JP2004163239A - 表面評価装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】試料表面からの散乱光のみを検出させて、試料表面をより高精度で信頼性高く評価する。
【解決手段】試料3表面にレーザ光1を斜め上方より照射させ、発生した散乱光を、試料3表面の法線方向かつ対向する位置のCCD5で検出させる表面評価装置であって、試料3表面とCCD5との間の光路に、内径が試料とほぼ同径か僅かに大の無光沢加工黒色筒体と、該筒体下端に、両側を上方に折り曲げ、中央に孔を穿った、長方形の無光沢加工黒板を配設した迷光遮断装置14を配置して、CCD5への迷光を効果的に遮断し、試料表面からの散乱光のみを、CCD5に検出させて、試料表面を、より高精度で信頼性高く評価する。
【選択図】 図2
【解決手段】試料3表面にレーザ光1を斜め上方より照射させ、発生した散乱光を、試料3表面の法線方向かつ対向する位置のCCD5で検出させる表面評価装置であって、試料3表面とCCD5との間の光路に、内径が試料とほぼ同径か僅かに大の無光沢加工黒色筒体と、該筒体下端に、両側を上方に折り曲げ、中央に孔を穿った、長方形の無光沢加工黒板を配設した迷光遮断装置14を配置して、CCD5への迷光を効果的に遮断し、試料表面からの散乱光のみを、CCD5に検出させて、試料表面を、より高精度で信頼性高く評価する。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体、絶縁体、金属等からなる試料表面に光を入射させ、試料表面で散乱される光を検出し試料表面の上に存在する、微小な粒子、付着物等の異物、及び粗さ、キズ、スクラッチ等の微細な凹凸、並びに構造または組成の変化等を高精度に評価する表面評価装置に関し、より詳しくは、CCDへの迷光を遮断し、試料表面からの散乱光のみをCCDに検出させるための迷光遮断装置を備えた表面評価装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、He−NeレーザやArレーザのようなレーザ光を用いて、集光させた照射光を、試料表面に対して比較的垂直に近い角度で入射させ、表面からの散乱光を、凹面鏡である積分球等を用いて捕捉し、ついで各測定点での散乱光強度を、光電子増倍管(「PMT」という。)を用いて、電気信号に変換させることにより、シリコンウエハ等の試料表面の微粒子、付着物等の異物を測定していた。また、シリコンウエハや照射光を走査させて、照射位置を移動させることにより、異物の位置を測定していた。
【0003】
本発明者らは、先に出願した特願2001−150584号により、試料表面の異物や微細な凹凸との識別が短持間かつ容易にでき、広い範囲にわたって、短時間かつ容易に、高精度に評価できる表面評価装置を提案した。
【0004】
特願2001−150584号の表面評価装置は、反射光が最小となる入射角度の照射光を、試料表面に照射させる光照射手段と、試料表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された、発生させた散乱光を結像させる結像レンズ及び結像された散乱光を電気信号に変換させるCCDからなる散乱光検出手段と、該CCDからの電気信号を記録させる記録手段とを有することを特徴とするものである。
【0005】
該装置は、図1の概略模式図に示されるように、試料3表面に、異物や微細な凹凸、あるいは構造や組成の変化等が存在する場合、照射光1が照射された部分より散乱光が発生し、発生した散乱光は、結像レンズ4により、CCD5に結像する。CCD5は、散乱光強度に応じた強さの電気信号を発生させると共に、各測定部分に対応する散乱光強度に対応する画像を、モニターに表示する。この画像を、記録、解析することにより、試料表面の異物、微細な凹凸、組成の変化やそれらの分布の測定、評価を行うことができる。
【0006】
試料3表面の法線と、試料3表面への照射させるレーザ光とのなす角度は、反射光を最小限に抑えながら、散乱光のみを効果的に発生させる角度であり、試料の種類により決まるブリュースター角に近い角度である。シリコンの場合、76度である。
【0007】
該装置では、試料5表面からの散乱光を検出するための散乱光検出手段であるCCD5に、試料3表面からの散乱光のみを検出させなくてはならない。CCD5に、試料3表面からの散乱光以外の光が迷光として進入すると、検出精度に支障をきたし、不都合である。
【0008】
