JPH06338484A - シリコンウエーハの製造方法、およびその装置 - Google Patents
シリコンウエーハの製造方法、およびその装置Info
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- JPH06338484A JPH06338484A JP14862993A JP14862993A JPH06338484A JP H06338484 A JPH06338484 A JP H06338484A JP 14862993 A JP14862993 A JP 14862993A JP 14862993 A JP14862993 A JP 14862993A JP H06338484 A JPH06338484 A JP H06338484A
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- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンウエーハ製造工程の簡略化、製造時
間の短縮化およびシリコンウエーハ品質向上が可能な製
造方法および装置を提供する。 【構成】 エッチング槽４のエッチング液１に、面取り
後のウエーハＷを定着したウエーハチャック５と研削部
材７を上下方向に対向させて浸漬する。エッチング液を
エッチング槽４に供給・溢流させながらチャック５を自
転、研削部材７を自転および公転させることにより、ウ
エーハＷについて研削加工とエッチングを同時に行う。
エッチング液としてはフッ酸・硝酸・水からなる所定組
成の混酸、またはアルカリ水溶液を用いる。研削加工
と、これに起因するウエーハの加工変質層や重金属の除
去のためのエッチングとを単一の工程で迅速に行うこと
ができる。
間の短縮化およびシリコンウエーハ品質向上が可能な製
造方法および装置を提供する。 【構成】 エッチング槽４のエッチング液１に、面取り
後のウエーハＷを定着したウエーハチャック５と研削部
材７を上下方向に対向させて浸漬する。エッチング液を
エッチング槽４に供給・溢流させながらチャック５を自
転、研削部材７を自転および公転させることにより、ウ
エーハＷについて研削加工とエッチングを同時に行う。
エッチング液としてはフッ酸・硝酸・水からなる所定組
成の混酸、またはアルカリ水溶液を用いる。研削加工
と、これに起因するウエーハの加工変質層や重金属の除
去のためのエッチングとを単一の工程で迅速に行うこと
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス用シリ
コンウエーハの製造方法および装置に関し、詳しくは、
単結晶シリコンインゴットから切り出したウエーハ（以
下、加工工程中にあるものは単にウエーハと称する）に
ついてエッチング液中で研削加工を行うようにした研削
方法および装置に関する。
コンウエーハの製造方法および装置に関し、詳しくは、
単結晶シリコンインゴットから切り出したウエーハ（以
下、加工工程中にあるものは単にウエーハと称する）に
ついてエッチング液中で研削加工を行うようにした研削
方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造に用いられるシリ
コンウエーハは通常、単結晶シリコンインゴットについ
て外径研削（ブロック作製）、オリエンテーションフラ
ット加工、スライシング、面取り、ラッピング、エッチ
ング、鏡面研磨の順に加工を施すことにより作製され
る。上記エッチングは、外径研削からラッピングに至る
機械的加工工程により生じたウエーハ表面の加工変質層
や残留重金属を除去するためのものである。すなわち、
従来のウエーハの面取りやラッピングでは、加工能率を
向上させたり、発生する加工変質層の深さをできるだけ
浅くするために、砥石として使用される固定砥粒や遊離
砥粒の粒径、その他の加工条件の管理が行われていた
が、加工変質層のないシリコンウエーハを作製すること
は困難であるうえ、加工表面層には砥石等に由来する重
金属が残留する。前記エッチングは、加工変質層や重金
属を取り除くことによって、これらに起因するシリコン
ウエーハ表面近傍の微小欠陥あるいは、積層欠陥等の結
晶欠陥の発生を予め防止するためのものである。
コンウエーハは通常、単結晶シリコンインゴットについ
て外径研削（ブロック作製）、オリエンテーションフラ
ット加工、スライシング、面取り、ラッピング、エッチ
ング、鏡面研磨の順に加工を施すことにより作製され
る。上記エッチングは、外径研削からラッピングに至る
機械的加工工程により生じたウエーハ表面の加工変質層
や残留重金属を除去するためのものである。すなわち、
従来のウエーハの面取りやラッピングでは、加工能率を
向上させたり、発生する加工変質層の深さをできるだけ
浅くするために、砥石として使用される固定砥粒や遊離
砥粒の粒径、その他の加工条件の管理が行われていた
が、加工変質層のないシリコンウエーハを作製すること
は困難であるうえ、加工表面層には砥石等に由来する重
金属が残留する。前記エッチングは、加工変質層や重金
属を取り除くことによって、これらに起因するシリコン
ウエーハ表面近傍の微小欠陥あるいは、積層欠陥等の結
晶欠陥の発生を予め防止するためのものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
シリコンウエーハ製造工程では、その機械加工とエッチ
ングが別個の工程であったため、工程数が多いだけでな
く、前述のように加工変質層や重金属を完全には除去す
ることができないという問題があった。また、比較的深
い加工変質層や多量の重金属に汚染されたウエーハで
は、エッチング深さをこれに対応して深くする必要があ
るが、この場合、エッチングによってウエーハの形状が
崩れる結果、所望形状のシリコンウエーハを得ることが
難しいという問題もあった。
シリコンウエーハ製造工程では、その機械加工とエッチ
ングが別個の工程であったため、工程数が多いだけでな
く、前述のように加工変質層や重金属を完全には除去す
ることができないという問題があった。また、比較的深
い加工変質層や多量の重金属に汚染されたウエーハで
は、エッチング深さをこれに対応して深くする必要があ
るが、この場合、エッチングによってウエーハの形状が
崩れる結果、所望形状のシリコンウエーハを得ることが
難しいという問題もあった。
【０００４】本発明は、上記の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、ウエーハについてエッチング液中で研
削加工とエッチングを同時に（並行的に）行うことによ
り、シリコンウエーハ製造工程の簡略化および製造所要
時間の短縮化と、シリコンウエーハの品質向上とを達成
することができる、シリコンウエーハの製造方法および
その装置を簡単な構成で提供することにある。
で、その目的は、ウエーハについてエッチング液中で研
削加工とエッチングを同時に（並行的に）行うことによ
り、シリコンウエーハ製造工程の簡略化および製造所要
時間の短縮化と、シリコンウエーハの品質向上とを達成
することができる、シリコンウエーハの製造方法および
その装置を簡単な構成で提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体
デバイス用シリコンウエーハの製造方法は、単結晶シリ
コンインゴットを、その引上軸を回転軸として外径研削
した後、前記引上軸に垂直、またはほぼ垂直方向にスラ
イスして得られるウエーハを面取りし、次いでその主面
をエッチング液中で研削し、更に鏡面研磨仕上げを行う
ことによる半導体デバイス用シリコンウエーハの製造方
法であって、前記エッチング液中での研削は、遊離砥粒
を含まず、かつウエーハ表面部に存在する加工変質層を
選択的にエッチングしうるエッチング液中で行うことを
特徴とする。
デバイス用シリコンウエーハの製造方法は、単結晶シリ
コンインゴットを、その引上軸を回転軸として外径研削
した後、前記引上軸に垂直、またはほぼ垂直方向にスラ
イスして得られるウエーハを面取りし、次いでその主面
をエッチング液中で研削し、更に鏡面研磨仕上げを行う
ことによる半導体デバイス用シリコンウエーハの製造方
法であって、前記エッチング液中での研削は、遊離砥粒
を含まず、かつウエーハ表面部に存在する加工変質層を
選択的にエッチングしうるエッチング液中で行うことを
特徴とする。
