KR102580562B1 - 이미징 시스템 설계에서의 차동 간섭 대비 스캐닝 - Google Patents
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Abstract
검사 시스템에는 조명원, TDI-CCD 센서 및 암시야/명시야 센서가 포함된다. 편광기는 광원으로부터 광을 수신한다. 편광기로부터의 광은 반파장판을 통과하는 것과 같은 월라스턴 프리즘으로 지향된다. TDI-CCD 센서와 암시야/명시야 센서의 사용은 높은 공간 분해능, 높은 결함 검출 민감도와 신호 대 잡음비, 및 빠른 검사 속도를 제공한다.
Description
(관련 특허 출원 상호 참조)
본 출원은 2018년 10월 26일자로 출원된 미국 가특허 출원 제62/751,472호에 대한 우선권을 주장하며, 그 개시 내용은 본 명세서에 참조로 포함된다.
(발명의 분야)
본 발명은 웨이퍼를 검사하기 위한 이미징 시스템에 관한 것이다.
반도체 제조 산업의 발전은 수율 관리와, 특히, 계측 및 검사 시스템에 대한 더 많은 요구를 대체하고 있다. 중요 규격들은 계속 축소되고 있지만, 당업계는 고수율, 고부가가치를 달성하기 위해 생산 시간을 감소시켜야 한다. 수율 문제의 검출부터 이를 해결하기까지의 총 시간을 최소화하는 것이 반도체 제조업체의 투자 수익률을 결정한다.
로직 및 메모리 디바이스와 같은 반도체 디바이스의 제조는 일반적으로 반도체 디바이스의 다양한 피처 및 복수의 레벨을 형성하기 위해 다수의 제조 공정을 사용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 것을 포함한다. 예를 들어, 리소그래피(lithography)는 레티클(reticle)로부터 반도체 웨이퍼 상에 배열된 포토레지스트로 패턴을 전사하는 것을 포함하는 반도체 제조 공정이다. 반도체 제조 공정의 추가적인 예시는 화학 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing)(CMP), 에칭, 성막 및 이온 주입을 포함하지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 복수의 반도체 디바이스는 단일 반도체 웨이퍼 상에 배열체로 제조된 다음 개별 반도체 디바이스들로 분리될 수 있다.
검사 공정들은, 반도체 제조 동안, 다양한 단계에서 웨이퍼의 결함을 검출하여 제조 공정에서의 수율을 높임으로써 수익을 증대하는 데 사용된다. 검사는 집적 회로(Integrated Circuit)(IC)들과 같은 반도체 디바이스들을 제조하는 데 있어 항상 중요한 부분이었다. 그러나, 반도체 디바이스들의 규격이 축소됨에 따라 더 작은 결함으로도 디바이스들이 고장날 수 있기 때문에, 가용 반도체 디바이스들을 성공적으로 제조하기 위해서는 검사가 더욱 중요해진다. 예를 들어, 반도체 디바이스들의 규격이 축소됨에 따라, 상대적으로 작은 결함이더라도 원치 않는 이상(aberration)이 반도체 디바이스들에 유발될 수 있기 때문에, 크기 축소로 인한 결함의 검출이 필요하게 되었다.
그러나, 설계 규칙들이 축소됨에 따라, 반도체 제조 공정들은 공정들의 수행 능력의 한계에 가깝게 운영될 수 있다. 또한, 설계 규칙들이 축소됨에 따라, 더 작은 결함들이 디바이스의 전기적 파라미터들에 영향을 미칠 수 있고, 이로 인해 더 민감한 검사들이 수행될 수 있다. 설계 규칙들이 축소됨에 따라, 검사를 통해 검출된 잠재적인 수율 관련 결함의 수가 급격히 증가하고, 검사를 통해 검출된 불필요한 결함(nuisance defect)의 수도 급격히 증가한다. 따라서, 웨이퍼에서 더 많은 결함들이 검출될 수 있으며, 이 모든 결함들을 제거하기 위한 공정을 수정하는 것은 어렵고 비용이 많이 들 수 있다. 실제로 어떤 결함들이 디바이스들의 전기적 파라미터들과 수율에 영향을 미치는지가 결정되면, 공정 제어 방법들은 이러한 결함들에 초점을 맞추고 그 외의 결함들은 대부분 무시하게 할 수 있다. 또한, 더 작은 설계 규칙들에서는 경우에 따라 공정으로 인한 고장이 체계적으로 발생하는 경향이 있다. 즉, 공정으로 인한 고장은 설계 내에서 여러 번 반복되는 사전 결정된 설계 패턴에서 종종 고장이 발생하는 경향이 있다. 공간 체계적(spatially-systematic) 결함과 전기 관련 결함의 제거는 수율에 영향을 미칠 수 있다.
반도체 디바이스 제조 공정들에 대한 허용 오차가 계속해서 작아짐에 따라, 반도체 웨이퍼 검사 도구들에 대한 개선 요구도 계속해서 증가하고 있다. 웨이퍼 검사에 적합한 검사 도구들의 유형에는 샘플(예컨대, 반도체 웨이퍼)로부터의 산란 정보를 이용하는 암시야(Dark Field)(DF) 검사 도구와, 샘플로부터의 위상 정보를 이용하는 차동 간섭 대비(Differential Interference Contrast)(DIC) 검사 도구가 있다. 일반적으로, DF 및 DIC 정보를 모두 검색할 때, 소정의 검사 도구나 현미경은, 광학 컴포넌트들, 광학 레이아웃 및 검출 신호에서의 차이 및/또는 비호환성으로 인해, DF 모드 또는 DIC 모드에서 독립적으로 작동한다. DF 및 DIC 신호들을 개별적으로 검출하기 위해 다른 광학 레이아웃을 별도로 실행할 수 있지만, 움직이는 샘플(예컨대, 생물학적 살아있는 세포)을 관찰하는 동안, 2개의 분리된 신호를 결합하는 것은 시간이 많이 걸리고 때로는 불가능하다. 반도체 제조 산업에서는, 검사 장비가 하나 이상의 결함을 신속하게 찾아내 분류할 수 있는 것이 중요하다. 결과적으로, DF 및 DIC 검사를 별도의 작업들로 수행하면, 웨이퍼 검사 공정에 대한 유용성이 감소된다.
결함 검사 시스템에 대한 민감도 및 스루풋 요건이 증가함에 따라, DIC 성능은 기존 아키텍처로는 한계에 다다른다. DIC는 공간 분해능(spatial resolution)이 나빠, 결과적으로, 결함 검사 시스템에 대한 결함 검출 민감도(defect detection sensitivity)가 낮을 수 있다. 공간 분해능을 증가시키기 위해서는, 검사면 상의 광 스팟 크기를 줄여서 검사 처리량을 낮춰야 한다.
따라서, 개선된 검사 시스템들 및 검사 방법들이 필요하다.
장치는 제 1 실시예에서 제공된다. 장치는 적어도 하나의 조명원; 웨이퍼를 고정하도록 구성된 스테이지; TDI-CCD 센서; 암시야/명시야 센서(dark field/bright field sensor); 조명원으로부터의 광 경로 내의 필드 스톱(field stop); 광 경로 내의 편광기(polarizer); 광 경로 내의 월라스턴 프리즘(Wollaston prism); 광 경로 내의 보정 렌즈 광학 장치; 월라스턴 프리즘으로부터 P 편광과 S 편광을 수신하는 광 경로 내의 미러; 및 광 경로 내의 대물렌즈 어셈블리를 포함한다. 편광기는 P 편광을 통과시키고 S 편광을 반사시키도록 구성된다. 월라스턴 프리즘은 P 편광과 S 편광을 형성한다. 보정 렌즈 광학 장치, 미러 및 대물렌즈 어셈블리는 P 편광과 S 편광이 스테이지에 포커싱되도록 구성되며, P 편광과 S 편광은 월라스턴 프리즘의 전단 방향(shear direction)에서 분리되어 있고, P 편광과 S 편광은 월라스턴 프리즘에서 결합한다.
