JP5023099B2 - 研磨パッドおよび研磨装置 - Google Patents
研磨パッドおよび研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5023099B2 JP5023099B2 JP2009091600A JP2009091600A JP5023099B2 JP 5023099 B2 JP5023099 B2 JP 5023099B2 JP 2009091600 A JP2009091600 A JP 2009091600A JP 2009091600 A JP2009091600 A JP 2009091600A JP 5023099 B2 JP5023099 B2 JP 5023099B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- depth
- groove
- state detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
前述と同様にnanospecでシリコンウエハの厚みを測定した。研磨パッドの表層には、図10(1)に示した同心円状の溝を形成した。溝深さは、0.76mm,0.38mm,0.13mmとした。
前記研磨面に臨み、前記溝の幅より広い幅を有する環状の凹部を備えた表面状態検出部を有することを特徴とする研磨パッドである。
前記研磨パッドを支持するとともに、縦の軸線まわりに回転する支持手段と、
被研磨物を保持し、前記研磨パッドと前記被研磨物とが圧接した状態で、縦の軸線まわりに回転する保持手段と、
媒体とこの媒体に分散させた砥粒とからなるスラリを、前記研磨パッドの研磨面に供給するスラリ供給手段と、
コンディショナを備え、研磨特性が劣化した研磨面を前記コンディショナで削り取ることで研磨面の研磨特性を再生する再生手段とを有することを特徴とする研磨装置である。
MnO2,Mn2O3)系などがあり、主に各酸化物の粒子を砥粒としてpH調整されたKOH,NH4OH溶液などのアルカリ性の媒体に懸濁させて得られる。用いられるスラリの種類や特性についても、研磨の対象となるウエハの種類や膜の種類、研磨パッド1の種類などによって適切に選択される。
本実施例の研磨パッド1は、半径300mmの円板状で2層構造とした。
上層2(厚み=1.1〜1.2mm):発泡硬化したポリウレタン樹脂
下層3(厚み=1.2〜1.3mm):ウレタンを含浸させた不織布
上層2の表面2aには、幅0.3mm、深さ0.8mm、ピッチ1.6mmの同心円状の溝31を形成した。
300mmであるので、各表面状態検出部30の、中心からの距離は、X1=270mm、X2=180mm、X3=120mm、X4=30mmとした。
研磨処理は、ブレークイン(初期投入)工程、ドレッシング工程、研磨工程の3工程からなる。まず、作製した研磨パッド1の表面2aを整えるために、ブレークイン工程ではドレッシング部24によって、研磨パッド1の表面2aを平坦化する。研磨工程とドレッシング工程とは交互に繰り返し行った。
(1)ブレークイン工程
ゲージ圧:1.90
回転数(ドレッシング部/常盤):28rpm/59rpm
処理時間:10min
(2)ドレッシング工程
ゲージ圧:1.06
回転数(ドレッシング部/常盤):83rpm/60rpm
処理時間:0.5min
(3)研磨工程
ゲージ圧:1.94
回転数(キャリア部/常盤):60rpm/60rpm
処理時間:2min
)に研磨処理を施して各種測定行った。同様にダミーウエハを3枚処理した後、測定用ウエハ(2nd wafer)の研磨処理と測定を行い、さらに、ダミーウエハを3枚処理した後、測定用ウエハ(3rd wafer)の研磨処理と測定を行った。
スラリには、ILD1300(商品名、ロデール・ニッタ社製)を用いた。
(1)表面状態検出部30の深さ
(2)研磨パッド1の表面プロファイル
(3)研磨レート
(4)非均一性
(1)表面状態検出部30の深さ
上記の研磨処理が終了した後(測定用ウエハ(3rd wafer)の研磨工程が終了した後)、位置a,b,c,dの表面状態検出部30について、凹部30aの深さを測定し、溝31の深さと比較した。結果を表1に示す。なお、本測定の目的は、表面状態検出部30の深さが、溝31の深さと同様に変化するかどうかを検証することであるので、凹部30aの深さと溝31の深さとを同じに加工した。
上記の研磨処理が終了した後、研磨パッド1の表面プロファイルを測定した。結果を図6に示す。縦軸は、研磨パッド1の溝31の深さ(mm)を示し、横軸は、中心からの距離(cm)を示している。この表面プロファイルを示すグラフに上記の凹部30aの深さをプロットすると、ほぼ一致することがわかった。
研磨条件で示した各測定用ウエハ(1st, 2nd, 3rd wafer)について、実施例の研磨パッド1および比較例の研磨パッドの研磨レート(Å/min)を測定した。なお、研磨レートは、単位時間(min)当たりに研磨されたウエハの層厚み(Å)である。
研磨条件で示した各測定用ウエハ(1st, 2nd, 3rd wafer)について、実施例の研磨パッド1および比較例の研磨パッドの非均一性(%)を測定した。非均一性は、STDV/Average×100によって算出され、値が小さいほどウエハ加工面の均一性が優れている。NUを算出するには、まず研磨されたシリコンウエハの複数箇所、たとえば49箇所で研磨量を測定する。これらの測定値から標準偏差(STDV)および平均値(Average)を算出し、上記の式にそれぞれの値を代入してNUを算出する。
(1)砥粒と媒体とからなるスラリを収納し、被研磨物を研磨する研磨面に臨む1または複数の溝が形成された研磨パッドであって、
