JP2016151457A - 六方晶単結晶基板の検査方法及び検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】六方晶単結晶基板11を透過する波長と、所定方向の偏光面を有する直線偏光のレーザービームを発生するレーザービーム発生手段32を有し、基板11の上面をレーザービームの光路に対して垂直に位置付けると共にレーザービームが基板11を透過するように保持し、レーザービーム発生手段が発生したレーザービームの偏光面に対してレーザービームの中心を回転中心として基板11を相対的に回転させ、基板11を透過したレーザービームを偏光ビームスプリッタ38によってP偏光とS偏光とに分岐する。P偏光の光量を計測する第1受光素子とS偏光の光量と計測する第2受光素子の光量比を算出する算出工程と、偏光面に対する基板11の相対的な回転角度と光量比から、上面の垂線に対してc軸が傾く方向を検出する傾き検出工程を含む。
【選択図】図3
Description
11 六方晶単結晶基板(SiC基板)
11a 第1の面(上面)
11b 第2の面(裏面)
13 第1のオリエンテーションフラット
14 保持テーブル
15 第2のオリエンテーションフラット
22 モータ
30 ロータリーエンコーダ
32 He−Neレーザー発振器
34 1/2波長板
38 偏光ビームスプリッタ
40 第1受光素子
42 第2受光素子
44 オリエンテーションフラット検出器
46 演算手段
50 モニター(表示手段)
Claims (4)
- 第1の面と該第1の面と反対側の第2の面と、該第1の面から該第2の面に至るc軸と、該c軸に直交するc面とを有し、該第1の面の垂線に対してc軸が傾く方法を検出する六方晶単結晶基板の検査方法であって、
六方晶単結晶基板を透過する波長と、所定方向の偏光面を有する直線偏光のレーザービームを発生するレーザービーム発生手段を準備する準備工程と、
六方晶単結晶基板の第1の面をレーザービームの光路に対して垂直に位置付けると共にレーザービームが六方晶単結晶基板を透過するように保持する保持工程と、
該レーザービーム発生手段が発生したレーザービームの偏光面に対してレーザービームの中心を回転中心として六方晶単結晶基板を相対的に回転させる回転工程と、
六方晶単結晶基板を透過したレーザービームを偏光ビームスプリッタによってP偏光とS偏光とに分岐する分岐工程と、
該偏光ビームスプリッタで分岐したP偏光の光量を計測する第1受光素子とS偏光の光量を計測する第2受光素子とを用いて、該第1受光素子と該第2受光素子とが計測した光量の光量比を算出する算出工程と、
該レーザービームの偏光面に対する六方晶単結晶基板の相対的な回転角度と該算出工程によって算出された光量比とを対比して表示し、該第1の面の垂線に対してc軸が傾く方向を検出する傾き検出工程と、
を備えたことを特徴とする六方晶単結晶基板の検査方法。 - 該回転工程における六方晶単結晶基板のオリエンテーションフラットを検出するオリエンテーションフラット検出工程を更に備え、
該オリエンテーションフラット検出工程において、オリエンテーションフラットが検出された回転角度と近似する回転角度に表れる光量比のピークの回転角度を持ってc軸が傾く方向とする請求項1記載の六方晶単結晶基板の検査方法。 - 第1の面と該第1の面と反対側の第2の面と、該第1の面から該第2の面に至るc軸と、該c軸に直交するc面とを有し、該第1の面の垂線に対してc軸が傾く方向を検出する六方晶単結晶基板の検査装置であって、
六方晶単結晶基板を透過する波長と、所定方向の偏光面を有する直線偏光のレーザービームを発生するレーザービーム発生手段と、
該レーザービーム発生手段が発生したレーザービームの光路に対して六方晶単結晶基板の第1の面を垂直に位置付けると共にレーザービームが六方晶単結晶基板を透過するように保持する保持手段と、
該レーザービーム発生手段が発生したレーザービームの偏光面に対してレーザービームの中心を回転中心として六方晶単結晶基板を相対的に回転させる回転手段と、
六方晶単結晶基板を透過したレーザービームをP偏光とS偏光に分岐する偏光ビームスプリッタと、
該偏光ビームスプリッタで分岐したP偏光の光量を計測する第1受光素子と、
該偏光ビームスプリッタで分岐したS偏光の光量を計測する第2受光素子と、
該第1受光素子と該第2受光素子とが計測した光量の光量比を算出する算出手段と、
該回転手段の作動によってレーザービームの偏光面に対する六方晶単結晶の相対的な回転角度と、該算出手段によって算出された光量比とを対比して表示する表示手段と、
を備えたことを特徴とする六方晶単結晶基板の検査装置。 - 六方晶単結晶基板のオリエンテーションフラットを検出する検出手段を更に備え、
該表示手段は、オリエンテーションフラットが検出された回転角度と近似する回転角度に表れる光量比のピークの回転角度を持ってc軸が傾く方向として表示する請求項3記載の六方晶単結晶基板の検査装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10388526B1 (en) | 2018-04-20 | 2019-08-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer thinning systems and related methods |
US10468304B1 (en) | 2018-05-31 | 2019-11-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate production systems and related methods |
KR20200097788A (ko) * | 2017-12-21 | 2020-08-19 | 에피간 엔브이 | 웨이퍼 표면 곡률 결정 시스템 |
US10896815B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-01-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate singulation systems and related methods |
US11121035B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-09-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate processing methods |
CN114413767A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-04-29 | 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所 | 一种激光透射精密旋转定位调节装置 |
US11830771B2 (en) | 2018-05-31 | 2023-11-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate production systems and related methods |
