JP3065016B2 - 研磨装置及び研磨方法 - Google Patents
研磨装置及び研磨方法Info
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はウエハ研磨装置に
関し、特に半導体基板上の凹凸部を研磨するウエハ研磨
装置に関する。
関し、特に半導体基板上の凹凸部を研磨するウエハ研磨
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的に用いられている研磨装置の全体
構成を図4に基づき説明する。図4に示すウエハ研磨装
置は、回転自在な研磨テーブル1と、研磨テーブル1上
に設けられた研磨パッド4と、被研磨対象であるウエハ
2を保持するキャリアヘッド8とを有する。さらに本発
明の研磨装置はウエハ2をキャリアヘッド8ごと研磨パ
ッド4に押圧する加圧機構9と、ウエハ2をキャリアヘ
ッド8ごと研磨パッド4上で回転させるスピンドル10
とを含んで構成され、ポンプ等を用いて研磨パッド4の
表面に研磨剤スラリ5が供給される。
構成を図4に基づき説明する。図4に示すウエハ研磨装
置は、回転自在な研磨テーブル1と、研磨テーブル1上
に設けられた研磨パッド4と、被研磨対象であるウエハ
2を保持するキャリアヘッド8とを有する。さらに本発
明の研磨装置はウエハ2をキャリアヘッド8ごと研磨パ
ッド4に押圧する加圧機構9と、ウエハ2をキャリアヘ
ッド8ごと研磨パッド4上で回転させるスピンドル10
とを含んで構成され、ポンプ等を用いて研磨パッド4の
表面に研磨剤スラリ5が供給される。
【0003】従って、回転する研磨パッド4には、加圧
機構9によりスピンドル10、キャリヤヘッド8を介し
てウエハ2が押圧され、これにより研磨パッド4により
ウエハ2の研磨が行われる。
機構9によりスピンドル10、キャリヤヘッド8を介し
てウエハ2が押圧され、これにより研磨パッド4により
ウエハ2の研磨が行われる。
【0004】かかる従来のウエハ研磨装置では研磨パッ
ド4上でウエハを保持するリテーナリングが備えられて
いた。図5に示すタイプ1はリテーナリング3をウエハ
2の保持のみに使用するもので研磨パッド4面への接触
は殆ど発生しない。この場合のメリットは図5で分かる
ように研磨パッド4とウエハ2間へ研磨剤スラリ5が容
易に供給される点にある。しかしこのタイプ1として説
明した非接触型リングを用いるものにあっては、ウエハ
2のエッジ部と研磨パッド4間に集中荷重が発生し、図
7に示すようにエッジ部での研磨速度加速化が発生しウ
エハ周辺部にて特異な形状が形成する。そのため図9
(b)に示すように、ウエハ2外周部の平坦性が悪化し、
収量が減少する。
ド4上でウエハを保持するリテーナリングが備えられて
いた。図5に示すタイプ1はリテーナリング3をウエハ
2の保持のみに使用するもので研磨パッド4面への接触
は殆ど発生しない。この場合のメリットは図5で分かる
ように研磨パッド4とウエハ2間へ研磨剤スラリ5が容
易に供給される点にある。しかしこのタイプ1として説
明した非接触型リングを用いるものにあっては、ウエハ
2のエッジ部と研磨パッド4間に集中荷重が発生し、図
7に示すようにエッジ部での研磨速度加速化が発生しウ
エハ周辺部にて特異な形状が形成する。そのため図9
(b)に示すように、ウエハ2外周部の平坦性が悪化し、
収量が減少する。
【0005】かかる図5にタイプ1として説明した非接
触型リングを用いるものにおいて生じる異常研磨の改善
策として図6に示す研磨装置が用いられる。この図6に
示すタイプ2ではリテーナリング3を積極的に研磨パッ
ド4面に押し当てるため研磨パッド4とウエハ2間に働
く集中荷重は分散されると共にリング3の外側へ移動
し、図8に示されるようにエッジ部での研磨速度プロフ
ァイルが向上する。
触型リングを用いるものにおいて生じる異常研磨の改善
策として図6に示す研磨装置が用いられる。この図6に
示すタイプ2ではリテーナリング3を積極的に研磨パッ
ド4面に押し当てるため研磨パッド4とウエハ2間に働
く集中荷重は分散されると共にリング3の外側へ移動
し、図8に示されるようにエッジ部での研磨速度プロフ
ァイルが向上する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】以上の図6に示す研磨
装置にあっては以下の問題があった。すなわち一方、タ
イプ2として図6に示した接触型リングを用いる研磨装
置にあっては、リテーナリング3と接触している関係上
研磨剤スラリ5のウエハ2と研磨パッド4間への供給が
不足し、これと共に既に供給されたスラリがリテーナリ
ング3内に滞留する結果として新たなスラリのリテーナ
リング3内への供給が妨げられ、面内での研磨速度にば
らつきが発生する。また、ウエハエッジ部分での研磨プ
