JP2010135524A - 研削加工されたシリコン基盤の洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 0.2μm径以下の異物の付着が10個以下のシリコン基盤鏡面を得る洗浄方法の提供。
【解決手段】 研削加工されたシリコン基盤面に水系研磨剤スラリーを供給しながらシリコン基盤面を第一バフ研磨加工してシリコン基盤面の研削痕を除去し、ついで、この第一バフ研磨加工されたシリコン基盤面に水系研磨剤スラリーをより多量に供給しながら、かつ、より低速、低圧でシリコン基盤面を第二バフ研磨加工してシリコン基盤面の親水性を増加させ、しかる後に、このバフ研磨加工シリコン基盤面をアルカリ洗浄し、最後に純水洗浄し、0.2μm径以下の異物付着個数が10個以下のシリコン基盤の鏡面を得る。
【選択図】 図1
【解決手段】 研削加工されたシリコン基盤面に水系研磨剤スラリーを供給しながらシリコン基盤面を第一バフ研磨加工してシリコン基盤面の研削痕を除去し、ついで、この第一バフ研磨加工されたシリコン基盤面に水系研磨剤スラリーをより多量に供給しながら、かつ、より低速、低圧でシリコン基盤面を第二バフ研磨加工してシリコン基盤面の親水性を増加させ、しかる後に、このバフ研磨加工シリコン基盤面をアルカリ洗浄し、最後に純水洗浄し、0.2μm径以下の異物付着個数が10個以下のシリコン基盤の鏡面を得る。
【選択図】 図1
Description
本発明は、シリコン基盤表面にプリント配線が施されている半導体基板の洗浄方法に関する。詳しくは、裏面研削されたシリコン基盤面をバフ研磨加工した後、この研削・研磨加工シリコン基盤面を薬剤洗浄して0.2μm径以下の異物粒子(研削屑や研磨屑)の付着が10個以下のシリコン基盤鏡面を得る洗浄方法に関する。
半導体基板裏面のシリコン基盤面を研削加工し、ついで、コロイダルシリカやセリア粒含有研磨剤スラリーをシリコン基盤面に供給しながらポリウレタン製バフ(研磨パッド)をシリコン基盤面に摺擦させて研削スクラッチや研削ストレスを除去する剥離厚み2〜5μmの研磨加工を行った後、得られた研削・研磨加工シリコン基盤面に純水を供給して厚み20〜100μmの半導体基板を製造する基板表面平坦化装置が提案され、実際に80〜100μmの厚みの半導体基板の生産に利用されている(例えば、特許文献1、特許文献2および特許文献3参照。)。
また、図4に示す半導体基板裏面の平坦化装置10を特許出願人は提案している(例えば、特許文献4参照。)。
この平坦化装置10は、基板収納ステージ13,13を室仕切壁12の外側に備え、室仕切壁12の内側にはベース11上に多関節型搬送ロボット14、位置合わせ機能付エッジ面取りテープ研磨機器150、研削加工ステージ20、一対の天井吊り下げ型移動型搬送パッド16a,16b、研磨加工ステージ70、基板薬剤洗浄機器9、基板搬送パッド16cを備える。この平坦化装置10の室仕切壁12の左側には次工程の保護テープ剥離ステージ300が設けられている。
この平坦化装置10の正面側から背面側に向かって、室外の右側に基板収納ステージ13,13を設け、室内においては、室内の前列目に前記基板収納ステージ近傍の右側位置に多関節型搬送ロボット14を、その多関節型搬送ロボットの左側の中央位置に研磨ステージ70を、その研磨ステージの左側の左側位置に基板薬剤洗浄機器よりなる基板薬剤洗浄ステージ9を設け、および前記多関節型搬送ロボット14と研磨ステージ70の間に第一の乾燥空気吹きつけ機器8aを設け、前記多関節型搬送ロボット14の後列右側に位置合わせ機能付エッジ面取りテープ研磨機器150を、および前記多関節型搬送ロボットの後列中央側に時計廻り方向に基板ローディング/基板アンローディングステージS1、粗研削ステージS2、および、仕上研削ステージS3の3つのステージを構成する3台の基板ホルダーテーブル30a,30b,30cを第1インデックス型回転テーブル2に同心円周上に配置した研削加工ステージ20を設けるとともに、前記関節型搬送ロボットおよび基板ローディング/基板アンローディングステージS1を挟む位置に天井吊り下げ型基板搬送パッド16a,16bの一対を設け、かつ、前記基板薬剤洗浄ステージ9の後列であって前記研磨ステージ70の左側位置に第三の基板搬送パッド16cと第二の乾燥空気吹きつけ機器8bを並設させている。
