JP3937294B2 - 研磨装置 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、化学的機械的研磨(CMP;Chemical Mechanical Polishing )法に用いられる研磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体製造プロセスにおけるデバイス多層化に伴い、リソグラフィー工程における焦点深度(DOF;Deepness of Focus )が不足してきている。この問題を解消するため、工程削減とデバイス平坦化対策の一環として、CMP法が採用されている。
【0003】
CMP法は、従来のシリコン研磨の要領でデバイス表面と研磨パッド(研磨布)との間にスラリー状の研磨剤を介在させ、更に圧力および回転力を加えて機械的(物理的)に研磨しつつ化学反応作用を伴わせ、削りかすおよび反応物を除去しながら研磨を進行する方法である。そして、これらのパラメータを制御することにより、目的とする平坦化を実現している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このCMP法に用いられる装置では、装置自体の機械的精度(例えば垂直度あるいは平面度)、または、研磨パッド,研磨剤,研磨パッドの目詰まりを防ぐためのパッドコンディショナー,あるいはデバイスウェーハと研磨ヘッドとの間に装着されるパッキング材などの消耗材のばらつきなどにより研磨特性が悪化するという問題がある。特に、消耗材は、納入時の静物性は所望のスペックを満たしているが、実際の研磨プロセスで使用される場合には、わずかな静物性の違いが顕著に研磨特性に反映され、安定した研磨特性が得られない要因の一つとなっている。
【0005】
このような消耗材の一例として、例えば図8に示したように、研磨ヘッドに装着されたウェーハの飛出しを防止するための環状保持部材(以下,リテーナリングという)がある。リテーナリング111は、例えばポリイミド系の樹脂またはセラミックなどの硬質な材料により構成されており、ウェーハの周縁を囲むように研磨ヘッドに取り付けられる。
【0006】
図9は、このリテーナリング111を用いて構成された研磨ヘッドの一例を表している。このリテーナリング111は、研磨ヘッド112の周縁部に、例えばバッキングパッド114Bを介して取り付けられている。研磨ヘッド112には例えば窒素(N2 )/空気系による吸着機構113が設けられており、この吸着機構113によりウェーハWがバッキングパッド114Aを介して研磨ヘッド112に吸着されている。なお、この研磨ヘッド112は、ウェーハWを装着したときにウェーハ面高さHWよりもリテーナ面高さHRの方が大きくなるリテーナ接地タイプの研磨ヘッドである。
【0007】
図10は、研磨ヘッド112によりウェーハWの研磨を行っている際のウェーハWの周縁(エッジ)部の状態を表すものである。研磨ヘッド112を高速回転させつつ、ウェーハWにストレスを与えない程度の圧力で研磨パッド115に圧接させて、研磨剤116によりウェーハWを研磨する。このとき、硬質なリテーナリング111の押圧力により例えば不織布などからなる比較的軟質な研磨パッド115が弾性的に変形する。すなわち、まず、リテーナリング111が接触した位置に、凹部115Aが生じる。続いて、凹部115Aの周辺に急激な反発力(リバウンド)が生じ、これにより凸部115Bが形成される。この凸部115Bでは弾性回復応力が集中するので、研磨レートが大幅に上昇し、研磨量が不均一になる。
【0008】
このように、リテーナリング111の押圧力に対する研磨パッド115の弾性的なうねり(反発力)は、ウェーハWに対する抗力の不均一を生じ、研磨量の不均一の原因となる。研磨量の不均一は、図11に示したように、特にウェーハWの周縁部(ウェーハWの中心から遠い部分)において顕著であり、周縁部の過剰研磨を促進する。過剰研磨は、その部分に係るデバイスの不良をもたらし、ウェーハW内の収率を低下させ、ひいては歩留り向上の妨げとなっている。
【0009】
上記のような問題は、図12に示したリテーナリング121の場合にも生じている。このリテーナリング121を有する研磨ヘッド122は、ウェーハWを装着したときにリテーナ面高さHRよりもウェーハ面高さHWの方が大きくなるウェーハ接地タイプの研磨ヘッドである。研磨ヘッド122は、例えば窒素/空気系による吸着機構123とダイヤフラム123Aとが設けられており、この吸着機構123およびダイヤフラム123AによりウェーハWがバッキングパッド124を介して研磨ヘッド122に吸着されている。