特に、試料3がシリコンウエハの場合、鏡面であり、シリコンウエハに、入射角度76度以下のレーザ光が進入した場合、散乱光だけでなく反射光も迷光となるため不都合を生じるため、CCD5への迷光を効果的に遮断することが望まれていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、光検出手段を構成するCCDへの迷光を効果的に遮断し、該CCDに試料表面からの散乱光のみを検出させ、より高精度で信頼性高く、試料表面を評価する表面評価装置を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意検討した結果、試料表面とCCDとの間に迷光遮断装置を配置させることにより、上記の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0011】
すなわち、本発明の、請求項1に記載の表面評価装置は、試料表面にレーザ光を斜め上方より照射させる光照射手段と、試料表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された、発生させた散乱光を結像させる結像レンズ及び結像された散乱光を電気信号に変換させるCCDからなる散乱光検出手段と、該CCDからの電気信号を記録させる記録手段とを有する表面評価装置において、迷光遮断装置が、試料表面とCCDとの間に配置されてなることを特徴とするものである。
【0012】
請求項2記載の表面評価装置は、請求項1に記載の発明において、迷光遮断装置が、CCDへの迷光を遮断させ、かつ発生させた散乱光のみをCCDに検出させてなることを特徴とするものである。
【0013】
請求項3に記載の表面評価装置は、請求項1または請求項2に記載の発明において、迷光遮断装置が、試料表面からCCDへの散乱光の光路を囲繞させてなる無光沢加工筒体であることを特徴とするものである。
【0014】
請求項4に記載の表面評価装置は、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の発明において、迷光遮断装置が、中空円柱状または多角柱状筒体のいずれかであることを特徴とするものである。
【0015】
請求項5に記載の表面評価装置は、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の発明において、迷光遮断装置が、レーザ光の入射及び反射光路に接触せず、かつ法線方向に最長の長さとなるように設定されてなることを特徴とするものである。
【0016】
請求項6に記載の表面評価装置は、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の発明において、迷光遮断装置の下部の最大開口径が、試料径と同等もしくは僅かに大であることを特徴とするものである。
【0017】
請求項7に記載の表面評価装置は、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載された表面評価装置に配置された迷光遮断装置である筒体下端に、最大開口径が試料径と同等もしくは僅かに大の孔を中央部に穿った長方形の板が、水平に配設され、かつレーザ光の入射及び反射光路となる長径方向の両側が、前記光路に接触しない角度で上方に折り曲げられてなることを特徴とするものである。
【0018】
請求項8に記載の表面評価装置は、請求項7に記載の長方形の板が、無光沢加工板であることを特徴とするものである。
【0019】
以下、本発明を、図面を参照して、詳細に説明する。
【0020】
図2は、迷光遮断装置14を、試料ステージ2上に載置された試料3表面とCCD5との間に配置させることにより、光検出手段を構成するCCD5への迷光を遮断させ、試料3表面からの散乱光のみをCCD5に検出させる様子を示す断面模式図である。
【0021】
図3は、迷光遮断装置14の例を示し、<A>が中空円柱状筒体、また<B>が六角柱状筒体の時の斜め下方向からの斜視図である。
【0022】
また、図4は、迷光遮断装置14の斜め下方向からの斜視図であり、迷光遮断装置14である筒体下端には、最大開口径が試料径と同じ孔を中央部に穿った長方形の板が、水平に配設され、かつレーザ光の入射及び反射光路となる長径方向の両側が、前記光路に接触しない角度で上方に折り曲げられている。
【0023】
