KR101593643B1 - 포토루미네선스 영상을 이용한 ｌｅｄ 에피-웨이퍼 검사장치 - Google Patents

포토루미네선스 영상을 이용한 ｌｅｄ 에피-웨이퍼 검사장치 Download PDF

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Abstract

본 발명의 LED 에피-웨이퍼 검사 방법은, LED 칩 제작 전 여기 광을 이용하여 LED 에피-웨이퍼의 광 특성을 평가하는 방법으로서, 상기 LED 에피-웨이퍼에 대한 PL 영상을 획득하고, 상기 PL 영상을 분석하며, 상기 PL 영상에서 비발광성 결함을 상기 LED 칩 제작 시 발광 특성의 저하로 판단하는 것을 포함할 수 있다. 이와 같은 본 발명에 의하면, LED 칩 제조 공정 전에 LED 칩 발광 특성을 미리 예측할 수 있어 LED 에피-웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

포토루미네선스 영상을 이용한 ＬＥＤ 에피-웨이퍼 검사장치 {Device for inspecting LED epi-wafer using photoluminescence imaging}
본 발명은, 포토루미네선스(PL) 측정을 통하여 결정 성장이 끝난 상태의 LED 에피-웨이퍼의 기본적인 광 특성을 평가하기 위한 LED 에피-웨이퍼 검사장치 및 검사방법에 관한 것으로, 더 구체적으로는 여기광과 영상 시스템을 이용하여 LED 에피-웨이퍼의 PL 영상을 획득하고 분석함으로써, LED 칩 제작 후 특성을 미리 예측하여 LED 칩 불량을 판단할 수 있어 수율 예측이 가능하며, 수율 계산을 위한 파라미터로는 암 점(dark spot)의 크기나 숫자 그리고 그레이 스케일(grey scale)의 차이나 숫자를 고려함으로써 LED 칩 광출력 특성의 양부를 쉽게 예측할 수 있는 LED 에피-웨이퍼 검사장치 및 검사방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기 금속화학증착 방법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)을 이용하여 기판 위에 필요한 결정층이 성장된 LED 에피-웨이퍼는 칩 제조 공정으로 투입되기 전에 검사 과정을 거치는데, 이때 주로 사용하는 것이 포토루미네선스(이하, PL라 함)이다.
PL 측정은 LED 에피-웨이퍼의 활성층에 대한 특성을 검사하기 위한 것으로 LED의 파장을 결정하는 활성층의 밴드갭 에너지보다 높은 에너지를 가지는 광, 즉, LED의 파장보다 짧은 파장을 가지는 광을 여기광으로 사용하여 활성층의 가전자대에 있는 전자를 전도대로 여기 시키고, 이 여기된 전자들이 에너지를 광으로 방출하면서 다시 가전자대로 떨어질 때 이 광을 검출하는 것이다.
PL 측정을 통해 LED 에피-웨이퍼의 활성층 결정이 칩으로 동작하기에 충분한 양질의 결정인지를 검사하기 위한 항목은 PL 파장, PL 세기 및 PL 스펙트럼의 반치폭 등이 있다.
LED 에피-웨이퍼를 검사하는 방법은 위치별로 p-n접합구조 층이 성장된 에피-웨이퍼의 특성을 파악하여 검사하는 것으로, 주로 사용되는 방법은 PL 맵핑(mapping)이다. 이와 같은 PL 맵핑 방법은 에피-웨이퍼 상의 구역을 잘게 나누어 각 구역의 PL 신호를 검출하고 그 결과를 맵핑하여 에피-웨이퍼 상 위치에 따른 PL 특성의 분포를 확인한다. 그러나 PL 분석에서는 발광 특성을 얻기 위해 여기광을 이용하기 때문에 실제 칩 제작 후 전류 주입에 의한 LED의 발광 특성을 정확하게 예측하기에는 적합하지 않다. 이와 같은 문제를 해결하기 위해 에피웨이퍼에 대한 전기루미네선스(EL) 매핑 방법이 대안으로 제시되었으나, LED의 특성을 PL 매핑에 비해 보다 정확하게 예측할 수 있다는 장점보다 측정 시간이 PL 분석에 비하여 길다는 단점이 부각되고 있다.
