JPH09117860A - 研磨装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｓｉウェハなどの被処理物を安定して保持
し、信頼性の高い研磨を行う。 【解決手段】 研磨パッドが表面に設けられかつ研磨時
に回転する研磨盤と、Ｓｉウェハ１の外周部１ｂを案内
するガードリング５が先端部６ａに設けられかつ研磨時
に回転しながらバッキングパッド７を介してＳｉウェハ
１を前記研磨パッドに押さえ付ける加圧ヘッド６と、前
記研磨盤を回転させる研磨盤回転手段と、加圧ヘッド６
を回転させる加圧ヘッド回転手段と、ノズルを介してス
ラリーを前記研磨パッド上に供給するスラリー供給手段
とからなり、Ｓｉウェハ１の外周部１ｂに対向するガー
ドリング５の内周部５ａに、ガードリング５の開口端５
ｂに向かうほど内周部５ａの内径５ｃを小さくする傾斜
面５ｄが設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
おける半導体ウェハ上に形成された被処理膜の研磨装置
に関し、特に、研磨時の半導体ウェハの保持能力を向上
させる研磨装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。

【０００３】高密度半導体集積回路素子の形成プロセス
の過程で、被処理物である半導体ウェハ、例えば、Ｓｉ
ウェハの表面に形成された被処理膜である絶縁膜や金属
膜へのパターン形成時などに、Ｓｉウェハの表面には凹
凸が生ずる。

【０００４】この凹凸は、その上に引き続きパターン形
成を行う場合、リソグラフィプロセス工程でパターン転
写により焦点深度に余裕がなく解像度不足になったり、
凹凸の段差部によって金属配線膜が欠損したりするた
め、所望の高密度半導体集積回路素子が形成できないこ
とがある。

【０００５】この欠点を解決するため、Ｓｉウェハの表
面を研磨パッドが貼り付けられた研磨定盤（研磨盤）に
押し付けて摺動させることによって、Ｓｉウェハの表面
に形成された凹凸を研磨し平坦にする方法が採用され始
めている。

【０００６】なお、前記したＳｉウェハの表面を研磨し
て平坦にする方法およびその研磨装置であるＣＭＰ（Ch
emical Mechanical Polish) 装置については、例えば、
平成５年６月１日、工業調査会発行、１９９３年６月号
「電子材料」５８〜６２頁に記載されている。

【０００７】前記研磨装置においては、加圧保持部材で
ある加圧ヘッドによってＳｉウェハを研磨パッド面に押
さえつけて摺動させながら研磨が行われる。

【０００８】さらに、研磨時には、Ｓｉウェハと研磨パ
ッドとの間に発生する摩擦力によってＳｉウェハが加圧
ヘッドから外れることがあるため、加圧ヘッドには、こ
れを防止するために、Ｓｉウェハの外周部を囲むリング
状案内部材であるガードリングが設けられている。

【０００９】なお、前記ガードリングはＳｉウェハの厚
さより薄くして前記研磨パッドの表面には接触せず、Ｓ
ｉウェハの表面だけが接触するように形成されている。
また、前記ガードリングのＳｉウェハの外周部に対向す
る内周面は、前記研磨パッドの表面に対して垂直断面を
有し、かつ、Ｓｉウェハの外径より大きな内径に形成さ
れている。

【００１０】ここで、前記研磨装置では、Ｓｉウェハの
研磨時に、加圧ヘッドによりＳｉウェハに加圧力を与え
て研磨パッドに押え付けているが、さらにＳｉウェハの
裏面には通気性剛性板や緩和部材であるバッキングパッ
ドを介してパイプなどから供給される圧搾空気により補
助加圧力を加えている。

【００１１】この補助加圧力は、Ｓｉウェハの面内の圧
力分布を均一にし、Ｓｉウェハの表面における研磨ムラ
を少なくするものであり、前記補助加圧力を加圧ヘッド
において印加する加圧力とほぼ同等圧力にすることによ
って、研磨の均一性を向上させることができる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術における研磨装置では、研磨中にＳｉウェハは回転振
動や回転モーメントを受けているため、前記補助加圧力
を大きくするとＳｉウェハがガードリングの厚みを越え
て加圧ヘッドの加圧面から瞬間的に浮き上がり、加圧ヘ
ッドから外れて外部に飛び出し、安定な研磨ができない
ばかりでなくＳｉウェハが破損してしまうという問題が
発生する。

