个正极测试区域，多个所述测试用负极接点彼此相连而形成一单一个负极测试区域。
4.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆检测装置，其特征在于，所述测试用正极线路层与所述测试用负极线路层分别设置在一第一水平面以及一第二水平面上，所述测试用正极接点与所述测试用负极接点分别设置在所述第一水平面与所述第二水平面上，且所述第一水平面高于、低于或者等于所述第二水平面；其中，所述测试用正极线路层包括多个第一正极末端部、一第二正极末端部以及连接于所述第一正极末端部与所述第二正极末端部之间的一正极连接部，所述第一正极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述正极接点，所述第二正极末端部电性连接于相对应的所述测试用正极接点，且所述正极连接部沿着一第一切割路径延伸；其中，所述测试用负极线路层包括多个第一负极末端部、一第二负极末端部以及连接于所述第一负极末端部与所述第二负极末端部之间的一负极连接部，所述第一负极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述负极接点，所述第二负极末端部电性连接于相对应的所述测试用负极接点，且所述负极连接部沿着一第二切割路径延伸。
5.一种发光二极管晶圆，其特征在于，所述发光二极管晶圆包括：
一晶圆基底；
多个发光二极管芯片，其设置在所述晶圆基底上；
多个测试用正极线路层，其设置在所述晶圆基底上；
多个测试用负极线路层，其设置在所述晶圆基底上；
多个测试用正极接点，其设置在所述晶圆基底上；以及
多个测试用负极接点，其设置在所述晶圆基底上；
其中，每一所述发光二极管芯片的一正极接点与一负极接点分别电性连接于相对应的所述测试用正极线路层与相对应的所述测试用负极线路层；
其中，多个所述测试用正极接点分别电性连接于多个所述测试用正极线路层，多个所述测试用负极接点分别电性连接于多个所述测试用负极线路层；
其中，让电流由多个所述测试用正极接点输入后，再从多个所述测试用负极接点输出，以便于激发每一所述发光二极管芯片产生一光源。
6.根据权利要求5所述的发光二极管晶圆，其特征在于，多个所述测试用正极接点彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个正极测试接点，多个所述测试用负极接点彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个负极测试接点。
7.根据权利要求5所述的发光二极管晶圆，其特征在于，多个所述测试用正极接点彼此相连而形成一单一个正极测试区域，多个所述测试用负极接点彼此相连而形成一单一个负极测试区域。
8.根据权利要求5所述的发光二极管晶圆，其特征在于，所述测试用正极线路层与所述测试用负极线路层分别设置在一第一水平面以及一第二水平面上，所述测试用正极接点与所述测试用负极接点分别设置在所述第一水平面与所述第二水平面上，且所述第一水平面高于、低于或者等于所述第二水平面；其中，所述测试用正极线路层包括多个第一正极末端部、一第二正极末端部以及连接于所述第一正极末端部与所述第二正极末端部之间的一正极连接部，所述第一正极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述正极接点，所述第二正极末端部电性连接于相对应的所述测试用正极接点，且所述正极连接部沿着一第一切割路径延伸；其中，所述测试用负极线路层包括多个第一负极末端部、一第二负极末端部以及连接于所述第一负极末端部与所述第二负极末端部之间的一负极连接部，所述第一负极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述负极接点，所述第二负极末端部电性连接于相对应的所述测试用负极接点，且所述负极连接部沿着一第二切割路径延伸。
9.一种发光二极管晶圆检测方法，其特征在于，所述发光二极管晶圆检测方法包括：
提供一发光二极管晶圆，所述发光二极管晶圆包括多个发光二极管芯片、多个测试用正极线路层、多个测试用负极线路层、多个测试用正极接点以及多个测试用负极接点；
让电流由多个所述测试用正极接点输入后，再从多个所述测试用负极接点输出，以便于激发每一所述发光二极管芯片产生一光源；以及
利用一光检测模块对每一所述发光二极管芯片所产生的所述光源进行光学检测。
10.根据权利要求9所述的发光二极管晶圆检测方法，其特征在于，所述发光二极管晶圆包括一晶圆基底，且多个所述发光二极管芯片、多个所述测试用正极线路层、多个所述测试用负极线路层、多个所述测试用正极接点以及多个所述测试用负极接点都设置在所述晶圆基底上；其中，每一所述发光二极管芯片的一正极接点与一负极接点分别电性连接于相对应的所述测试用正极线路层与相对应的所述测试用负极线路层；其中，多个所述测试用正极接点分别电性连接于多个所述测试用正极线路层，多个所述测试用负极接点分别电性连接于多个所述测试用负极线路层；其中，所述测试用正极线路层与所述测试用负极线路层分别设置在一第一水平面以及一第二水平面上，所述测试用正极接点与所述测试用负极接点分别设置在所述第一水平面与所述第二水平面上，且所述第一水平面高于、低于或者等于所述第二水平面；其中，所述测试用正极线路层包括多个第一正极末端部、一第二正极末端部以及连接于所述第一正极末端部与所述第二正极末端部之间的一正极连接部，所述第一正极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述正极接点，所述第二正极末端部电性连接于相对应的所述测试用正极接点，且所述正极连接部沿着一第一切割路径延伸；其中，所述测试用负极线路层包括多个第一负极末端部、一第二负极末端部以及连接于所述第一负极末端部与所述第二负极末端部之间的一负极连接部，所述第一负极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述负极接点，所述第二负极末端部电性连接于相对应的所述测试用负极接点，且所述负极连接部沿着一第二切割路径延伸。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11869816B2 (en) * 2021-07-26 2024-01-09 Excellence Opto. Inc. LED package with multiple test pads and parallel circuit elements
CN113533802B (zh) * 2021-09-17 2022-01-21 山东昊特自动化仪表有限公司 一种半导体制造用的通电测试装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050194990A1 (en) * 2004-03-08 2005-09-08 Sioptical, Inc. Wafer-level opto-electronic testing apparatus and method
CN100470749C (zh) * 2005-10-24 2009-03-18 南茂科技股份有限公司 发光二极管的晶圆级测试方法及构造