더욱이, 향후 LED 생산 시 에피-웨이퍼의 대형화와 대량생산 추세를 고려할 때, 에피-웨이퍼의 PL 특성 분석은 보다 빠르고 정확한 정보를 얻을 수 있는 분석과 검사 방법의 개발이 요구되고 있다.
공개특허 10-2014-0044376
따라서 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 여기광을 이용하여 LED 칩 제작 공정 전인 에피웨이퍼 상태에서, 미리 칩 제작 후의 LED 칩 특성을 신속하고 정확하게 분석할 수 있는 LED 에피-웨이퍼 검사장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 LED 에피-웨이퍼의 PL 영상을 이용하여 비발광 특성을 평가하고, PL 영상의 비발광성 결함과 LED 에피-웨이퍼의 비발광 특성의 상관관계를 파악하여, LED 칩 제작 시 LED 칩 발광 특성까지 예측할 수 있는 LED 에피-웨이퍼 검사장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 LED 에피-웨이퍼의 PL 특성을 이용하여 LED 에피-웨이퍼의 불량을 판단하고, 수율(yield)을 미리 계산할 수 있는 LED 에피-웨이퍼 검사장치 및 방법을 제공하는 것이다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 본 발명의 PL 영상을 이용한 LED 에피-웨이퍼 검사 장치는 여기 광을 이용하여 결정 성장이 끝난 상태의 LED 에피-웨이퍼의 발광 특성을 평가하고, 상기 LED 에피-웨이퍼를 이용하여 제작한 LED 칩 발광 특성을 예측하는, PL 영상을 이용한 LED 에피-웨이퍼 검사 장치에 있어서, 상기 LED 칩 발광 파장보다 짧은 여기 광을 출력하는 광원, 상기 출력 광을 확산시키는 디퓨저, 상기 확산광에 의하여 LED 에피-웨이퍼로부터 방출되는 광에서 소정 파장 대역의 방출 광만을 통과시키는 필터, 상기 방출 광에 대한 PL 영상을 획득하는 카메라, 상기 PL 영상을 처리하여 PL 이미지를 생성하는 PL 영상 처리부, 및 상기 PL 이미지로부터 비발광성 결함을 검출하여 상기 LED 칩의 발광 특성을 예측하는 발광 특성 예측부를 포함한다.
본 발명의 PL 영상을 이용한 LED 에피-웨이퍼 검사 방법은, LED 칩 제작 전 여기 광을 이용하여 LED 에피-웨이퍼의 광 특성을 평가하는 방법에 있어서, 상기 LED 에피-웨이퍼에 대한 PL 영상을 획득하는 단계, 상기 PL 영상을 분석하는 단계, 및 상기 PL 영상에서 비발광성 결함을 상기 LED 칩 제작 시 발광 특성의 저하로 판단하는 단계를 포함한다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 구성에 의하면 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.
첫째, LED 에피-웨이퍼의 PL 영상만을 이용하여 비발광 특성을 평가하기 때문에, 검사 시간이 짧고 편리한 공정상 이점이 있다.
둘째, 여기 광을 이용함으로써, 비접촉 방법으로 LED 칩 제조 공정 전에 LED 칩 발광 특성을 미리 예측할 수 있어 에피-웨이퍼 손상이 없으며 경제적이다.
셋째, 비발광성 결함과 비발광 특성과의 상관관계를 통하여, 제조 공정이 진행한 후의 LED 칩의 불량 여부를 예측할 수 있어, 수율을 미리 판단하여 생산성을 향상시킨다.
도 1은 본 발명에 의한 PL을 이용한 LED 에피-웨이퍼 검사장치의 구성도.
도 2는 도 1에 의하여 추출된 PL 이미지와, LED 칩 제작 후 칩 프로브 결과의 영상 사진.
도 3은 본 발명에 의한 결함과 비발광 특성을 비교하는 영상 사진 및 표.
