JPH10217104A - 半導体基板用研磨布のドレッシング方法 - Google Patents
半導体基板用研磨布のドレッシング方法Info
- Publication number
- JPH10217104A JPH10217104A JP4011297A JP4011297A JPH10217104A JP H10217104 A JPH10217104 A JP H10217104A JP 4011297 A JP4011297 A JP 4011297A JP 4011297 A JP4011297 A JP 4011297A JP H10217104 A JPH10217104 A JP H10217104A
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- JP
- Japan
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- polishing
- semiconductor substrate
- polishing pad
- cloth
- polishing cloth
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨布表面の目詰まりを確実に除去できるよ
うにするとともに、研磨布表面に傷が入るのを抑制す
る。 【解決手段】 半導体基板を機械的化学的研磨する研磨
布の目詰まりや異物除去を行う半導体基板用研磨布のド
レッシング方法において、フッ酸水溶液を用いることに
より、研磨布30の目詰まりの要因となっているSiO2の粒
子80を化学的に溶解させるようにすることにより、前記
研磨布30の目詰まりを確実に除去できるようにするとと
もに、機械的研磨行う際に、前記研磨布30への接触圧を
高くしなくても済むようにして、前記研磨布30に傷が発
生するのを防止する。
うにするとともに、研磨布表面に傷が入るのを抑制す
る。 【解決手段】 半導体基板を機械的化学的研磨する研磨
布の目詰まりや異物除去を行う半導体基板用研磨布のド
レッシング方法において、フッ酸水溶液を用いることに
より、研磨布30の目詰まりの要因となっているSiO2の粒
子80を化学的に溶解させるようにすることにより、前記
研磨布30の目詰まりを確実に除去できるようにするとと
もに、機械的研磨行う際に、前記研磨布30への接触圧を
高くしなくても済むようにして、前記研磨布30に傷が発
生するのを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板用研磨布
のドレッシング方法に関し、特に、半導体基板の平坦化
を行う工程であって、機械的化学的研磨を行う工程に用
いられる研磨布の目詰まりや異物の除去を行う半導体基
板用研磨布のドレッシング方法に関する。
のドレッシング方法に関し、特に、半導体基板の平坦化
を行う工程であって、機械的化学的研磨を行う工程に用
いられる研磨布の目詰まりや異物の除去を行う半導体基
板用研磨布のドレッシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、半導体
基板の表面を平坦化するための手法として、機械的化学
的研磨（ CMP:Chemical Mechanical Polishing) と呼ば
れる研磨手法が用いられる。
基板の表面を平坦化するための手法として、機械的化学
的研磨（ CMP:Chemical Mechanical Polishing) と呼ば
れる研磨手法が用いられる。
【０００３】前記機械的化学的研磨では、例えば5 〜30
0nm の粒径を有する酸化シリコン(SiO2) 粒子を、例え
ば苛性カリ(KOH) 、アミンなどのアルカリ溶液に懸濁さ
せた研磨剤とポリウレタン樹脂などからなる研磨布が用
いられ、例えば図４に示す研磨装置により機械的化学的
研磨(CMP) が行なわれる。
0nm の粒径を有する酸化シリコン(SiO2) 粒子を、例え
ば苛性カリ(KOH) 、アミンなどのアルカリ溶液に懸濁さ
せた研磨剤とポリウレタン樹脂などからなる研磨布が用
いられ、例えば図４に示す研磨装置により機械的化学的
研磨(CMP) が行なわれる。
【０００４】図４は、機械的化学的研磨の処理状態を示
す研磨装置の概略構成を示している。図４に示す研磨装
置において、研磨布30は回転テ−ブル20の上に設置さ
れ、主軸10の回転に伴って回転する。
す研磨装置の概略構成を示している。図４に示す研磨装
置において、研磨布30は回転テ−ブル20の上に設置さ
れ、主軸10の回転に伴って回転する。
【０００５】また、半導体基板60は吸着により回転ヘッ
ド50に保持され、加圧軸40により加圧されながら回転す
る。したがって、半導体基板60からみると、半導体基板
60自身は自転し、研磨布30は公転していることになる。
また更に、加圧軸40は主軸10に対して前後運動により揺
動する場合もある。
ド50に保持され、加圧軸40により加圧されながら回転す
る。したがって、半導体基板60からみると、半導体基板
60自身は自転し、研磨布30は公転していることになる。
また更に、加圧軸40は主軸10に対して前後運動により揺
動する場合もある。
【０００６】図２に示すように、研磨処理を行うに従
い、研磨布30の表面の空孔部90に研磨剤に含まれるSiO2
粒子80が目詰まりを起こしていき、これが研磨速度を低
下させていくため、半導体基板表面の被研磨材料の研磨
量を制御していくことが困難となってくる。
い、研磨布30の表面の空孔部90に研磨剤に含まれるSiO2
粒子80が目詰まりを起こしていき、これが研磨速度を低
下させていくため、半導体基板表面の被研磨材料の研磨
量を制御していくことが困難となってくる。
【０００７】これを防ぐためには、研磨布30を定期的に
ドレッシングする必要がある。前記研磨布30をドレッシ
ングする方法としては、前記研磨布30に水を流しながら
ダイヤモンド電着治具またはセラミックス製の刃物を用
いたブラッシングにより、研磨布30の表面の目詰まりや