本発明の表面評価装置では、試料3表面に、レーザ光1を斜め上方より照射させる光照射手段と、試料3表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された、発生させた散乱光を結像させる結像レンズ4及び結像された散乱光を電気信号に変換させるCCD5からなる散乱光検出手段と、該CCD5からの電気信号を記録させる記録手段5’、11、12とを有する表面評価装置において、試料3表面とCCD5との間に配置された迷光遮断装置14が、CCD5への迷光を遮断させ、CCD5は、発生させた散乱光のみを検出する。
【0024】
上記迷光遮断装置14は、試料3表面からCCD5への散乱光の光路を囲繞させた中空円柱状または多角柱状の無光沢加工筒体である。図3に一例を示す。
【0025】
迷光遮断装置14に無光沢加工筒体を用いることにより、該装置14自身による反射、散乱を抑制し、迷光を効果的に遮断することができる。
【0026】
迷光遮断装置14は、試料3表面からの散乱光以外の迷光を効果的に遮断するため、レーザ光の入射及び反射光路に接触せず、かつ法線方向に最長の長さとなるように設定し、かつ該装置14の下部の最大開口径が、試料径と同等もしくは僅かに大となるように設定することが好ましい。
【0027】
迷光遮断装置14の下部の最大開口径を試料径と同等もしくは僅かに大とし、試料3全面がCCD5の視野に入るように設定した場合、一度に試料3全面からの散乱光の強度分布を計測することができる。
【0028】
また、迷光遮断装置14である筒体下端に、最大開口部径が試料径と同じ孔を中央部に穿った長方形の無光沢加工板を、水平に配置し、かつレーザ光の入射及び反射光路となる長径方向の両端を、前記光路に接触しない角度で上方に折り曲げた板を配設することにより、試料表面からの散乱光以外の迷光を、さらに効果的に遮断することができ、特に好ましい。
【0029】
上記迷光遮断装置14を備えた本発明の表面評価装置によれば、CCDへの迷光を効果的に遮断し、該CCDに試料表面からの散乱光のみを検出させることができ、試料表面の上に存在する、微小な粒子、付着物等の異物、及び粗さ、キズ、スクラッチ等の微細な凹凸、並びに構造または組成の変化等を、より高精度で信頼性の高く評価することができる。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を、実施例に基づき、図面を参照して、詳細に説明する。なお、本発明は、実施例によりなんら限定されない。
【0031】
実施例
まず、特願2001−150584号に開示されている表面評価装置の概略を示す図1を参照しながら、試料表面を評価する方法について、説明する。
【0032】
光源であるArイオンレーザ6(波長488nm、出力0.1〜1.6W可変)から射出された単一レーザ光は、減光フィルター8により、光量が調節された後、2分の1波長板9により、P偏光またはS偏光に偏光面調整される。通常、P偏光が用いられる。
【0033】
ついで、偏光面調整された単一レーザ光は、照射光1走査用X−Yスキャナー7を経た後、集光レンズ10により、試料である6”シリコンウエハ3表面上で適当な大きさのスポットとなるように集光されて照射光1となり、試料ステージ2の上に載置されたシリコンウエハ3表面に、反射光を最小限に抑えて、散乱光のみを効果的に発生させる、ブリュースター角に近い角度、すなわちシリコンウエハ3の法線と照射光1のなす角度が76度となる角度で入射する。
【0034】
試料ステージ2により、該ステージ2上に載置させたシリコンウエハ3は、X−Y−Z方向に位置調整され、測定位置が移動される。
【0035】
ガルバノ・ミラーを2段組み合わせたX−Yスキャナー7により、シリコンウエハ3の測定領域に、照射光1が均一照射される。照射光1は、該スキャナー7により、シリコンウエハ3の測定領域の約2倍の領域にわたって走査される。
【0036】
X−Yスキャナー7としては、ガルバノ・ミラーの2段組合せ以外に、ポリゴンミラーを利用する方法やシリコンウエハをX−Y方向に移動させる方法等がある。
【0037】
シリコンウエハ3表面への照射光1は、ほとんどがシリコンウエハ3内部を進行し、ごく一部のみが反射光となり、照射光1と反対側に進む。反射光は、他の構造物に再反射して迷光となったり、試料3表面あるいは結像レンズ4及びCCD5に再照射してノイズとなるため、反射光を再び測定系に戻さないような反射防止板、または内面での反射を少なくさせる筒状体等で構成された反射光補足装置13が配置される。
【0038】
シリコンウエハ3表面から発生した散乱光は、シリコンウエハ3表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された、焦点可変の結像レンズ4により、CCD5に結像される。ついで、CCD5に結像された散乱光は、その強度に応じた強さの電気信号に変換される。CCD5は、ノイズの低減のため、ペルチェ素子を用いて冷却させて、暗電流を抑制している