도 4a는 본 발명에 의한 결함 크기와 비발광성 결합 계수의 함수관계를 나타내는 그래프이고, 도 4b는 그레이 스케일과 비발광성 결합 계수의 함수관계를 나타내는 그래프.
도 5는 본 발명에 의한 PL 이미지로부터 얻어진 암 점/그레이 스케일과 LED 광 출력을 비교한 영상 사진.
도 6a는 본 발명에 의한 암 점 크기와 LED 광 출력의 함수관계를 나타내고, 도 6b는 그레이 스케일과 LED 광 출력의 함수관계를 나타내는 그래프.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해 질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려 주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 상기한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 PL 영상을 이용한 LED 에피-웨이퍼 검사장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 PL 영상을 이용한 LED 에피-웨이퍼 검사장치는 여기 광을 이용하여 결정 성장이 끝난 상태의 LED 에피-웨이퍼의 발광 특성을 평가하고, LED 에피-웨이퍼의 제조 공정을 진행한 후 LED 칩 발광 특성을 예측하는 것이다.
도 1을 참조하면, PL 영상을 이용한 LED 에피-웨이퍼 검사장치(100)는, 광을 출력하는 광원(110), 상기 출력 광을 확산시키는 디퓨저(120), 상기 확산 광에 의하여 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)로부터 방출되는 광에서 소정 파장 대역의 방출 광만을 통과시키는 필터(130), 상기 방출 광에 대한 PL 영상을 획득하는 카메라(140), 상기 PL 영상을 처리하여 PL 이미지를 생성하는 영상 처리부(150), PL 특성을 표시하는 디스플레이(160), 및 PL 이미지로부터 비발광성 결함을 검출하여 LED 칩의 발광 특성을 예측하는 발광 특성 예측부(도시되지 않음)를 포함한다.
상기 출력 광의 경로를 변경시키는 미러(170), 카메라(140)의 전단에 설치되어 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)의 촬영 영역을 확대시키는 렌즈(180), 및 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)를 고정시키는 스테이지(190)를 더 포함할 수 있다.
광원(110)은 제어부의 제어에 따라 출력 광의 세기를 변경하면서 광을 출력한다. 즉, 검사대상 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)의 발광 파장보다 짧은 파장을 갖는 광을 출력한다.
여기서, 기판 상에 필요한 활성층을 성장시킨 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)를 검사하기 위해서는 상기 활성층의 밴드갭 에너지보다 높은 에너지를 갖는 여기 광, 즉, LED의 발광 파장보다 짧은 파장의 여기 광이 필요하다. 따라서 여기 광은 LED 발광 파장보다 짧은 영역의 레이저(laser) 또는 고출력 LED를 이용할 수 있다.
디퓨저(120)는 광원(110)으로부터 출력된 여기 광을 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)의 전체 표면상에 균일하게 조사되도록 필요한 크기로 확산시킨다.
필터(130)는 카메라(140)의 전단에 설치되어 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)에서 방출된 광 중 미리 설정된 파장대역의 광을 통과시키는 하나의 대역통과필터로 구성된다. 그러나 필요에 따라 여러 파장대역에 대해서도 측정이 필요한 경우에는 다수의 대역통과필터로 구성할 수도 있다.
카메라(140)는 디퓨저(120)로부터 조사된 광에 의해 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)로부터 방출되고 렌즈(180)를 이용하여 최대로 확대된 광에 대한 영상을 획득한다. 카메라(140)는 CCD 카메라 또는 CMOS 카메라를 포함할 수 있다.
영상 처리부(150)는 카메라(140)로부터 획득된 PL 영상에서 결함이 없는 영역과 비발광성 결함이 있는 영역을 포함하는 PL 이미지를 생성한다.
디스플레이(160)는 측정된 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)의 PL 특성을 비주얼로 확인할 수 있도록 영상 처리부(150)에서 처리된 PL 이미지를 표시한다.
미러(170)는 각 부품 사이의 간격을 줄여 전체 검사 장치의 부피를 최소화하면서도 광 경로를 확장시켜주기 위하여 광원(110)으로부터 방출되는 광의 경로를 변경시킨다.