편광기는 편광 빔 스플리터 큐브(polarizing beam splitter cube)일 수 있다.
필드 스톱은 제어된 가변 필드 스톱(controlled variable field stop)일 수 있다. 필드 스톱의 접선 폭(tangential width)은 스캐닝 반경에 따라 변하도록 구성될 수 있으며, 이에 따라 필드 스톱의 단부에서의 접선 폭은 필드 스톱의 대향 단부에서의 접선 폭보다 더 크다.
해당 장치는 광 경로 내에 P 편광을 45도 회전시키는 반파장판(half wave plate)을 더 포함할 수 있다.
월라스턴 프리즘은 기본 축(principle axis)과 0도로 배향될 수 있다.
미러는 폴드 미러(fold mirror)일 수 있다.
조명원은 광대역 발광 다이오드(broadband light emitting diode)일 수 있다.
장치는 대물렌즈 어셈블리와 미러 사이의 광 경로에 다이크로익 미러를 더 포함할 수 있다. 다이크로익 미러는 S 편광을 암시야/명시야 센서로 지향시킬 수 있다.
장치는 필드 스톱과 편광기 사이의 광 경로에 시준 광학 어셈블리를 더 포함할 수 있다.
장치는 차동 간섭 대비 모드(differential interference contrast mode)를 제공하도록 구성될 수 있다.
방법은 제 2 실시예에서 제공된다. 방법은 조명원을 사용하여 광빔을 생성하는 단계를 포함한다. 광빔은 조명원으로부터 필드 스톱을 거쳐 지향된다. 광빔은 필드 스톱으로부터 편광기를 거쳐 지향된다. 광빔은 편광기로부터 월라스턴 프리즘으로 지향된다. 광빔은 월라스턴 프리즘으로부터 보정 렌즈 광학 장치로 지향된다. 광빔은 보정 렌즈 광학 장치로부터 미러로 지향된다. 광빔은 대물렌즈 어셈블리를 거쳐 스테이지 상의 웨이퍼를 향해 지향된다. 보정 렌즈 광학 장치, 미러 및 대물렌즈 어셈블리는 월라스턴 프리즘으로부터의 P 편광과 S 편광을 스테이지로 포커싱하도록 구성된다. P 편광과 S 편광은 월라스턴 프리즘의 전단 방향에서 분리된다. 스테이지 상의 웨이퍼에서 반사된 광빔은 다이크로익 미러를 사용하여 제1 광빔과 제2 광빔으로 분할된다. 제1 광빔은 암시야/명시야 센서에서 수신된다. 제2 광빔의 P 편광과 S 편광은 월라스턴 프리즘에서 결합된다. 월라스턴 프리즘에서의 제2 광빔은 TDI-CCD 센서에서 수신된다.
편광기는 광 경로에서 편광 빔 스플리터 큐브(polarizing beam splitter cube)일 수 있다. 편광 빔 스플리터는 P 편광을 통과시키고 S 편광을 반사시키도록 구성될 수 있다.
이 방법은 P 편광을 45도 회전시키는 반파장판을 통해 광빔을 지향시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 반파장판은 편광기와 월라스턴 프리즘 사이에 배치될 수 있다.
필드 스톱은 제어된 가변 필드 스톱일 수 있다. 필드 스톱의 접선 폭은 스캐닝 반경에 따라 변하도록 구성될 수 있으며, 이에 따라 필드 스톱의 단부에서의 접선 폭은 필드 스톱의 대향 단부의 접선 폭보다 더 크다.
월라스턴 프리즘은 기본 축과 0도로 배향될 수 있다.
미러는 폴드 미러일 수 있다.
조명원은 광대역 발광 다이오드일 수 있다.
방법은 차동 간섭 대비 모드를 제공하도록 구성될 수 있다.
방법은 시준 광학 어셈블리를 사용하여 필드 스톱에 의해 지향되는 광빔을 시준하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 본질 및 목적을 더욱 완전히 이해하기 위해, 이하의 상세한 설명을 첨부 도면과 함께 참조해야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 검사 시스템의 실시예의 블록도이다.
도 2는 광대역 발광 다이오드(Light Emitting Diode)(LED)를 사용한 조명과 레이저를 사용한 조명 간의 비교를 나타낸다.
도 3 및 도 4는, 본 발명의 실시예에 따라, TDI-CCD 센서 전체 및 본질적으로 TDI(Time-Delay-Integration)인 CCD 센서를 커버하는 박스들에서의 광학 시야를 나타낸다.
도 5는 본 발명에 따른 이미지 블러링 제어(image blurring control)를 나타낸다.
도 6은 본 발명에 따른 가변 필드 스톱의 실시예에 대한 블록도이다.
도 7은 도 6의 가변 필드 스톱을 나타낸다.
도 8은 본 발명에 따른 편광 광학 장치(polarizing optics)의 실시예에 대한 블록도이다.
도 9는 본 발명에 따른 방법의 흐름도이다.
도 1은 본 발명에 따른 검사 시스템의 실시예의 블록도이다.
도 2는 광대역 발광 다이오드(Light Emitting Diode)(LED)를 사용한 조명과 레이저를 사용한 조명 간의 비교를 나타낸다.
도 3 및 도 4는, 본 발명의 실시예에 따라, TDI-CCD 센서 전체 및 본질적으로 TDI(Time-Delay-Integration)인 CCD 센서를 커버하는 박스들에서의 광학 시야를 나타낸다.
도 5는 본 발명에 따른 이미지 블러링 제어(image blurring control)를 나타낸다.
도 6은 본 발명에 따른 가변 필드 스톱의 실시예에 대한 블록도이다.
도 7은 도 6의 가변 필드 스톱을 나타낸다.
도 8은 본 발명에 따른 편광 광학 장치(polarizing optics)의 실시예에 대한 블록도이다.
도 9는 본 발명에 따른 방법의 흐름도이다.
비록 청구되는 주제가 특정 실시예들의 관점에서 설명되었지만, 본 명세서에 제시된 장점 및 특징 모두를 제공하지 않는 실시예들을 포함하는 다른 실시예들도 또한 본 발명의 범주 내에 포함된다. 본 발명의 범주를 벗어나지 않으면서 다양한 구조적, 논리적, 공정 단계, 및 전자적 변경이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명의 범주는 첨부된 청구 범위의 참조에 의해서만 정의된다.
본 명세서에 개시된 실시예들은 높은 공간 분해능(spatial resolution), 높은 결함 검출 감도(defect detection sensitivity) 및 신호 대 잡음비(Signal-to-Noise Ratio)(SNR) 및 빠른 검사 속도를 제공할 수 있다. 설계는 이미징 위상 대비 채널(Phase-Contrast Channel)(PCC)이라 지칭될 수 있다. 또한, PCC 설계는 상대적으로 적은 조명 예산과 우수한 필드 지연 균일성(field retardation uniformity)을 유지하면서 낮은 이미지 블러링을 제공한다.