基板ローディング/基板アンローディングステージS1を構成する基板ホルダーテーブル30a上方に、基板ホルダーテーブル上面を洗浄する回転式チャッククリーナ38bおよび仕上げ研削加工された基板面を洗浄する回転式洗浄ブラシ38aの一対を備える洗浄機器38を基板ホルダーテーブル30a上面に対し垂直方向および平行方向に移動可能に設けている。
粗研削ステージS2を構成する基板ホルダーテーブル30b上方に粗研削カップホイール型ダイヤモンド砥石90を備えるスピンドルを基板ホルダーテーブル30b上面に対し昇降可能に設け、および、仕上研削ステージS3を構成する基板ホルダーテーブル30c上方に仕上研削カップホイール型ダイヤモンド砥石91を備えるスピンドルを基板ホルダーテーブル30c上面に対し昇降可能に設けている。
基板ホルダーテーブル30aと多関節型搬送ロボット14と一対の天井吊り下げ型基板搬送パッド16a,16bと回転式チャッククリーナおよび回転式洗浄ブラシを備える洗浄機器38とで基板ローディング/基板アンローディングステージS1を構成し、基板ホルダーテーブル30bと粗研削カップホイール型ダイヤモンド砥石91と2点式インプロセスゲージ6とで粗研削ステージS3を構成し、基板ホルダーテーブル30cと仕上研削カップホイール型ダイヤモンド砥石91と非接触型基板厚み測定機器とで仕上研削ステージS3を構成する。
研磨ステージ70は、基板ローディング/基板アンローディング/仕上研磨ステージps1を構成する基板ホルダーテーブル70aと、粗研磨ステージps2を構成する基板ホルダーテーブル70bを第2インデックス型回転テーブル71に同心円上に等間隔に配置して設ける。この基板ローディング/基板アンローディング/仕上研磨ステージps1を構成する基板ホルダーテーブル70a上方に、研磨剤スラリー液供給機構72および仕上げ研磨パッド73を回転可能に軸承するスピンドル74を基板ホルダーテーブル70aと仕上げ研磨パッド73と研磨剤スラリー液供給機構72とで基板仕上粗研磨ステージps1を構成する。研磨剤スラリー液供給機構72’および粗研磨パッド73’を回転可能に軸承するスピンドル74を基板ホルダーテーブル70bと粗研磨パッド73’と研磨剤スラリー液供給機構72’とで基板粗研磨ステージps2を構成する。基板ロ−ディング/基板アンローディング/仕上研磨ステージps1の仕上げ研磨パッド73の揺動軌跡上にはパッドコンディショナ75が設けられ、仕上げ研磨パッド73の下面を砥石75aで削り、毛羽立たせるとともに、洗浄水75bが仕上げ研磨パッド面に供給され、洗浄する。また、粗研磨ステージps1の粗研磨パッド73’の揺動軌跡上にもパッドコンディショナ75が設けられ、粗研磨パッド73の下面を砥石75aで削り、毛羽立たせるとともに、洗浄水75bが粗研磨パッド面に供給され、洗浄する。
一方、異物粒子付着の少ないシリコン基盤面を得る薬剤洗浄方法として、(1)SC1(過酸化水素水+アンモニア水+純水)で洗浄した後、SC2(過酸化水素水+塩酸+純水)で洗浄する方法(例えば、特許文献5参照)、(2)SC1洗浄後、塩酸/フッ化水素水/純水混合液で洗浄する方法(例えば、特許文献6参照)、(3)SC1洗浄し、ついでSC2洗浄した後、オゾン水とフッ化水素水の混合薬剤で洗浄する方法(例えば、特許文献7参照)、(4)オゾン水とフッ化水素水の混合薬剤で洗浄する方法(例えば、特許文献8参照)、(5)アミンと海面活性剤とオゾン水の混合薬剤で洗浄する方法(例えば、特許文献9参照)も提案され、これら洗浄薬剤も市販されている。