렌즈(180)는 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)에 대한 전체 영역이 가급적 한 프레임에 검출되도록 검사대상 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)의 크기에 따라 배율이 결정된다. 또한 렌즈(180)의 배율은 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)의 세부 영역을 확대할 수 있도록 조정할 수 있다.
스테이지(190)는 유기 금속화학증착법(MOCVD)에 의해 성장된 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)를 웨이퍼홀더를 통하여 고정시키고 공정 순서에 따라 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)를 이동시킨다.
이와 같이 구성된 본 발명의 검사장치(100)에 의하면, PL 이미지의 결함이 없는 영역과 대비하여 비발광성 결함이 있는 영역을 검출하고, 이를 통해 LED 칩 발광 특성을 정확하고 신속하게 예측할 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 PL 영상을 이용한 LED 에피-웨이퍼 검사방법을 설명한다.
본 발명의 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED) 구조의 결정 성장이 끝난 상태인 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)의 기본적인 발광 특성에 대한 평가는 광루미네선스 (photoluminescence, PL) 측정을 통해 이루어지는 것으로 한다.
또한 본 발명의 PL 특성 평가 방법은 LED 칩 제작 후 전류 주입에 따른 LED 발광 특성을 평가하는 것이 아니고, LED 칩 제작 전 여기 광을 이용하여 발광 특성을 파악하는 것이다.
즉, 본 발명의 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)에 대한 PL 특성 분석 방법은 공정을 진행하지 않은 상태에서 LED의 특성을 보다 정확하게 예측하고, 특히 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)에 대한 PL 영상을 획득하여 분석함으로써 짧은 검사 시간 동안 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)의 특성을 평가할 수 있고, PL 영상에서 나타난 정보를 이용하여 제조 공정을 진행한 후의 LED 칩 특성을 효과적으로 예측할 수 있다.
이에, LED 에피-웨이퍼(Ｗ)에 여기 광을 출력하고, 카메라(140)를 이용하여 LED 에피-웨이퍼(Ｗ) 전체를 촬상하여 LED 에피-웨이퍼(Ｗ) 전체의 PL 영상을 캡쳐하며, 이를 영상 처리부(150)로 전송하면, 영상 처리부(150)는 PL 영상을 처리하여 PL 이미지로 형성하여 이를 디스플레이하거나 발광 특성 예측부를 통하여 PL 특성을 분석하도록 할 수 있다.
즉, LED 에피-웨이퍼(Ｗ)에 대한 PL 영상을 획득하고, 상기 PL 영상을 분석하여, PL 영상으로부터 LED 칩 제작 시 발광 특성을 판단할 수 있다. 가령, 비발광성 결함을 LED 칩 제작 시 발광 특성의 저하로 판단할 수 있다.
이러한 비발광성 결함은 LED 칩 제작 시 발광 특성의 저하로 연결되는 것을 알 수 있다. 따라서 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)에 대한 PL 영상을 분석하여 칩 제작 시 영향을 주는 요소를 판단하고자 한다.
또한, 비발광성 결함 검출을 통하여 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)의 수율을 계산할 수 있다. 가령, 암 점 검출 및 스케일 검출 결과에 따라 에피-웨이퍼의 수율을 계산할 수 있다. 이때, 결함이 없는 영역과 대비한 암 점의 크기 정도, 암 점의 개수와 위치, 결함이 없는 영역과 대비한 그레이 스케일의 차이 정도 등을 수율(yield) 계산의 파라미터로 고려할 수 있다.
도 2는 전술한 방법에 의하여 획득된 영상 사진으로부터 추출된 PL 이미지와 LED 칩 제작 후 칩 프로브의 결과를 비교한 것이다. 즉, 도 2는 암 점(dark spot)과 LED 에피-웨이퍼(Ｗ)를 이용하여 칩 제작 후 LED 칩 발광 특성과의 관계를 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, PL 이미지로부터 비발광성 결함이 예상되는 암 점(dark spot)이 검출됨을 알 수 있다. 이를 통해 다음과 같은 PL 특성 분석 방법을 도출할 수 있다.