【００１３】この問題に対処するため加圧ヘッドにＳｉ
ウェハの裏面を真空吸着させたり、ガードリングにＳｉ
ウェハを保持する機能を設けたりする方法も考えられる
が、Ｓｉウェハに余分な力が加わるため研磨パッドの表
面に対して、均一にＳｉウェハを押えつけることができ
ず、研磨ムラが発生することが問題とされる。

【００１４】本発明の目的は、Ｓｉウェハなどの被処理
物を安定して保持する信頼性の高い研磨装置を提供する
ことにある。

【００１５】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１７】すなわち、本発明の研磨装置は円盤状の被
処理物に形成された被処理膜を研磨するものであり、研
磨布などの研磨パッドが表面に設けられかつ研磨時に回
転する研磨盤と、前記被処理物の外周部を案内するリン
グ状案内部材が先端部に設けられかつ研磨時に回転しな
がら緩和部材を介して前記被処理物を前記研磨パッドに
押さえ付ける加圧保持部材と、前記研磨盤を回転させる
研磨盤回転手段と、前記加圧保持部材を回転させる加圧
保持部材回転手段とを有し、前記被処理物の外周部に対
向する前記リング状案内部材の内周部に、前記リング状
案内部材の開口端に向かうほど前記内周部の内径を小さ
くする傾斜面が設けられているものである。

【００１８】これにより、回転する加圧保持部材によっ
て回転する研磨盤上の研磨パッドに押さえ付けられた被
処理物は、研磨パッドとの間で発生する摺動摩擦力によ
って加圧保持部材の研磨パッド脱出側（リング状案内部
材の傾斜面側）に寄せられながら研磨される。

【００１９】その結果、研磨中、リング状案内部材の傾
斜面に被処理物が接触する状態になり、さらに、被処理
物におけるほぼ半周分の外周部は、リング状案内部材の
傾斜面に入り込むため、被処理物を加圧保持部材の加圧
面に押さえ付けることができる。

【００２０】また、本発明の研磨装置は、前記リング状
案内部材が円周方向に複数個に分割され、前記複数個の
リング状案内部材の少なくとも１つが前記リング状案内
部材の円周外方に移動可能な部材である。

【００２１】さらに、本発明の研磨装置は、前記リング
状案内部材の少なくとも前記傾斜面を含んだ所定箇所
が、前記被処理物よりも硬度の小さい材料によって形成
されているものである。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００２３】図１は本発明による研磨装置の構造の実施
の形態の一例を示す部分断面図、図２は図１の研磨装置
におけるＡ部の構造の実施の形態の一例を示す拡大部分
断面図、図３は本発明の研磨装置によって得られる保持
能力に関するテスト結果の一例を示す特性線図、図４は
本発明の研磨装置によって得られる研磨均一性に関する
テスト結果の一例を示す特性線図である。

【００２４】本実施の形態の研磨装置は、ＣＭＰ装置
（化学機械研磨装置）とも呼ばれ、円盤状の被処理物で
ある半導体ウェハ、例えば、Ｓｉウェハ１に形成された
絶縁膜や金属膜などの被処理膜を研磨するものである。

【００２５】前記研磨装置の構成について説明すると、
研磨布やポリウレタンなどからなる研磨パッド４が表面
３ａに設けられかつ研磨時に回転する研磨盤３と、Ｓｉ
ウェハ１の外周部１ｂを案内するリング状案内部材であ
るガードリング５が先端部６ａに設けられかつ研磨時に
回転しながら緩和部材であるバッキングパッド７を介し
てＳｉウェハ１を研磨パッド４に押さえ付ける加圧保持
部材である加圧ヘッド６と、研磨盤３を回転させる研磨
盤回転手段８と、加圧ヘッド６を回転させる加圧保持部
材回転手段である加圧ヘッド回転手段９と、ノズル１０
を介してスラリー２を研磨パッド４上に供給するスラリ
ー供給手段１１とから構成されている。

【００２６】なお、本実施の形態による研磨装置におい
ては、Ｓｉウェハ１の外周部１ｂに対向するガードリン
グ５の内周部５ａに、ガードリング５の開口端５ｂに向
かうほど内周部５ａの内径５ｃを小さくする傾斜面５ｄ
が設けられている。