ロファイルにばらつきが発生する。
装置にあっては以下の問題があった。すなわち一方、タ
イプ2として図6に示した接触型リングを用いる研磨装
置にあっては、リテーナリング3と接触している関係上
研磨剤スラリ5のウエハ2と研磨パッド4間への供給が
不足し、これと共に既に供給されたスラリがリテーナリ
ング3内に滞留する結果として新たなスラリのリテーナ
リング3内への供給が妨げられ、面内での研磨速度にば
らつきが発生する。また、ウエハエッジ部分での研磨プ
ロファイルにばらつきが発生する。
【0007】本発明は以上の従来の研磨装置における問
題に鑑みてなされたものであって、研磨後の半導体基板
に良好な平坦性を持たせると共に収量を増加して生産性
を向上することができる研磨装置を提供することを目的
とする。
題に鑑みてなされたものであって、研磨後の半導体基板
に良好な平坦性を持たせると共に収量を増加して生産性
を向上することができる研磨装置を提供することを目的
とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者は本発明の課題
を達成するために種々検討し、基板エッジ部の異常研磨
の主要因は上流側の基板の周辺での研磨パッドの変形に
あり、下流側には接触側リングを設けなくても異常研磨
は十分改善できるということを見いだし、かかる知見に
基づき本発明に想到した。ここでいう上流側とは研磨テ
ーブルの回転方向を示す回転線とウエハの周縁との交点
位置における研磨テーブル上の点の動きがウエハの内側
方向に向かう領域側であり、一方下流側とは研磨テーブ
ル1の回転線αとウエハ2の周縁との交点位置における
研磨テーブル上の点の動きがウエハの外側方向に向かう
領域側である。
を達成するために種々検討し、基板エッジ部の異常研磨
の主要因は上流側の基板の周辺での研磨パッドの変形に
あり、下流側には接触側リングを設けなくても異常研磨
は十分改善できるということを見いだし、かかる知見に
基づき本発明に想到した。ここでいう上流側とは研磨テ
ーブルの回転方向を示す回転線とウエハの周縁との交点
位置における研磨テーブル上の点の動きがウエハの内側
方向に向かう領域側であり、一方下流側とは研磨テーブ
ル1の回転線αとウエハ2の周縁との交点位置における
研磨テーブル上の点の動きがウエハの外側方向に向かう
領域側である。
【0009】前記課題を解決する本願発明の研磨装置
は、回転自在な研磨定盤と、研磨定盤上に設けられた研
磨パッドと、研磨パッド表面に研磨剤を供給する研磨剤
供給手段と、研磨パッドに摺接しながら研磨パッドの表
面状態を調整する研磨パッド表面矯正手段とを備え、研
磨パッド表面矯正手段が研磨定盤の回転方向に沿って基
板の上流側の基板の周辺に位置することを特徴とする。
は、回転自在な研磨定盤と、研磨定盤上に設けられた研
磨パッドと、研磨パッド表面に研磨剤を供給する研磨剤
供給手段と、研磨パッドに摺接しながら研磨パッドの表
面状態を調整する研磨パッド表面矯正手段とを備え、研
磨パッド表面矯正手段が研磨定盤の回転方向に沿って基
板の上流側の基板の周辺に位置することを特徴とする。
【0010】この様に本願発明の研磨装置では、基板の
上流側の基板の周辺に研磨パッド表面矯正手段を設け
て、下流側には特に接触リングは設けない構成を採用し
たことにより、スラリの流れを改善して研磨速度の面内
不均一性の改善を可能とした。
上流側の基板の周辺に研磨パッド表面矯正手段を設け
て、下流側には特に接触リングは設けない構成を採用し
たことにより、スラリの流れを改善して研磨速度の面内
不均一性の改善を可能とした。
【0011】すなわち下流側のリングはウエハ保持をす
るだけの作用を有し、一方研磨パッド表面矯正手段すな
わち矯正ユニットは研磨パッドのリバウンド変形を矯正
ユニットのウエハ側縁部と逆側の縁部に移動させる。ま
た研磨パッド表面矯正手段が研磨定盤の回転方向に沿っ
て基板の上流側の基板の周辺に位置することにより、研
磨剤スラリが流れ込む方向すなわち研磨定盤の回転下流
側においては研磨パッド表面矯正手段によってウエハ
(被研磨体)が被覆されることはなく研磨剤スラリの流
れに対して露出しており研磨剤スラリの流れ込みが阻害
されることはない。
るだけの作用を有し、一方研磨パッド表面矯正手段すな
わち矯正ユニットは研磨パッドのリバウンド変形を矯正
ユニットのウエハ側縁部と逆側の縁部に移動させる。ま
た研磨パッド表面矯正手段が研磨定盤の回転方向に沿っ
て基板の上流側の基板の周辺に位置することにより、研
磨剤スラリが流れ込む方向すなわち研磨定盤の回転下流
側においては研磨パッド表面矯正手段によってウエハ
(被研磨体)が被覆されることはなく研磨剤スラリの流
れに対して露出しており研磨剤スラリの流れ込みが阻害