【０００６】請求項２に記載の半導体デバイス用シリコ
ンウエーハの製造方法は、請求項１において、前記エッ
チング液としてフッ酸５〜３５ｗｔ％、硝酸１５〜４５
ｗｔ％、および水４０〜８０ｗｔ％からなる３成分系の
もの、または苛性ソーダもしくは苛性カリ３０〜５０ｗ
ｔ％と、水７０〜５０ｗｔ％からなる２成分系のもの使
用することを特徴とする。
ンウエーハの製造方法は、請求項１において、前記エッ
チング液としてフッ酸５〜３５ｗｔ％、硝酸１５〜４５
ｗｔ％、および水４０〜８０ｗｔ％からなる３成分系の
もの、または苛性ソーダもしくは苛性カリ３０〜５０ｗ
ｔ％と、水７０〜５０ｗｔ％からなる２成分系のもの使
用することを特徴とする。
【０００７】請求項３に記載の半導体デバイス用シリコ
ンウエーハの製造装置は、単結晶シリコンインゴットか
ら切り出したウエーハの主面を、遊離砥粒を含まないエ
ッチング液の存在下で研削するための装置であって、エ
ッチング液を貯溜するためのエッチング槽を設け、エッ
チング槽内にはウエーハ固定用の保持部材と、砥石を備
えた研削部材を上下方向に対向配置すると共に、前記保
持部材と研削部材は上下移動機構により互いに圧接・離
隔を可能となし、前記保持部材に定着されたウエーハお
よび研削部材の双方を互いに逆方向に自転可能とする
か、またはその一方のみを自転可能とし、更に前記保持
部材、研削部材の双方が自転可能の場合にはこれらの一
方を他方に対して公転可能とし、一方のみが自転可能の
場合には該自転可能な部材を他方の部材に対して公転可
能としたことを特徴とする。
ンウエーハの製造装置は、単結晶シリコンインゴットか
ら切り出したウエーハの主面を、遊離砥粒を含まないエ
ッチング液の存在下で研削するための装置であって、エ
ッチング液を貯溜するためのエッチング槽を設け、エッ
チング槽内にはウエーハ固定用の保持部材と、砥石を備
えた研削部材を上下方向に対向配置すると共に、前記保
持部材と研削部材は上下移動機構により互いに圧接・離
隔を可能となし、前記保持部材に定着されたウエーハお
よび研削部材の双方を互いに逆方向に自転可能とする
か、またはその一方のみを自転可能とし、更に前記保持
部材、研削部材の双方が自転可能の場合にはこれらの一
方を他方に対して公転可能とし、一方のみが自転可能の
場合には該自転可能な部材を他方の部材に対して公転可
能としたことを特徴とする。
【０００８】請求項４に記載の半導体デバイス用シリコ
ンウエーハの製造装置は、単結晶シリコンインゴットか
ら切り出したウエーハの主面を、遊離砥粒を含まないエ
ッチング液の存在下で研削するための装置であって、エ
ッチング槽にエッチング液を貯溜し、ウエーハ固定用の
保持部材のウエーハ定着面と研削部材に備えた砥石を、
前記ウエーハ定着面を上方に設けて互いに上下方向に対
向させ、前記保持部材は自転および上下動が可能に設
け、前記研削部材は前記エッチング槽内に往復動可能に
設けたことを特徴とする。
ンウエーハの製造装置は、単結晶シリコンインゴットか
ら切り出したウエーハの主面を、遊離砥粒を含まないエ
ッチング液の存在下で研削するための装置であって、エ
ッチング槽にエッチング液を貯溜し、ウエーハ固定用の
保持部材のウエーハ定着面と研削部材に備えた砥石を、
前記ウエーハ定着面を上方に設けて互いに上下方向に対
向させ、前記保持部材は自転および上下動が可能に設
け、前記研削部材は前記エッチング槽内に往復動可能に
設けたことを特徴とする。
【０００９】請求項５に記載の半導体デバイス用シリコ
ンウエーハの製造装置は、単結晶シリコンインゴットか
ら切り出したウエーハの主面を、遊離砥粒を含まないエ
ッチング液の存在下で研削するための装置であって、底
面にウエーハ研削用の砥石を装着し、かつ自転可能とし
たエッチング槽にエッチング液を貯溜し、ウエーハ固定
用の保持部材のウエーハ定着面を、前記砥石と上下方向
に対向配置すると共にエッチング槽に対し上下動可能と
なし、更に前記保持部材は自転可能または、自転および
公転可能に設けたことを特徴とする。
ンウエーハの製造装置は、単結晶シリコンインゴットか
ら切り出したウエーハの主面を、遊離砥粒を含まないエ
ッチング液の存在下で研削するための装置であって、底
面にウエーハ研削用の砥石を装着し、かつ自転可能とし
たエッチング槽にエッチング液を貯溜し、ウエーハ固定
用の保持部材のウエーハ定着面を、前記砥石と上下方向
に対向配置すると共にエッチング槽に対し上下動可能と
なし、更に前記保持部材は自転可能または、自転および
公転可能に設けたことを特徴とする。
【００１０】請求項６に記載の半導体デバイス用シリコ
ンウエーハの製造装置は、単結晶シリコンインゴットか
ら切り出したウエーハの主面を、遊離砥粒を含まないエ
ッチング液の存在下で研削するための装置であって、ウ
エーハ固定用の保持部材と、砥石を備えた研削部材を上
下方向に対向配置すると共に、これら保持部材と研削部
材は互いに圧接・離隔を可能となし、前記保持部材に定
着されたウエーハおよび研削部材の双方を互いに逆方向
に自転可能とするか、またはその一方のみを自転可能と
し、前記保持部材、研削部材の双方が自転可能の場合に
はこれらの一方を他方に対して公転可能とし、一方のみ
が自転可能の場合には該自転可能な部材を他方の部材に
対して公転可能とし、更に前記保持部材、研削部材で構
成される研削部にエッチング液を供給しうるエッチング
液の供給管を設けたことを特徴とする。
ンウエーハの製造装置は、単結晶シリコンインゴットか
ら切り出したウエーハの主面を、遊離砥粒を含まないエ
ッチング液の存在下で研削するための装置であって、ウ
エーハ固定用の保持部材と、砥石を備えた研削部材を上
下方向に対向配置すると共に、これら保持部材と研削部
材は互いに圧接・離隔を可能となし、前記保持部材に定
着されたウエーハおよび研削部材の双方を互いに逆方向
に自転可能とするか、またはその一方のみを自転可能と
し、前記保持部材、研削部材の双方が自転可能の場合に
はこれらの一方を他方に対して公転可能とし、一方のみ
が自転可能の場合には該自転可能な部材を他方の部材に
対して公転可能とし、更に前記保持部材、研削部材で構
成される研削部にエッチング液を供給しうるエッチング
液の供給管を設けたことを特徴とする。
【００１１】請求項７に記載の半導体デバイス用シリコ
ンウエーハの製造装置は、請求項３，４または５におい
て、前記エッチング槽にエッチング液の供給管、溢流排
出管およびドレン管を設けたことを特徴とする。
ンウエーハの製造装置は、請求項３，４または５におい
て、前記エッチング槽にエッチング液の供給管、溢流排
出管およびドレン管を設けたことを特徴とする。
【００１２】以下、本発明のシリコンウエーハ製造方法
および装置について、詳細に説明する。半導体デバイス
の製造に用いられる鏡面研磨シリコンウエーハは通常、
単結晶シリコンインゴットについて外径研削、オリエン
テーションフラット加工、スライシング、面取り、ラッ
ピング、エッチング、鏡面研磨の順に加工を施して作製
される。この場合、面取り後にラッピングが施されるこ
ともあるし、逆にラッピング後に面取りが施されること
もある。いずれにしても、シリコンウエーハ製造のため
の機械加工では、該機械加工に起因してウエーハ表面部
に加工変質層および重金属による汚染が発生する。これ
に対して、請求項１に記載の方法ではウエーハについて
スライシング、面取りおよびエッチング液中での主面研
削の後、鏡面研磨を施すので、従来のエッチング工程を
省略することが可能となる。また、本発明に係るエッチ
ング液中での研削加工方法は前記主面研削に限らず、面
取り加工にも応用することができ、これにより、従来の
機械加工単独による場合に比べて表面部での加工変質層
の層厚や重金属汚染が極めて少ないシリコンウエーハ
を、より高能率で得ることができる。すなわち、単結晶
シリコンインゴットについて外径研削、オリエンテーシ
ョンフラット加工、スライシング、本発明によるエッチ
ング液中での面取り、本発明によるエッチング液中での
研削、鏡面研磨の順に加工することもできる。
および装置について、詳細に説明する。半導体デバイス
の製造に用いられる鏡面研磨シリコンウエーハは通常、
単結晶シリコンインゴットについて外径研削、オリエン
テーションフラット加工、スライシング、面取り、ラッ
ピング、エッチング、鏡面研磨の順に加工を施して作製
される。この場合、面取り後にラッピングが施されるこ
ともあるし、逆にラッピング後に面取りが施されること