LED 에피-웨이퍼(Ｗ)의 방출 광은 LED의 발광 영역인 활성층의 특성을 평가하는 기본 특성이기 때문에, 여기서 사용되는 여기 광은 LED 발광 파장보다 짧은 영역의 레이저 또는 고출력 LED를 사용하는 것으로 한다.
이러한 PL 영상 처리방법은 LED 에피-웨이퍼(Ｗ) 전면 또는 일정 부분에 퍼트려서 조사된 여기 광에 의해 나타나는 방출 광을, LED 에피-웨이퍼(Ｗ) 표면에 대한 영상으로 확인하여 웨이퍼 특성을 평가하고자 한다.
PL 영상 분석방법은 LED 에피-웨이퍼(Ｗ) 내부에 존재하는 비발광성 결함에 의해 PL 강도가 감소하거나 PL이 나타나지 않는 부분(가령, dark spot)을 검출하고, 이를 이용하여 여러 가지 발광 특성을 비교하는 것이다.
본 발명은 ① 암 점(dark spot)에 따른 비발광 특성 외에도 ② 그레이 스케일(grey scale)에 따른 비발광 특성을 비교하여 LED 에피-웨이퍼의 특성 및 칩 제작 후 LED 칩 발광 특성을 평가하고자 한다.
① PL 이미지에 의해 관측된 암 점( dark spot ) 크기, 및 그레이 스케일( grey scale ) 차이에 따른 비발광 특성 비교 실험 결과
도 3은 암 점(dark spot)의 크기 및 그레이 스케일(grey scale) 차이를 비발광성 결합 계수(Shockley-Read-Hall nonradiative recombination coefficient)와 비교하여, 그 상관관계를 나타낸 것이다.
도 3을 참조하면, 반드시 일치하는 것은 아니지만 대체로 암 점(dark spot) 크기가 크면 그레이 스케일(grey scale) 또한 커지는 것을 알 수 있다.
도 4a는 결함의 크기(size of dark spot)와 비발광성 결합 계수(Shockley-Read-Hall nonradiative recombination coefficient)의 함수관계를 나타내고, 도 4b는 그레이 스케일(grey scale difference)과 비발광성 결합 계수(nonradiative coefficient)의 함수관계를 나타낸 것이다.
도 4a 및 도4b를 참조하여, PL 이미지에 의해 관측된 암 점(dark spot)의 사이즈, 및 그레이 스케일(grey scale)의 차이에 따른 비발광(발광방해요소) 특성을 비교하여, 웨이퍼 특성을 평가하면 다음과 같다.
먼저 PL 이미지에 의해 관측된 암 점의 사이즈에 따른 비발광 특성을 비교한다. 비교 결과, PL 이미지에서 검출되는 암 점의 사이즈가 클수록, LED의 광 출력을 저해하는 비발광 특성이 증가하는 것을 알 수 있다.
다음 PL 이미지에 의해 관측된 그레이 스케일의 차이에 따른 비발광 특성을 비교한다. 비교 결과, PL 이미지에서 검출되는 그레이 스케일의 차이가 클수록, LED 칩의 광 출력을 저해하는 비발광 특성이 증가하는 것을 알 수 있다.
이때, 비발광성 결함을 일으키는 결함 원인으로 기판과 에피택셜 구조 사이의 격자 불일치로 인해서 나타나는 쓰래딩 전위(threading dislocation)가 가장 큰 것으로 예상된다.
② PL 이미지에 의해 관측된 암 점( dark spot ) 크기 및 그레이 스케일( grey scale ) 차이에 따른 LED 칩 광 출력 비교 실험 결과
도 5는 LED 에피-웨이퍼의 PL 이미지로부터 얻어진 암 점(dark spot)과 LED 칩 발광 출력, 그리고 그레이 스케일(grey scale)과 LED 칩 발광 출력을 비교한 것이다.