【００２７】つまり、前記研磨装置は、配線パターンが
形成された後のＳｉウェハ１上の前記被処理膜を研磨す
るものである。

【００２８】ここで、本実施の形態によるガードリング
５は、研磨中に加圧ヘッド６からＳｉウェハ１が外れな
いように案内をするものであり、内周部５ａの傾斜面５
ｄによる開口端５ｂの最小内径が、Ｓｉウェハ１の最大
外径よりも大きく形成されている。また、ガードリング
５は、その露出面５ｅが研磨パッド４の表面４ａに接触
することなく、Ｓｉウェハ１の表面１ａだけが接触する
ように形成されている。さらに、ガードリング５は、汚
染などの問題から、Ｓｉウェハ１に対して悪影響を及ぼ
さない材料によって形成され、かつ、傾斜面５ｄとＳｉ
ウェハ１とが接触することから、ガードリング５の少な
くとも傾斜面５ｄを含んだ所定箇所が、Ｓｉウェハ１よ
りも硬度の小さい材料によって形成されている。

【００２９】この場合、前記２つの条件を満たす材料
は、例えば、アルミニウムである。

【００３０】また、加圧ヘッド６はＳｉウェハ１を加圧
する際に、多孔質部材である通気性剛性板１２とバッキ
ングパッド７とを介してＳｉウェハ１を加圧する。

【００３１】なお、通気性剛性板１２はその両面が研削
加工により平面仕上げされ、高剛性を有するセラミック
などによって形成されている。

【００３２】さらに、バッキングパッド７は低剛性を有
し、直径１ｍｍ程度の貫通孔７ａが５ｍｍピッチ程度の
間隔で全面に渡って設けられている。

【００３３】ここで、研磨時の主研磨圧力は、加圧ヘッ
ド６から通気性剛性板１２およびバッキングパッド７を
介してＳｉウェハ１に加えられるが、圧力補正用の圧搾
空気は加圧ヘッド６の内部に設けられたパイプ１３など
を介して供給される。

【００３４】すなわち、前記圧搾空気は通気性剛性板１
２およびバッキングパッド７の貫通孔７ａを介してＳｉ
ウェハ１の裏面１ｃに到達する。この時、Ｓｉウェハ１
は加圧ヘッド６とともに回転し、加圧ヘッド６の回転方
向と反対の方向に回転する研磨盤３の研磨パッド４に押
さえ付けられながら研磨される。

【００３５】また、研磨中のＳｉウェハ１を案内するガ
ードリング５は、その内周部５ａに図２に示すような角
度θの傾斜を有する傾斜面５ｄを備えている。

【００３６】なお、本実施の形態のガードリング５で
は、内周部５ａの傾斜面５ｄによる開口端５ｂの最小内
径をＳｉウェハ１の最大外径よりも１ｍｍ大きくし、Ｓ
ｉウェハ１の外周部１ｂと傾斜面５ｄとの間隙１４を
０.5ｍｍとした。

【００３７】さらに、この時用いたＳｉウェハ１の直径
は５インチであり、その厚さは平均５５０μｍである。
また、ガードリング５の露出面５ｅがＳｉウェハ１の表
面１ａより０.1ｍｍ低くなるように設けられている。

【００３８】前記条件のもとで、図３は、前記角度θと
補助加圧力Ｐｂ（前記圧力補正用の圧搾空気）と加圧力
Ｐｏとの比を変えながら図１に示すＳｉウェハ１を１０
０枚ずつ研磨し、Ｓｉウェハ外れが１枚以上発生した時
を●印、Ｓｉウェハ１の外れが発生しない時を○として
表したテスト結果の一例である。

【００３９】その結果、θ＝９０°の場合、Ｐｂ／Ｐｏ
が０.5以上でＳｉウェハ１が外れるのに対し、θ＝４５
°にするとＰｂ／Ｐｏ＝１.5でもＳｉウェハ１の外れが
生じないことが分かる。

【００４０】また、θを４５°より小さくするとＰｂ／
Ｐｏを増やしてもＳｉウェハ１は外れないが、この場
合、Ｓｉウェハ１を加圧ヘッド６側に押し付ける力が増
大するため、前記補助加圧力Ｐｂの効果が特にＳｉウェ
ハ１の周辺部で表れなくなり研磨の均一性が悪くなる傾
向にある。