【0039】
CCD5により変換された電気信号は、パソコン11により、画像処理され、モニター12に、発生した散乱光の強度分布に対応したCCD画像が表示される。このCCD画像を記録、解析することにより、試料表面の異物、微細な凹凸、組成の変化やそれらの分布の測定及び評価を行うことができる。
【0040】
本発明の表面評価装置は、図2に示すように、特願2001−150584号の表面評価装置において、試料であるシリコンウエハ3表面とCCD5との間に迷光遮断装置14を配置したものである。
【0041】
上記迷光遮断装置14は、試料であるシリコンウエハ3の直径と同じ内径を有する、無光沢加工した中空円柱状の黒色筒体に、最大開口径が試料径と同じ孔を中央部に穿った長方形の板を、水平に配置し、かつレーザ光の入射及び反射光路となる長径方向の両端を、前記光路に接触しない角度で上方に折り曲げた、前記筒体と同一材料で作製された板を配設したものであり、また、該装置14の下端は、レーザ光の入射及び反射光路に接触せず、かつ法線方向に最長の長さとなるように設定されている。
【0042】
上記表面評価装置を用いて、6”シリコンウエハ表面を測定した時のCCD画像を、図5に示す。
【0043】
比較例
実施例に用いた迷光遮断装置14を用いない以外は、実施例と同様にして、6”シリコンウエハ表面を測定した時のCCD画像を、図6に示す。
【0044】
図5及び図6に示すように、実施例(図5)では、迷光遮断装置14により、CCD5への迷光が効果的に遮断され、シリコンウエハ表面の付着粒子が観測されたのに比し、比較例(図6)では、CCD5への迷光により、シリコンウエハ表面の観測ができなかった。
【0045】
迷光遮断装置14を備えた本発明の表面評価装置は、CCDへの迷光を大幅に防止でき、迷光遮断装置を配置しない比較例と比べ、桁違いに高精度で信頼性高く試料表面の測定することができる。
【0046】
【発明の効果】
本発明の迷光遮断装置を備えた表面評価装置によれば、CCDへの迷光を効果的に遮断し、該CCDに試料表面からの散乱光のみを検出させることができ、試料表面の上に存在する、微小な粒子、付着物等の異物、及び粗さ、キズ、スクラッチ等の微細な凹凸、並びに構造または組成の変化等を、より高精度で信頼性の高く評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】特願2001−150584号の表面評価装置の概略を示す模式図である。
【図2】本発明の表面評価装置に備えた迷光遮断装置を示す断面模式図である。
【図3】本発明の表面評価装置に備えた迷光遮断装置の例を示す斜め下方向からの斜視図である。<A>が中空円柱状筒体、<B>が中空六角柱状筒体である。
【図4】図3<A>に示した迷光遮断装置の下端に両側を上方に折り曲げた、中央部に孔を穿った長方形の板を配設した状態を示す斜め下方向からの斜視図である。
【図5】迷光遮断装置を備えた本発明の表面評価装置を用いて測定した、6”シリコンウエハ表面のCCD画像である。
【図6】迷光遮断装置を配置させずに測定した、6”シリコンウエハ表面のCCD画像である。
【符号の説明】
1 照射光(レーザ光)
2 試料ステージ
3 試料
4 結像レンズ
5 CCD
5’ CCD制御盤
6 光源(Arイオンレーザー)
7 X−Yスキャナー
8 減光フィルター
9 2分の1波長板
10 集光レンズ
11、11’ パソコン
12 モニター
13 反射光捕捉装置
14 迷光遮断装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体、絶縁体、金属等からなる試料表面に光を入射させ、試料表面で散乱される光を検出し試料表面の上に存在する、微小な粒子、付着物等の異物、及び粗さ、キズ、スクラッチ等の微細な凹凸、並びに構造または組成の変化等を高精度に評価する表面評価装置に関し、より詳しくは、CCDへの迷光を遮断し、試料表面からの散乱光のみをCCDに検出させるための迷光遮断装置を備えた表面評価装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、He−NeレーザやArレーザのようなレーザ光を用いて、集光させた照射光を、試料表面に対して比較的垂直に近い角度で入射させ、表面からの散乱光を、凹面鏡である積分球等を用いて捕捉し、ついで各測定点での散乱光強度を、光電子増倍管(「PMT」という。)を用いて、電気信号に変換させることにより、シリコンウエハ等の試料表面の微粒子、付着物等の異物を測定していた。また、シリコンウエハや照射光を走査させて、照射位置を移動させることにより、異物の位置を測定していた。
