JP5331777B2 - 半導体ウェハの研磨方法 - Google Patents
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Description
この問題は本発明の課題設定を生じさせる。
機械的(研削又はラッピング)及び化学的(洗浄又はエッチング)加工工程の後に、まず、半導体ウェハの前面のFAP研磨を上記のように行い、半導体ウェハをその前面でキャリアプレートに接合し、この半導体ウェハの裏面を化学機械研磨する。
マレイン樹脂をアルコール中に溶かす。このために多価アルコールが有利に使用される。トリフェニルメタン染料、例えばクリスタルバイオレットが有利に添加される。他の有利な添加物は、アンモニア、IMBENTIN T/400 G(40のエチレンオキシド単位を有するエトキシル化されたトリデシルアルコール、Dr. W. Kolb AG社(Hedingen,スイス国)から取り寄せることができる)及び超純水である。この接合溶液は約30mm2/sの粘度を有する場合が有利であることは明らかとなった。
Claims (10)
- 第1の面と第2の面とを有する半導体ウェハの研磨方法において、
0.1〜1.0μmの平均粒径を有する固定結合された砥粒を有する研磨パッドの使用下での前記半導体ウェハの第1の面のFAP(固定砥粒研磨)、
前記半導体ウェハのFAP研磨された第1の面上に3μm以下の厚さの接合層の設置、
前記半導体ウェハの、FAP研磨され、接合層を有する第1の面での研磨装置のキャリアプレートへの固定、並びに
前記キャリアプレートへの前記半導体ウェハの固定の後に、前記半導体ウェハの第2の面の片面化学機械研磨を有する、半導体ウェハの研磨方法。 - 前記半導体ウェハの第2の面の化学機械研磨がCMP研磨である、請求項1記載の方法。
- 第1の面のFAPの実施の前に、まず前記半導体ウェハの第2の面に、0.1〜1.0μmの平均粒径を有する固定結合された砥粒を有する研磨パッドの使用下でFAPを行い、前記半導体ウェハのFAP研磨された第2の面に厚くても3μmの厚さの接合層を設け、前記半導体ウェハをFAP研磨された第2の面で研磨装置のキャリアプレートと接合し、前記半導体ウェハの第1の面の化学機械研磨を実施する、請求項1又は請求項2記載の方法。
- 前記半導体ウェハの第1の面又は第2の面のFAP研磨をそれぞれの場合に3つの工程で行い、かつ全ての3つの工程でそれぞれの場合に研磨パッド中に結合した研磨材料を有する研磨パッドの使用下でかつ前記研磨パッドを前記半導体ウェハの研磨されるべき面に所定の研磨圧で押し付け、第1の工程では、固体を有していない研磨剤を、第2及び第3の工程では研磨材料を含有する研磨剤を、研磨パッドと前記半導体ウェハのFAPにより研磨されるべき面との間に導入し、第1及び第2の工程の55.16〜103.4kPa(8〜15psi)の研磨圧を、第3の工程で3.448〜34.48kPa(0.5〜5psi)に低下させる、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 前記半導体ウェハの研磨されるべき面の研磨の第1の工程の間の前記研磨剤は、脱イオン水(DIW)を含有する、請求項4記載の方法。
- 前記研磨剤は、炭酸ナトリウム(Na2CO3)、炭酸カリウム(K2CO3)、水酸化ナトリウム(NaOH)、水酸化カリウム(KOH)、水酸化アンモニウム(NH4OH)、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)のような化合物又はこれらの任意の混合物を含有する、請求項4又は5記載の方法。
- 第2の研磨工程における研磨剤スラリーは、アルミニウム、セリウム又はケイ素の元素の酸化物の1種以上の粒子を有する、請求項4記載の方法。
- 前記研磨パッドは、固定結合された研磨材料を、セリウム、アルミニウム、ケイ素、ジルコニウムの元素の酸化物の粒子の形で又は炭化ケイ素、窒化ホウ素及びダイヤモンドのような硬質材料の粒子の形で含有する、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 前記接合層は0.5〜2.0μmの厚さを有する、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。
- 前記接合層は0.5〜1.5μmの厚さを有する、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009052744A DE102009052744B4 (de) | 2009-11-11 | 2009-11-11 | Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe |
DE102009052744.3 | 2009-11-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011103468A JP2011103468A (ja) | 2011-05-26 |
JP5331777B2 true JP5331777B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=43853012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010252702A Expired - Fee Related JP5331777B2 (ja) | 2009-11-11 | 2010-11-11 | 半導体ウェハの研磨方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8500516B2 (ja) |
JP (1) | JP5331777B2 (ja) |
KR (1) | KR101240008B1 (ja) |
CN (1) | CN102059640B (ja) |
DE (1) | DE102009052744B4 (ja) |
SG (1) | SG171513A1 (ja) |
TW (1) | TWI417956B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010005904B4 (de) | 2010-01-27 | 2012-11-22 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
JP5667508B2 (ja) | 2011-05-06 | 2015-02-12 | 株式会社日立製作所 | 基地局、干渉制御方法及び無線通信システム |
CN102969237B (zh) * | 2011-08-31 | 2016-05-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 形成栅极的方法、平坦化层间介质层的方法 |
CN105097691B (zh) * | 2014-05-15 | 2018-03-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的形成方法 |
CN105097692B (zh) * | 2014-05-15 | 2018-07-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的形成方法 |
CN105415102A (zh) * | 2015-12-01 | 2016-03-23 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种无蜡磨抛碲锌镉晶片的方法 |
DE102019216267A1 (de) | 2019-10-23 | 2021-04-29 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben |
CN111300259A (zh) * | 2020-02-18 | 2020-06-19 | 北京芯之路企业管理中心(有限合伙) | 一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置与其制程方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7404364A (nl) * | 1974-04-01 | 1975-10-03 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het bewerken van vlakke voorwerpen. |
US4316757A (en) | 1980-03-03 | 1982-02-23 | Monsanto Company | Method and apparatus for wax mounting of thin wafers for polishing |