본 명세서에 개시된 실시예들에는 이중 검사 시스템(dual inspector system)의 광학적 이미징에 의한 DIC 설계가 포함된다. 이미징 DIC는 스캐너 시스템에 TDI(Time-Delay-Integration) CCD(Charge-Coupled Device) 센서를 사용할 수 있다. DIC 설계는, 또한, R-θ 스캐너 시스템에서 광 예산 향상 및 이미지 블러링 감소를 위한 편광 광학 장치와 가변 필드 스톱(variable field-stop)을 구현할 수 있다.
본 명세서에 개시된 실시예들에서, TDI 센서는 독립형 스캐닝 검사 애플리케이션(standalone scanning inspector application)일 수 있다. 예를 들어, TDI 센서는 웨이퍼 결함 검사를 위한 독립형 스캐닝 검사 애플리케이션에 사용될 수 있다. 광대역 LED 조명원 또는 기타 조명원이 사용될 수 있다.
도 1은 검사 시스템(100)의 실시예의 블록도이다. 검사 시스템(100)은 TDI-CCD 센서를 갖는 이미징 광학 설계에서 DIC 아키텍처일 수 있다. 검사 영역에서는 DIC 선행 및 후행 빔 양쪽 모두가 TDI 센서에 이미징된다. 검사 시스템(100)은 독립형 스캐닝 검사 시스템(standalone scanning inspector system)이거나, 이중 또는 다중 검사기 시스템의 서브시스템일 수 있다. 검사 시스템(100)의 설계는 편광 특성들 및 컴포넌트들을 결합하여 조명 예산에 민감한 애플리케이션들에서 효율적이다. R-θ 기반 스캐너 시스템에서, 이미지 시야(image field of view)(FoV)가 회전 중심에 가까워질 때 이미지 블러링이 발생하기 때문에, 가변 필드 스톱을 사용하여 스캐닝 반경과 관련된 FoV를 효과적으로 감소시킬 수 있으므로 이미징 블러링을 감소시킬 수 있다.
암시야 검사기 및 명시야 검사기와 같은 전형적인 이중 검사기 시스템의 경우, DIC 원리에 의한 위상 대조 기반 결함 검출 채널(즉, PCC)을 명시야 검사기로 사용할 수 있다. TDI-CCD 센서를 사용하는 경우, PCC는 이미징 광학 설계를 적용할 수 있고, 도 1에 도시된 일반적인 구조를 사용할 수 있다.
검사 시스템(100)은 웨이퍼(103)를 고정하도록 구성된 적어도 하나의 조명원(101)과 스테이지(102)를 포함한다. 조명원(101)은 광대역 LED일 수 있다. 광대역 LED는 배경 노이즈를 억제하고 향상된 신호 대 잡음비를 제공할 수 있다. 그러나, 레이저는 조명원(101)으로 사용될 수도 있다. 예를 들어, 스페클 감소 광학 장치 및/또는 표면 노이즈 감소 광학 장치를 사용하는 레이저를 사용할 수 있다. 또한, 검사 시스템(100)은 광대역 LED 및 레이저, 다른 유형의 광원, 또는 다른 광원 조합을 포함할 수 있다.
검사 시스템(100)은, 또한, TDI-CCD 센서(115) 및 암시야/명시야 센서(113)를 포함한다. 암시야/명시야 센서(113)는 암시야 센서나 명시야 센서로 작동될 수 있다. 암시야/명시야 센서(113)는 PMT, 포토다이오드나 포토다이오드 어레이, 또는 비DIC 모드의 CCD 이미저(imager)일 수 있다.
TDI-CCD 센서(115)는 동적, 고속 및 고품질 이미지를 획득하기 위해 이미저들을 스캐닝하는 데 사용될 수 있다. TDI-CCD 센서(115)용으로 사용된 CCD 센서는 TDI 동작 모드를 제공할 수 있다. TDI-CCD 센서(115)는 TDI-CCD 센서(115)의 픽셀들이 동영상의 "픽셀들(pixels)"과 정렬되고 동기화되는 동영상과 함께 작동한다. 이미지가 이동하는 동안, TDI-CCD 센서(115)상의 대응 픽셀들은 전방으로 클로킹되므로 이미지 픽셀들로부터의 광(광자들)은 센서의 단부에서 판독될 때까지 TDI-CCD 센서(115)의 픽셀 행들에 지속적으로 축적된다.
TDI-CCD 센서(115)는 명시야나 암시야 측정에 사용될 수 있다. 이미저나 스폿 스캐너(spot scanner)가 사용될 수 있다. 예를 들어, 스폿 스캐너는, 예컨대, 타원형 스폿이 있는 4㎛(접선)×100㎛(방사형)의 조명 스폿을 가질 수 있다. 이 스폿 크기는 시스템의 측면 해상도(lateral resolution)를 설정할 수 있다. 스폿 스캐너와 함께 사용되는 집광 장치(114)는 조명 스폿으로부터 나오는 빛을 통합하기 위해 PMT(photo multiplier tube)를 포함할 수 있다. 또 다른 예에서는 이미저가 사용될 수 있다. 이미저는 스폿 스캐너보다 더 나은 측면 해상도를 가질 수 있다. 이미저는 스폿 스캐너의 단일 검출기에 비해 수백 행 또는 수천 행의 라인 검출기를 가질 수 있다. 이미저의 라인 검출기 행은 픽셀 크기를, 예컨대, 0.65㎛만큼 작게 제공할 수 있다.
TDI-CCD 센서(115)는 많은 장점을 갖는다. TDI-CCD 센서(115)는 저조명 이미지 획득 애플리케이션들에서 사용될 수 있고, 이미지 프레임 레이트를 희생하지 않고 기존 CCD 센서로부터 신호 대 잡음비를 증가시킬 수 있다. 반대로, TDI-CCD 센서(115)는 더 빠른 프레임 레이트로 동등한 이미지 선명도를 제공하므로, 이미지 스캐너 애플리케이션들에 유용하다.
암시야/명시야 센서(113)는 제 1 파장에서 작동할 수 있다.
필드 스톱(104)은 조명원(101)으로부터의 광 경로(116)에 위치된다. 필드 스톱(104)은 제어된 가변 필드 스톱일 수 있다. 따라서, 필드 스톱(104)의 접선 폭은 스캐닝 반경에 따라 변하도록 구성될 수 있으며, 이에 따라 필드 스톱의 단부에서의 접선 폭은 필드 스톱의 대향 단부에서의 접선 폭보다 더 크다.
검사 시스템(100)은 또한 광 경로(116) 내에 편광기(106)를 포함한다. 일 예로, 편광기(106)는 편광 빔 스플리터 큐브이다. 편광 빔 스플리터 큐브는 P 편광(119)을 통과시키고 S 편광(120)을 반사시키도록 구성될 수 있다. 다른 예에서, 편광기(106)는 P 편광이 광 경로(116)를 따라 완전히 또는 부분적으로 투과하고 S 편광이 TDI-CCD 센서(115)로의 광 경로를 따라 완전히 또는 부분적으로 반사되도록 하는 편광기 및 모듈을 갖는 빔 스플리터이다.
시준 광학 어셈블리(105)는 광 경로(116)에서 필드 스톱(104)과 편광기(106) 사이에 배치된다. 시준 광학 어셈블리(106)는 필드 스톱(104)으로부터의 광을 시준할 수 있다.