【００４１】さらに、図４は、Ｐｂ／Ｐｏ＝１とした時
の角度θと研磨均一性（研磨量の分布）との関係を示し
たテスト結果の一例であり、θ＝９０°で均一性が最良
となる（図４に示す研磨均一性はその値が小さいほど研
磨均一性が良いことを表す）が、Ｓｉウェハ１の外れが
頻発する。θをこれより小さくしていくと、研磨均一性
は次第に低下するものの、依然として研磨均一性は１０
％未満に留まっている。

【００４２】また、θを４５°以下にすると急激に研磨
均一性が低下し、θ＝３０°では研磨均一性は３０％を
越える。

【００４３】以上の結果より、Ｓｉウェハ１が研磨中に
外れることがなく、かつ、高い研磨均一性が得られるθ
の領域は４５°以上７５°以下となる。

【００４４】つまり、ガードリング５の内周部５ａの傾
斜面５ｄは、傾斜面５ｄと加圧ヘッド６の加圧面６ｂ
（加圧面６ｂはＳｉウェハ１の表面１ａおよび裏面１ｃ
とほぼ平行な面である）とからなる角度θが４５°以上
７５°以下で形成されることが好ましい。

【００４５】本実施の形態の研磨装置によれば、以下の
ような作用効果が得られる。

【００４６】すなわち、回転する加圧ヘッド６によっ
て、回転する研磨盤３上の研磨パッド４に押さえ付けら
れたＳｉウェハ１は、研磨パッド４との間で発生する摺
動摩擦力によって常にガードリング５の内周部５ａの傾
斜面５ｄの隙間分の距離を移動しながら研磨される。

【００４７】この時、Ｓｉウェハ１が移動する方向は、
加圧ヘッド６の回転に伴うＳｉウェハ１の摺動速度より
も研磨パッド４の回転に伴う摺動速度の方が大きいた
め、Ｓｉウェハ１は加圧ヘッド６の研磨パッド脱出側１
５（ガードリング５の傾斜面５ｄ側）に寄せられる方向
となる。

【００４８】つまり、研磨中にＳｉウェハ１の中心がガ
ードリング５の中心に位置することはほとんどなく、常
にガードリング５の傾斜面５ｄにＳｉウェハ１が接触し
ている状態となる。なお、この状態は、パイプ１３を介
して供給される圧搾空気による補助加圧力が大きくなれ
ばなるほど、加圧ヘッド６とＳｉウェハ１の裏面１ｃと
の間の摩擦力が小さくなるため顕著に表れる。

【００４９】これにより、Ｓｉウェハ１におけるほぼ半
周分の外周部１ｂは、ガードリング５の傾斜面５ｄに入
り込み、Ｓｉウェハ１を加圧ヘッド６の加圧面６ｂに押
えつける作用が働く。

【００５０】なお、Ｓｉウェハ１の外周部１ｂの断面形
状は、Ｓｉウェハ１のチッピング（欠け）を避けるた
め、エッジ研磨によりテーパ状に加工されている。

【００５１】したがって、Ｓｉウェハ１はその外周部１
ｂがガードリング５の傾斜面５ｄに対しておおよそ沿っ
た状態で接触することができるため、加圧ヘッド６のＳ
ｉウェハ１の保持能力を向上させることができる。

【００５２】その結果、研磨均一性を向上させるため
に、補助加圧力を加圧ヘッド６の加圧力より大きくした
場合でも、Ｓｉウェハ１の加圧ヘッド６からの外れを極
めて少なくできる。

【００５３】これにより、Ｓｉウェハ１を安定して保持
することが可能になり、信頼性が高くかつ高精度なＳｉ
ウェハ１の研磨を実現できる。

【００５４】さらに、Ｓｉウェハ１を安定して保持する
ことが可能になるため、Ｓｉウェハ１に対する研磨均一
性を向上させることができるとともに、Ｓｉウェハ１の
歩留りを向上させることができる。