もある。いずれにしても、シリコンウエーハ製造のため
の機械加工では、該機械加工に起因してウエーハ表面部
に加工変質層および重金属による汚染が発生する。これ
に対して、請求項１に記載の方法ではウエーハについて
スライシング、面取りおよびエッチング液中での主面研
削の後、鏡面研磨を施すので、従来のエッチング工程を
省略することが可能となる。また、本発明に係るエッチ
ング液中での研削加工方法は前記主面研削に限らず、面
取り加工にも応用することができ、これにより、従来の
機械加工単独による場合に比べて表面部での加工変質層
の層厚や重金属汚染が極めて少ないシリコンウエーハ
を、より高能率で得ることができる。すなわち、単結晶
シリコンインゴットについて外径研削、オリエンテーシ
ョンフラット加工、スライシング、本発明によるエッチ
ング液中での面取り、本発明によるエッチング液中での
研削、鏡面研磨の順に加工することもできる。
【００１３】本発明のシリコンウエーハの製造方法で
は、エッチング液として例えば混酸や、アルカリ水溶液
を用いることができるが、そのエッチング機能（エッチ
ング速度）は従来公知のエッチング液に比べて緩やかで
あるものが好ましい。エッチング機能が緩やかであると
はいっても、これはエッチング液を従来のようにエッチ
ング工程を単独で行った場合との比較であり、本発明で
は研削加工とエッチングを同時に行うものであるため、
従来の単独のエッチング工程を行った場合に比べると、
加工変質層のエッチング速度はむしろ増大するからであ
る。
は、エッチング液として例えば混酸や、アルカリ水溶液
を用いることができるが、そのエッチング機能（エッチ
ング速度）は従来公知のエッチング液に比べて緩やかで
あるものが好ましい。エッチング機能が緩やかであると
はいっても、これはエッチング液を従来のようにエッチ
ング工程を単独で行った場合との比較であり、本発明で
は研削加工とエッチングを同時に行うものであるため、
従来の単独のエッチング工程を行った場合に比べると、
加工変質層のエッチング速度はむしろ増大するからであ
る。
【００１４】前記混酸からなるエッチング液としては、
請求項２に記載のものが好ましい。このエッチング液の
成分・組成はフッ酸（ＨＦ）５〜３５ｗｔ％、硝酸１５
〜４５ｗｔ％、水４０〜８０ｗｔ％（以上の合計は１０
０ｗｔ％）からなる３成分系のものであり、これを図示
すると、図７の３成分系組成図において頂点がｐ，ｑ，
ｒおよびｓである４辺形の各辺上の点および該４辺形内
の点で表される。また、アルカリエッチング液として
は、請求項２に記載したとおり、苛性ソーダまたは苛性
カリの３０〜５０ｗｔ％水溶液が好ましく用いられる。
請求項２に記載のものが好ましい。このエッチング液の
成分・組成はフッ酸（ＨＦ）５〜３５ｗｔ％、硝酸１５
〜４５ｗｔ％、水４０〜８０ｗｔ％（以上の合計は１０
０ｗｔ％）からなる３成分系のものであり、これを図示
すると、図７の３成分系組成図において頂点がｐ，ｑ，
ｒおよびｓである４辺形の各辺上の点および該４辺形内
の点で表される。また、アルカリエッチング液として
は、請求項２に記載したとおり、苛性ソーダまたは苛性
カリの３０〜５０ｗｔ％水溶液が好ましく用いられる。
【００１５】
【作用】請求項１に記載のシリコンウエーハの製造方法
においては、エッチング液中で研削加工を行うことによ
り生じる、研削加工とエッチングとの相乗作用によって
ウエーハの加工変質層や重金属の除去が同時に、かつ迅
速に行われる。また、請求項１に記載のシリコンウエー
ハの製造方法においては、従来では別個の工程であった
ラッピングとエッチングを単一工程で行うことができ、
プロセスが簡略化されると共に、加工所要時間が短縮化
される。実験結果によると請求項１の製造方法では、従
来のラッピング工程における遊離砥粒は不要とされ、エ
ッチング液の成分・組成および砥石の砥粒粒径等を適切
なものとすると共に研削代を増加させることによって砥
石面の転写が行われる結果、通常の平面研削と同程度の
表面形状（フラットネス）を得ることができる。また、
本発明方法により研削した後のウエーハの加工変質層
を、そのライフタイム測定値とＯＳＦ発現法で比較する
と、従来方法のラッピングとエッチングを施した後のウ
エーハよりもライフタイムは長くなり、またＯＳＦ（酸
化誘起積層欠陥）も減少する。
においては、エッチング液中で研削加工を行うことによ
り生じる、研削加工とエッチングとの相乗作用によって
ウエーハの加工変質層や重金属の除去が同時に、かつ迅
速に行われる。また、請求項１に記載のシリコンウエー
ハの製造方法においては、従来では別個の工程であった
ラッピングとエッチングを単一工程で行うことができ、
プロセスが簡略化されると共に、加工所要時間が短縮化
される。実験結果によると請求項１の製造方法では、従
来のラッピング工程における遊離砥粒は不要とされ、エ
ッチング液の成分・組成および砥石の砥粒粒径等を適切
なものとすると共に研削代を増加させることによって砥
石面の転写が行われる結果、通常の平面研削と同程度の
表面形状（フラットネス）を得ることができる。また、
本発明方法により研削した後のウエーハの加工変質層
を、そのライフタイム測定値とＯＳＦ発現法で比較する
と、従来方法のラッピングとエッチングを施した後のウ
エーハよりもライフタイムは長くなり、またＯＳＦ（酸
化誘起積層欠陥）も減少する。
【００１６】請求項１の製造方法を実施する場合、エッ
チング速度と研削速度（研磨速度）との間にバランスが
とれていることが重要である。請求項２に記載の、ウエ
ーハ研削と同時に用いられるエッチング液のエッチング
作用は、従来のエッチング工程単独で行った場合に比べ
て緩やかであり、このエッチング液を採用することによ
り研削速度とのバランスを容易に調整することができ
る。従って、形状崩れのない高品質のシリコンウエーハ
を、より簡単なプロセスで、しかも、より短時間で製造
することができる。
チング速度と研削速度（研磨速度）との間にバランスが
とれていることが重要である。請求項２に記載の、ウエ
ーハ研削と同時に用いられるエッチング液のエッチング
作用は、従来のエッチング工程単独で行った場合に比べ
て緩やかであり、このエッチング液を採用することによ
り研削速度とのバランスを容易に調整することができ
る。従って、形状崩れのない高品質のシリコンウエーハ
を、より簡単なプロセスで、しかも、より短時間で製造
することができる。
【００１７】請求項３に記載のシリコンウエーハの製造
装置においては例えば、前記保持部材をエッチング液液
面の上方に上昇させ、ウエーハを該保持部材に定着した
後、降下させエッチング液に浸漬した状態とする。次い
で、前記研削部材を降下させエッチング液に浸漬してウ
エーハに圧接させた後、前記保持部材を自転させると共
に、研削部材を自転および公転させる。これにより、ウ
エーハについて研削と同時にエッチングが行われ、該研
削により発生する加工変質層や残留重金属および、これ
より前段の機械加工工程で発生した加工変質層や残留重
金属の除去が迅速に行われる。
装置においては例えば、前記保持部材をエッチング液液
面の上方に上昇させ、ウエーハを該保持部材に定着した
後、降下させエッチング液に浸漬した状態とする。次い
で、前記研削部材を降下させエッチング液に浸漬してウ
エーハに圧接させた後、前記保持部材を自転させると共
に、研削部材を自転および公転させる。これにより、ウ
エーハについて研削と同時にエッチングが行われ、該研
削により発生する加工変質層や残留重金属および、これ
より前段の機械加工工程で発生した加工変質層や残留重
金属の除去が迅速に行われる。
【００１８】請求項４に記載のシリコンウエーハの製造
装置においては、研削部材をエッチング液に浸漬した状
態とし、ウエーハを定着した保持部材を降下させエッチ
ング液に浸漬して研削部材に圧接させる。次いで、保持
部材を自転させると共に、研削部材を往復動させる。こ
れにより請求項３の装置と同様の作用が得られる。
装置においては、研削部材をエッチング液に浸漬した状
態とし、ウエーハを定着した保持部材を降下させエッチ
ング液に浸漬して研削部材に圧接させる。次いで、保持
部材を自転させると共に、研削部材を往復動させる。こ
れにより請求項３の装置と同様の作用が得られる。
【００１９】請求項５に記載のシリコンウエーハの製造
装置においては、ウエーハを定着した保持部材を降下さ
せエッチング液に浸漬して研削部材に圧接させる。次い
で、研削部材（エッチング槽）を自転させると共に、保