월라스턴 프리즘(108)은 광 경로(116)에 배치된다. 월라스턴 프리즘(108)은 편광 빔 스플리터이다. 월라스턴 프리즘(108)은 직교 편광(예컨대, P 편광(119) 및 S 편광(120))을 사용하여 광을 2개의 개별 선형 편광 발신 빔(separate linearly polarized outgoing beam)으로 분리한다. 따라서, 입사광은 P 편광과 S 편광을 포함하고, P 편광(119) 및 S 편광(120)으로 분할된다. 2개의 선형 편광 빔은 월라스턴 프리즘(108)의 전단 설계 및 그 재료 특성에 의해 정의된 작은 각도(예컨대, 분할 각도)로 서로로부터 멀리 전파된다. 2개의 빔은 2개의 직각 프리즘의 광축을 따라 편광될 것이다. 일 실시예에서, 월라스턴 프리즘(108)은 웨이퍼(103)로부터 반사된 P 편광(119)을 수신한다. 예를 들어, 월라스턴 프리즘(108)은 기본 축과 0도로 배향된다.
검사 시스템(100)은, 또한, 반파장판(107)을 사용하여, 반파장판(107)이 월라스턴 프리즘(108)의 동공 개구(pupil aperture)를 가로질러 지연 불균일성을 최소화하도록 할 수 있다. 반파장판(107)은 P 편광(119)을 45도 회전시키도록 광 경로(116)에 배치될 수 있다.
보정 렌즈 광학 장치(109)가 광 경로(116) 내에 배치될 수 있다. 보정 렌즈 광학 장치(109)는, 암시야를 사용할 때, PIC에 대한 보정을 제공할 수 있다. 그러나, 서로 다른 파장들에서 서로 다른 수차가 있을 수 있다. 대략 266nm의 UV/DF 및 대략 365nm의 PCC와 같은 2개의 파장이 검사 시스템(100)에서 사용될 수 있다. 다른 파장들도 가능하다. UV/DF는, 예를 들어, 극자외선(extreme ultraviolet)(EUV)으로부터 적외선에 이르는 단일 또는 넓은 파장일 수 있다. 2개의 파장 광원을 서로 다른 파장 그룹을 갖는 2개의 광 경로를 허용하는 다이크로익 미러(111)에 의해 분리할 수 있는 경우, PCC 파장은 UV/DF 파장과 유사할 수 있다.
광 경로(116)의 미러(110)는 월라스턴 프리즘으로부터 P 편광(119) 및 S 편광(120)을 수신할 수 있다. 미러(110)는 폴드 미러 또는 다른 유형의 미러들일 수 있다.
대물렌즈 어셈블리(112)가 광 경로(116)에 배치될 수 있다. 대물렌즈 어셈블리(112)는 2개 초과의 렌즈(예컨대, 11개 또는 12개의 렌즈)를 포함할 수 있고, 암시야 및/또는 PIC를 사용할 수 있다. 대물렌즈 어셈블리(112)는 2개의 파장에서 작동될 수 있다.
보정 렌즈 광학 장치(109), 미러(110) 및 대물렌즈 어셈블리(112)는 스테이지(102) 상에 P 편광(119) 및 S 편광(120)을 포커싱하도록 구성된다. P 편광 및 S 편광(120)은 월라스턴 프리즘(108)의 전단 방향에서 분리된다. 웨이퍼(103)에서 반사된 P 편광(119) 및 S 편광(120)은 월라스턴 프리즘(108)에서 결합될 수 있다. 도 1에서, P 편광(119) 및 S 편광(120)은 점선으로 도시된다.
검사 시스템은 대물렌즈 어셈블리(112)와 미러(110) 사이의 광 경로(116)에 다이크로익 미러(111)를 포함할 수 있다. 다이크로익 미러(111)는 웨이퍼(103)로부터 반사된 S 편광(120)을 암시야/명시야 센서(113)로 지향시킬 수 있다. 암시야/명시야 센서(113)는 S 편광(120)을 수신할 수 있다. 일 예에서, 암시야/명시야 센서(113)는 웨이퍼(103)로부터 반사된 광의 제 1 파장을 수신한다.
집광 장치(114)는 편광기(106)와 TDI-CCD 센서(115) 사이의 광 경로(116)에 배치될 수 있다. 집광 장치(114)는 구형 포지티브 및 네거티브 렌즈들(spherical positive and negative lenses), 어보션 보상 광학 장치(abortion compensation optics), 줌 메커니즘들, 및/또는 웨이퍼(103) 패턴들이나 이미지들을 TDI-CCD 센서(115)로 전달하는 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 집광 장치(114)는 초점이 맞춰지고 원하는 배율을 갖는 TDI-CCD 센서(115) 상에 이미지를 형성하는 튜브 렌즈일 수 있다.
프로세서(117)는 암시야/명시야 센서(113) 및 TDI-CCD 센서(115)와 전자적으로 통신한다. 프로세서(117)는, 또한, 프로세서(117)가 출력을 수신할 수 있도록 (예컨대, 유선 및/또는 무선 전송 매체를 포함할 수 있는 하나 이상의 전송 매체를 통해) 임의의 적절한 방식으로 검사 시스템(100)의 컴포넌트에 커플링될 수 있다. 프로세서(117)는 출력을 사용하여 많은 기능을 수행하도록 구성될 수 있다. 검사 시스템(100)은 프로세서(117)로부터 명령어들이나 기타 정보를 수신할 수 있다. 프로세서(117) 및/또는 전자 데이터 저장 유닛(118)은 추가 정보를 수신하고 명령어들을 송신하기 위해 다른 웨이퍼 검사 도구나, 웨이퍼 계측 도구나 웨이퍼 검토 도구(도시하지 않음)와 선택적으로 전자 통신할 수 있다.
본 명세서에 설명된 프로세서(117), 다른 시스템(들) 또는 다른 서브시스템(들)은 개인용 컴퓨터 시스템, 이미지 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크 스테이션, 네트워크 기기, 인터넷 기기 또는 다른 디바이스를 포함하는 다양한 시스템의 일부일 수 있다. 또한, 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은 병렬 프로세서와 같은 당업계에 공지된 임의의 적합한 프로세서를 포함할 수 있다. 아울러, 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은 독립형 또는 네트워크 도구로서 고속 프로세싱과 소프트웨어를 사용하는 플랫폼을 포함할 수 있다.
프로세서(117)와 전자 데이터 저장 유닛(118)은 검사 시스템(100)이나 다른 디바이스에 배치되거나 그렇지 않으면 그들의 일부일 수 있다. 일 예로, 프로세서(117)와 전자 데이터 저장 유닛(118)은 독립형 제어 유닛의 일부이거나 중앙 집중식 품질 제어 유닛에 속할 수 있다. 복수의 프로세서(117)나 전자 데이터 저장 유닛(118)이 사용될 수 있다.
프로세서(117)는 실제로 하드웨어, 소프트웨어 및 펌웨어의 임의의 조합에 의해 구현될 수 있다. 또한, 본 명세서에 설명된 바와 같이, 이것의 기능은 하나의 유닛에 의해 수행되거나, 상이한 컴포넌트들로 구분될 수 있으며, 이들 각각은 하드웨어, 소프트웨어 및 펌웨어의 임의의 조합에 의해 차례로 구현될 수 있다. 다양한 방법과 기능을 구현하기 위한 프로세서(117)에 대한 프로그램 코드나 명령어들은 전자 데이터 저장 유닛(118) 내의 메모리나 다른 메모리와 같은 판독 가능한 저장 매체에 저장될 수 있다.