【００５５】また、加圧ヘッド６が複数個設けられたマ
ルチヘッドタイプの研磨装置においては、加圧ヘッド６
から１枚のＳｉウェハ１が外れた場合に、他のＳｉウェ
ハ１に及ぼす影響が大きいため、Ｓｉウェハ１を保持す
る保持能力を向上させることによって、より大きな効果
を得ることができる。

【００５６】さらに、ガードリング５の少なくとも傾斜
面５ｄを含んだ所定箇所が、Ｓｉウェハ１よりも硬度の
小さい材料、例えば、アルミニウムなどによって形成さ
れていることにより、研磨時に、Ｓｉウェハ１が動いて
傾斜面５ｄに接触した場合でもＳｉウェハ１にダメージ
を与えることがないため、Ｓｉウェハ１の歩留りが低下
することを防げる。

【００５７】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。

【００５８】例えば、前記実施の形態においては、リン
グ状案内部材であるガードリングの傾斜面とＳｉウェハ
の外周部との間隙を直径全体で１ｍｍ（片側で０.5ｍ
ｍ）とした場合を説明したが、前記間隙をさらに小さく
すれば、Ｓｉウェハがガードリングによって押さえ付け
られる円周長を長くすることができるため、Ｓｉウェハ
の外れをさらに低減することができる。

【００５９】しかし、この場合、Ｓｉウェハを加圧ヘッ
ドの中心に合せて取り付けることが難しくなる。

【００６０】そこで、図５に示す本発明の他の実施の形
態のように、ガードリング５を２分割し、Ｓｉウェハ１
の装着時には分割したガードリング５の少なくとも何れ
か一方を円周外方１６に逃がして（移動させて）Ｓｉウ
ェハ１の装着を容易にし、装着後はガードリング５を復
元させることによって、図２に示す間隙１４が狭くなっ
てもＳｉウェハ１を加圧ヘッド６のほぼ中心に設置する
ことができる。

【００６１】つまり、ガードリング５はその円周方向に
複数個に分割され、ガードリング５の少なくとも１つが
その円周外方１６に移動可能な部材であってもよく、こ
の場合、ガードリング５の傾斜面５ｄの最小内径とＳｉ
ウェハ１の最大外径とがほぼ等しいような関係であって
も、Ｓｉウェハ１の着脱を簡単に行える。

【００６２】さらに、ガードリング５は、円周外方１６
への移動時には複数個のガードリング５の傾斜面５ｄの
最小内径がＳｉウェハ１の最大外径よりも大きくなるよ
うに形成され、復元時（分割したガードリング５を元の
状態にする時）には傾斜面５ｄの最小内径がＳｉウェハ
１の最大外径よりも小さくなるように形成されていても
よい。

【００６３】これにより、ガードリング５によってＳｉ
ウェハ１を装着した後の研磨中のＳｉウェハ１の外れを
ほとんど無くすことができる。

【００６４】また、前記実施の形態においては、圧搾空
気によって補助加圧力を加えた場合について説明した
が、前記補助圧力を加えない場合であっても、前記実施
の形態と同様の作用効果が得られる。

【００６５】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００６６】（１）．被処理物の加圧保持部材の先端部
に、開口端に向かうほど内周部の内径を小さくする傾斜
面を有したリング状案内部材が設けられたことにより、
研磨時に、被処理物はその外周部が前記傾斜面に対して
おおよそ沿った状態で接触できるため、加圧保持部材の
被処理物への保持能力を向上させることができる。これ
により、被処理物を安定して保持することが可能にな
り、信頼性が高くかつ高精度な被処理物の研磨を実現で
きる。

【００６７】（２）．被処理物を安定して保持すること
が可能になるため、研磨均一性を向上させるとともに、
被処理物の歩留りを向上させることができる。

【００６８】（３）．被処理物を安定して保持すること
が可能になるため、研磨中に被処理物が加圧保持部材か
ら外れることがなくなる。その結果、被処理物の研磨均
一性を向上させるために補助加圧力を大きくしても、信
頼性の良い高精度な研磨を実現することができる。

【００６９】（４）．加圧保持部材が複数個設けられた
研磨装置においては、１つの被処理物が他の被処理物に
及ぼす影響が大きいため、被処理物を保持する保持能力
を向上させることにより、さらに大きな効果を得ること
ができる。