前記特許文献1,特許文献2および特許文献3に記載の純水を用いる洗浄方法では、粒子径1.0μm以下の異物付着が約100〜300個、0.2μm径以下の異物の付着が3,000〜12,000個も存在し、半導体基板の搬送中や加工中に基板が破損することがあり、半導体チップ製造メーカーからは、厚み20〜50μmの半導体基板のシリコン基盤面への0.2μm径以下の異物の付着が100個以下であるシリコン基盤面が得られる平坦化装置の出現が望まれている。
前記特許文献3に記載の平坦化装置で製造された半導体基板のシリコン基盤面の洗浄薬剤として、前記特許文献4,特許文献5,特許文献6等に記載のシリコン基盤面を先にアルカリ洗浄した後、酸洗浄する薬剤洗浄方法を適用したところ、異物の溶解、剥離が進行し、0.2μm径以下の異物の付着が230〜2,200個程度と大幅に減少することが見出された。また、特許文献9に記載のアルカリ洗浄のみでも0.2μm径以下の異物の付着が230〜2,300個程度と大幅に減少する
本願発明者等は、前記薬剤洗浄の異物粒子除去効果の幅が大きく異なることからこの効果の差をもたらす研磨加工シリコン基盤面の親水性・疎水性の物性を調べたところ、水系研磨剤スラリーおよび研磨パッドを用いて研削痕を取り除くバフ研磨加工を行った後に、このバフ研磨加工の水系研磨剤スラリー供給条件よりより多量の水系研磨剤スラリーを供給しながらかつ、より低速の研磨速度条件で第二のバフ研磨加工を行うとシリコン面に酸化珪素が形成され、親水性が向上し、後工程のアルカリ洗浄工程における異物粒子の除去が容易となり、より高い清浄面を得ることが可能であることを見出した。
本願発明は、0.2μm径以下の異物の付着が10個以下のシリコン基盤面が得られる研削シリコン基盤面の薬剤洗浄方法を提供することを目的とする。
請求項1の発明は、研削加工されたシリコン基盤面に水系研磨剤スラリーを供給しながらシリコン基盤面に回転する研磨パッドをシリコン基盤面に押し当てながら摺擦させてシリコン基盤面の研削痕を取り除く第一バフ研磨加工を行った後、ついで、このバフ研磨加工されたシリコン基盤面に水系研磨剤スラリーを第一バフ研磨加工時よりも多量に供給しながらシリコン基盤面に回転する研磨パッドをシリコン基盤面に押し当てながらより低速で摺擦させてシリコン基盤面を研磨する第二バフ研磨加工を行い、しかる後に、この研磨加工シリコン基盤面をアルカリ洗浄し、最後にシリコン基盤面を純水で洗浄することを特徴とする、シリコン基盤の洗浄方法を提供するものである。
請求項2の発明は、第一バフ研磨加工は、水系研磨剤スラリーを50〜150cc/分の量供給しながらシリコン基盤面に懸かる研磨パッドの圧力を150〜300g/cm2、研磨パッドの回転数を200〜300rpmで摺擦させてシリコン基盤面を2〜5μm剥離させる第一バフ研磨加工であり、第二バフ研磨加工は、水系研磨剤スラリーを200〜400cc/分の量供給しながらシリコン基盤面に懸かる研磨パッドの圧力を20〜100g/cm2、研磨パッドの回転数を15〜30rpmで摺擦させてシリコン基盤面を0.1〜0.3μm剥離させる第二バフ研磨加工であることを特徴とする、請求項1に記載のシリコン基盤の洗浄方法を提供するものである。
請求項1に記載のシリコン基盤の洗浄方法は、バフ研磨工程を、研削痕を除く第一段のバフ研磨工程と、シリコン基盤面の親水性を増加させる第二段のバフ研磨工程に振り分けることにより、後に続く薬剤洗浄工程におけるシリコン基盤面付着異物除去を効果的に行うことができる。
請求項2に記載のシリコン基盤の洗浄方法は、実用に適したバフ研磨加工条件をしめすものである。
以下、図を用いて本発明をさらに詳細に説明する。図1は半導体基板のシリコン基盤面平坦化装置の平面図である。