されることはない。
【0012】この本願発明の研磨装置では研磨パッド表
面矯正手段を研磨定盤の回転方向に沿って基板の上流側
のほぼ全域を囲撓するように形成することが有効であ
る。
面矯正手段を研磨定盤の回転方向に沿って基板の上流側
のほぼ全域を囲撓するように形成することが有効であ
る。
【0013】さらにこの本願発明の研磨装置では研磨パ
ッド表面矯正手段によって囲撓される基板の周辺領域が
基板全周のほぼ30%〜50%である様にすることが有
効である。
ッド表面矯正手段によって囲撓される基板の周辺領域が
基板全周のほぼ30%〜50%である様にすることが有
効である。
【0014】研磨パッド表面矯正手段によって囲撓され
る基板の周辺領域が基板全周のほぼ30%未満である場
合には研磨パッド表面矯正手段による基板であるウエハ
周辺部で発生する極小的荷重分散機能が不十分となりウ
エハ周辺で研磨パッドの変形が生じる。
る基板の周辺領域が基板全周のほぼ30%未満である場
合には研磨パッド表面矯正手段による基板であるウエハ
周辺部で発生する極小的荷重分散機能が不十分となりウ
エハ周辺で研磨パッドの変形が生じる。
【0015】研磨パッド表面矯正手段によって囲撓され
る基板の周辺領域が基板全周のほぼ50%を超える場合
には、研磨剤スラリが流れ込む方向すなわち研磨定盤の
回転下流側においても研磨パッド表面矯正手段によって
ウエハが被覆され、研磨剤スラリの流れ込みが阻害され
る。
る基板の周辺領域が基板全周のほぼ50%を超える場合
には、研磨剤スラリが流れ込む方向すなわち研磨定盤の
回転下流側においても研磨パッド表面矯正手段によって
ウエハが被覆され、研磨剤スラリの流れ込みが阻害され
る。
【0016】さらに本願発明の研磨装置では研磨パッド
表面矯正手段によって囲撓される基板の周辺領域に対す
る残部の基板の周辺領域にスラリ供給位置を設定するの
が良い。これにより、スラリの供給が研磨パッド表面矯
正手段によって妨げられることはない。
表面矯正手段によって囲撓される基板の周辺領域に対す
る残部の基板の周辺領域にスラリ供給位置を設定するの
が良い。これにより、スラリの供給が研磨パッド表面矯
正手段によって妨げられることはない。
【0017】その場合、スラリ供給位置を研磨パッド表
面矯正手段によって囲撓される基板の周辺領域と研磨パ
ッド表面矯正手段によって囲撓されない基板の周辺領域
との境界部近傍であり、研磨パッド表面矯正手段によっ
て囲撓されない基板の周辺領域から研磨パッド表面矯正
手段によって囲撓される基板の周辺領域に向けて、基板
の自転が進行する領域に設定するようにすれば、基板の
進行に伴うスラリの流れが形成されて、スラリの供給を
効率よくおこなうことができる。
面矯正手段によって囲撓される基板の周辺領域と研磨パ
ッド表面矯正手段によって囲撓されない基板の周辺領域
との境界部近傍であり、研磨パッド表面矯正手段によっ
て囲撓されない基板の周辺領域から研磨パッド表面矯正
手段によって囲撓される基板の周辺領域に向けて、基板
の自転が進行する領域に設定するようにすれば、基板の
進行に伴うスラリの流れが形成されて、スラリの供給を
効率よくおこなうことができる。
【0018】さらにこの本願発明の研磨装置では研磨定
盤の回転方向に沿って基板の下位置に研磨剤スラリ保持
用トラップを設けることが有効である。この様に、研磨
剤スラリ保持用トラップを設けることにより均一且つ十
分に研磨剤スラリをウエハと研磨パッドの間に供給でき
る。
盤の回転方向に沿って基板の下位置に研磨剤スラリ保持
用トラップを設けることが有効である。この様に、研磨
剤スラリ保持用トラップを設けることにより均一且つ十
分に研磨剤スラリをウエハと研磨パッドの間に供給でき
る。
【0019】また以上の課題を達成する本願発明の研磨
方法は、回転自在な研磨定盤上に設けられた研磨パッド
表面に研磨剤を供給しながら研磨パッドに基板を押圧す
ることにより基板を研磨するにあたり、研磨定盤の回転
方向に沿って基板の上流側の基板の周辺の研磨パッドを
押圧して研磨パッドの表面状態を調整することを特徴と
する。
方法は、回転自在な研磨定盤上に設けられた研磨パッド
表面に研磨剤を供給しながら研磨パッドに基板を押圧す
ることにより基板を研磨するにあたり、研磨定盤の回転
方向に沿って基板の上流側の基板の周辺の研磨パッドを
押圧して研磨パッドの表面状態を調整することを特徴と
する。
【0020】以上の本願発明の研磨方法は、前述の本願
発明の研磨装置を用いて実施することができ、基板の上
流側のみを研磨パッド表面矯正手段により押圧して、下
流側には特にリングを接触させることはないので、スラ
リの流れが改善されて研磨速度の面内不均一性を改善す
ることが可能となる。
発明の研磨装置を用いて実施することができ、基板の上