異物の除去を行う方法が知られている。
ドレッシングする必要がある。前記研磨布30をドレッシ
ングする方法としては、前記研磨布30に水を流しながら
ダイヤモンド電着治具またはセラミックス製の刃物を用
いたブラッシングにより、研磨布30の表面の目詰まりや
異物の除去を行う方法が知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の研磨布のド
レッシング方法は、ダイヤモンド電着治具または刃物な
どを用いたブラッシングにより行っていたので、研磨布
30の表面の目詰まりを確実に除去することが困難であ
り、更に研磨布30の表面に傷が入るという問題があっ
た。
レッシング方法は、ダイヤモンド電着治具または刃物な
どを用いたブラッシングにより行っていたので、研磨布
30の表面の目詰まりを確実に除去することが困難であ
り、更に研磨布30の表面に傷が入るという問題があっ
た。
【０００９】図２に示したように、研磨布30の表面の空
孔部90に研磨剤に含まれるSiO2粒子80が目詰まりを起こ
し、この目詰まりのためにドレッシングを行った後でも
研磨速度を元道りに回復させることが困難となってい
た。
孔部90に研磨剤に含まれるSiO2粒子80が目詰まりを起こ
し、この目詰まりのためにドレッシングを行った後でも
研磨速度を元道りに回復させることが困難となってい
た。
【００１０】図３に研磨布30の表面に傷が入っている状
態を示す。これにより研磨後の半導体基板表面に傷が発
生することがあり、半導体装置の歩留り低下を招く問題
があった。
態を示す。これにより研磨後の半導体基板表面に傷が発
生することがあり、半導体装置の歩留り低下を招く問題
があった。
【００１１】本発明は前述の問題点にかんがみ、研磨布
の目詰まりを確実に除去できるとともに、研磨布の表面
に傷が入るのを抑制できるドレッシング方法を提供する
ことを目的とする。
の目詰まりを確実に除去できるとともに、研磨布の表面
に傷が入るのを抑制できるドレッシング方法を提供する
ことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板用研
磨布のドレッシング方法は、半導体基板を機械的化学的
研磨する研磨布の目詰まりや異物除去を行う半導体基板
用研磨布のドレッシング方法において、フッ酸水溶液を
用いて前記研磨布をドレッシングすることを特徴として
いる。
磨布のドレッシング方法は、半導体基板を機械的化学的
研磨する研磨布の目詰まりや異物除去を行う半導体基板
用研磨布のドレッシング方法において、フッ酸水溶液を
用いて前記研磨布をドレッシングすることを特徴として
いる。
【００１３】
【作用】フッ酸溶液は研磨剤の固形分であるSiO2を良好
に溶解させるため、前記SiO2により研磨布に目詰まりが
生じても確実に除去できる。更に、従来用いていたよう
なダイヤモンド電着治具または刃物を使用する必要がな
いか、または使用したとしてもその研磨布への接触圧を
高くする必要がないため、研磨布に傷が発生するのを防
ぐことができる。
に溶解させるため、前記SiO2により研磨布に目詰まりが
生じても確実に除去できる。更に、従来用いていたよう
なダイヤモンド電着治具または刃物を使用する必要がな
いか、または使用したとしてもその研磨布への接触圧を
高くする必要がないため、研磨布に傷が発生するのを防
ぐことができる。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の実施例を、図面を参照しなが
ら説明する。図１は本発明の一実施例に係わる研磨後の
研磨布30の表面部分の概略断面図であり、研磨布30の表
面部分の正常な空孔部90と研磨布30の主材質のポリウレ
タンを示している。
ら説明する。図１は本発明の一実施例に係わる研磨後の
研磨布30の表面部分の概略断面図であり、研磨布30の表
面部分の正常な空孔部90と研磨布30の主材質のポリウレ
タンを示している。
【００１５】このように研磨するためには、まず最初
に、図４に示した研磨装置において、半導体基板60を研
磨した研磨布30の表面に、温度が15〜40℃、濃度が0.1
〜10％のフッ酸溶液を、研磨布30の表面全体が浸る程度
に10秒から5 分の間流し、ドレッシングを行う。
に、図４に示した研磨装置において、半導体基板60を研
磨した研磨布30の表面に、温度が15〜40℃、濃度が0.1
〜10％のフッ酸溶液を、研磨布30の表面全体が浸る程度
に10秒から5 分の間流し、ドレッシングを行う。
【００１６】次いで、前記フッ酸溶液から純水に切り換
えて0.5 〜5 分間、研磨布30上に流し、研磨布30上の水
溶液のPHを6 以上にする。前記処理を行うことにより、
図１に示すように、研磨布30の表面の目詰まりを確実に
除去することができ、かつ研磨布30の表面の傷の発生を
防ぐことができる。
えて0.5 〜5 分間、研磨布30上に流し、研磨布30上の水
溶液のPHを6 以上にする。前記処理を行うことにより、
図１に示すように、研磨布30の表面の目詰まりを確実に
除去することができ、かつ研磨布30の表面の傷の発生を
防ぐことができる。
【００１７】本発明に係わる第２の実施例は、第１の実
施例におけるフッ酸溶液を流しながらドレッシングを行
う際に、研磨布30の表面にダイヤモンド電着治具または
セラミックス製の刃物を当てることによるブラッシング
を併用するものである。この時、従来のドレッシング方
法で行われていた機械的除去時よりも弱い接触圧力にし
ておくことができる。
施例におけるフッ酸溶液を流しながらドレッシングを行
う際に、研磨布30の表面にダイヤモンド電着治具または
セラミックス製の刃物を当てることによるブラッシング
を併用するものである。この時、従来のドレッシング方
法で行われていた機械的除去時よりも弱い接触圧力にし
ておくことができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フッ酸水溶液を用いて化学的溶解を行うようにしたの
で、従来のドレッシング方法は研磨布の目詰まりを機械
的に除去しているだけでは除去することができなかった
研磨布の目詰まりを確実に除去することができる。これ
により、研磨工程における研磨速度を安定に維持するこ
とができ、研磨量の制御を容易に行うことができるよう
になる。
フッ酸水溶液を用いて化学的溶解を行うようにしたの
で、従来のドレッシング方法は研磨布の目詰まりを機械
的に除去しているだけでは除去することができなかった
研磨布の目詰まりを確実に除去することができる。これ
により、研磨工程における研磨速度を安定に維持するこ
とができ、研磨量の制御を容易に行うことができるよう
になる。
【００１９】また、フッ酸溶液を流しながら機械的な除
去を行うことにより、従来のドレッシング方法で行われ
ていた機械的除去時よりも弱い接触圧力で良好に除去す
ることができるので、研磨布の傷の発生を抑えることが
できる。このため、半導体基板に転写される傷も防ぐこ
とができ、傷による歩留り低下も防ぐことができる。さ
らに、研磨布の傷の発生を抑えることにより、研磨布の
劣化を防ぐことができて研磨布の交換頻度を少なくする
ことができるため、製造コストを低下させることができ
る。
去を行うことにより、従来のドレッシング方法で行われ
ていた機械的除去時よりも弱い接触圧力で良好に除去す
ることができるので、研磨布の傷の発生を抑えることが
できる。このため、半導体基板に転写される傷も防ぐこ
とができ、傷による歩留り低下も防ぐことができる。さ
らに、研磨布の傷の発生を抑えることにより、研磨布の
劣化を防ぐことができて研磨布の交換頻度を少なくする
ことができるため、製造コストを低下させることができ
る。
【図１】本発明の一実施例に係わる研磨後の研磨布表面
部分の概略断面図である。
部分の概略断面図である。
【図２】研磨剤に含まれるSiO2粒子が目詰まりを起こし
ている研磨布表面部分の概略断面図である。
ている研磨布表面部分の概略断面図である。
【図３】研磨布表面に荒れ傷が発生している研磨布表面
部分の概略断面図である。
部分の概略断面図である。
【図４】研磨処理状態を示す研磨装置の概略構成図であ
る。
る。
10 主軸 20 回転テ−ブル 30 研磨布 40 加圧軸 50 回転ヘッド 60 半導体基板 80 研磨剤固形成分(SiO2) 90 空孔部
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板を機械的化学的研磨するため
に用いる研磨布の目詰まりや異物除去を行う半導体基板
用研磨布のドレッシング方法において、フッ酸水溶液を
用いて前記研磨布をドレッシングすることを特徴とする
半導体基板用研磨布のドレッシング方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のドレッシング方法にお
いて、 前記フッ酸水溶液の濃度が0.1 〜10％であることを特徴
とする半導体基板用研磨布のドレッシング方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のドレッシング方法にお
いて、 前記フッ酸水溶液を用いて前記研磨布をドレッシングし
た後、前記研磨布表面に純水を流すことにより前記研磨
布表面に存在する水溶液のPHを６以上にすることを特徴
とする半導体基板用研磨布のドレッシング方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載のドレッシング方法にお
いて、 前記研磨布の表面にダイヤモンド電着治具又はセラミッ
クス製の刃物を当てることによるブラッシングを併用す
ることを特徴とする半導体基板用研磨布のドレッシング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4011297A JPH10217104A (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 半導体基板用研磨布のドレッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4011297A JPH10217104A (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 半導体基板用研磨布のドレッシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10217104A true JPH10217104A (ja) | 1998-08-18 |
Family
ID=12571776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4011297A Withdrawn JPH10217104A (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 半導体基板用研磨布のドレッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10217104A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660124B1 (en) | 1999-11-19 | 2003-12-09 | Tokyo Electron Ltd. | Polishing system and polishing method |
-
1997
- 1997-02-07 JP JP4011297A patent/JPH10217104A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6660124B1 (en) | 1999-11-19 | 2003-12-09 | Tokyo Electron Ltd. | Polishing system and polishing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040511 |