검사 시스템(100)이 둘 이상의 프로세서(117)를 포함하는 경우, 이미지, 데이터, 정보, 명령어들 등을 서브시스템들 사이에서 송신할 수 있도록 상이한 서브시스템들이 서로 커플링될 수 있다. 예를 들어, 하나의 서브시스템은 임의의 적합한 전송 매체에 의해 추가의 서브시스템(들)에 커플링될 수 있으며, 이는 당해 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 유선 및/또는 무선 전송 매체를 포함할 수 있다. 이러한 서브시스템 중 둘 이상은 공유 컴퓨터 판독 가능 저장 매체(도시되지 않음)에 효과적으로 커플링될 수도 있다.
프로세서(117)는 검사 시스템(100)의 출력이나 다른 출력을 사용하여 많은 기능을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 프로세서(117)는 출력을 전자 데이터 저장 유닛(118)이나 다른 저장 매체로 송신하도록 구성될 수 있다. 프로세서(117)는 본 명세서에 설명된 바와 같이 추가 구성될 수 있다.
프로세서(117)는 본 명세서에서 설명된 실시예들 중 어느 하나에 따라 구성될 수 있다. 프로세서(117)는 검사 시스템(100)의 출력을 사용하거나 다른 소스로부터의 이미지나 데이터를 사용하여 다른 기능들이나 추가 단계들을 수행하도록 구성될 수도 있다.
본 명세서에 개시된 검사 시스템(100)의 다양한 단계, 기능 및/또는 동작 및 방법은 전자 회로, 로직 게이트, 멀티플렉서, 프로그래밍 가능한 로직 디바이스, ASIC, 아날로그나 디지털 제어/스위치, 마이크로컨트롤러 또는 컴퓨팅 시스템 중 하나 이상에 의해 수행된다. 본 명세서에 설명된 것과 같은 방법을 구현하는 프로그램 명령어들은 캐리어 매체를 통해 전송되거나 저장될 수 있다. 캐리어 매체는 ROM(Read-Only Memory), RAM(Random Access Memory), 자기 디스크나 광 디스크, 비휘발성 메모리, 솔리드 스테이트 메모리, 자기 테이프 등과 같은 저장 매체를 포함할 수 있다. 캐리어 매체는 유선, 케이블 또는 무선 전송 링크와 같은 전송 매체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명을 통해 설명된 다양한 단계들은 단일 프로세서(117)나, 대안적으로, 복수의 프로세서(117)에 의해 수행될 수 있다. 또한, 검사 시스템(100)의 상이한 서브시스템은 하나 이상의 컴퓨팅 또는 로직 시스템을 포함할 수 있다. 따라서, 상술한 내용은 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 되고 단지 예시일 뿐이다.
일 예에서, 프로세서(117)는 검사 시스템(100)과 통신한다. 프로세서(117)는 디지털화된 CCD 이미지 데이터를 스트리밍하고, 이미지들을 형성 및 처리하고, 및/또는 결함이 있는 이미지를 분리하도록 구성될 수 있다. 여기에는 위상 결함이나 암시야 결함을 찾는 것이 포함될 수 있다.
추가 실시예는, 본 명세서에 개시된 바와 같이, 웨이퍼의 이미징 및/또는 결함 검색을 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위해 제어기에서 실행 가능한 프로그램 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체에 관한 것이다. 특히, 도 1에 도시된 바와 같이, 전자 데이터 저장 유닛(118) 또는 다른 저장 매체는 프로세서(117)에서 실행 가능한 프로그램 명령어들을 포함하는 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체를 포함할 수 있다. 컴퓨터 구현 방법은, 방법(100)을 포함하여, 본 명세서에 설명된 임의의 방법(들)의 임의의 단계(들)를 포함할 수 있다.
검사 시스템(100)의 일 실시예에서, 조명원(101)은 단일 파장 레이저 또는 심자외선(deep ultraviolet)(DUV)에서 가시 광빔을 거쳐 적외선까지 범위의 파장을 갖는 LED일 수 있다. 광원(101)으로부터의 광은 필드 스톱(104)을 조명한다. 필드 스톱(104)은 R-θ 스캐닝 시스템에 대한 제어된 가변 필드 스톱일 수 있고, 그 접선 폭이 스캐닝 반경에 따라 변경되게 할 수 있다. TDI(Time-delay-integration) 블러를 제어할 수 있다.
시준 광학 어셈블리(105)는 광을 시준하고 이를 편광기(106)로 전달하여 P 편광(119)은 통과시키고 S 편광(120)은 반사시키도록 한다. 반파장판(107)은, P 편광을 기본 축과 0도로 배향된 월라스턴 프리즘(108)에 진입시키기 전에, P 편광을 45도 회전시키는 데 사용될 수 있다. 월라스턴 프리즘(108)은 입사빔을 동일한 부분의 P 및 S빔으로 분할한다. 제 1 파장 이미저용으로 구성될 수 있고 PCC 파장에 대해 투명하게 구성될 수 있는 보정 렌즈 광학 장치(109), 미러(110) 및 대물렌즈 어셈블리(112)를 통해, P 및 S 빔들은 웨이퍼(103)의 검사면에 포커싱될 수 있다. P 및 S 빔들은 월라스턴 프리즘(108)의 전단 방향에서 분리된다. 예를 들어, 0도에서 편광기(106)의 P 편광 방향에 의해 정의된다. 월라스턴 프리즘(108)은 전단 간격(shear spacing)이 TDI-CCD 센서 이미지의 몇몇 픽셀이 되도록 구성될 수 있다. 복수의 월라스턴 프리즘(108)은 최적의 신호 대 잡음 및 공간 분해능을 위한 특정 스캐닝 시스템이나 설정에서 사용될 수 있고 사용자가 선택할 수 있게 만들 수 있다.
수집 경로에서, P 및 S 반사빔들 모두는 월라스턴 프리즘(108)에서 결합되어 은 웨이퍼(103) 상의 결함으로부터의 상대적 위상차 정보를 전달한다. 간섭은 편광기(106)에서 생성되고, TDI-CCD 센서(115)로 반사된다.
보정 렌즈 광학 장치(109)는, 대물렌즈 어셈블리(112)의 대물렌즈가 제 1 파장용으로 설계될 때, 제 2 파장에서 PCC 서브시스템에 대한 높은 수준의 이미지 선명도를 제공하도록 구성될 수 있다. 대안적으로, 대물렌즈 어셈블리(112)가 제 2 검사기 파장용으로 구성되는 경우, 보정 렌즈 광학 장치(109)는 제 1 파장용으로 구성될 수 있다.
일 예에서, TDI 센서는 제 2 파장을 가진 병렬 검사기일 수 있다. 소정 이미징 품질을 제공하기 위해 분산 보상 광학 장치가 추가될 수 있다.
TDI 센서를 통합한 이미징 DIC 설계는 또한 회전 스캐닝 검사기 애플리케이션에서 사용될 수 있으며, 반경 방향 및 접선 방향의 양쪽 모두에서 TDI 이미지 블러링을 최소화하는 반경 기반 가변 광원 필드 스톱(radius-based variable light-source field stop)을 사용할 수 있다.
도 2는 광대역 LED를 사용한 조명과 레이저를 사용한 조명 간의 비교를 나타낸다. 도 2에서, 좌측 이미지는 광대역 LED를 사용한 조명을 나타내고, 우측 이미지는 레이저를 사용한 조명을 나타낸다. DIC 애플리케이션의 경우, 레이저는 높은 광도 수준(light intensity level)과 파장 순도(wavelength purity)(예컨대, 좁은 선폭)를 제공할 수 있다. 그러나, 레이저의 좁은 선폭은, 상대적으로 거친 표면에서와 같이, 간섭성으로 인한 표면 노이즈 효과(coherence-induced surface noise effect)를 유발할 수 있다. 이는 작은 결함들이나 입자들을 검출하기 어렵게 할 수 있다. 도 2는 PCC 서브시스템의 레이저와 LED의 표면 노이즈 효과를 나타낸다.