流側のみを研磨パッド表面矯正手段により押圧して、下
流側には特にリングを接触させることはないので、スラ
リの流れが改善されて研磨速度の面内不均一性を改善す
ることが可能となる。
【0021】すなわち下流側のリングは単にウエハを保
持するのみであり、上流側の基板の周辺は研磨パッド表
面矯正手段すなわち矯正ユニットによりウエハ周辺部で
発生する極小的荷重が分散せしめられる。また研磨剤ス
ラリが流れ込む方向すなわち研磨定盤の回転下流側にお
いては研磨パッド表面矯正手段によってウエハ(被研磨
体)が被覆しないので、研磨剤スラリの流れ込みを阻害
することはない。
持するのみであり、上流側の基板の周辺は研磨パッド表
面矯正手段すなわち矯正ユニットによりウエハ周辺部で
発生する極小的荷重が分散せしめられる。また研磨剤ス
ラリが流れ込む方向すなわち研磨定盤の回転下流側にお
いては研磨パッド表面矯正手段によってウエハ(被研磨
体)が被覆しないので、研磨剤スラリの流れ込みを阻害
することはない。
【0022】したがってかかる本願発明の研磨方法で
は、研磨定盤の回転方向に沿って基板の上流側の基板の
周辺領域のほぼ全域の研磨パッドを押圧して研磨パッド
の表面状態を調整し、さらには研磨パッドを押圧して基
板全周のほぼ30%〜50%の基板の周辺領域の研磨パ
ッドの表面状態を調整する様にし、また研磨パッド表面
に供給された研磨剤を研磨定盤の回転方向に沿って基板
の下位置で貯留する様にする等の手段が適宜適用され有
効である。
は、研磨定盤の回転方向に沿って基板の上流側の基板の
周辺領域のほぼ全域の研磨パッドを押圧して研磨パッド
の表面状態を調整し、さらには研磨パッドを押圧して基
板全周のほぼ30%〜50%の基板の周辺領域の研磨パ
ッドの表面状態を調整する様にし、また研磨パッド表面
に供給された研磨剤を研磨定盤の回転方向に沿って基板
の下位置で貯留する様にする等の手段が適宜適用され有
効である。
【0023】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施の形態の研
磨装置及びかかる研磨装置を用いた本発明の研磨方法を
説明する。図1に本発明の研磨装置の要部の概要を説明
するための概念図を示す。図1に示すように本発明の研
磨装置にあっては、研磨テーブル1の回転方向の上流側
にすなわちポイントA部より上流側に接触型の矯正ユニ
ット6を配設する。ここで上流側とは図2に示されるよ
うに、研磨テーブル1の回転線αとウエハ2の周縁との
交点位置α1における研磨テーブル1の動きがウエハ2
の内側方向に向かう領域側であり、一方下流側とは研磨
テーブル1の回転線αとウエハ2の周縁との交点位置α
2における研磨テーブル1の動きがウエハ2の外側方向
に向かう領域側である。
磨装置及びかかる研磨装置を用いた本発明の研磨方法を
説明する。図1に本発明の研磨装置の要部の概要を説明
するための概念図を示す。図1に示すように本発明の研
磨装置にあっては、研磨テーブル1の回転方向の上流側
にすなわちポイントA部より上流側に接触型の矯正ユニ
ット6を配設する。ここで上流側とは図2に示されるよ
うに、研磨テーブル1の回転線αとウエハ2の周縁との
交点位置α1における研磨テーブル1の動きがウエハ2
の内側方向に向かう領域側であり、一方下流側とは研磨
テーブル1の回転線αとウエハ2の周縁との交点位置α
2における研磨テーブル1の動きがウエハ2の外側方向
に向かう領域側である。
【0024】またスラリノズルを図1で示すポイントC
に設置する。このポイントCで示されるスラリ供給位置
は矯正ユニット6によって囲撓されるウエハ2の周辺領
域に対する残部のウエハ2の周辺領域内の位置である。
これにより、スラリの供給が矯正ユニット6によって妨
げられることはない。
に設置する。このポイントCで示されるスラリ供給位置
は矯正ユニット6によって囲撓されるウエハ2の周辺領
域に対する残部のウエハ2の周辺領域内の位置である。
これにより、スラリの供給が矯正ユニット6によって妨
げられることはない。
【0025】以上のポイントCは図1で示されるように
以下の位置として設定される。矯正ユニット6によっ
て囲撓されるウエハ2の周辺領域と矯正ユニット6によ
って囲撓されないウエハ2の周辺領域との境界部近傍で
ある。矯正ユニット6によって囲撓されないウエハ2
の周辺領域から矯正ユニット6によって囲撓されるウエ
ハ2の周辺領域に向けて、ウエハ2の自転が進行する領
域である。以上の条件によりに設定するようにすれば、
ウエハ2の進行に伴うスラリの流れが形成されて、スラ
リの供給を効率よくおこなうことができる。さらに研磨
剤スラリを効率よくウエハと研磨パッド間に捕捉できる
ようにスラリトラップ7を回転下流側に設ける。
以下の位置として設定される。矯正ユニット6によっ