US20120012871A1 (en) * 2010-07-15 2012-01-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light emitting device
EP2439517A1 (en) * 2010-10-11 2012-04-11 Industrial Technology Research Institute Detection method and detection device for wafer level led chips and transparent probe card thereof
CN102486520A (zh) * 2010-12-04 2012-06-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源测试装置
US20120249776A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 Ji Won-Soo Light-emitting device inspecting apparatus and method
US20140151735A1 (en) * 2007-11-14 2014-06-05 Cree, Inc. Lateral semiconductor light emitting diodes having large area contacts
US20180084614A1 (en) * 2016-09-22 2018-03-22 X-Celeprint Limited Multi-led components
US20180261658A1 (en) * 2017-03-10 2018-09-13 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI296705B (en) * 2004-12-24 2008-05-11 Innolux Display Corp Device and method for inspecting a matrix substrate
US7923745B2 (en) * 2007-07-18 2011-04-12 Harvatek Corporation LED chip package structure with high-efficiency light-emitting effect and method of packaging the same
US8476918B2 (en) * 2010-04-28 2013-07-02 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Apparatus and method for wafer level classification of light emitting device
JP2012028686A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Nitto Denko Corp 発光装置の検査方法および発光装置の検査後の処理方法
EP2628195B1 (en) * 2010-10-12 2014-12-24 Koninklijke Philips N.V. Pec biasing technique for leds
JP5413404B2 (ja) * 2011-05-30 2014-02-12 パナソニック株式会社 Ｌｅｄパッケージ製造システムおよびｌｅｄパッケージ製造システムにおける樹脂塗布方法
US8748202B2 (en) * 2012-09-14 2014-06-10 Bridgelux, Inc. Substrate free LED package
TWI485387B (zh) * 2013-07-31 2015-05-21 Genesis Photonics Inc 發光二極體的檢測裝置
US10761146B2 (en) * 2017-05-29 2020-09-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer probe card for evaluating micro light emitting diodes, analysis apparatus including the same, and method of fabricating the wafer probe card
TW201917811A (zh) * 2017-06-26 2019-05-01 美商特索羅科學有限公司 發光二極體質量傳遞設備及製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050194990A1 (en) * 2004-03-08 2005-09-08 Sioptical, Inc. Wafer-level opto-electronic testing apparatus and method
CN100470749C (zh) * 2005-10-24 2009-03-18 南茂科技股份有限公司 发光二极管的晶圆级测试方法及构造
US20140151735A1 (en) * 2007-11-14 2014-06-05 Cree, Inc. Lateral semiconductor light emitting diodes having large area contacts
US20120012871A1 (en) * 2010-07-15 2012-01-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light emitting device
EP2439517A1 (en) * 2010-10-11 2012-04-11 Industrial Technology Research Institute Detection method and detection device for wafer level led chips and transparent probe card thereof
CN102486520A (zh) * 2010-12-04 2012-06-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源测试装置
US20120249776A1 (en) * 2011-03-29 2012-10-04 Ji Won-Soo Light-emitting device inspecting apparatus and method
US20180084614A1 (en) * 2016-09-22 2018-03-22 X-Celeprint Limited Multi-led components
US20180261658A1 (en) * 2017-03-10 2018-09-13 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer

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