도 5를 참조하면, PL 이미지에서 검출되는 암 점(dark spot)의 크기와 그레이 스케일(grey scale) 차이(가령, 결함이 없는 부분과의 영상 차이)가 클 경우, 실제 제작된 LED 광 출력에서 광 출력 저하가 관찰되는 것을 알 수 있다.
도 6a는 암 점의 크기(um)와 LED 광 출력(mW)의 함수관계를 나타낸 것이고, 도 6b는 그레이 스케일(arb. unit)과 LED 광 출력(mW)의 함수관계를 나타낸 것이다.
도 6a를 참조하면, 암 점이 클수록 LED 칩 광 출력이 저하되고, 마찬가지로 도 6b를 참조하면, 그레이 스케일 차이가 클수록 LED 칩 광 출력이 저하되는 것을 알 수 있다. 다만, 도 6a에서 암 점의 크기와 LED 칩 광 출력이 거의 선형적으로 반비례 관계에 있는 점에서, 암 점의 크기가 그레이 스케일 차이보다 더 높은 상관관계가 있는 것으로 알 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 암 점(Dark spot)의 그레이 스케일(grey scale)은 발광 특성의 저하 정도를 나타내므로 이를 이용하여 위치별 광 출력 감소 분석과 LED 칩 특성 분포 및 이에 따른 수율 예측이 가능한 구성을 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 이와 같은 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능할 것이다.
100: LED 에피-웨이퍼 검사 장치
110: 광원 120: 디퓨저
130: 필터 140: 카메라
150: 영상 처리부 160: 디스플레이
170: 미러 180: 렌즈
190: 스테이지

Claims (10)

  1. 여기 광을 이용하여 결정 성장이 끝난 상태의 LED 에피-웨이퍼의 발광 특성을 평가하고, 상기 LED 에피-웨이퍼로 LED 칩 제조 공정을 진행했을 때 상기 LED 칩 제조 공정 전인 상기 LED 에피-웨이퍼 상태에서 상기 LED 칩 발광 특성을 예측하는 PL 영상을 이용한 LED 에피-웨이퍼 검사 장치에 있어서,
    상기 LED 칩 발광 파장보다 짧은 여기 광을 출력하는 광원;
    상기 출력 광을 확산시키는 디퓨저;
    상기 확산 광에 의하여 LED 에피-웨이퍼로부터 방출되는 광에서 소정 파장 대역의 방출 광만을 통과시키는 필터;
    상기 방출 광에 대한 PL 영상을 획득하는 카메라;
    상기 PL 영상을 처리하여 PL 이미지를 생성하는 PL 영상 처리부; 및
    상기 PL 이미지로부터 비발광성 결함을 검출하여 상기 LED 칩의 발광 특성을 예측하는 발광 특성 예측부를 포함하는 것을 특징으로 하는 PL 영상을 이용한 LED 에피-웨이퍼 검사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광 특성 예측부는, 상기 비발광성 결함과 상기 LED 칩의 발광 특성의 상관관계를 도출하되, 상기 상관관계는 암 점(dark spot)의 크기(size) 및 그레이 스케일(grey scale)의 차이(difference)를 비발광성 결합 계수(Shockley-Read-Hall nonradiative recombination coefficient)와 비교할 때, 상기 비발광성 결합계수가 큰 결함 일수록 상기 암 점(dark spot)의 크기(size) 및 상기 그레이 스케일(grey scale)의 차이(difference)가 커지는 것을 특징으로 하는 PL 영상을 이용한 LED 에피-웨이퍼 검사 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 발광 특성 예측부는, 상기 비발광성 결함과 상기 LED 칩의 발광 특성의 상관관계를 도출하되, 상기 암 점의 크기 및 그레이 스케일의 차이를 상기 LED 칩 발광 출력과 비교할 때, 상기 LED 칩 발광 출력이 낮을수록 상기 에피-웨이퍼에서 측정된 상기 암 점(dark spot)의 크기(size) 및 상기 그레이 스케일(grey scale)의 차이(difference)가 큰 것을 특징으로 하는 PL 영상을 이용한 LED 에피-웨이퍼 검사 장치.
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