て囲撓されるウエハ2の周辺領域と矯正ユニット6によ
って囲撓されないウエハ2の周辺領域との境界部近傍で
ある。矯正ユニット6によって囲撓されないウエハ2
の周辺領域から矯正ユニット6によって囲撓されるウエ
ハ2の周辺領域に向けて、ウエハ2の自転が進行する領
域である。以上の条件によりに設定するようにすれば、
ウエハ2の進行に伴うスラリの流れが形成されて、スラ
リの供給を効率よくおこなうことができる。さらに研磨
剤スラリを効率よくウエハと研磨パッド間に捕捉できる
ようにスラリトラップ7を回転下流側に設ける。
【0026】以下に以上の本発明の一実施の形態の研磨
装置を用いた本発明の研磨方法を説明する。前述した図
4に示すウエハ研磨装置の回転自在な研磨テーブル1を
図示しない駆動源により駆動して回転し、研磨テーブル
1と共に研磨テーブル1上に設けられた研磨パッド4を
回転する。一方、加圧機構9により、被研磨対象である
ウエハ2を保持するキャリアヘッド8を介して、ウエハ
2を研磨パッド4に押圧し、さらにスピンドル10によ
りウエハ2をキャリアヘッド8ごと研磨パッド4上で回
転させ、それと同時にポンプ等を用いて研磨パッド4の
表面に研磨剤スラリ5を供給する。
装置を用いた本発明の研磨方法を説明する。前述した図
4に示すウエハ研磨装置の回転自在な研磨テーブル1を
図示しない駆動源により駆動して回転し、研磨テーブル
1と共に研磨テーブル1上に設けられた研磨パッド4を
回転する。一方、加圧機構9により、被研磨対象である
ウエハ2を保持するキャリアヘッド8を介して、ウエハ
2を研磨パッド4に押圧し、さらにスピンドル10によ
りウエハ2をキャリアヘッド8ごと研磨パッド4上で回
転させ、それと同時にポンプ等を用いて研磨パッド4の
表面に研磨剤スラリ5を供給する。
【0027】図1に示す様に研磨テーブル1の回転方向
の上流側の基板の周辺には接触型の矯正ユニット6が配
設されている。この矯正ユニット6は研磨テーブル1の
側部から支持されて配置されるものとして構成される。
この矯正ユニット6により図3で示すように研磨パッド
の変形、いわゆるリバウンドをウエハ2の周辺位置から
矯正ユニット6の縁部、すなわちウエハ2に面するウエ
ハ2側の縁部とは逆側の矯正ユニット6縁部位置に移動
させることができる。この様に、矯正ユニット6が研磨
パッド4に押圧しているため、ウエハ2の外周部では図
9(a)に示すように良好な平坦性が得られ、収量が増
加する。
の上流側の基板の周辺には接触型の矯正ユニット6が配
設されている。この矯正ユニット6は研磨テーブル1の
側部から支持されて配置されるものとして構成される。
この矯正ユニット6により図3で示すように研磨パッド
の変形、いわゆるリバウンドをウエハ2の周辺位置から
矯正ユニット6の縁部、すなわちウエハ2に面するウエ
ハ2側の縁部とは逆側の矯正ユニット6縁部位置に移動
させることができる。この様に、矯正ユニット6が研磨
パッド4に押圧しているため、ウエハ2の外周部では図
9(a)に示すように良好な平坦性が得られ、収量が増
加する。
【0028】本発明の研磨装置では上述したように矯正
ユニット6と研磨パッドが強い接触を行う結果としてウ
エハ2の周辺位置にリバウンドが生じない。これに加え
て本発明の研磨装置ではポイントAからの研磨剤スラリ
供給は行わず、本発明のウエハ研磨装置を用いた本実施
の形態の研磨方法ではポイントB周辺より研磨剤スラリ
が導入できるようにスラリノズルを図1で示すポイント
Cに設置する。これにより本発明のウエハ研磨装置を用
いた本実施の形態の研磨方法では、ポイントCに設置さ
れたスラリノズルからポイントCに研磨剤スラリを滴下
し、滴下された研磨剤スラリは効率よくウエハと研磨パ
ッドとの間に吸い込まれウエハ面内に研磨剤スラリを十
分均等に分散供給できる。
ユニット6と研磨パッドが強い接触を行う結果としてウ
エハ2の周辺位置にリバウンドが生じない。これに加え
て本発明の研磨装置ではポイントAからの研磨剤スラリ
供給は行わず、本発明のウエハ研磨装置を用いた本実施
の形態の研磨方法ではポイントB周辺より研磨剤スラリ
が導入できるようにスラリノズルを図1で示すポイント
Cに設置する。これにより本発明のウエハ研磨装置を用
いた本実施の形態の研磨方法では、ポイントCに設置さ
れたスラリノズルからポイントCに研磨剤スラリを滴下
し、滴下された研磨剤スラリは効率よくウエハと研磨パ
ッドとの間に吸い込まれウエハ面内に研磨剤スラリを十
分均等に分散供給できる。
【0029】これに加えて本実施の形態の研磨装置で
は、図1に示すように回転下流側にスラリトラップを設
ける。この様に回転下流側にスラリトラップを設けた場
合には、スラリノズルからポイントCに滴下された新た
な研磨剤スラリが十分に機能を果たさないで流下してし