【0003】
本発明者らは、先に出願した特願2001−150584号により、試料表面の異物や微細な凹凸との識別が短持間かつ容易にでき、広い範囲にわたって、短時間かつ容易に、高精度に評価できる表面評価装置を提案した。
【0004】
特願2001−150584号の表面評価装置は、反射光が最小となる入射角度の照射光を、試料表面に照射させる光照射手段と、試料表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された、発生させた散乱光を結像させる結像レンズ及び結像された散乱光を電気信号に変換させるCCDからなる散乱光検出手段と、該CCDからの電気信号を記録させる記録手段とを有することを特徴とするものである。
【0005】
該装置は、図1の概略模式図に示されるように、試料3表面に、異物や微細な凹凸、あるいは構造や組成の変化等が存在する場合、照射光1が照射された部分より散乱光が発生し、発生した散乱光は、結像レンズ4により、CCD5に結像する。CCD5は、散乱光強度に応じた強さの電気信号を発生させると共に、各測定部分に対応する散乱光強度に対応する画像を、モニターに表示する。この画像を、記録、解析することにより、試料表面の異物、微細な凹凸、組成の変化やそれらの分布の測定、評価を行うことができる。
【0006】
試料3表面の法線と、試料3表面への照射させるレーザ光とのなす角度は、反射光を最小限に抑えながら、散乱光のみを効果的に発生させる角度であり、試料の種類により決まるブリュースター角に近い角度である。シリコンの場合、76度である。
【0007】
該装置では、試料5表面からの散乱光を検出するための散乱光検出手段であるCCD5に、試料3表面からの散乱光のみを検出させなくてはならない。CCD5に、試料3表面からの散乱光以外の光が迷光として進入すると、検出精度に支障をきたし、不都合である。
【0008】
特に、試料3がシリコンウエハの場合、鏡面であり、シリコンウエハに、入射角度76度以下のレーザ光が進入した場合、散乱光だけでなく反射光も迷光となるため不都合を生じるため、CCD5への迷光を効果的に遮断することが望まれていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、光検出手段を構成するCCDへの迷光を効果的に遮断し、該CCDに試料表面からの散乱光のみを検出させ、より高精度で信頼性高く、試料表面を評価する表面評価装置を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意検討した結果、試料表面とCCDとの間に迷光遮断装置を配置させることにより、上記の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0011】
すなわち、本発明の、請求項1に記載の表面評価装置は、試料表面にレーザ光を斜め上方より照射させる光照射手段と、試料表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された、発生させた散乱光を結像させる結像レンズ及び結像された散乱光を電気信号に変換させるCCDからなる散乱光検出手段と、該CCDからの電気信号を記録させる記録手段とを有する表面評価装置において、迷光遮断装置が、試料表面とCCDとの間に配置されてなることを特徴とするものである。
【0012】
請求項2記載の表面評価装置は、請求項1に記載の発明において、迷光遮断装置が、CCDへの迷光を遮断させ、かつ発生させた散乱光のみをCCDに検出させてなることを特徴とするものである。
【0013】
請求項3に記載の表面評価装置は、請求項1または請求項2に記載の発明において、迷光遮断装置が、試料表面からCCDへの散乱光の光路を囲繞させてなる無光沢加工筒体であることを特徴とするものである。
【0014】
請求項4に記載の表面評価装置は、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の発明において、迷光遮断装置が、中空円柱状または多角柱状筒体のいずれかであることを特徴とするものである。
【0015】
請求項5に記載の表面評価装置は、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の発明において、迷光遮断装置が、レーザ光の入射及び反射光路に接触せず、かつ法線方向に最長の長さとなるように設定されてなることを特徴とするものである。