本願発明のシリコン基盤の洗浄方法は、例えば、図1で開示される平坦化装置10を用いて実施することができる。半導体基板裏面のシリコン基盤面を粗研削加工、ついで仕上げ研削加工し、この研削加工されたシリコン基盤面に水系研磨剤スラリーを50〜150cc/分の量供給しながらシリコン基盤面に懸かる研磨パッドの圧力を150〜300g/cm2、研磨パッドの回転数を200〜300rpmで摺擦させて研削痕を取り除く第一バフ研磨加工を行った後、ついで、このバフ研磨加工されたシリコン基盤面に水系研磨剤スラリーを200〜400cc/分の量供給しながらシリコン基盤面に懸かる研磨パッドの圧力を20〜100g/cm2、研磨パッドの回転数を15〜30rpmで摺擦させる第二のバフ研磨加工を行い、しかる後に、このシリコン基盤面をアルカリ洗浄し、もしくは、第一回アルカリ洗浄し、次いで酸洗浄を行った後に第二回アルカリ洗浄を行い、最後にシリコン基盤面を純水で洗浄し、0.2μm径以下の異物粒子(研削屑や研磨屑)の付着が10個以下のシリコン基盤鏡面を得る。
研磨パッドは、粗研磨パッドと仕上げ研磨パッドの2基が使用され、ポリウレタン発泡樹脂製パッド、積層ポリウレタン発泡樹脂製パッド、繊維補強ポリウレタン発泡樹脂製パッド、スエードなどが使用される。
水系研磨剤スラリーとしては、シリカコロイダル、ヒュームドシリカ分散スラリー、セリア分散スラリー、あるいは、これら水系研磨剤スラリーにエタノールアミンまたはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの促進剤、界面活性剤、テトラエチレンジアミン等のキレート剤を配合した固形砥粒水分散スラリーが使用できる。例えば、デュポン・エアープロダクト社のSR300(商品名)、フジミインコーポレーテッド社のRDS−10811(商品名)、Glanzox1303(商品名)などが使用できる。
純水としては、脱イオン交換水、蒸留水、深海層水などが使用される。
アルカリ洗浄液としては、SC1(過酸化水素水+アンモニア水+純水)、SC1に錯化剤やテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを配合した液、過酸化水素水に苛性カリと超純水を配合した液など市販のアルカリ洗浄液が利用できる。
アルカリ洗浄のみでも異物粒子除去効果は十分であるが、アルカリ洗浄と酸洗浄を組み合わせるとより異物除去効果が向上する。かかる酸洗浄液としては、SC2(過酸化水素水+塩酸+純水)、過酸化水素水とフッ酸と純水の混合液、オゾン水、オゾン水にフッ酸を配合した液、塩酸とフッ酸の純水希薄液などが挙げられ、これらは市場から入手できる。
実施例1
図1に記載の半導体基板用平坦化装置を用い、以下の工程を経てシリコン基盤の厚みが720μm、表面に保護テープが貼付されている直径300mmの半導体基板裏面のシリコン基盤面の厚みを約30μm前後までにする厚み削減と平坦化と薬剤洗浄を行った。
図1に記載の半導体基板用平坦化装置を用い、以下の工程を経てシリコン基盤の厚みが720μm、表面に保護テープが貼付されている直径300mmの半導体基板裏面のシリコン基盤面の厚みを約30μm前後までにする厚み削減と平坦化と薬剤洗浄を行った。
基板収納ステージの収納カセット内に保管されている半導体基板を多関節型搬送ロボットの吸着パッドに吸着し、位置合わせ機能付エッジ面取りテープ研磨機器のチャックテーブル上に搬送し、そこで半導体基板のセンタリング位置調整およびエッジ研磨加工を行った。
ついで、粗研削ステージで砥番砥番330の粗研削カップホイール型ダイヤモンドレジンボンド砥石を用いて半導体基板のシリコン基盤面を粗研削加工(基板の回転数は300rpm、砥石軸の回転数は1,800rpm)し、シリコン基盤面を660μm削り取った。
この粗研削加工された半導体基板のシリコン基盤面を仕上研削ステージで砥番5,000のカップホイール型ダイヤモンドレジンボンド砥石を用いて粗研削加工された半導体基板のシリコン基盤面を仕上げ研削加工(基板の回転数は300rpm、砥石軸の回転数は1,800rpm)し、シリコン基盤面を30μm削り取り、シリコン基盤の厚みを30μmに低減させた。ついで、研削加工シリコン基盤面に純水を供給しながらブラシ洗浄を行った後、乾燥空気を吹きつけ乾燥させた。得られたシリコン基盤面には、研削条痕が見受けられた。