PCC 서브시스템 레이아웃을 참조하면, 도 3 및 도 4는 TDI-CCD 센서의 전체와 본질적으로 TDI(time-delay-integration)인 CCD 센서를 커버하는 박스들의 광학 FoV를 도시한다. 다른 박스들은 월라스턴 프리즘에서 결합되어 TDI-CCD에 투영되는 S 및 P 편광의 FoV를 하나의 박스로 나타낸다. 대안적으로, TDI-CCD 상의 개별 픽셀이 P 및 S 편광에 대한 검사면 상의 2개의 픽셀에 대응한다고 볼 수 있다. 전단 방향은 스캔 방향을 따라 선택될 수 있지만, 도 3에 나타내는 바와 같이, 양쪽 모두의 직교 축에서 검출의 이점을 위해 틸팅될 수 있으며(예컨대, 도 3에서 45도 틸팅됨), 여기에는 편광기와 반파장판 배향의 최적화가 포함될 수 있다. 높은 공간 분해능을 달성하기 위해 DIC 입사각을 작은 픽셀에 유지하면서도, 검사 시스템(100)은 상대적으로 큰 FoV를 유지할 수 있으므로, 고밀도 CCD 센서와 동시에 넓은 영역을 검사할 수 있다. 입사각은 일반 입사(즉, 웨이퍼 표면(103)에 대해 0도)일 수 있다. 허용 오차는 검사 시스템(100)의 설계에 따라 달라진다. FoV는 CCD 센서에서 볼 수 있는 영역을 나타낸다. 예를 들어, 이 영역은 1,000㎛×100㎛일 수 있다. 다른 FoV들이 가능하며 이들은 웨이퍼의 더 크거나 더 작은 가시 영역을 갖도록 광학 설계 및/또는 배율 선택이 적용된다. 픽셀 해상도는 가시 영역 크기(또는 FoV 크기)에 비례할 수 있다. 예를 들어, 이것은 M×N개의 광 검출기를 사용할 수있는 병렬 DIC 시스템이고, 여기서, M과 N은 CCD 센서 픽셀 규격이다. CCD 센서가 스캐닝 시스템용 TDI-CCD인 경우, 조명 예산을 M배 감소시킬 수 있고, 여기서, M은 TDI 광자 통합 규격이다. 반대로, 동일한 양의 광으로 CCD 프레임 레이트가 M배 증가될 수 있다. 이러한 애플리케이션에서, 기존 CCD 센서 사용은 물리적으로 가능한 조명 예산이나 프레임 레이트에 의해 제한될 수 있다.
픽셀은 움직이는 물체와 함께 움직일 수 있다. 일 실시예에서, 픽셀은 움직이는 물체와 동기화된다. 따라서, 이미지가 움직일 때, 이미지가 포커싱된 상태로 유지될 수 있다. 이는 저조명 애플리케이션에 유용할 수 있다.
도 5는 이미지 블러링 제어를 도시한다. 도 5에서, R은 반경 길이이고, θ는 회전 이동이다. R-θ 기반 스캐닝 검사 시스템에서, 검사면의 원형 회전이 사용될 수 있다. 데카르트 TDI-CCD 센서의 선형 공간 통합 특성(linear spatial integration nature)은 픽셀로부터의 광자를 행들에 누적시킨다. 스캔 반경이 작아지면, 스캔 곡률이 픽셀들의 행을 초과할 때, 이미지 블러링이 발생된다. 도 5는 두 가지 블러링 영향, 즉, 접선 블러링과 방사상 블러링을 나타낸다.
방사상으로, 이미지 모션의 회전 특성으로 인해, 검사면의 픽셀은 TDI-CCD 상에서 호의 궤적을 이동한다. 반경이 점차 감소하면, 호의 곡률은 점 픽셀이 TDI-CCD 픽셀의 다음 행과 교차될 때까지 증가하여 방사상 블러링을 발생시킨다. 마찬가지로, FoV 내에서, TDI 클로킹이 TDI-CCD의 중앙에 있는 픽셀과 방사상으로 동기화될 때, 더 낮은 행들과 더 높은 행들은 실질적으로 더 짧거나 더 긴 물리적 픽셀을 경험하여 인접한 접선 픽셀들과 교차한다(즉, 접선 블러링).
스테이지에 고정된 상태에서 웨이퍼가 회전될 수 있기 때문에, 블러링 제어가 사용할 수 있다. 이미지가 호를 따라 이동할 수 있으며, 이로 인해 중앙 부근에서 문제가 발생할 수 있다. 가변 슬릿은 블러링 영향을 감소시킬 수 있으므로 센서에 라인으로 계속 표시된다. 가변 슬릿 내의 슬릿은 웨이퍼의 중앙을 향해 0 또는 거의 0으로 감소될 수 있다. 가변 슬릿은 스테이지의 모션과 동기화될 수 있다.
가변 필드 스톱은 방사상 이미지와 접선 이미지의 양쪽 모두에 대한 블러링 영향을 최소화하는 데 사용될 수 있다. 이것은 도 6 및 도 7에 도시된다. 도 1의 필드 스톱(104)의 예시인 가변 필드 스톱은 조명원의 다운스트림에 배치된다. 시준 광학 어셈블리(105)는 조명 광학 장치로 기능할 수 있다. 가변 필드 스톱은 모터로 제어되고, 스캐너의 최대 스캔 반경에서 완전 개방 상태(즉, 완전 FoV)로 제어된다. 이것의 폭은 1/반경(1/R)에 따라 선형으로 감소된다. 약간의 블러링이 허용되는 경우, 가변 필드 스톱 감소 프로파일은 특정 반경에서 시작할 수 있다. TDI-CCD 클로킹은 이러한 R-θ 스캐닝 시스템에서 반경에 따라 달라질 수 있다. 따라서, VFS 프로파일을 최적화하는 동안, 블러링과 조명 예산이 모두 허용 가능한 수준 내에 포함되도록 조명 예산이 고려될 수 있다.
도 8은 편광 광학 장치의 실시예의 블록도이다. 비용 효율적이고 공간 절약 방안으로, PCC 설계는 편광기와 반파장판 조합 광학 설계를 적용할 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 편광기와 월라스턴 프리즘은 그들의 기본 축의 0도로 정렬되는 반면, 반파장판은 22.5도로 정렬된다. 이는 편광기 이후의 P 편광이 월라스턴 프리즘 기본 축에 대해 45도 회전되도록 한다. 따라서, 월라스턴 프리즘 이후에 동일한 양의 P 및 S 편광이 생성된다. 반사 경로에서, P 및 S 편광은 월라스턴 프리즘에서 결합되고, 이어서 45도 더 이동하여 편광기에서 S 편광이 생성된 다음, TDI-CCD 검출기로 반사된다. 이러한 설계는 비용 효율적이며 또한 더 높은 광 효율로 이어진다. 또한, PCC 설계의 스캐닝 특성을 고려할 때, 이러한 편광 최적화 설계는 최소 개구수(NA) 광 전파 축에서 월라스턴 프리즘을 배향하므로 FoV에 걸쳐 위상 지연 균일성(phase retardation uniformity)이 가장 낮을 수 있다.