持部材を自転および公転させる。これにより、請求項３
の装置と同様の作用が得られる。
装置においては、ウエーハを定着した保持部材を降下さ
せエッチング液に浸漬して研削部材に圧接させる。次い
で、研削部材（エッチング槽）を自転させると共に、保
持部材を自転および公転させる。これにより、請求項３
の装置と同様の作用が得られる。
【００２０】請求項６に記載のシリコンウエーハの製造
装置においては例えば、研削部材を上方に、ウエーハを
定着した保持部材を下方にそれぞれ配置して上下に対向
させる。次いで、研削部材を降下させて保持部材に圧接
させ、エッチング液をウエーハに散布しながら保持部材
を自転させると共に、研削部材を自転および公転させ
る。これにより、ウエーハ面をエッチング液で処理しな
がら、請求項３の装置と同様の作用を得ることができ
る。
装置においては例えば、研削部材を上方に、ウエーハを
定着した保持部材を下方にそれぞれ配置して上下に対向
させる。次いで、研削部材を降下させて保持部材に圧接
させ、エッチング液をウエーハに散布しながら保持部材
を自転させると共に、研削部材を自転および公転させ
る。これにより、ウエーハ面をエッチング液で処理しな
がら、請求項３の装置と同様の作用を得ることができ
る。
【００２１】請求項７に記載のシリコンウエーハの製造
装置においては、供給管からエッチング液を供給すると
共に、溢流排出管からエッチング液を排出することによ
り、エッチング槽内のエッチング液が新たなエッチング
液で置換されるので、研削によるエッチング槽内エッチ
ング液の劣化を防止することができる。また、ドレン管
からエッチング液を排出することで、エッチング槽内の
洗浄を簡便に行うことができる。更には、エッチング液
の濃度調整や温度制御を行うための機能を付与すること
が望ましい。
装置においては、供給管からエッチング液を供給すると
共に、溢流排出管からエッチング液を排出することによ
り、エッチング槽内のエッチング液が新たなエッチング
液で置換されるので、研削によるエッチング槽内エッチ
ング液の劣化を防止することができる。また、ドレン管
からエッチング液を排出することで、エッチング槽内の
洗浄を簡便に行うことができる。更には、エッチング液
の濃度調整や温度制御を行うための機能を付与すること
が望ましい。
【００２２】
【実施例】つぎに、本発明を図面に示す実施例により更
に詳細に説明する。 実施例１ 図１は、ウエーハの研削装置の要部を示す概略正面断面
図である。この装置では、底部にエッチング液１の供給
管２を設け、外周部にエッチング液１の溢流部３を環状
に設けたエッチング槽４の中央部に、ウエーハ保持部材
であるウエーハチャック５を自転および上下動可能に設
け、エッチング槽４の上方には、下端部に円板状の砥石
６を備えた研削部材７を自転、公転および上下動可能に
設けて、ウエーハチャック５と対向させる。ウエーハチ
ャック５および研削部材７は、上下動によってエッチン
グ槽４内のエッチング液１に浸漬可能、かつ該エッチン
グ液液面上方への上昇が可能なものとする。図１におい
て８はエッチング液の排出管、９はドレン管である。前
記ウエーハチャック５としては、例えば真空吸着式のウ
エーハ保持部材が採用できる。
に詳細に説明する。 実施例１ 図１は、ウエーハの研削装置の要部を示す概略正面断面
図である。この装置では、底部にエッチング液１の供給
管２を設け、外周部にエッチング液１の溢流部３を環状
に設けたエッチング槽４の中央部に、ウエーハ保持部材
であるウエーハチャック５を自転および上下動可能に設
け、エッチング槽４の上方には、下端部に円板状の砥石
６を備えた研削部材７を自転、公転および上下動可能に
設けて、ウエーハチャック５と対向させる。ウエーハチ
ャック５および研削部材７は、上下動によってエッチン
グ槽４内のエッチング液１に浸漬可能、かつ該エッチン
グ液液面上方への上昇が可能なものとする。図１におい
て８はエッチング液の排出管、９はドレン管である。前
記ウエーハチャック５としては、例えば真空吸着式のウ
エーハ保持部材が採用できる。
【００２３】つぎに、この装置によるウエーハ研削工程
の一例について説明すると、エッチング槽４にエッチン
グ液１を連続的に供給して溢流させた状態とし、一旦エ
ッチング液液面上に上昇させたウエーハチャック５にチ
ャックコート２１を介してシリコンウエーハＷを定着し
た後、ウエーハチャック５を降下させてエッチング液１
に浸漬する。次いで、研削部材７を降下させ砥石６を所
定の圧力でウエーハＷに圧接させた後、ウエーハチャッ
ク５を自転させ、研削部材７を公転させると共にウエー
ハチャック５と逆向きに自転させる。研削工程において
は、ウエーハＷの表面はエッチング液１に浸漬されてお
り、該ウエーハ面と砥石６の研削面との間に常時エッチ
ング液１が介在しているため、エッチング液の存在下で
研削を行うことができる。
の一例について説明すると、エッチング槽４にエッチン
グ液１を連続的に供給して溢流させた状態とし、一旦エ
ッチング液液面上に上昇させたウエーハチャック５にチ
ャックコート２１を介してシリコンウエーハＷを定着し
た後、ウエーハチャック５を降下させてエッチング液１
に浸漬する。次いで、研削部材７を降下させ砥石６を所
定の圧力でウエーハＷに圧接させた後、ウエーハチャッ
ク５を自転させ、研削部材７を公転させると共にウエー
ハチャック５と逆向きに自転させる。研削工程において
は、ウエーハＷの表面はエッチング液１に浸漬されてお
り、該ウエーハ面と砥石６の研削面との間に常時エッチ
ング液１が介在しているため、エッチング液の存在下で
研削を行うことができる。
【００２４】図１の装置では、研削部材７をウエーハチ
ャック５の上方に対向配備したが、これと上下を逆にし
て対向配備すると共に、研削部材７を自転可能に、ウエ
ーハチャック５を自転および公転可能としてもよい。ま
た、所望により、図１においてウエーハチャック５を回
転させず、研削部材７のみを自転および公転させてもよ
く、請求項３に記載の種々の態様を採用することができ
る。さらに、前記供給管２のエッチング液供給口をウエ
ーハチャック５の直近に延設し、エッチング液１をウエ
ーハ面の直近に供給することもでき、この場合には、ウ
エーハ面に対するエッチング作用が向上する。
ャック５の上方に対向配備したが、これと上下を逆にし
て対向配備すると共に、研削部材７を自転可能に、ウエ
ーハチャック５を自転および公転可能としてもよい。ま
た、所望により、図１においてウエーハチャック５を回
転させず、研削部材７のみを自転および公転させてもよ
く、請求項３に記載の種々の態様を採用することができ
る。さらに、前記供給管２のエッチング液供給口をウエ
ーハチャック５の直近に延設し、エッチング液１をウエ
ーハ面の直近に供給することもでき、この場合には、ウ
エーハ面に対するエッチング作用が向上する。
【００２５】実施例２ 要部が図２，３に示される研削装置は、長方形の砥石６
を設けた研削部材７をエッチング槽４のエッチング液１
に浸漬した状態で往復動可能に配備する一方、ウエーハ
Ｗを定着したウエーハチャック５を自転および上下動可
能に設けたものである。この研削装置では、研削部材７
を往復動させながらウエーハチャック５を自転させて研
削を行う。
を設けた研削部材７をエッチング槽４のエッチング液１
に浸漬した状態で往復動可能に配備する一方、ウエーハ
Ｗを定着したウエーハチャック５を自転および上下動可
能に設けたものである。この研削装置では、研削部材７
を往復動させながらウエーハチャック５を自転させて研
削を行う。
【００２６】実施例３ 要部が図４，５に示される研削装置は、自転可能なエッ
チング槽４の底面に円板状の砥石６を装着することによ
り、エッチング槽４が研削部材７を兼ねた構造として砥
石６をエッチング液１に浸漬し、ウエーハチャック５を
自転、公転および上下動可能に設けたものである。な
お、１０は円筒壁である。この研削装置では、エッチン
グ槽４を自転させながらウエーハチャック５を自転およ
び公転させて研削を行う。
チング槽４の底面に円板状の砥石６を装着することによ
り、エッチング槽４が研削部材７を兼ねた構造として砥
石６をエッチング液１に浸漬し、ウエーハチャック５を
自転、公転および上下動可能に設けたものである。な
お、１０は円筒壁である。この研削装置では、エッチン
グ槽４を自転させながらウエーハチャック５を自転およ
び公転させて研削を行う。
【００２７】実施例４ 要部が図６に示される研削装置は、上方に自転、公転お