【0010】
この研磨ヘッド122を用いてウェーハWの研磨を行うと、図13に示したように、研磨パッド115がウェーハWのべベル部WBに直接接触し、べベル部WBの研磨量が研磨パッド115の静物性に左右される。したがって、べベル部WBの研磨量の変動が一層大きくなる傾向があり、研磨量の均一性が悪化する。
【0011】
従来、例えば図14に示したように、研磨パッドに接触する面131Aに放射状の複数の溝137を形成したリテーナリング131が開発されている。しかし、この放射状の複数の溝137の目的は主に研磨液(スラリー)を研磨ヘッドと研磨パッドとの間に回り込ませることにある。したがって、このようなリテーナリング131によっては、研磨パッドの弾性的なうねり(反発力)による研磨量の不均一を解消することはできない。
【0012】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたもので、その目的は、リナーテリングまたはウェーハの押圧力に対する研磨パッドの弾性回復応力の集中によるウェーハの過剰研磨を防ぎ、ウェーハ研磨量の均一性を向上させることができる研磨装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明による研磨装置は、表面に研磨剤を担持する研磨パッドと、被研磨物対象の半導体ウェーハを保持し、研磨パッドに対して相対的に回転しつつ半導体ウェーハを研磨する研磨ヘッドと、この研磨ヘッドに一体化され、回転時における半導体ウェーハの飛出しを防止するとともに、研磨パッドに対向する面に同心円形状の複数の環状溝を有する環状保持部材とを備え、環状溝の幅は環状保持部材の外側の端側に近づくにつれて広くなる構成を有するものである。環状溝の相互の間隔は環状保持部材の外側の端縁に近づくにつれて広くすることが望ましい。
【0015】
本発明による研磨装置では、半導体ウェーハまたは環状保持部材の押圧力によって研磨パッドに反発力が同心円状に生ずるが、この反発力は環状保持部材に設けられた複数条の環状溝に吸収される。これらの環状溝の幅は環状保持部材の外側に近づくにつれて広くなっているので、研磨パッドに生じた反発力は半導体ウェーハから離れた位置で多く吸収される。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0017】
図5は、本発明の一実施の形態に係る研磨装置全体の概略構成を表すものである。この研磨装置10は、半導体装置製造プロセスにおいて層間絶縁膜や金属配線層の平坦化に用いられるものである。研磨装置10は円盤状の研磨板20を有し、この研磨板20は矢印R方向に回転可能となっている。研磨板20の上面には、例えば吸湿性繊維の不織布からなる研磨パッド15が設置されている。研磨パッド15の表面には、スラリーノズル25から一定流量で研磨剤が滴下され、研磨剤は研磨板20の回転により研磨パッド15の表面に拡散される。一方、研磨ヘッド12には、研磨パッド15に対向する面にはウェーハが吸着され、ウェーハの周縁を囲むようにリテーナリング(環状保持部材)11が設置されている。この研磨ヘッド12は、圧力および回転力を加えつつウェーハを研磨パッド15に圧接させることによりウェーハを研磨するようになっている。この研磨装置10では、ウェーハ研磨と同時に、パッドコンディショナー26も押圧力および回転力によって研磨パッド15を研削しており、これにより研磨パッド15の目詰まりが抑制される。
【0018】
リテーナリング11の研磨パッド15に対向する面11Aには、図1(A)に示したように、同心円状の複数、例えば3条の環状溝41,42,43が設けられている。図1(B)は、図1(A)の30で示した部分を拡大して表したものである。環状溝41,42,43は、リテーナリング11の外側の端縁11Bに近い環状溝ほど幅が広くなっている。すなわち、環状溝41,42,43の幅W41,W42,W43は、W41<W42<W43の関係を満たしている。
【0019】
また、これらの環状溝41,42,43は、リテーナリング11の外側の端縁11Bに近づくにつれて間隔が広くなるように形成されている。すなわち、図1(B)において、間隔P41,P42,P43,P44は、P41<P42<P43<P44の関係を満たしている。
【0020】