예를 들어, 검사 시스템은 X 및 Y의 수직 방향 대신 R-θ에서 작동한다. 빔을 R 방향으로 정렬해야 할 수 있다. 반파장판은 2개의 빔이 45도만큼 분리되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 편광기는 빔을 2개의 빔으로 분리할 수 있고, 반파장판은 2개의 빔을 함께 정렬할 수 있다. 렌즈 시스템을 반파장판 대신 사용하여 동일한 결과를 얻을 수 있다.
도 9는 방법(200)의 흐름도이다. 단계 201에서, 광빔은 광대역 LED와 같은 조명원을 사용하여 생성된다. 단계 202에서, 광빔은 조명원으로부터 필드 스톱을 거쳐 지향된다. 단계 203에서, 필드 스톱에 의해 지향된 광빔은 시준 광학 어셈블리를 사용하여 시준된다. 필드 스톱은 제어된 가변 필드 스톱일 수 있다. 필드 스톱의 접선 폭은 스캐닝 반경에 따라 변하도록 구성되고, 여기서, 필드 스톱 단부의 접선 폭은 필드 스톱의 대향 단부의 접선 폭보다 더 크다.
단계 204에서, 광빔은 시준 광학 어셈블리로부터 편광기를 거쳐 지향된다. 단계 205에서, 광빔은 편광기로부터 월라스턴 프리즘으로 지향된다. 월라스턴 프리즘은 기본 축과 0도로 배향될 수 있다.
단계 206에서, 광빔은 월라스턴 프리즘으로부터 보정 렌즈 광학 장치로 지향된다. 단계 207에서, 광빔은 보정 렌즈 광학 장치로부터 폴드 미러와 같은 미러로 지향된다. 단계 208에서, 광빔은 대물렌즈 어셈블리를 통해 스테이지 상의 웨이퍼를 향해 지향된다. 보정 렌즈 광학 장치, 미러 및 대물렌즈 어셈블리는 월라스턴 프리즘으로부터의 P 편광과 S 편광을 스테이지로 포커싱하도록 구성된다. P 편광과 S 편광은 월라스턴 프리즘의 전단 방향에서 분리된다.
단계 209에서, 스테이지상의 웨이퍼로부터 반사된 광빔은 제1 광빔과 제2 광빔으로 다이크로익 미러를 사용하여 분할된다. 단계 209에서, 스테이지 상의 웨이퍼에서 반사된 광빔은 다이크로익 미러를 사용하여 제1 광빔과 제2 광빔으로 분할된다. 단계 210에서, 제1 광빔은 암시야/명시야 센서에서 수신된다. 단계 211에서, 제2 광빔의 P 편광과 S 편광은 월라스턴 프리즘에서 결합된다. 단계 212에서, 월라스턴 프리즘으로부터의 제2 광빔은 TDI-CCD 센서에서 수신된다.
방법(200)에서, 편광기는 광 경로에서 편광 빔 스플리터 큐브일 수 있다. 편광 빔 스플리터는 P 편광을 통과시키고 S 편광을 반사시키도록 구성될 수 있다.
이 방법(200)은 P 편광을 45도 회전시키는 반파장판을 통해 광빔을 지향시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 반파장판은 편광기와 월라스턴 프리즘 사이에 배치될 수 있다.
방법의 각 단계는 본 명세서에 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 방법은 본 명세서에 설명된 프로세서 및/또는 컴퓨터 서브시스템(들)이나 시스템(들)에 의해 수행될 수 있는 임의의 다른 단계(들)를 포함할 수도 있다. 단계들은 하나 이상의 컴퓨터 시스템에 의해 수행될 수 있으며, 이는 본 명세서에 설명된 실시예 중 임의의 것에 따라 구성될 수도 있다. 또한, 전술한 방법은 본 명세서에 설명된 임의의 시스템 실시예에 의해 수행될 수 있다.
본 발명은 하나 이상의 특정 실시예와 관련하여 설명되었지만, 본 발명의 범주를 벗어나지 않으면서 본 발명의 다른 실시예가 만들어질 수 있음을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구 범위와 그의 합리적인 해석에 의해서만 제한되는 것으로 간주된다.
Claims (20)
- 장치에 있어서,
적어도 하나의 조명원;
웨이퍼를 고정하도록 구성된 스테이지;
TDI-CCD 센서;
암시야/명시야 센서(dark field/bright field sensor);
상기 조명원으로부터의 광 경로 내의 필드 스톱(field stop);
상기 광 경로 내의 편광기 - 상기 편광기는, P 편광(polarized light)을 통과시키고 S 편광을 반사시키도록 구성됨 - ;
상기 광 경로 내의 월라스턴 프리즘(Wollaston prism) - 상기 월라스턴 프리즘은, 상기 P 편광 및 상기 S 편광을 형성함 - ;
상기 광 경로 내의 보정 렌즈 광학 장치;
상기 월라스턴 프리즘으로부터 상기 P 편광과 상기 S 편광을 수신하는, 상기 광 경로 내의 미러; 및
상기 광 경로 내의 대물렌즈 어셈블리를 포함하고,
상기 보정 렌즈 광학 장치, 상기 미러 및 상기 대물렌즈 어셈블리는, 상기 P 편광과 상기 S 편광을 스테이지에 포커싱하도록 구성되며, 상기 P 편광과 상기 S 편광은, 상기 월라스턴 프리즘의 전단 방향(shear direction)에서 분리되어 있고, 상기 P 편광과 상기 S 편광은 상기 월라스턴 프리즘에서 결합되는 것인, 장치. - 제1항에 있어서,
상기 편광기는 편광 빔 스플리터 큐브(polarizing beam splitter cube)인 것인, 장치. - 제1항에 있어서,
상기 필드 스톱은 제어된 가변 필드 스톱이고, 상기 필드 스톱의 접선 폭은 스캐닝 반경에 따라 달라지도록 구성되어 상기 필드 스톱의 단부에서의 상기 접선 폭이 상기 필드 스톱의 대향 단부의 접선 폭보다 더 큰 것인, 장치. - 제1항에 있어서,
상기 P 편광을 45도 회전시키는, 상기 광 경로 내의 반파장판을 더 포함하는, 장치. - 제1항에 있어서,
상기 월라스턴 프리즘은 기본 축과 0도로 배향되는 것인, 장치. - 제1항에 있어서,
상기 미러는 폴드 미러(fold mirror)인 것인, 장치. - 제1항에 있어서,
상기 조명원은 광대역 발광 다이오드(broadband light emitting diode)인 것인, 장치. - 제1항에 있어서,
상기 대물렌즈 어셈블리와 상기 미러 사이에 있는, 상기 광 경로 내의 다이크로익 미러(dichroic mirror)를 더 포함하는, 장치. - 제8항에 있어서,
상기 다이크로익 미러는 상기 S 편광을 상기 암시야/명시야 센서로 지향시키는 것인, 장치. - 제1항에 있어서,
상기 필드 스톱과 상기 편광기 사이에 있는, 상기 광 경로 내의 시준 광학 어셈블리를 더 포함하는, 장치. - 제1항에 있어서,
상기 장치는 차동 간섭 대비 모드(differential interference contrast mode)를 제공하도록 구성되는, 장치. - 방법에 있어서,
조명원을 사용하여 광빔을 생성하는 단계;
상기 광빔을 상기 조명원으로부터 필드 스톱을 통해 지향시키는 단계;
상기 광빔을 상기 필드 스톱으로부터 편광기를 통해 지향시키는 단계;
상기 광빔을 상기 편광기로부터 월라스턴 프리즘으로 지향시키는 단계;
상기 광빔을 상기 월라스턴 프리즘으로부터 보정 렌즈 광학 장치로 지향시키는 단계;
상기 광빔을 상기 보정 렌즈 광학 장치로부터 미러로 지향시키는 단계;
상기 광빔을 대물렌즈 어셈블리를 통해 스테이지 상의 웨이퍼를 향해 지향시키는 단계 - 상기 보정 렌즈 광학 장치, 상기 미러 및 상기 대물렌즈 어셈블리는 P 편광 및 S 편광을 상기 월라스턴 프리즘으로부터 상기 스테이지 상으로 포커싱하도록 구성되며, 상기 P 편광과 상기 S 편광은 상기 월라스턴 프리즘의 전단 방향에서 분리됨 - ;
다이크로익 미러를 사용하여 상기 스테이지 상의 상기 웨이퍼로부터 반사된 상기 광빔을 제1 광빔 및 제2 광빔으로 분할(splitting)하는 단계;
상기 제1 광빔을 암시야/명시야 센서로 수신하는 단계;
상기 월라스턴 프리즘에서 상기 제2 광빔의 상기 P 편광과 상기 S 편광을 결합하는 단계; 및
TDI-CCD 센서를 사용하여 상기 월라스턴 프리즘으로부터 상기 제 2 광빔을 수신하는 단계를 포함하는, 방법. - 제12항에 있어서,
상기 편광기는 상기 광빔의 광 경로 내의 편광 빔 스플리터 큐브이고, 상기 편광 빔 스플리터는 P 편광을 통과시키고 S 편광을 반사시키도록 구성되는 것인, 방법. - 제12항에 있어서,
상기 P 편광을 45도 회전시키는 반파장판을 통해 상기 광빔을 지향시키는 단계를 더 포함하고, 상기 반파장판은 상기 편광기와 상기 월라스턴 프리즘 사이에 배치되는 것인, 방법. - 제12항에 있어서,
상기 필드 스톱은 제어된 가변 필드 스톱이고, 상기 필드 스톱의 접선 폭은 스캐닝 반경에 따라 달라지도록 구성되어 상기 필드 스톱의 단부에서의 상기 접선 폭은 상기 필드 스톱의 대향 단부의 접선 폭보다 더 큰 것인, 방법. - 제12항에 있어서,
상기 월라스턴 프리즘은 기본 축과 0도로 배향되는 것인, 방법. - 제12항에 있어서,
상기 미러는 폴드 미러인 것인, 방법. - 제12항에 있어서,
상기 조명원은 광대역 발광 다이오드인 것인, 방법. - 제12항에 있어서,
상기 방법은 차동 간섭 대비 모드를 제공하도록 구성되는 것인, 방법. - 제12항에 있어서,
시준 광학 어셈블리를 사용하여 상기 필드 스톱에 의해 지향되는 상기 광빔을 시준하는 단계를 더 포함하는, 방법.
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|---|---|---|---|---|