US5152917B1 (en) * | 1991-02-06 | 1998-01-13 | Minnesota Mining & Mfg | Structured abrasive article |
US5256599A (en) | 1992-06-01 | 1993-10-26 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer wax mounting and thinning process |
JP3510036B2 (ja) | 1996-02-22 | 2004-03-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
JP3696690B2 (ja) | 1996-04-23 | 2005-09-21 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハの研磨装置システム |
US5916016A (en) | 1997-10-23 | 1999-06-29 | Vlsi Technology, Inc. | Methods and apparatus for polishing wafers |
JP3065016B2 (ja) | 1998-02-17 | 2000-07-12 | 日本電気株式会社 | 研磨装置及び研磨方法 |
JPH11277413A (ja) | 1998-03-27 | 1999-10-12 | Kyocera Corp | ウェハ研磨盤 |
DE19816150A1 (de) | 1998-04-09 | 1999-10-21 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer partikelfreien Klebeverbindung |
JP3282164B2 (ja) | 1999-12-27 | 2002-05-13 | 直江津電子工業株式会社 | ウエハ接着剤塗布方法 |
US6479386B1 (en) * | 2000-02-16 | 2002-11-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for reducing surface variations for polished wafer |
US6602117B1 (en) | 2000-08-30 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Slurry for use with fixed-abrasive polishing pads in polishing semiconductor device conductive structures that include copper and tungsten and polishing methods |
EP1261020A4 (en) * | 2000-10-26 | 2005-01-19 | Shinetsu Handotai Kk | PROCESS FOR PRODUCING PLATELETS, POLISHING APPARATUS AND PLATELET |
DE10058305A1 (de) | 2000-11-24 | 2002-06-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben |
JP2004071833A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの両面研磨方法 |
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US20050227590A1 (en) | 2004-04-09 | 2005-10-13 | Chien-Min Sung | Fixed abrasive tools and associated methods |
JP4820108B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-11-24 | コマツNtc株式会社 | 半導体ウエーハの製造方法およびワークのスライス方法ならびにそれらに用いられるワイヤソー |
JP2008153248A (ja) | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaAsウエハへのワックス塗布方法 |
DE102007026292A1 (de) | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Siltronic Ag | Verfahren zur einseitigen Politur nicht strukturierter Halbleiterscheiben |
DE102007035266B4 (de) * | 2007-07-27 | 2010-03-25 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Silicium oder einer Legierung aus Silicium und Germanium |
JP2009135453A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器 |
DE102008045534B4 (de) | 2008-09-03 | 2011-12-01 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
DE102009030295B4 (de) | 2009-06-24 | 2014-05-08 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
-
2009
- 2009-11-11 DE DE102009052744A patent/DE102009052744B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-21 CN CN201010294189.1A patent/CN102059640B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-23 SG SG201006947-4A patent/SG171513A1/en unknown
- 2010-10-11 KR KR1020100098749A patent/KR101240008B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-10-19 US US12/907,062 patent/US8500516B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-28 TW TW099136911A patent/TWI417956B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-11-11 JP JP2010252702A patent/JP5331777B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110052455A (ko) | 2011-05-18 |
US20110111677A1 (en) | 2011-05-12 |
DE102009052744B4 (de) | 2013-08-29 |
US8500516B2 (en) | 2013-08-06 |
SG171513A1 (en) | 2011-06-29 |
DE102009052744A1 (de) | 2011-05-12 |
KR101240008B1 (ko) | 2013-03-06 |
JP2011103468A (ja) | 2011-05-26 |
TWI417956B (zh) | 2013-12-01 |
CN102059640A (zh) | 2011-05-18 |
CN102059640B (zh) | 2014-03-05 |
TW201117282A (en) | 2011-05-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111024 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111116 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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