研削加工された半導体基板を研磨ステージへ移送させた後、この研削加工されたシリコン基盤面にヅポン・エアープロダクト社のシリカ系粒子分散水系研磨剤スラリー“SR300”(商品名)を100cc/分の量供給しながらシリコン基盤面に懸かる研磨パッドの圧力を230g/cm2、研磨パッドの回転数を250rpm、半導体基板の回転数を150rpmで摺擦させて研削痕を取り除くバフ研磨加工を6分間行った。シリコン基盤面の厚みは、3μm低減した。
ついで、このバフ研磨加工されたシリコン基盤面にシリカ系粒子分散水系研磨剤スラリー“SR300”(商品名)を300cc/分の量供給しながらシリコン基盤面に懸かる研磨パッドの圧力を50g/cm2、研磨パッドの回転数を20rpm、半導体基板の回転数を20rpmで摺擦させる第二バフ研磨加工を4分間行った。シリコン基盤面の厚みは、更に0.1μm低減した。このシリコン基盤面に付着している粒子の個数は、0.2μm以下の粒子は5,128個、1.0μm以上の粒子は233個であった。
しかる後に、この研削加工、バフ研磨加工されたシリコン基盤面に薬剤SC1を500cc/分の量供給するアルカリ洗浄を2分間行い、次いで純水で洗浄し、スピン乾燥させて0.2μm径以下の異物粒子(研削屑や研磨屑)の付着が6個、表面平均粗さ(Ra)が0.002μmのシリコン基盤鏡面を有する半導体基板を得た。
実施例2
実施例1において、バフ研磨加工されたシリコン基盤面の薬剤洗浄を、SC1を500cc/分の量供給する第一回のアルカリ洗浄を1分間行い、しかる後に、薬剤SC2を300cc/分の量供給する酸洗浄を1分間、ついで、SC1を500cc/分の量供給する第二回のアルカリ洗浄を1分間行たのち、最後にこれら薬剤洗浄されたシリコン基盤面を純水で洗浄し、スピン乾燥させて0.2μm径以下の異物粒子(研削屑や研磨屑)の付着が2個、表面平均粗さ(Ra)が0.002μmのシリコン基盤鏡面を有する半導体基板を得た。
実施例1において、バフ研磨加工されたシリコン基盤面の薬剤洗浄を、SC1を500cc/分の量供給する第一回のアルカリ洗浄を1分間行い、しかる後に、薬剤SC2を300cc/分の量供給する酸洗浄を1分間、ついで、SC1を500cc/分の量供給する第二回のアルカリ洗浄を1分間行たのち、最後にこれら薬剤洗浄されたシリコン基盤面を純水で洗浄し、スピン乾燥させて0.2μm径以下の異物粒子(研削屑や研磨屑)の付着が2個、表面平均粗さ(Ra)が0.002μmのシリコン基盤鏡面を有する半導体基板を得た。
比較例1
実施例1において、第一回のバフ研磨加工時間を10分間とし、次の第二バフ研磨加工は省略して行わなかった外は同様にして、シリコン基盤面の厚みを2.0μm低減する研磨加工を行った。ついで、SC1でアルカリ洗浄を行った。薬剤洗浄された半導体基板のシリコン基盤面の0.2μm径以下の異物粒子付着数は2,357個であり、表面平均粗さ(Ra)が0.04μmの半導体基板を得た。
実施例1において、第一回のバフ研磨加工時間を10分間とし、次の第二バフ研磨加工は省略して行わなかった外は同様にして、シリコン基盤面の厚みを2.0μm低減する研磨加工を行った。ついで、SC1でアルカリ洗浄を行った。薬剤洗浄された半導体基板のシリコン基盤面の0.2μm径以下の異物粒子付着数は2,357個であり、表面平均粗さ(Ra)が0.04μmの半導体基板を得た。
実施例3
実施例1において、研磨剤スラリーとしてSR300の代わりにフジミインコーポレーテッド社のRDS−10811を用いる外は同様にしてシリコン基盤面の厚みが27μm、薬剤洗浄された半導体基板のシリコン基盤面の0.2μm径以下の異物粒子付着数が8個であり、表面平均粗さ(Ra)が0.002μmの半導体基板を得た。
実施例1において、研磨剤スラリーとしてSR300の代わりにフジミインコーポレーテッド社のRDS−10811を用いる外は同様にしてシリコン基盤面の厚みが27μm、薬剤洗浄された半導体基板のシリコン基盤面の0.2μm径以下の異物粒子付着数が8個であり、表面平均粗さ(Ra)が0.002μmの半導体基板を得た。
実施例4