【００７０】（５）．リング状案内部材が円周方向に複
数個に分割され、前記複数個のリング状案内部材の少な
くとも１つがリング状案内部材の円周外方に移動可能な
部材であることにより、リング状案内部材の傾斜面の最
小内径と被処理物の最大外径とがほぼ等しいような関係
であっても、被処理物の着脱を簡単に行うことができ
る。

【００７１】（６）．リング状案内部材の少なくとも傾
斜面を含んだ所定箇所が、被処理物よりも硬度の小さい
材料によって形成されていることにより、研磨時に、被
処理物が動いて傾斜面に接触した場合でも被処理物にダ
メージを与えることがないため、被処理物の歩留りが低
下することを防げる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による研磨装置の構造の実施の形態の一
例を示す部分断面図である。

【図２】図１の研磨装置におけるＡ部の構造の実施の形
態の一例を示す拡大部分断面図である。

【図３】本発明の研磨装置によって得られる保持能力に
関するテスト結果の一例を示す特性線図である。

【図４】本発明の研磨装置によって得られる研磨均一性
に関するテスト結果の一例を示す特性線図である。

【図５】本発明の他の実施の形態である研磨装置の構造
の一例を示す平面図である。

【符号の説明】

１ Ｓｉウェハ（被処理物） １ａ 表面 １ｂ 外周部 １ｃ 裏面 ２ スラリー ３ 研磨盤 ３ａ 表面 ４ 研磨パッド ４ａ 表面 ５ ガードリング（リング状案内部材） ５ａ 内周部 ５ｂ 開口端 ５ｃ 内径 ５ｄ 傾斜面 ５ｅ 露出面 ６ 加圧ヘッド（加圧保持部材） ６ａ 先端部 ６ｂ 加圧面 ７ バッキングパッド（緩和部材） ７ａ 貫通孔 ８ 研磨盤回転手段 ９ 加圧ヘッド回転手段（加圧保持部材回転手段） １０ ノズル １１ スラリー供給手段 １２ 通気性剛性板 １３ パイプ １４ 間隙 １５ 研磨パッド脱出側 １６ 円周外方

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小西 信博 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 三谷 真一郎 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円盤状の被処理物に形成された被処理膜
   を研磨する研磨装置であって、 研磨布などの研磨パッドが表面に設けられ、かつ研磨時
   に回転する研磨盤と、 前記被処理物の外周部を案内するリング状案内部材が先
   端部に設けられ、かつ研磨時に回転しながら緩和部材を
   介して前記被処理物を前記研磨パッドに押さえ付ける加
   圧保持部材と、 前記研磨盤を回転させる研磨盤回転手段と、 前記加圧保持部材を回転させる加圧保持部材回転手段と
   を有し、 前記被処理物の外周部に対向する前記リング状案内部材
   の内周部に、前記リング状案内部材の開口端に向かうほ
   ど前記内周部の内径を小さくする傾斜面が設けられてい
   ることを特徴とする研磨装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の研磨装置であって、前記
   リング状案内部材は前記傾斜面の最小内径が前記被処理
   物の最大外径よりも大きく形成されていることを特徴と
   する研磨装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の研磨装置であって、前記
   リング状案内部材が円周方向に複数個に分割され、前記
   複数個のリング状案内部材の少なくとも１つが前記リン
   グ状案内部材の円周外方に移動可能な部材であることを
   特徴とする研磨装置。
4. 【請求項４】 請求項３記載の研磨装置であって、分割
   された前記リング状案内部材は、円周外方移動時には複
   数個のリング状案内部材の傾斜面の最小内径が前記被処
   理物の最大外径よりも大きくなるように形成され、復元
   時には前記傾斜面の最小内径が前記被処理物の最大外径
   よりも小さくなるように形成されていることを特徴とす
   る研磨装置。
5. 【請求項５】 請求項１，２，３または４記載の研磨装
   置であって、前記リング状案内部材の少なくとも前記傾
   斜面を含んだ所定箇所が、前記被処理物よりも硬度の小
   さい材料によって形成されていることを特徴とする研磨
   装置。
6. 【請求項６】 請求項１，２，３，４または５記載の研
   磨装置であって、前記リング状案内部材における傾斜面
   は、前記傾斜面と前記加圧保持部材の加圧面とからなる
   角度が４５°以上７５°以下で形成されていることを特
   徴とする研磨装置。