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| WO2023135681A1 (ja) * | 2022-01-12 | 2023-07-20 | 株式会社日立ハイテク | 表面検査装置 |
| CN115166062B (zh) * | 2022-08-22 | 2024-06-11 | 天津大学 | 一种基于差分干涉的全光学超声探测器及探测方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001242382A (ja) | 1999-12-24 | 2001-09-07 | Olympus Optical Co Ltd | 微分干渉光学系 |
| US20050254065A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Stokowski Stanley E | Method and apparatus for detecting surface characteristics on a mask blank |
| US20080273193A1 (en) | 2007-05-02 | 2008-11-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern defect inspection apparatus and method |
| US20090208072A1 (en) | 2008-02-18 | 2009-08-20 | Visiongate, Inc. | 3d imaging of live cells with ultraviolet radiation |
| JP2011013077A (ja) | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法およびその装置 |
| JP2011211035A (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Lasertec Corp | 検査装置並びに欠陥分類方法及び欠陥検出方法 |
| JP2017531162A (ja) | 2014-07-22 | 2017-10-19 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 暗視野および位相コントラストの同時検査のためのシステムおよび方法 |
| US20180070040A1 (en) | 2015-05-14 | 2018-03-08 | Kla-Tencor Corporation | Sensor With Electrically Controllable Aperture For Inspection And Metrology Systems |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5232384A (en) * | 1975-09-08 | 1977-03-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Densitometer |
| JPH05232384A (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-10 | Olympus Optical Co Ltd | 干渉顕微鏡 |
| GB9610471D0 (en) * | 1996-05-18 | 1996-07-24 | Univ Nottingham | Optical measurement |
| US6404544B1 (en) * | 1999-06-01 | 2002-06-11 | Optical Perspectives Group, Llc | Wavelength multiplexed quantitative differential interference contrast microscopy |
| US6741356B1 (en) * | 1999-09-20 | 2004-05-25 | Olympus Corporation | Method for detecting physical amount of object and optical apparatus using the same |
| EP2304504B1 (en) * | 2008-06-26 | 2019-07-03 | ASML Netherlands B.V. | Overlay measurement apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method using such overlay measurement apparatus |
| JP5553635B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2014-07-16 | キヤノン株式会社 | 補償光学装置、撮像装置および補償光学方法、撮像方法 |
| US20110242312A1 (en) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Lasertec Corporation | Inspection system and inspection method |
| CN103852458B (zh) * | 2014-02-28 | 2016-02-03 | 浙江大学 | 一种基于宽场受激发射差分的显微方法和装置 |
| WO2017003719A2 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | 3M Innovative Properties Company | Illuminator |
| JP6641009B2 (ja) * | 2016-07-01 | 2020-02-05 | 富士フイルム株式会社 | 積層型カラーフィルター、積層型カラーフィルターの製造方法、および光学センサ |
| JP6738254B2 (ja) | 2016-09-26 | 2020-08-12 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検出装置及び欠陥観察装置 |
| EP3371642A4 (en) * | 2016-12-02 | 2018-11-07 | Lumus Ltd. | Optical system with compact collimating image projector |
-
2019
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Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001242382A (ja) | 1999-12-24 | 2001-09-07 | Olympus Optical Co Ltd | 微分干渉光学系 |
| US20010040723A1 (en) | 1999-12-24 | 2001-11-15 | Kenichi Kusaka | Differential interference optical system |
| US20050254065A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Stokowski Stanley E | Method and apparatus for detecting surface characteristics on a mask blank |
| US20080273193A1 (en) | 2007-05-02 | 2008-11-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern defect inspection apparatus and method |
| JP2008275540A (ja) | 2007-05-02 | 2008-11-13 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン欠陥検査装置および方法 |
| US20090208072A1 (en) | 2008-02-18 | 2009-08-20 | Visiongate, Inc. | 3d imaging of live cells with ultraviolet radiation |
| JP2011512543A (ja) | 2008-02-18 | 2011-04-21 | ヴィジョンゲイト，インコーポレーテッド | 紫外放射を用いた生細胞の３次元画像化 |
| JP2011013077A (ja) | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法およびその装置 |
| US20120092484A1 (en) | 2009-07-01 | 2012-04-19 | Atsushi Taniguchi | Defect inspection method and apparatus therefor |
| JP2011211035A (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Lasertec Corp | 検査装置並びに欠陥分類方法及び欠陥検出方法 |
| JP2017531162A (ja) | 2014-07-22 | 2017-10-19 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 暗視野および位相コントラストの同時検査のためのシステムおよび方法 |
| US20180070040A1 (en) | 2015-05-14 | 2018-03-08 | Kla-Tencor Corporation | Sensor With Electrically Controllable Aperture For Inspection And Metrology Systems |
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