よび上下動可能な研削部材７を、下方に自転可能なウエ
ーハチャック５をそれぞれ設けて対向させ、該チャック
５に定着したウエーハＷの被加工面にエッチング液１
を、供給管１１から滴下または散布可能に配備し、更に
ウエーハチャック５の下方にエッチング液回収用の漏斗
（図示せず）を設けたものである。この実施例ではエッ
チング槽を用いることなく研削を行うものであるため装
置構造が簡単となり、ウエーハチャック５へのウエーハ
Ｗの着脱作業を簡便に行うことができるうえ、ウエーハ
面にエッチング液１を散布しつつ研削した後、直ちに純
水で洗浄することができる利点がある。なお、所望によ
りエッチング液の少なくとも一部を再循環させて研削に
用いることもできるし、図６において洗浄水の供給管
と、ウエーハチャック５の下方に洗浄排水回収用の漏斗
とを付加することもできる（図示せず）。
よび上下動可能な研削部材７を、下方に自転可能なウエ
ーハチャック５をそれぞれ設けて対向させ、該チャック
５に定着したウエーハＷの被加工面にエッチング液１
を、供給管１１から滴下または散布可能に配備し、更に
ウエーハチャック５の下方にエッチング液回収用の漏斗
（図示せず）を設けたものである。この実施例ではエッ
チング槽を用いることなく研削を行うものであるため装
置構造が簡単となり、ウエーハチャック５へのウエーハ
Ｗの着脱作業を簡便に行うことができるうえ、ウエーハ
面にエッチング液１を散布しつつ研削した後、直ちに純
水で洗浄することができる利点がある。なお、所望によ
りエッチング液の少なくとも一部を再循環させて研削に
用いることもできるし、図６において洗浄水の供給管
と、ウエーハチャック５の下方に洗浄排水回収用の漏斗
とを付加することもできる（図示せず）。
【００２８】
【実験例】つぎに、本発明によるウエーハ研削の実験例
について説明する。 実験例１ 研削装置として図１に示すものを、エッチング液（室
温）として組成がＨＦ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2Ｏ＝１：１：４
（重量比）の混酸を、また研削部材の砥石として、アル
ファシアノアクリレート樹脂のボンド剤を使用したアル
ミナ（Ａｌ2 Ｏ3）およびカーボランダム（ＳｉＣ）を
含むものを、それぞれ用いて実験を行った。エッチング
液中での研削後のウエーハについて、触針式の面粗さ計
を用いて表面形状を観察した結果、原料ウエーハ（研削
前のウエーハ）の面粗さが減少し、特に原料ウエーハの
凸に飛び出ていた部分が砥石の形状に倣った平坦な形状
に変化しており、研削代を増加させれば、砥石形状の転
写により平坦な形状を得ることできることがわかった。
べつに、ウエーハライフタイム法、ＯＳＦ発現法を用い
て研削後のウエーハについて加工変質層の残留程度を調
査した結果、砥石の番手では♯６００より♯１２００の
方が、印加圧力では５００ｇｆ／ｃｍ2 より５０ｇｆ／
ｃｍ2 の方がライフタイム値が高く、ＯＳＦの発生が少
なかった。すなわち、砥石番手の高いものほど、また、
砥石のウエーハへの印加圧力が低いほど、残留加工変質
層の少ない研削が可能になることがわかった。また、研
削結果はエッチング液の組成によっても異なり、エッチ
ング速度が速いほど加工変質層の除去に対しては有利で
あるが、平坦な形状を得るためには砥石番手、印加圧力
およびエッチング液組成の適切な組合せが必要である。
について説明する。 実験例１ 研削装置として図１に示すものを、エッチング液（室
温）として組成がＨＦ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2Ｏ＝１：１：４
（重量比）の混酸を、また研削部材の砥石として、アル
ファシアノアクリレート樹脂のボンド剤を使用したアル
ミナ（Ａｌ2 Ｏ3）およびカーボランダム（ＳｉＣ）を
含むものを、それぞれ用いて実験を行った。エッチング
液中での研削後のウエーハについて、触針式の面粗さ計
を用いて表面形状を観察した結果、原料ウエーハ（研削
前のウエーハ）の面粗さが減少し、特に原料ウエーハの
凸に飛び出ていた部分が砥石の形状に倣った平坦な形状
に変化しており、研削代を増加させれば、砥石形状の転
写により平坦な形状を得ることできることがわかった。
べつに、ウエーハライフタイム法、ＯＳＦ発現法を用い
て研削後のウエーハについて加工変質層の残留程度を調
査した結果、砥石の番手では♯６００より♯１２００の
方が、印加圧力では５００ｇｆ／ｃｍ2 より５０ｇｆ／
ｃｍ2 の方がライフタイム値が高く、ＯＳＦの発生が少
なかった。すなわち、砥石番手の高いものほど、また、
砥石のウエーハへの印加圧力が低いほど、残留加工変質
層の少ない研削が可能になることがわかった。また、研
削結果はエッチング液の組成によっても異なり、エッチ
ング速度が速いほど加工変質層の除去に対しては有利で
あるが、平坦な形状を得るためには砥石番手、印加圧力
およびエッチング液組成の適切な組合せが必要である。
【００２９】エッチング液中研削による加工速度Ｖｍ
は、純水中での研削速度Ｖｇと酸によるエッチング速度
Ｖｅで決まるが、実験の結果、Ｖｍ＝ｋ×（Ｖｇ＋Ｖ
ｅ）となり、研削による加工変質層が選択的にエッチン
グで除去され、加工速度が上昇することがわかった。測
定例として、ＨＦ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2Ｏ＝１：５．５：
８．４（重量比）中の♯１２００アルミナによる研削で
はｋ＝１．３、同液中の♯６００のカーボランダムによ
る研削ではｋ＝１．５が得られている。
は、純水中での研削速度Ｖｇと酸によるエッチング速度
Ｖｅで決まるが、実験の結果、Ｖｍ＝ｋ×（Ｖｇ＋Ｖ
ｅ）となり、研削による加工変質層が選択的にエッチン
グで除去され、加工速度が上昇することがわかった。測
定例として、ＨＦ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2Ｏ＝１：５．５：
８．４（重量比）中の♯１２００アルミナによる研削で
はｋ＝１．３、同液中の♯６００のカーボランダムによ
る研削ではｋ＝１．５が得られている。
【００３０】実験例２ エッチング液としてＮａＯＨの４５ｗｔ％水溶液（室
温）を用いた以外は実験例１と同様にして研削を行った
ところ、基本的には実験例１と同様の結果が得られた。
研削後のウエーハの表面形状については、研削時の印加
圧力を増大させると、砥石の転写の効果により平坦な形
状が得られ、圧力を減少させるとアルカリ特有のエッチ
ピットが顕著となった。加工速度についても混酸の場合
と同様な傾向が見られ、ｋ＝１．７と、アルカリ水溶液
が選択性の強いエッチング液であることがわかった。
温）を用いた以外は実験例１と同様にして研削を行った
ところ、基本的には実験例１と同様の結果が得られた。
研削後のウエーハの表面形状については、研削時の印加
圧力を増大させると、砥石の転写の効果により平坦な形
状が得られ、圧力を減少させるとアルカリ特有のエッチ
ピットが顕著となった。加工速度についても混酸の場合
と同様な傾向が見られ、ｋ＝１．７と、アルカリ水溶液
が選択性の強いエッチング液であることがわかった。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明で明らかように、請求項１に
記載のシリコンウエーハの製造方法によれば、研削加工
とエッチングとの相乗作用によってウエーハの加工変質
層や重金属の除去が同時に、かつ迅速に行われ、高品質
のシリコンウエーハを高能率で製造することができる。
また、研削加工とエッチングを単一工程で行うことがで
き、プロセスが簡略化されるうえ、加工所要時間が短縮
化される効果がある。さらに、請求項１に記載のシリコ
ンウエーハの製造方法によれば、エッチング液の成分・
組成および砥石の砥粒粒径等を適切なものとすると共に
研削代を増加させることによって、平面研削と同程度の
表面形状を得ることができるだけでなく、研削後のウエ
ーハのライフタイムは、従来の通常のラッピング、エッ
チングを施した後のウエーハよりも長くなり、ＯＳＦも
減少し、より高品質のシリコンウエーハを簡便、かつ安
価に製造することができる効果がある。請求項２に記載
のシリコンウエーハの製造方法によれば、形状崩れのな
い高品質のシリコンウエーハを、簡単なプロセスで短時
間に製造することができる効果がある。請求項３〜５に
記載のシリコンウエーハの製造装置によれば簡単な構