図2は、リテーナリング11の研磨ヘッド12に対向する面11Cから見た平面構造、図3は図2のIII−III線に沿った断面構造をそれぞれ表している。環状溝41〜43それぞれの断面形状は矩形となっている。また、リテーナリング11の研磨パッド15に対向する面11Aはテーパが付けられており、外側の端縁11Bから内側の端縁11Dにかけて細くなる円錐台形の斜面に対応するテーパを有している。リテーナリング11の研磨パッド15に対向する面11Aが水平面に対してなす角θは、例えば1°〜3°の範囲であることが好ましい。
【0021】
図4は、このリテーナリング11がウェーハWの周縁を囲むように研磨ヘッド12に装着され、研磨パッド15に圧接した状態を表している。ウェーハWは、例えば窒素/空気系による吸着機構13によりバッキングパッド14を介して研磨ヘッド12に吸着されている。研磨パッド15の表面には研磨剤16が拡散されている。
【0022】
この研磨ヘッド12を研磨パッド15に圧接させると、リテーナリング11の研磨パッド15に対向する面11Aは上述のように円錐台の斜面となっているので、リテーナリング11の外側の端縁11B近傍において最も押圧力が強くなる。したがって、研磨パッド15には、リテーナリング11の外側の端縁11B近傍に対応する位置に凹部15Aが生じる。この押圧力に対する弾性的なうねり(反発力)は、同心円状に形成された複数の環状溝43,42,41に対応して凸部15B,15C,15Dに分散されて生じ、これらの環状溝41〜43により吸収される。したがって、ウェーハWのべベル部WBにはリテーナリング11の押圧力に対する反発力が集中することはない。
【0023】
図6は、本実施の形態のリテーナリング11を用いた場合および従来のリテーナリングを用いた場合のウェーハWの研磨量を対比して表したものである。従来のリテーナリングを用いた場合には、細線グラフ61で示したように、ウェーハWの周縁部(ウェーハWの中心から遠い部分)において研磨量に顕著な不均一が生じている。これに対してリテーナリング11を用いた場合には、太線グラフ62に示したように、ウェーハWの周縁部における研磨量の不均一が解消され、ウェーハW面内の均一性が向上している。
【0024】
さらに、本実施の形態では、リテーナリング11の内側の端縁下端部11Dには、図3に示したように丸みが付けられている。これにより、図4に示したように、リテーナリング11の内側の端縁下端部11DがウェーハWのべベル部WBに直接接触することがなくなる。
【0025】
このように本実施の形態によれば、リテーナリング11の研磨パッド15に対向する面11Aに同心円状の複数の環状溝41,42,43を設けたので、リテーナリング11による押圧力に対する研磨パッド15の反発力はリテーナリング11の複数の環状溝41〜43によって吸収され、ウェーハWのべベル部WBに対して過剰な弾性回復応力の集中を生じる虞がなくなる。したがって、ウェーハWの研磨量の均一性が向上する。また、リソグラフィー工程においてウェーハWの周縁部のDOFマージンが確保されるので、デバイスの特性を破綻させることなく歩留りを向上させることが可能となり、チップの収率および利益率が高まる。
【0026】
また、本実施の形態によれば、これらの環状溝41〜43は、リテーナリング11の外側の端縁11Bに近い環状溝ほど幅が広く、間隔も広くなるように形成されているので、ウェーハWから離れた位置で反発力をより多く吸収することができる。
【0027】
さらに、本実施の形態によれば、リテーナリング11の内側の端縁下端部11Dに丸みを有し、リテーナリング11の内側の端縁11DがウェーハWのべベル部WBに直接接触することがなくなるので、研磨パッド15の静物性によるべベル部WBの過剰研磨の虞がない。
【0028】
加えてさらに、本実施の形態によれば、リテーナリング11の研磨パッド15に対向する面11Aはテーパが付けられており、外側の端縁11Bから内側の端縁11Dにかけて細くなる円錐台の斜面となっているので、ウェーハWのべベル部WBから離れた位置でリテーナリング11の押圧力が最も強くなることになり、ウェーハWのべベル部WBに対する反発力の影響をより小さくすることができる。
【0029】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、同心円状の3条の環状溝41〜43を形成するようにしたが、環状溝の数は3条以上であってもよいし、また2条以下でもよい。また、本発明は、上述のようなリテーナ接地タイプに限らず、図7に示したようなウェーハ接地タイプにも適用可能である。
【0030】
【発明の効果】