【0016】
請求項6に記載の表面評価装置は、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の発明において、迷光遮断装置の下部の最大開口径が、試料径と同等もしくは僅かに大であることを特徴とするものである。
【0017】
請求項7に記載の表面評価装置は、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載された表面評価装置に配置された迷光遮断装置である筒体下端に、最大開口径が試料径と同等もしくは僅かに大の孔を中央部に穿った長方形の板が、水平に配設され、かつレーザ光の入射及び反射光路となる長径方向の両側が、前記光路に接触しない角度で上方に折り曲げられてなることを特徴とするものである。
【0018】
請求項8に記載の表面評価装置は、請求項7に記載の長方形の板が、無光沢加工板であることを特徴とするものである。
【0019】
以下、本発明を、図面を参照して、詳細に説明する。
【0020】
図2は、迷光遮断装置14を、試料ステージ2上に載置された試料3表面とCCD5との間に配置させることにより、光検出手段を構成するCCD5への迷光を遮断させ、試料3表面からの散乱光のみをCCD5に検出させる様子を示す断面模式図である。
【0021】
図3は、迷光遮断装置14の例を示し、<A>が中空円柱状筒体、また<B>が六角柱状筒体の時の斜め下方向からの斜視図である。
【0022】
また、図4は、迷光遮断装置14の斜め下方向からの斜視図であり、迷光遮断装置14である筒体下端には、最大開口径が試料径と同じ孔を中央部に穿った長方形の板が、水平に配設され、かつレーザ光の入射及び反射光路となる長径方向の両側が、前記光路に接触しない角度で上方に折り曲げられている。
【0023】
本発明の表面評価装置では、試料3表面に、レーザ光1を斜め上方より照射させる光照射手段と、試料3表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された、発生させた散乱光を結像させる結像レンズ4及び結像された散乱光を電気信号に変換させるCCD5からなる散乱光検出手段と、該CCD5からの電気信号を記録させる記録手段5’、11、12とを有する表面評価装置において、試料3表面とCCD5との間に配置された迷光遮断装置14が、CCD5への迷光を遮断させ、CCD5は、発生させた散乱光のみを検出する。
【0024】
上記迷光遮断装置14は、試料3表面からCCD5への散乱光の光路を囲繞させた中空円柱状または多角柱状の無光沢加工筒体である。図3に一例を示す。
【0025】
迷光遮断装置14に無光沢加工筒体を用いることにより、該装置14自身による反射、散乱を抑制し、迷光を効果的に遮断することができる。
【0026】
迷光遮断装置14は、試料3表面からの散乱光以外の迷光を効果的に遮断するため、レーザ光の入射及び反射光路に接触せず、かつ法線方向に最長の長さとなるように設定し、かつ該装置14の下部の最大開口径が、試料径と同等もしくは僅かに大となるように設定することが好ましい。
【0027】
迷光遮断装置14の下部の最大開口径を試料径と同等もしくは僅かに大とし、試料3全面がCCD5の視野に入るように設定した場合、一度に試料3全面からの散乱光の強度分布を計測することができる。
【0028】
また、迷光遮断装置14である筒体下端に、最大開口部径が試料径と同じ孔を中央部に穿った長方形の無光沢加工板を、水平に配置し、かつレーザ光の入射及び反射光路となる長径方向の両端を、前記光路に接触しない角度で上方に折り曲げた板を配設することにより、試料表面からの散乱光以外の迷光を、さらに効果的に遮断することができ、特に好ましい。
【0029】
上記迷光遮断装置14を備えた本発明の表面評価装置によれば、CCDへの迷光を効果的に遮断し、該CCDに試料表面からの散乱光のみを検出させることができ、試料表面の上に存在する、微小な粒子、付着物等の異物、及び粗さ、キズ、スクラッチ等の微細な凹凸、並びに構造または組成の変化等を、より高精度で信頼性の高く評価することができる。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を、実施例に基づき、図面を参照して、詳細に説明する。なお、本発明は、実施例によりなんら限定されない。
【0031】
実施例