まうことを防ぎ、研磨剤スラリをスラリトラップにより
効率よくウエハと研磨パッド間に捕捉することができ
る。
は、図1に示すように回転下流側にスラリトラップを設
ける。この様に回転下流側にスラリトラップを設けた場
合には、スラリノズルからポイントCに滴下された新た
な研磨剤スラリが十分に機能を果たさないで流下してし
まうことを防ぎ、研磨剤スラリをスラリトラップにより
効率よくウエハと研磨パッド間に捕捉することができ
る。
【0030】なお以上の実施の形態の矯正ユニットは本
発明にいうところの研磨パッド表面矯正手段の一態様で
あり、本発明の研磨パッド表面矯正は研磨定盤の回転方
向に沿って基板の上流側の基板の周辺に位置するもので
あれば上述の実施の形態の矯正ユニットに限定されるも
のではなく、例えば、以上の実施の形態では、矯正ユニ
ットはリテーナリングと別体に研磨装置本体部の側部か
ら支持されて配置されるものとして構成されたが本発明
にいうところの研磨パッド表面矯正手段はこれに限られ
るものではなく、例えばリテーナリングにより支持する
態様で矯正ユニットを配置するようにしても良い。
発明にいうところの研磨パッド表面矯正手段の一態様で
あり、本発明の研磨パッド表面矯正は研磨定盤の回転方
向に沿って基板の上流側の基板の周辺に位置するもので
あれば上述の実施の形態の矯正ユニットに限定されるも
のではなく、例えば、以上の実施の形態では、矯正ユニ
ットはリテーナリングと別体に研磨装置本体部の側部か
ら支持されて配置されるものとして構成されたが本発明
にいうところの研磨パッド表面矯正手段はこれに限られ
るものではなく、例えばリテーナリングにより支持する
態様で矯正ユニットを配置するようにしても良い。
【0031】
【発明の効果】以上のように本発明のウエハ研磨装置及
びかかるウエハ研磨装置を用いた本発明のウエハ研磨方
法によれば、研磨パッドに摺接しながら研磨パッドの表
面状態を調整する研磨パッド表面矯正手段を研磨定盤の
回転方向に沿って基板の上流側の基板の周辺に位置する
様にして設けたので、この研磨パッド表面矯正手段によ
って集中荷重を分散させて研磨パッドのリバウンド変形
をウエハ位置から離し、矯正ユニットのウエハ側縁部と
逆側の縁部に移動させることができ、研磨パッド、ウエ
ハ間荷重分布を均一にすることができる。また、研磨剤
スラリはスピンドルの回転に対して容易に吸い込まれる
こととスラリトラップにより効率よく研磨剤スラリが分
布し、エッジ部以外も含めてより面内均一性が向上す
る。
びかかるウエハ研磨装置を用いた本発明のウエハ研磨方
法によれば、研磨パッドに摺接しながら研磨パッドの表
面状態を調整する研磨パッド表面矯正手段を研磨定盤の
回転方向に沿って基板の上流側の基板の周辺に位置する
様にして設けたので、この研磨パッド表面矯正手段によ
って集中荷重を分散させて研磨パッドのリバウンド変形
をウエハ位置から離し、矯正ユニットのウエハ側縁部と
逆側の縁部に移動させることができ、研磨パッド、ウエ
ハ間荷重分布を均一にすることができる。また、研磨剤
スラリはスピンドルの回転に対して容易に吸い込まれる
こととスラリトラップにより効率よく研磨剤スラリが分
布し、エッジ部以外も含めてより面内均一性が向上す
る。
【図1】 本発明の研磨装置の要部の概要を説明するた
めの概念図
めの概念図
【図2】 図1III-III断面模式図
【図3】 図1III-III断面模式図
【図4】 研磨装置の一般的な全体構成図。
【図5】 従来方法によるウエハと研磨パッド間の関係
を示した概念図。
を示した概念図。
【図6】 従来方法によるウエハと研磨パッド間の関係
を示した他の概念図。
を示した他の概念図。
【図7】 従来技術で非接触型リングで研磨した場合の
ウエハ残膜プロファイル。
ウエハ残膜プロファイル。
【図8】 従来技術で接触型で研磨した場合のウエハ残
膜プロファイル。
膜プロファイル。
【図9】 ウエハ研磨装置においてリテーナにより研磨
面を押圧した場合とリテーナが研磨面に非接触である場
合の研磨面の平坦性を比較して示す説明図。
面を押圧した場合とリテーナが研磨面に非接触である場
合の研磨面の平坦性を比較して示す説明図。
1・・・研磨テーブル、2・・・ウエハ、3・・・リテーナリン
グ、4・・・研磨パッド、5・・・研磨剤スラリ、6・・・矯正
ユニット、7・・・スラリトラップ。
グ、4・・・研磨パッド、5・・・研磨剤スラリ、6・・・矯正
ユニット、7・・・スラリトラップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B24B 37/00,37/04 H01L 21/304 622
Claims (10)
- 【請求項1】 回転自在な研磨定盤と、研磨定盤上に設
けられた研磨パッドと、研磨パッド表面に研磨剤を供給