以上説明したように請求項1ないし4のいずれか1項に記載の研磨装置によれば、環状保持部材の研磨パッドに対向する面に同心円形状の複数の環状溝を設け、これらの環状溝の幅を外側の端縁に近づくにつれて広くするようにしたので、環状保持部材または被研磨物対象の半導体ウェーハによる押圧力に対する研磨パッドの反発力は環状保持部材の複数の環状溝によって半導体ウェーハからは離れた位置で多く吸収され、半導体ウェーハの特にベベル部に対して過剰な弾性回復応力の集中を生じる虞がなくなる。したがって、半導体ウェーハの研磨量の均一性が向上する。また、リソグラフィー工程において半導体ウェーハの周縁部のDOFマージンが確保されるので、デバイスの特性を破綻させることなく歩留りを向上させることが可能となり、チップの収率および利益率が高まる。
【0031】
特に、請求項2記載の研磨装置によれば、複数の環状溝は環状保持部材の外側の端縁に近づくにつれて間隔が広くなるように形成されているので、被研磨物対象の半導体ウェーハから離れた位置で反発力をより多く吸収することができる。
【0032】
また、特に、請求項3記載の研磨装置によれば、環状保持部材の内側の端縁に丸みを設けるようにしたので、環状保持部材の内側の端縁が被研磨物対象の半導体ウェーハのベベル部に直接接触することがなくなり、研磨パッドの静物性によるベベル部の過剰研磨の虞がない。
【0033】
加えて特に、請求項4記載の研磨装置によれば、環状保持部材の研磨パッドに対向する面を、外側の端縁から内側の端縁にかけて細くなる円錐台の斜面とするようにしたので、被研磨物対象の半導体ウェーハのベベル部から離れた位置で環状保持部材の押圧力が最も強くなることになり、半導体ウェーハのベベル部に対する反発力の影響をより小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る研磨装置に用いられるリテーナリングを研磨パッドに対向する面の側から見た平面図である。
【図2】図1に示したリテーナリングの研磨ヘッドに取り付けられる面の側から見た平面図である。
【図3】図2のIII−III線に沿った断面図である。
【図4】図1に示したリテーナリングを用いた研磨ヘッドの一例による研磨を説明するための一部拡大断面図である。
【図5】図1に示したリテーナリングを用いた研磨装置の概略構成を表す斜視図である。
【図6】図1に示したリテーナリングを用いた場合の研磨量を従来のリテーナリングを用いた場合と対比して表すグラフである。
【図7】研磨ヘッドの他の構成例を表す一部拡大断面図である。
【図8】従来のリテーナリングの一例を表す斜視図である。
【図9】従来のリテーナリングを用いた研磨ヘッドの一構成例を表す断面図である。
【図10】図9に示した研磨ヘッドによる研磨を説明するための断面図である。
【図11】図9に示した研磨ヘッドによる研磨量を表すグラフである。
【図12】従来のリテーナリングを用いた研磨ヘッドの他の構成例を表す断面図である。
【図13】図12に示した研磨ヘッドによる研磨を説明するための断面図である。
【図14】従来のリテーナリングの他の例を表す斜視図である。
【符号の説明】
10…研磨装置、11,21…リテーナリング、12,22…研磨ヘッド、13,23…吸着機構、14A,14B,24…バッキングパッド、15…研磨パッド、16…研磨剤、20…研磨板、25…スラリーノズル、26…パッドコンディショナー、41,42,43…環状溝,W…ウェーハ,WB…べベル部
Claims (4)
- 表面に研磨剤を担持する研磨パッドと、
被研磨物対象の半導体ウェーハを保持し、前記研磨パッドに対して相対的に回転しつつ前記半導体ウェーハを研磨する研磨ヘッドと、
この研磨ヘッドに一体化され、回転時における半導体ウェーハの飛出しを防止するとともに、前記研磨パッドに対向する面に同心円形状の複数の環状溝を有する環状保持部材とを備え、
前記複数の環状溝の幅は前記環状保持部材の外側の端縁に近づくにつれて広くなる
ことを特徴とする研磨装置。 - 前記複数の環状溝の相互の間隔は、前記環状保持部材の外側の端縁に近づくにつれて広くなる
ことを特徴とする請求項1記載の研磨装置。 - 前記環状保持部材の少なくとも内側の端縁に丸みを有する
ことを特徴とする請求項1記載の研磨装置。 - 前記環状保持部材の前記研磨パッドに対向する面は、外側の端縁から内側の端縁にかけて細くなる円錐台の斜面の形状をなす
ことを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
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