成、簡便な操作で研削加工とエッチングを単一工程で行
うことができ、プロセスが簡略化されるうえ、加工所要
時間が短縮化される効果がある。請求項６に記載のシリ
コンウエーハの製造装置によれば、ウエーハをエッチン
グ液に浸漬することなく研削するように構成したので、
請求項３〜５に記載の装置に比べて構造が簡単となり、
保持部材に対するウエーハの定着・取外し操作も簡便に
なるうえ、ウエーハを洗浄しながら研削することができ
る効果がある。請求項７に記載のシリコンウエーハの製
造装置によれば、供給管からエッチング液を供給すると
共に、溢流排出管からエッチング液を排出することによ
り、エッチング槽内のエッチング液が新たなエッチング
液で置換されるので、研削によるエッチング槽内エッチ
ング液の劣化を防止することができる。また、ドレン管
からエッチング液を排出することで、エッチング槽内の
洗浄を簡便に行うことができる効果がある。
記載のシリコンウエーハの製造方法によれば、研削加工
とエッチングとの相乗作用によってウエーハの加工変質
層や重金属の除去が同時に、かつ迅速に行われ、高品質
のシリコンウエーハを高能率で製造することができる。
また、研削加工とエッチングを単一工程で行うことがで
き、プロセスが簡略化されるうえ、加工所要時間が短縮
化される効果がある。さらに、請求項１に記載のシリコ
ンウエーハの製造方法によれば、エッチング液の成分・
組成および砥石の砥粒粒径等を適切なものとすると共に
研削代を増加させることによって、平面研削と同程度の
表面形状を得ることができるだけでなく、研削後のウエ
ーハのライフタイムは、従来の通常のラッピング、エッ
チングを施した後のウエーハよりも長くなり、ＯＳＦも
減少し、より高品質のシリコンウエーハを簡便、かつ安
価に製造することができる効果がある。請求項２に記載
のシリコンウエーハの製造方法によれば、形状崩れのな
い高品質のシリコンウエーハを、簡単なプロセスで短時
間に製造することができる効果がある。請求項３〜５に
記載のシリコンウエーハの製造装置によれば簡単な構
成、簡便な操作で研削加工とエッチングを単一工程で行
うことができ、プロセスが簡略化されるうえ、加工所要
時間が短縮化される効果がある。請求項６に記載のシリ
コンウエーハの製造装置によれば、ウエーハをエッチン
グ液に浸漬することなく研削するように構成したので、
請求項３〜５に記載の装置に比べて構造が簡単となり、
保持部材に対するウエーハの定着・取外し操作も簡便に
なるうえ、ウエーハを洗浄しながら研削することができ
る効果がある。請求項７に記載のシリコンウエーハの製
造装置によれば、供給管からエッチング液を供給すると
共に、溢流排出管からエッチング液を排出することによ
り、エッチング槽内のエッチング液が新たなエッチング
液で置換されるので、研削によるエッチング槽内エッチ
ング液の劣化を防止することができる。また、ドレン管
からエッチング液を排出することで、エッチング槽内の
洗浄を簡便に行うことができる効果がある。
【図１】本発明に係る研削装置の実施例を示す概略正面
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に係る研削装置の別の実施例を示す要部
概略斜視図である。
概略斜視図である。
【図３】図２装置の概略正面断面図である。
【図４】本発明に係る研削装置の更に別の実施例を示す
要部概略斜視図である。
要部概略斜視図である。
【図５】図４の正面断面図である。
【図６】本発明に係る研削装置の更に別の実施例を示す
要部概略斜視図である。
要部概略斜視図である。
【図７】本発明で用いるエッチング液の望ましい範囲を
示す３成分系組成図である。
示す３成分系組成図である。
１ エッチング液 ２，１１ 供給管 ３ 溢流部 ４ エッチング槽 ５ 保持部材（ウエーハチャック） ６ 砥石 ７ 研削部材 ８ 排出管 ９ ドレン管 １０ 円筒壁 ２１ チャックコート Ｗ ウエーハ
Claims (7)
- 【請求項１】 単結晶シリコンインゴットを、その引上
軸を回転軸として外径研削した後、前記引上軸に垂直、
またはほぼ垂直方向にスライスして得られるウエーハを
面取りし、次いでその主面をエッチング液中で研削し、
更に鏡面研磨仕上げを行うことによる半導体デバイス用
シリコンウエーハの製造方法であって、前記エッチング
液中での研削は、遊離砥粒を含まず、かつウエーハ表面
部に存在する加工変質層を選択的にエッチングしうるエ
ッチング液中で行うことを特徴とする半導体デバイス用
シリコンウエーハの製造方法。 - 【請求項２】 前記エッチング液としてフッ酸５〜３５
ｗｔ％、硝酸１５〜４５ｗｔ％、および水４０〜８０ｗ
ｔ％からなる３成分系のもの、または苛性ソーダもしく
は苛性カリ３０〜５０ｗｔ％と、水７０〜５０ｗｔ％か
らなる２成分系のもの使用することを特徴とする請求項
１に記載の半導体デバイス用シリコンウエーハの製造方
法。 - 【請求項３】 単結晶シリコンインゴットから切り出し
たウエーハの主面を、遊離砥粒を含まないエッチング液
の存在下で研削するための装置であって、エッチング液
を貯溜するためのエッチング槽を設け、エッチング槽内
にはウエーハ固定用の保持部材と、砥石を備えた研削部
材を上下方向に対向配置すると共に、前記保持部材と研
削部材は上下移動機構により互いに圧接・離隔を可能と
なし、前記保持部材に定着されたウエーハおよび研削部
材の双方を互いに逆方向に自転可能とするか、またはそ
の一方のみを自転可能とし、更に前記保持部材、研削部
材の双方が自転可能の場合にはこれらの一方を他方に対
して公転可能とし、一方のみが自転可能の場合には該自
転可能な部材を他方の部材に対して公転可能としたこと
を特徴とする半導体デバイス用シリコンウエーハの製造
装置。 - 【請求項４】 単結晶シリコンインゴットから切り出し
たウエーハの主面を、遊離砥粒を含まないエッチング液
の存在下で研削するための装置であって、エッチング槽
にエッチング液を貯溜し、ウエーハ固定用の保持部材の
ウエーハ定着面と研削部材に備えた砥石を、前記ウエー
ハ定着面を上方に設けて互いに上下方向に対向させ、前
記保持部材は自転および上下動が可能に設け、前記研削
部材は前記エッチング槽内に往復動可能に設けたことを
特徴とする半導体デバイス用シリコンウエーハの製造装
置。 - 【請求項５】 単結晶シリコンインゴットから切り出し
たウエーハの主面を、遊離砥粒を含まないエッチング液
の存在下で研削するための装置であって、底面にウエー
ハ研削用の砥石を装着し、かつ自転可能としたエッチン
グ槽にエッチング液を貯溜し、ウエーハ固定用の保持部
材のウエーハ定着面を、前記砥石と上下方向に対向配置
すると共にエッチング槽に対し上下動可能となし、更に
前記保持部材は自転可能または、自転および公転可能に
設けたことを特徴とする半導体デバイス用シリコンウエ
ーハの製造装置。 - 【請求項６】 単結晶シリコンインゴットから切り出し
たウエーハの主面を、遊離砥粒を含まないエッチング液
の存在下で研削するための装置であって、ウエーハ固定
用の保持部材と、砥石を備えた研削部材を上下方向に対
向配置すると共に、これら保持部材と研削部材は互いに
圧接・離隔を可能となし、前記保持部材に定着されたウ
エーハおよび研削部材の双方を互いに逆方向に自転可能
とするか、またはその一方のみを自転可能とし、前記保
持部材、研削部材の双方が自転可能の場合にはこれらの
一方を他方に対して公転可能とし、一方のみが自転可能
の場合には該自転可能な部材を他方の部材に対して公転
可能とし、更に前記保持部材、研削部材で構成される研
削部にエッチング液を供給しうるエッチング液の供給管
を設けたことを特徴とする半導体デバイス用シリコンウ
エーハの製造装置。 - 【請求項７】 前記エッチング槽にエッチング液の供給
管、溢流排出管およびドレン管を設けたことを特徴とす
る請求項３，４または５に記載の半導体デバイス用シリ
コンウエーハの製造装置。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990027227A (ko) * | 1997-09-29 | 1999-04-15 | 윤종용 | 반도체소자 제조공정의 텅스텐막 식각액 조성물과 이를 이용한 텅스텐막 제거방법 |
| US6270392B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Polishing apparatus and method with constant polishing pressure |