まず、特願2001−150584号に開示されている表面評価装置の概略を示す図1を参照しながら、試料表面を評価する方法について、説明する。
【0032】
光源であるArイオンレーザ6(波長488nm、出力0.1〜1.6W可変)から射出された単一レーザ光は、減光フィルター8により、光量が調節された後、2分の1波長板9により、P偏光またはS偏光に偏光面調整される。通常、P偏光が用いられる。
【0033】
ついで、偏光面調整された単一レーザ光は、照射光1走査用X−Yスキャナー7を経た後、集光レンズ10により、試料である6”シリコンウエハ3表面上で適当な大きさのスポットとなるように集光されて照射光1となり、試料ステージ2の上に載置されたシリコンウエハ3表面に、反射光を最小限に抑えて、散乱光のみを効果的に発生させる、ブリュースター角に近い角度、すなわちシリコンウエハ3の法線と照射光1のなす角度が76度となる角度で入射する。
【0034】
試料ステージ2により、該ステージ2上に載置させたシリコンウエハ3は、X−Y−Z方向に位置調整され、測定位置が移動される。
【0035】
ガルバノ・ミラーを2段組み合わせたX−Yスキャナー7により、シリコンウエハ3の測定領域に、照射光1が均一照射される。照射光1は、該スキャナー7により、シリコンウエハ3の測定領域の約2倍の領域にわたって走査される。
【0036】
X−Yスキャナー7としては、ガルバノ・ミラーの2段組合せ以外に、ポリゴンミラーを利用する方法やシリコンウエハをX−Y方向に移動させる方法等がある。
【0037】
シリコンウエハ3表面への照射光1は、ほとんどがシリコンウエハ3内部を進行し、ごく一部のみが反射光となり、照射光1と反対側に進む。反射光は、他の構造物に再反射して迷光となったり、試料3表面あるいは結像レンズ4及びCCD5に再照射してノイズとなるため、反射光を再び測定系に戻さないような反射防止板、または内面での反射を少なくさせる筒状体等で構成された反射光補足装置13が配置される。
【0038】
シリコンウエハ3表面から発生した散乱光は、シリコンウエハ3表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された、焦点可変の結像レンズ4により、CCD5に結像される。ついで、CCD5に結像された散乱光は、その強度に応じた強さの電気信号に変換される。CCD5は、ノイズの低減のため、ペルチェ素子を用いて冷却させて、暗電流を抑制している
【0039】
CCD5により変換された電気信号は、パソコン11により、画像処理され、モニター12に、発生した散乱光の強度分布に対応したCCD画像が表示される。このCCD画像を記録、解析することにより、試料表面の異物、微細な凹凸、組成の変化やそれらの分布の測定及び評価を行うことができる。
【0040】
本発明の表面評価装置は、図2に示すように、特願2001−150584号の表面評価装置において、試料であるシリコンウエハ3表面とCCD5との間に迷光遮断装置14を配置したものである。
【0041】
上記迷光遮断装置14は、試料であるシリコンウエハ3の直径と同じ内径を有する、無光沢加工した中空円柱状の黒色筒体に、最大開口径が試料径と同じ孔を中央部に穿った長方形の板を、水平に配置し、かつレーザ光の入射及び反射光路となる長径方向の両端を、前記光路に接触しない角度で上方に折り曲げた、前記筒体と同一材料で作製された板を配設したものであり、また、該装置14の下端は、レーザ光の入射及び反射光路に接触せず、かつ法線方向に最長の長さとなるように設定されている。
【0042】
上記表面評価装置を用いて、6”シリコンウエハ表面を測定した時のCCD画像を、図5に示す。
【0043】
比較例
実施例に用いた迷光遮断装置14を用いない以外は、実施例と同様にして、6”シリコンウエハ表面を測定した時のCCD画像を、図6に示す。
【0044】
図5及び図6に示すように、実施例(図5)では、迷光遮断装置14により、CCD5への迷光が効果的に遮断され、シリコンウエハ表面の付着粒子が観測されたのに比し、比較例(図6)では、CCD5への迷光により、シリコンウエハ表面の観測ができなかった。
【0045】
迷光遮断装置14を備えた本発明の表面評価装置は、CCDへの迷光を大幅に防止でき、迷光遮断装置を配置しない比較例と比べ、桁違いに高精度で信頼性高く試料表面の測定することができる。
【0046】
【発明の効果】