する研磨剤供給手段と、研磨パッドに摺接しながら研磨
パッドの表面状態を調整する研磨パッド表面矯正手段と
を備え、研磨パッド表面矯正手段が研磨定盤の回転方向
に沿って基板の上流側の基板の周辺に位置することを特
徴とする研磨装置。 - 【請求項2】 研磨パッド表面矯正手段が研磨定盤の回
転方向に沿って基板の上流側のほぼ全域を囲撓するよう
に形成された請求項1記載の研磨装置。 - 【請求項3】 研磨パッド表面矯正手段によって囲撓さ
れる基板の周辺領域が基板全周のほぼ30%〜50%で
ある請求項2記載の研磨装置。 - 【請求項4】 研磨パッド表面矯正手段によって囲撓さ
れる基板の周辺領域に対する残部の基板の周辺領域にス
ラリ供給位置が設定される請求項2又は請求項3記載の
研磨装置。 - 【請求項5】 基板が研磨パッド上で自転する研磨装置
であって、以下の条件を充たす領域にスラリ供給位置が
設定される請求項4記載の研磨装置。条件1:研磨パッ
ド表面矯正手段によって囲撓される基板の周辺領域と研
磨パッド表面矯正手段によって囲撓されない基板の周辺
領域との境界部近傍である。条件2:研磨パッド表面矯
正手段によって囲撓されない基板の周辺領域から研磨パ
ッド表面矯正手段によって囲撓される基板の周辺領域に
向けて、基板の自転が進行する領域である。 - 【請求項6】 研磨定盤の回転方向に沿って基板の下位
置にスラリ保持用トラップを設けることを特徴とする請
求項1乃至請求項5の何れか一に記載の研磨装置。 - 【請求項7】 回転自在な研磨定盤上に設けられた研磨
パッド表面に研磨剤を供給しながら研磨パッドに基板を
押圧することにより基板を研磨するにあたり、研磨定盤
の回転方向に沿って基板の上流側の基板の周辺の研磨パ
ッドを押圧して研磨パッドの表面状態を調整することを
特徴とする研磨方法。 - 【請求項8】 研磨定盤の回転方向に沿って基板の上流
側の基板の周辺領域のほぼ全域の研磨パッドを押圧して
研磨パッドの表面状態を調整する請求項7記載の研磨方
法。 - 【請求項9】 研磨パッドを押圧して基板全周のほぼ3
0%〜50%の基板の周辺領域の研磨パッドの表面状態
を調整する請求項8記載の研磨装置。 - 【請求項10】 研磨パッド表面に供給された研磨剤を
研磨定盤の回転方向に沿って基板の下位置で貯留するこ
とを特徴とする請求項7乃至請求項8の何れか一に記載
の研磨方法。
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---|---|---|---|
JP3446598A JP3065016B2 (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 研磨装置及び研磨方法 |
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US09/251,438 US6234884B1 (en) | 1998-02-17 | 1999-02-17 | Semiconductor wafer polishing device for removing a surface unevenness of a semiconductor substrate |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3446598A JP3065016B2 (ja) | 1998-02-17 | 1998-02-17 | 研磨装置及び研磨方法 |
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JPH11226860A JPH11226860A (ja) | 1999-08-24 |
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ID=12415009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US6234884B1 (ja) |
JP (1) | JP3065016B2 (ja) |
KR (1) | KR100321551B1 (ja) |
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US6454637B1 (en) * | 2000-09-26 | 2002-09-24 | Lam Research Corporation | Edge instability suppressing device and system |
DE102009052744B4 (de) | 2009-11-11 | 2013-08-29 | Siltronic Ag | Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe |
JP7178259B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2022-11-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
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US5216843A (en) * | 1992-09-24 | 1993-06-08 | Intel Corporation | Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process |
US5547417A (en) * | 1994-03-21 | 1996-08-20 | Intel Corporation | Method and apparatus for conditioning a semiconductor polishing pad |
TW344695B (en) * | 1995-08-24 | 1998-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for polishing semiconductor substrate |
US5611943A (en) * | 1995-09-29 | 1997-03-18 | Intel Corporation | Method and apparatus for conditioning of chemical-mechanical polishing pads |
US5672095A (en) * | 1995-09-29 | 1997-09-30 | Intel Corporation | Elimination of pad conditioning in a chemical mechanical polishing process |
US5637031A (en) * | 1996-06-07 | 1997-06-10 | Industrial Technology Research Institute | Electrochemical simulator for chemical-mechanical polishing (CMP) |
US5664990A (en) * | 1996-07-29 | 1997-09-09 | Integrated Process Equipment Corp. | Slurry recycling in CMP apparatus |
US5851138A (en) * | 1996-08-15 | 1998-12-22 | Texas Instruments Incorporated | Polishing pad conditioning system and method |
US5857899A (en) * | 1997-04-04 | 1999-01-12 | Ontrak Systems, Inc. | Wafer polishing head with pad dressing element |
US6110025A (en) * | 1997-05-07 | 2000-08-29 | Obsidian, Inc. | Containment ring for substrate carrier apparatus |
US5893753A (en) * | 1997-06-05 | 1999-04-13 | Texas Instruments Incorporated | Vibrating polishing pad conditioning system and method |
-
1998
- 1998-02-17 JP JP3446598A patent/JP3065016B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-13 KR KR1019990005330A patent/KR100321551B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-02-17 US US09/251,438 patent/US6234884B1/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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US6234884B1 (en) | 2001-05-22 |
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