実施例1において、研磨剤スラリーとしてSR300の代わりにフジミインコーポレーテッド社のGlanzox1303を用いる外は同様にしてシリコン基盤面の厚みが27μm、薬剤洗浄された半導体基板のシリコン基盤面の0.2μm径以下の異物粒子付着数が7個であり、表面平均粗さ(Ra)が0.002μmの半導体基板を得た。
実施例1において、研磨剤スラリーとしてSR300の代わりにフジミインコーポレーテッド社のGlanzox1303を用いる外は同様にしてシリコン基盤面の厚みが27μm、薬剤洗浄された半導体基板のシリコン基盤面の0.2μm径以下の異物粒子付着数が7個であり、表面平均粗さ(Ra)が0.002μmの半導体基板を得た。
実施例5
実施例1において、第二バフ研磨加工時のシリコン基盤面に懸かる研磨パッドの圧力50g/cm2を、30g/cm2または80g/cm2と変える外は同様にして、薬剤洗浄されたシリコン基盤面の0.2μm径以下の異物粒子付着数が9個または3個の半導体基板を得た。
実施例1において、第二バフ研磨加工時のシリコン基盤面に懸かる研磨パッドの圧力50g/cm2を、30g/cm2または80g/cm2と変える外は同様にして、薬剤洗浄されたシリコン基盤面の0.2μm径以下の異物粒子付着数が9個または3個の半導体基板を得た。
実施例6
実施例1において、第二研磨加工時の研磨パッドの回転数20rpmを、15rpmまたは30rpmと変える外は同様にして、薬剤洗浄されたシリコン基盤面の0.2μm径以下の異物粒子付着数が9個または2個の半導体基板を得た。
実施例1において、第二研磨加工時の研磨パッドの回転数20rpmを、15rpmまたは30rpmと変える外は同様にして、薬剤洗浄されたシリコン基盤面の0.2μm径以下の異物粒子付着数が9個または2個の半導体基板を得た。
実施例6
実施例1において、仕上げバフ研磨加工時の水系研磨剤スラリーの供給量300cc/分を、250cc/分または380cc/分と変える外は同様にして、薬剤洗浄されたシリコン基盤面の0.2μm径以下の異物粒子付着数が6個または7個の半導体基板を得た。
実施例1において、仕上げバフ研磨加工時の水系研磨剤スラリーの供給量300cc/分を、250cc/分または380cc/分と変える外は同様にして、薬剤洗浄されたシリコン基盤面の0.2μm径以下の異物粒子付着数が6個または7個の半導体基板を得た。
本発明の研削加工されたシリコン基盤の洗浄方法は、0.2μm径以下の異物粒子(研削屑や研磨屑)の付着が10個以下のシリコン基盤鏡面を得ることができる。よって、この洗浄された半導体基板の搬送時や、後工程の加工において半導体基板が割れることが防止できる。
Claims (2)
- 研削加工されたシリコン基盤面に水系研磨剤スラリーを供給しながらシリコン基盤面に回転する研磨パッドをシリコン基盤面に押し当てながら摺擦させてシリコン基盤面の研削痕を取り除く第一バフ研磨加工を行った後、ついで、このバフ研磨加工されたシリコン基盤面に水系研磨剤スラリーを第一バフ研磨加工時よりも多量に供給しながらシリコン基盤面に回転する研磨パッドをシリコン基盤面に押し当てながらより低速で摺擦させてシリコン基盤面を研磨する第二バフ研磨加工を行い、しかる後に、この研磨加工シリコン基盤面をアルカリ洗浄し、最後にシリコン基盤面を純水で洗浄することを特徴とする、シリコン基盤の洗浄方法。
- 第一バフ研磨加工は、水系研磨剤スラリーを50〜150cc/分の量供給しながらシリコン基盤面に懸かる研磨パッドの圧力を150〜300g/cm2、研磨パッドの回転数を200〜300rpmで摺擦させてシリコン基盤面を2〜5μm剥離させる第一バフ研磨加工であり、第二バフ研磨加工は、水系研磨剤スラリーを200〜400cc/分の量供給しながらシリコン基盤面に懸かる研磨パッドの圧力を20〜100g/cm2、研磨パッドの回転数を15〜30rpmで摺擦させてシリコン基盤面を0.1〜0.3μm剥離させる第二バフ研磨加工であることを特徴とする、請求項1に記載のシリコン基盤の洗浄方法。
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