| KR100339412B1 (ko) * | 1999-07-05 | 2002-05-31 | 박종섭 | 반도체 웨이퍼의 연마장치 |
| US6431964B1 (en) | 1999-01-06 | 2002-08-13 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Planarization apparatus and method |
| JP2003007661A (ja) * | 1999-01-06 | 2003-01-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置及び平面加工方法 |
| WO2006028017A1 (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Sumco Corporation | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2008166709A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-07-17 | Ebara Corp | 基板研磨装置、及び基板研磨設備 |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0945643A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハ及びその製造方法 |
| FR2741194B1 (fr) * | 1995-11-13 | 1998-01-30 | Photowatt Int | Cellule solaire comportant du silicium multicristallin et procede de texturisation de la surface du silicium multicristallin de type p |
| JP3317330B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2002-08-26 | 信越半導体株式会社 | 半導体鏡面ウェーハの製造方法 |
| JPH09254024A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-09-30 | Nittetsu Semiconductor Kk | 半導体ウェハの化学機械的研磨装置および化学機械的研磨方法 |
| JPH09270396A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハの製法 |
| US5821166A (en) * | 1996-12-12 | 1998-10-13 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafers |
| US6221766B1 (en) * | 1997-01-24 | 2001-04-24 | Steag Rtp Systems, Inc. | Method and apparatus for processing refractory metals on semiconductor substrates |
| JPH10217149A (ja) * | 1997-02-05 | 1998-08-18 | Ebara Corp | ターンテーブル用クロスの剥離治具 |
| TW377467B (en) * | 1997-04-22 | 1999-12-21 | Sony Corp | Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad |
| MY119304A (en) * | 1997-12-11 | 2005-04-30 | Shinetsu Handotai Kk | Silicon wafer etching method and silicon wafer etchant |
| US5827111A (en) * | 1997-12-15 | 1998-10-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for grinding wafers |
| US5827112A (en) * | 1997-12-15 | 1998-10-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for grinding wafers |
| JP2000005988A (ja) * | 1998-04-24 | 2000-01-11 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| JP3845215B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2006-11-15 | 信越半導体株式会社 | 平面研削されたウェーハに対する鏡面研磨方法 |
| US6464571B2 (en) | 1998-12-01 | 2002-10-15 | Nutool, Inc. | Polishing apparatus and method with belt drive system adapted to extend the lifetime of a refreshing polishing belt provided therein |
| US6103628A (en) | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Nutool, Inc. | Reverse linear polisher with loadable housing |
| US6468139B1 (en) | 1998-12-01 | 2002-10-22 | Nutool, Inc. | Polishing apparatus and method with a refreshing polishing belt and loadable housing |
| US6589105B2 (en) | 1998-12-01 | 2003-07-08 | Nutool, Inc. | Pad tensioning method and system in a bi-directional linear polisher |
| US7425250B2 (en) | 1998-12-01 | 2008-09-16 | Novellus Systems, Inc. | Electrochemical mechanical processing apparatus |
| US6214704B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-04-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage |
| US6294469B1 (en) | 1999-05-21 | 2001-09-25 | Plasmasil, Llc | Silicon wafering process flow |
| AU2001247500A1 (en) * | 2000-03-17 | 2001-10-03 | Wafer Solutions, Inc. | Systems and methods to reduce grinding marks and metallic contamination |
| US6632012B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-10-14 | Wafer Solutions, Inc. | Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids |
| US6699356B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures |
| KR100420205B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2004-03-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 제조 방법 |
| US8512580B2 (en) * | 2001-09-21 | 2013-08-20 | Lg Display Co., Ltd. | Method of fabricating thin liquid crystal display device |
| US6939203B2 (en) * | 2002-04-18 | 2005-09-06 | Asm Nutool, Inc. | Fluid bearing slide assembly for workpiece polishing |
| JP4448297B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2010-04-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置及び基板研磨方法 |
| US6769961B1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical planarization (CMP) apparatus |
| JP2004356252A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハの加工方法 |
| CN1315154C (zh) * | 2003-12-25 | 2007-05-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 控片回收再生方法以及其控片结构 |
| US7648622B2 (en) | 2004-02-27 | 2010-01-19 | Novellus Systems, Inc. | System and method for electrochemical mechanical polishing |
| DE102005012446B4 (de) * | 2005-03-17 | 2017-11-30 | Siltronic Ag | Verfahren zur Material abtragenden Bearbeitung einer Halbleiterscheibe |
| JP4937674B2 (ja) * | 2006-08-16 | 2012-05-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハのエッチング方法 |
| CN101905877B (zh) * | 2009-06-02 | 2013-01-09 | 清华大学 | 碳纳米管膜的制备方法 |
| CN101993055B (zh) * | 2009-08-14 | 2013-02-13 | 清华大学 | 碳纳米管膜先驱、碳纳米管膜及其制备方法 |
| US11491611B2 (en) * | 2018-08-14 | 2022-11-08 | Illinois Tool Works Inc. | Splash guards for grinder/polisher machines and grinder/polisher machines having splash guards |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54110783A (en) * | 1978-02-20 | 1979-08-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor substrate and its manufacture |
| EP0100648A3 (en) * | 1982-07-29 | 1985-08-07 | Yoshiaki Nagaura | Holding a workpiece |
| JPS6056868A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-02 | Nec Corp | 研摩装置 |
| JPS6239173A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-20 | Nec Corp | ウエハ研摩装置 |
| DE3735158A1 (de) * | 1987-10-16 | 1989-05-03 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum schleierfreien polieren von halbleiterscheiben |
| CA2012878C (en) * | 1989-03-24 | 1995-09-12 | Masanori Nishiguchi | Apparatus for grinding semiconductor wafer |
| JPH04343427A (ja) * | 1991-05-21 | 1992-11-30 | Kawasaki Steel Corp | ウェーハの鏡面仕上加工方法および装置 |
| US5376222A (en) * | 1991-09-04 | 1994-12-27 | Fujitsu Limited | Polishing method for polycrystalline silicon |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP14862993A patent/JP2894153B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-09-28 US US08/534,926 patent/US5679212A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990027227A (ko) * | 1997-09-29 | 1999-04-15 | 윤종용 | 반도체소자 제조공정의 텅스텐막 식각액 조성물과 이를 이용한 텅스텐막 제거방법 |
| US6270392B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Polishing apparatus and method with constant polishing pressure |
| US6652354B2 (en) | 1998-06-19 | 2003-11-25 | Nec Corporation | Polishing apparatus and method with constant polishing pressure |
| US6431964B1 (en) | 1999-01-06 | 2002-08-13 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Planarization apparatus and method |
| JP2003007661A (ja) * | 1999-01-06 | 2003-01-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 平面加工装置及び平面加工方法 |
| US6910943B2 (en) | 1999-01-06 | 2005-06-28 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Planarization apparatus and method |
| KR100339412B1 (ko) * | 1999-07-05 | 2002-05-31 | 박종섭 | 반도체 웨이퍼의 연마장치 |
| WO2006028017A1 (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Sumco Corporation | シリコンウェーハの製造方法 |
| US7601644B2 (en) | 2004-09-06 | 2009-10-13 | Sumco Corporation | Method for manufacturing silicon wafers |
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