JP5839783B2 - 半導体ウェーハのエッジを研磨する方法 - Google Patents
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Description
(a)端面が研磨されており、且つラウンドエッジを有する半導体ウェーハを準備すること;(b)中心で回転するチャック上に該半導体ウェーハを固定し、該半導体ウェーハと、チャックに対して傾斜されており、固定砥粒を含有する研磨パッドが適用されている、中心で回転する研磨ドラムとを位置決めし、固体を含有しない研磨剤溶液を連続的に供給しながら半導体ウェーハと研磨ドラムとを互いに押し付けることによって半導体ウェーハのエッジを研磨することを有する、半導体ウェーハのエッジを研磨する方法によって達成される。
− 研磨する間の接触圧:3.0kg(1.0〜5.0kg)
− 研磨ドラムの回転速度:800RPM(300〜1500RPM)
− チャック/半導体ウェーハの回転速度:85sec/revolution(20〜300sec/revolution)
− 半導体ウェーハの回転数:4(2〜20回転)
− 研磨剤流量:300ml/min(100〜1000ml/min)
− 研磨剤濃度:例えばK2CO3 0.8%(重要でない、任意の他の所望の濃度も可能)
− 研磨剤の種類:例えばSiO2 5% Bayer社のLevasilTM200、他の多数のものも考えられる
− ウェーハに対する研磨ドラムの取り付け角:40゜(30〜50゜)
− 研磨パッド:例えば酸化セリウム粒子、粒径0.1〜2.5μmを有する固定砥粒研磨パッド
− 研磨時間:340sec(150〜600sec)
Claims (15)
- 半導体ウェーハのエッジを研磨する方法であって、
(a)端面が研磨されており、且つラウンドエッジを有する半導体ウェーハを準備すること、(b)中心で回転するチャック上に該半導体ウェーハを固定し、該半導体ウェーハと、チャックに対して傾斜されており、且つ固定砥粒を含有する研磨パッドが適用されている、中心で回転する研磨ドラムとを位置決めし、及び固体を含有しない研磨剤溶液を連続的に供給しながら該半導体ウェーハと該研磨ドラムとを互いに押し付けることによって半導体ウェーハのエッジを研磨する第1のエッジ研磨と、(c)該第1のエッジ研磨後に、第1のエッジ研磨の研磨パッドを用いて、第2のエッジ研磨を、砥粒を含有する研磨剤スラリーの供給下で行うことを有し、
前記研磨剤溶液は、炭酸ナトリウム(Na 2 CO 3 )、炭酸カリウム(K 2 CO 3 )、水酸化ナトリウム(NaOH)、水酸化カリウム(KOH)、水酸化アンモニウム(NH 4 OH)、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)又はこれらの混合物である添加剤を含み、前記研磨剤スラリーは前記添加剤を含まない、半導体ウェーハのエッジを研磨する方法。 - 前記研磨剤溶液のpH値が10〜12であり、且つ前記研磨剤溶液中の前記化合物の割合が0.01〜10質量%である、請求項1記載の方法。
- 工程c)に従った前記研磨剤スラリー中の研磨材料の割合が、0.25〜20質量%である、請求項1記載の方法。
- 前記研磨剤スラリー中の研磨材料が、アルミニウム、セリウム又はケイ素の元素の1つ以上の酸化物を有する、請求項1又は3記載の方法。
- 前記研磨剤スラリーがコロイド分散性シリカを含有する、請求項4記載の方法。
- 前記研磨剤スラリーのpH値が9〜11.5の範囲内にある、請求項5記載の方法。
- 使用される前記研磨パッドが、セリウム、アルミニウム、ケイ素、ジルコニウムの元素の酸化物の粒子又は、炭化ケイ素、窒化ホウ素又はダイヤモンドの粒子を含む硬質材料から選択される研磨材料を含有する、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 前記研磨パッドが酸化セリウム粒子を含有する、請求項7記載の方法。
- 砥粒の平均粒径が0.1〜1μmである、請求項7又は8記載の方法。
- 砥粒の平均粒径が0.1〜0.25μmである、請求項9記載の方法。
- 前記研磨パッドが、研磨材料を含有する層以外に、剛性プラスチックからなる層及び柔軟性の不織布層を有し、その際、前記層は感圧接着剤層によって互いに結合されている、請求項7から10までのいずれか1項記載の方法。
- 剛性プラスチックからなる層がポリカーボネートを有する、請求項11記載の方法。
- 前記研磨パッドが、ポリウレタンフォームからなる付加的な層を有する、請求項11又は12記載の方法。
- 前記柔軟層がポリエステル繊維を有する、請求項11から13までのいずれか1項記載の方法。
- 前記半導体ウェーハが、300mm以上の直径を有する単結晶シリコンから成る、請求項1から14までのいずれか1項記載の方法。
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