前記研磨面に臨み、前記溝の幅より広い幅を有する凹部と、前記凹部の底部に設けられた突起部とからなる表面状態検出部を備えることを特徴とする研磨パッド。
前記突起部の先端の表面と、研磨面とが同一平面内にあることを特徴とする研磨パッド。
凹部の深さが、溝の深さより浅く形成されている。たとえば、凹部の深さを溝の使用限界の深さ分だけ浅くしておけば、研磨パッドの厚みが減少し、溝が使用限界の深さになったときに表面状態検出部は無くなり、平坦部となる。したがって、作業者は、表面状態検出部がなくなったことを知るだけで、容易に研磨パッドの交換時期を確認することができる。
前記表面状態検出部は、複数あり、
各表面状態検出部は、前記研磨面の中心から前記凹部の底部の中央までの距離が、それぞれ異なるように配置したことを特徴とする研磨パッド。
2 上層
2a 研磨面
3 下層
4 定盤
5,10,15 回転駆動機構
6 キャリア本体
7 バッキング材
8 リテーナリング
9 シリコンウエハ
11 ノズル
12 供給管
13 スラリ貯溜タンク
14 ダイヤモンドプレート
21 回転定盤部
22 キャリア部
23 スラリ供給部
24 膨潤処理液供給部
30 表面状態検出部
30a 凹部
30b 突起物
31 溝
100 CMP装置
Claims (2)
- 砥粒と媒体とからなるスラリを収納し、被研磨物を研磨する研磨面に臨む1または複数の溝が形成された研磨パッドであって、
前記研磨面に臨み、前記溝の幅より広い幅を有する環状の凹部を備えた表面状態検出部を有することを特徴とする研磨パッド。 - 請求項1記載の研磨パッドと、
前記研磨パッドを支持するとともに、縦の軸線まわりに回転する支持手段と、
被研磨物を保持し、前記研磨パッドと前記被研磨物とが圧接した状態で、縦の軸線まわりに回転する保持手段と、
媒体とこの媒体に分散させた砥粒とからなるスラリを、前記研磨パッドの研磨面に供給するスラリ供給手段と、
コンディショナを備え、研磨特性が劣化した研磨面を前記コンディショナで削り取ることで研磨面の研磨特性を再生する再生手段とを有することを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009091600A JP5023099B2 (ja) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | 研磨パッドおよび研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009091600A JP5023099B2 (ja) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | 研磨パッドおよび研磨装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002373048A Division JP4320169B2 (ja) | 2002-12-24 | 2002-12-24 | 研磨パッドおよび研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009148892A JP2009148892A (ja) | 2009-07-09 |
JP5023099B2 true JP5023099B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=40918665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009091600A Expired - Lifetime JP5023099B2 (ja) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | 研磨パッドおよび研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5023099B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7340311B1 (ja) | 2022-03-31 | 2023-09-07 | 新光食品機械販売株式会社 | 冷凍パンの解凍装置、冷凍パンの解凍方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8968058B2 (en) * | 2011-05-05 | 2015-03-03 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with alignment feature |
KR102674027B1 (ko) * | 2019-01-29 | 2024-06-12 | 삼성전자주식회사 | 재생 연마패드 |
KR102674356B1 (ko) * | 2019-06-19 | 2024-06-11 | 주식회사 쿠라레 | 연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 연마 방법 |
KR102504812B1 (ko) * | 2021-08-23 | 2023-02-28 | 주식회사 지티아이코리아 | 화학기계적 연마 패드의 재사용 방법 및 이 방법을 통해 형성된 연마 패드 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10128654A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-19 | Toshiba Corp | Cmp装置及び該cmp装置に用いることのできる研磨布 |