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7009194B2 (ja) * | 2017-12-12 | 2022-01-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成装置および搬送トレー |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0766253A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Matsushita Electron Corp | 走査型電子顕微鏡およびそれを用いた結晶構造の評価方法 |
JP2000009663A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Toshiba Fa Syst Eng Corp | 結晶方位測定装置 |
JP2003307406A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Stanley Electric Co Ltd | 非接触式変位計 |
US20050243326A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Huang Jung Y | Imaginary polarizing measuring method for simultaneously measuring the optical crystal thickness and the optic axis direction |
JP2011203245A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-10-13 | You-Na Tech Corp | 半導体ウェハの表面検査システム及び表面検査方法 |
JP2014194352A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | 一軸結晶からなる単結晶基板の面方位測定方法、及びこれに用いる面方位測定装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000094221A (ja) | 1998-09-24 | 2000-04-04 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | 放電式ワイヤソー |
JP2005179167A (ja) | 2003-06-30 | 2005-07-07 | Kenichiro Miyahara | 薄膜形成用基板、薄膜基板及び発光素子 |
JP5625355B2 (ja) * | 2010-01-07 | 2014-11-19 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子、iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
EP2660366B1 (en) * | 2010-12-27 | 2020-12-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing silicon carbide substrate, and method for producing semiconductor device |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0766253A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Matsushita Electron Corp | 走査型電子顕微鏡およびそれを用いた結晶構造の評価方法 |
JP2000009663A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Toshiba Fa Syst Eng Corp | 結晶方位測定装置 |
JP2003307406A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-10-31 | Stanley Electric Co Ltd | 非接触式変位計 |
US20050243326A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Huang Jung Y | Imaginary polarizing measuring method for simultaneously measuring the optical crystal thickness and the optic axis direction |
JP2011203245A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-10-13 | You-Na Tech Corp | 半導体ウェハの表面検査システム及び表面検査方法 |
JP2014194352A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Nippon Steel & Sumitomo Metal | 一軸結晶からなる単結晶基板の面方位測定方法、及びこれに用いる面方位測定装置 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102500123B1 (ko) | 2017-12-21 | 2023-02-14 | 에피간 엔브이 | 웨이퍼 표면 곡률 결정 시스템 |
KR20200097788A (ko) * | 2017-12-21 | 2020-08-19 | 에피간 엔브이 | 웨이퍼 표면 곡률 결정 시스템 |
US10388526B1 (en) | 2018-04-20 | 2019-08-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer thinning systems and related methods |
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US11152211B2 (en) | 2018-04-20 | 2021-10-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor wafer thinning systems and related methods |
US11121035B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-09-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate processing methods |
US10896815B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-01-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate singulation systems and related methods |
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US11854889B2 (en) | 2018-05-24 | 2023-12-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Die cleaning systems and related methods |
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