本発明の迷光遮断装置を備えた表面評価装置によれば、CCDへの迷光を効果的に遮断し、該CCDに試料表面からの散乱光のみを検出させることができ、試料表面の上に存在する、微小な粒子、付着物等の異物、及び粗さ、キズ、スクラッチ等の微細な凹凸、並びに構造または組成の変化等を、より高精度で信頼性の高く評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】特願2001−150584号の表面評価装置の概略を示す模式図である。
【図2】本発明の表面評価装置に備えた迷光遮断装置を示す断面模式図である。
【図3】本発明の表面評価装置に備えた迷光遮断装置の例を示す斜め下方向からの斜視図である。<A>が中空円柱状筒体、<B>が中空六角柱状筒体である。
【図4】図3<A>に示した迷光遮断装置の下端に両側を上方に折り曲げた、中央部に孔を穿った長方形の板を配設した状態を示す斜め下方向からの斜視図である。
【図5】迷光遮断装置を備えた本発明の表面評価装置を用いて測定した、6”シリコンウエハ表面のCCD画像である。
【図6】迷光遮断装置を配置させずに測定した、6”シリコンウエハ表面のCCD画像である。
【符号の説明】
1 照射光(レーザ光)
2 試料ステージ
3 試料
4 結像レンズ
5 CCD
5’ CCD制御盤
6 光源(Arイオンレーザー)
7 X−Yスキャナー
8 減光フィルター
9 2分の1波長板
10 集光レンズ
11、11’ パソコン
12 モニター
13 反射光捕捉装置
14 迷光遮断装置
Claims (8)
- 試料表面に、照射光を斜め上方より照射させる光照射手段と、試料表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された、発生させた散乱光を結像させる結像レンズ及び結像させた散乱光を電気信号に変換させるCCDからなる散乱光検出手段と、該CCDからの電気信号を記録させる記録手段とを有する表面評価装置において、迷光遮断装置が、試料表面とCCDとの間に配置されてなることを特徴とする表面評価装置。
- 迷光遮断装置が、CCDへの迷光を遮断させ、かつ発生させた散乱光のみをCCDに検出させてなることを特徴とする請求項1に記載の表面評価装置。
- 迷光遮断装置が、試料表面からCCDへの散乱光の光路を囲繞させてなる無光沢加工筒体であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表面評価装置。
- 迷光遮断装置が、中空円柱状または多角柱状筒体のいずれかであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の表面評価装置。
- 迷光遮断装置が、レーザ光の入射及び反射光路に接触せず、かつ法線方向に最長の長さとなるように設定されてなることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の表面評価装置。
- 迷光遮断装置の下部の最大開口径が、試料径と同等もしくは僅かに大であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の表面評価装置。
- 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載された表面評価装置に配置された迷光遮断装置である筒体下端に、最大開口径が試料径と同等もしくは僅かに大の孔を中央部に穿った長方形の板が、水平に配設され、かつレーザ光の入射及び反射光路となる長径方向の両側が、前記光路に接触しない角度で上方に折り曲げられてなることを特徴とする表面評価装置。
- 請求項7記載の長方形の板が、無光沢加工板であることを特徴とする表面評価装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2009133848A1 (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-05 | 株式会社ニコン | 表面検査装置 |
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CN114166705A (zh) * | 2021-12-06 | 2022-03-11 | 南方电网科学研究院有限责任公司 | 一种硅橡胶微观结构评价方法 |
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2002
- 2002-11-13 JP JP2002328947A patent/JP2004163239A/ja active Pending
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