US5921855A (en) * | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
JPH11151662A (ja) * | 1997-11-18 | 1999-06-08 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 研磨布 |
JP4320169B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2009-08-26 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨パッドおよび研磨装置 |
-
2009
- 2009-04-03 JP JP2009091600A patent/JP5023099B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7340311B1 (ja) | 2022-03-31 | 2023-09-07 | 新光食品機械販売株式会社 | 冷凍パンの解凍装置、冷凍パンの解凍方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009148892A (ja) | 2009-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100727485B1 (ko) | 연마 패드 및 이를 제조하는 방법, 그리고 화학적 기계적 연마 장치 및 방법 | |
US6783436B1 (en) | Polishing pad with optimized grooves and method of forming same | |
US7267610B1 (en) | CMP pad having unevenly spaced grooves | |
TWI449598B (zh) | 高速研磨方法 | |
JP5516051B2 (ja) | 研磨パッドを用いた研磨装置及びガラス板の製造方法 | |
TWI682832B (zh) | 工件的加工裝置 | |
JP5023099B2 (ja) | 研磨パッドおよび研磨装置 | |
KR20020011435A (ko) | 구조화된 웨이퍼의 표면 변형 방법 | |
US11633830B2 (en) | CMP polishing pad with uniform window | |
JP4320169B2 (ja) | 研磨パッドおよび研磨装置 | |
JP6067481B2 (ja) | 研磨パッド、研磨方法、および研磨パッドの製造方法 | |
TWI511835B (zh) | 化學機械研磨站及用於硏磨一晶圓之方法 | |
JP4749700B2 (ja) | 研磨クロス,ウェーハ研磨装置及びウェーハ製造方法 | |
JP2004167605A (ja) | 研磨パッドおよび研磨装置 | |
US20090042494A1 (en) | Pad conditioner of semiconductor wafer polishing apparatus and manufacturing method thereof | |
KR20150114408A (ko) | 연마 방법 및 보유 지지구 | |
US20220080550A1 (en) | Polishing pad having pattern structure formed on polishing surface, polishing device including same, and method for manufacturing polishing pad | |
US20070049184A1 (en) | Retaining ring structure for enhanced removal rate during fixed abrasive chemical mechanical polishing | |
KR20180035716A (ko) | 화학 기계적 연마 패드의 표면을 형상화하는 방법 | |
JP5900196B2 (ja) | ウェーハの片面研磨方法およびウェーハの片面研磨装置 | |
JP3937294B2 (ja) | 研磨装置 | |
JP2017052078A (ja) | ケミカルメカニカル研磨パッド及び同研磨パッドの製造方法 | |
KR102685134B1 (ko) | 개선된 연마속도를 갖는 연마패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마장치 | |
JP3601937B2 (ja) | 表面平坦化方法および表面平坦化装置 | |
KR20050079096A (ko) | 화학 기계적 연마 패드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110719 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110721 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110916 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20120228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120618 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5023099 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |