JPH10277922A - 化学的機械研磨装置 - Google Patents

化学的機械研磨装置

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JPH10277922A
JPH10277922A JP8482397A JP8482397A JPH10277922A JP H10277922 A JPH10277922 A JP H10277922A JP 8482397 A JP8482397 A JP 8482397A JP 8482397 A JP8482397 A JP 8482397A JP H10277922 A JPH10277922 A JP H10277922A
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chemical mechanical
polishing
mechanical polishing
polishing pad
slack
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Hideharu Nakajima
英晴 中嶋
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨パッドのたるみを防止することができ、
またドレッシングを合理化することができる化学的機械
研磨装置を提供すること。 【解決手段】 段差を有する被処理基板表面を研磨パッ
ド2に押圧して、化学的機械研磨により平坦化を行う際
に、前記研磨パッド2のたるみ150を防止するための
補助部材200を、前記研磨パッド2の研磨面側であっ
て、前記研磨パッド2に対する前記被処理基板の相対的
進行方向の前方に設ける。さらには、前記研磨パッド2
の研磨面に対向する前記たるみ防止補助部材200の面
を、粗面に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造に際して、層間絶縁膜を形成した後に化学的機械研磨
を行う化学的機械研磨装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年における半導体装置の設計ルールの
微細化に伴って、リソグラフィーの解像度を上げる努力
がなされているが、解像度を上げることにより焦点深
度、いわゆるDOF(Depth of Focus)
は低下してきている。この改善はレジストの性能改善に
待たなければならないが、このレジスト性能の改善より
微細化要求の方が先行しているのが現状である。そこ
で、デバイス構造の高低差をできるだけ低減する事でこ
の焦点深度の不足を補い、微細なパターンを焦点ズレさ
せず確実に解像させる方法が検討されている。
【0003】デバイス構造の高低差を平坦化する方法と
して、最近では、シリコンウェーハの鏡面加工を応用し
た化学的機械研磨方法が採用されている。図10は、こ
の化学的機械研磨を行う為の従来の化学的機械研磨装置
の一例を示す概略図である。この化学的機械研磨装置
は、回転する研磨プレート3の回転軸1に支承され、表
面に研磨パッド2が接着された研磨プレート3と、ダイ
ア102等を金属板に電着形成した研磨パッド2の表面
を目立てする為のドレッサー101と、層間絶縁膜が形
成された被処理基板4(以下、ウェーハと称する)をバ
ッキングフィルム11を介して保持するキャリア5と、
研磨スラリー10を研磨パッド2上に供給するノズル6
を有する研磨スラリー供給装置7とから概ね構成されて
いる。
【0004】そして、研磨パッド2をドレッサー101
によりドレッシング(目立て)した後に、研磨プレート
3の回転軸1及びキャリア5の回転軸8を回転させ、ノ
ズル6から研磨パッド2の中央部に研磨スラリー10を
供給しながら、研磨圧力9の調整機構によりウェーハ4
を研磨パッド2上に押圧させてウェーハ4の研磨を行う
ものである。ところで、この様な化学的機械研磨装置で
は、ウェーハ4の層間絶縁膜にマイクロスクラッチが生
じる事及び研磨レートのバラツキや研磨量の面内バラツ
キが大きい事が問題となっている。
【0005】マイクロスクラッチの発生を防止するに
は、研磨パッド2のドレッシング時に発生する研磨パッ
ド2の削り屑やドレッサー101のダイア102、層間
絶縁膜、ウェーハ4の破片屑や研磨済みの研磨スラリー
10等(以降、これらを総称して不純物と称する)を研
磨パッド2の外方へ排出する必要がある。そこで、上述
した従来の化学的機械研磨装置においては、研磨作業中
に研磨スラリー10を研磨パッド2の中央部に間断なく
十分に流し出し、不純物をこの研磨スラリー10により
研磨パッド2外へ除去あるいは押し流すという対策をと
っている。
【0006】また、研磨レートのバラツキや研磨量の面
内バラツキを小さくする為には、化学的機械研磨の原理
を考慮する必要がある。即ち、ドレッサー101により
研磨パッド2の表面に無数の傷が付けられて浅い目立て
層100が形成されるので、この目立て層100に研磨
スラリー10が入り込んで保持される。この状態でウェ
ーハ4を回転させると、研磨パッド2に押圧されたウェ
ーハ4の研磨面に研磨スラリー10が十分供給され、こ
れによりウェーハ4が研磨されるという原理を考慮し
て、研磨パッド2の目立て層100の深さや密度が十分
となる様にドレッサー101によるドレッシングを行う
という対策をとっている。さらに、これに加えてウェー
ハ4の研磨面に研磨スラリー10が確実に届く様にする
という対策もとっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の化学的機械研磨装置では、上記問題に加えて新
たな問題がクローズアップされてきている。即ち、研磨
パッド2にウェーハ4を押し付けて研磨パッド2を回転
する事で研磨を行っているときに、図5(b)、(c)
に示すような研磨パッド2のたるみ150が発生して皺
が生ずる場合がある。研磨パッド2の回転に伴ってウェ
ーハ4を保持したキャリア5は相対的に研磨パッド2の
回転方向とは逆回転方向に進行するが、キャリア5は研
磨パッド2に研磨圧力9で押し付けられている為に、研
磨パッド2のたるみ150がキャリア5の進行方向前方
に発生するのである。
【0008】この研磨パッド2のたるみ150はウェー
ハ4に潜り込もうとする為、この部分で研磨圧が高くな
り、研磨レートの面内分布が悪化する問題を引き起こ
す。さらに、この研磨パッド2のたるみ150に乗り上
げる形で研磨を行う可能性があり、研磨量の面内バラツ
キが発生するという問題も引き起こす。また、研磨によ
り層間段差のグローバルな平坦化を達成する為には、研
磨パッド2の見かけ上の硬度を高くし、研磨パッド2の
平坦性をより高くする事が重要である事が知られている
が、この点からも研磨パッド2のたるみ150をなく
し、研磨パッド2をピンと張った状態にして研磨する事
が求められている。
【0009】そこで、これらの問題を解決すべく、図1
1に示す様なキャリア5のまわりの研磨パッド2をピン
と張る為にキャリア5を取り囲むリング210を備えた
化学的機械研磨装置が知られている。しかし、この化学
的機械研磨装置装置では、研磨スラリー10がリング2
10に邪魔されてウェーハ4に届く研磨スラリー10の
量が少なくなり、研磨レートの面内分布の悪化やこれに
よる新たな研磨バラツキを発生させる事となり、完全な
解決には至っていなかった。一方、従来の化学的機械研
磨装置装置では、ドレッサー101の設置面積が必要な
分だけスペース増になると共に、ドレッサー101によ
るドレッシング中は研磨が行えないというデューティ・
レイシオの問題があった。
【0010】この発明は、上述した事情から成されたも
のであり、研磨パッドのたるみを防止することができ、
またドレッシングを合理化することができる化学的機械
研磨装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的は、この発明に
よれば、段差を有する被処理基板表面を研磨パッドに押
圧して、化学的機械研磨により平坦化を行う化学的機械
研磨装置において、前記研磨パッドのたるみを防止する
ための補助部材を、前記研磨パッドの研磨面側であっ
て、前記研磨パッドに対する前記被処理基板の相対的進
行方向の前方に設けることにより達成される。さらに
は、前記研磨パッドの研磨面に対向する前記たるみ防止
補助部材の面を、粗面に形成することにより達成され
る。
【0012】上記構成によれば、たるみ防止補助部材を
研磨パッドに押しつけることにより、研磨パッドはたる
み防止補助部材と被処理基板との間で引っ張られること
になるので、研磨パッドを常にピンと張った状態に維持
することができ、研磨パッドのたるみを防止することが
できる。また、同時に研磨パッドはドレッシングされる
ことになるので、ドレッシングを合理化することができ
【0013】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施形態は、この発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発
明の範囲は、以下の説明において、特にこの発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるもの
ではない。
【0014】第1の実施の形態 図1は、この発明の化学的機械研磨装置の第1の実施形
態の主要部を示す概略斜視図、図2は、その第1の実施
形態の全体構成を示す概略平面図、図3は、そのA−
A’線断面側面図である。尚、図中の構成要素で従来の
技術と同様の構成を成しているものについては、同一の
参照符号を付すものとする。この化学的機械研磨装置2
0は、キャリア5の相対的進行方向前方の研磨パッド2
のたるみのみ除去すれば良い事に着目したものであり、
そのたるみを防止するための補助部材である図1に示す
様なウェーハ4のほぼ半周分を取り囲むことができる径
を有する半円筒形状のたるみ防止板200を備えてい
る。
【0015】図2及び図3に示す様に、このたるみ防止
板200は、その内周面側がキャリア5の外周面を向く
ようにして、研磨パッド2の研磨面側のキャリア5の相
対的進行方向前方であってウェーハ4から例えば5mm
から20mm程度離れた場所に配置され、化学的機械研
磨装置20の上方に存在する枠体に圧力調整手段を介し
て固定されている。そして、たるみ防止板200の下端
面200aは、研磨パッド2の研磨圧力9と単位面積当
たり同一の圧力調整手段による圧力91により研磨パッ
ド2上に押し付けられている。
【0016】ここで、たるみ防止板200の形状は、ウ
ェーハ4を完全には取り囲まない形状、例えば完全な円
筒形状でなければ特に限定されるものではなく、例えば
折れ曲がった平板形状等のウェーハ4のほぼ半周分を取
り囲むことができる形状であれば良い。また、たるみ防
止板200とウェーハ4との上記距離は一例であり、キ
ャリア5の相対的進行方向前方であれば、特にこの範囲
に限定されるものではない。さらに、たるみ防止板20
0の材質は、金属、硬質ゴム又はこれらの材料の組み合
わせが用いられる。
【0017】このような構成により、図2及び図3に示
す様に研磨パッド2のたるみ150はこのたるみ防止板
200の前方に押し出され、ウェーハ4に於いては平坦
度の高い研磨パッド2で研磨が可能になり、もってウェ
ーハ4の研磨面の均一性を改善する事が可能となり、同
時に研磨のグローバルな平坦性の改善も可能となる。ま
た、このたるみ防止板200はウェーハ4のまわりを完
全に囲み込まない為、研磨スラリー供給装置7のノズル
6をたるみ防止板200とウェーハ4の間に配置するこ
とができ、このノズル6から研磨スラリー10をウェー
ハ4と研磨パッド2の間に十分に供給する事ができる。
さらに、研磨スラリー10が研磨プレート3の外方に散
逸せず、ウェーハ4と研磨パッド2の間に有効に供給さ
れる為、高価な研磨スラリー10の節約になり、製造コ
ストの低減にも有効である。
【0018】第2の実施の形態 図4は、この発明の化学的機械研磨装置の第2の実施形
態の主要部を示す概略斜視図、図5は、その第2の実施
形態の全体構成を示す概略平面図である。尚、図中の構
成要素で第1の実施形態と同様の構成を成しているもの
については、同一の参照符号を付すものとする。この化
学的機械研磨装置21は、第1の実施形態で示したたる
み防止板200の先端を複数個に分割したたるみ防止板
201を備えている。これにより、研磨パッド2の目立
て層100がたるみ防止板201により削られる事が少
なくなり、かつ、研磨済みの研磨スラリー10のウェー
ハ4の外方への排出が容易となり、より研磨レートを安
定化させる事が可能となる。
【0019】第3の実施の形態 図6は、この発明の化学的機械研磨装置の第3の実施形
態の主要部を示す概略斜視図、図7は、その第3の実施
形態の全体構成を示す概略平面図である。尚、図中の構
成要素で第1の実施形態と同様の構成を成しているもの
については、同一の参照符号を付すものとする。この化
学的機械研磨装置30は、キャリア5の相対的進行方向
前方の研磨パッド2のたるみを防止するための補助部材
である図6に示す様なウェーハ4のほぼ半周分を取り囲
むことができる径を有する半円環形状の固定板300b
及びこの固定板300bの一面で円周に沿って一列に所
定の間隔で一端が固定されている複数の棒材300cで
成るたるみ防止棒300を備えている。
【0020】図7に示す様に、このたるみ防止棒300
は、その内周面側がキャリア5の外周面を向くようにし
て、研磨パッド2の研磨面側のキャリア5の相対的進行
方向前方であってウェーハ4から例えば5mmから20
mm程度離れた場所に配置され、化学的機械研磨装置3
0の上方に存在する枠体に圧力調整手段を介して固定さ
れている。そして、たるみ防止棒300の下端面300
aは、研磨パッド2の研磨圧力9と単位面積当たり同一
の圧力調整手段による圧力により研磨パッド2上に押し
つけられている。
【0021】ここで、たるみ防止棒300の固定板30
0bの形状は、ウェーハ4を完全には取り囲まない形
状、例えば完全な円環形状でなければ特に限定されるも
のではなく、例えば折れ曲がった板形状等のウェーハ4
のほぼ半周分を取り囲むことができる形状であれば良
い。また、たるみ防止棒300とウェーハ4との上記距
離は一例であり、キャリア5の相対的進行方向前方であ
れば、特にこの範囲に限定されるものではない。さら
に、たるみ防止棒300の材質は、金属、硬質ゴム又は
これらの材料の組み合わせが用いられる。
【0022】このような構成により、図7に示す様に研
磨パッド2のたるみ150はこのたるみ防止棒300の
前方に押し出され、ウェーハ4に於いては平坦度の高い
研磨パッド2で研磨が可能になり、もってウェーハ4の
研磨面の均一性を改善する事が可能となり、同時に研磨
のグローバルな平坦性の改善も可能となる。また、この
たるみ防止棒300はウェーハ4のまわりを完全に囲み
込まない為、研磨スラリー供給装置7のノズル6をたる
み防止棒300とウェーハ4の間に配置することがで
き、このノズル6から研磨スラリー10をウェーハ4と
研磨パッド2の間に十分に供給する事ができる。
【0023】さらに、研磨スラリー10が研磨プレート
3の外方に散逸せず、ウェーハ4と研磨パッド2の間に
有効に供給される為、高価な研磨スラリー10の節約に
なり、製造コストの低減にも有効である。そして、たる
み防止棒300の棒材300cは所定間隔で配置されて
いる為、研磨パッド2の目立て層100が削られる事が
少なくなり、かつ、研磨済みの研磨スラリー10のウェ
ーハ4の外方への排出が容易となり、より研磨レートを
安定化させる事が可能となる。
【0024】第4の実施の形態 図8は、この発明の化学的機械研磨装置の第4の実施形
態の主要部を示す概略斜視図、図9は、その第4の実施
形態の全体構成を示す概略平面図である。尚、図中の構
成要素で第3の実施形態と同様の構成を成しているもの
については、同一の参照符号を付すものとする。この化
学的機械研磨装置31は、第3の実施形態で示したたる
み防止棒300の棒材300cを2列に配置した棒材3
01cを有するたるみ防止棒301を備えている。これ
により、研磨パッド2の目立て層100がたるみ防止棒
301の棒材301cにより削られる事が少なくなり、
かつ、研磨済みのスラリー10のウェーハ4の外方への
排出が容易となり、より研磨レートを安定化させる事が
可能となる。尚、この実施形態では棒材300cを2列
に配置した例を示したが、これに限定されるものではな
く、任意の複数列で配置しても良い。そして、研磨パッ
ド2に対するたるみ防止棒300の相対的進行方向の棒
材301cの密度を、相対的に高くなるように構成すれ
ば、より効果的となる。
【0025】以上の各実施形態によれば、研磨面の均一
性の改善及び研磨のグローバルな平坦性の改善が可能と
なる。また、たるみ防止補助部材はウェーハの外周を完
全に覆わない為、研磨スラリーの供給及び使用済みの研
磨スラリーの排出が容易となる。さらに、たるみ防止補
助部材とウェーハの間に研磨スラリーを供給することが
できる為、無駄なくウェーハの研磨に供給されることに
なり、研磨スラリーの有効利用が可能となる。
【0026】第5の実施の形態 上述した第1から第4の実施形態では、キャリア5の相
対的進行方向前方の研磨パッド2のたるみを防止するた
めの補助部材について説明したが、各実施形態の補助部
材を用いてたるみ防止のみならず研磨パッド2のドレッ
シングも可能な補助部材とすることができる。即ち、第
1の実施形態のたるみ防止板200の下端面200a、
第2の実施形態のたるみ防止板201の下端面201
a、第3の実施形態のたるみ防止棒300の各棒材30
0bの下端面300a及び第4の実施形態のたるみ防止
棒301の各棒材301bの下端面301aを、それぞ
れ粗面とする。
【0027】これにより、各下端面200a、201
a、300a及び301aは、圧力調整手段による圧力
91により研磨パッド2上に押しつけられ、かつ摺動し
ているので、研磨パッド2のたるみが防止されると同時
に研磨パッド2の目立て層100はドレッシングされる
ことになる。このような構成によれば、従来のドレッサ
ー101は不要となるので、装置自体の小型化が可能に
なると共に、研磨パッド2は自動的にドレッシングされ
るので、研磨工程の連続化が可能となり、生産性を向上
させることができる。
【0028】第6の実施の形態 さらに、第5の実施形態の補助部材を用いて研磨パッド
2の目立て層100のドレッシング精度をより高めるこ
とができる。即ち、第1の実施形態のたるみ防止板20
0、第2の実施形態のたるみ防止板201、第3の実施
形態のたるみ防止棒300及び第4の実施形態のたるみ
防止棒301を、それぞれキャリア5のまわりを所定角
度で揺動させるようにする。また、第3の実施形態のた
るみ防止棒300及び第4の実施形態のたるみ防止棒3
01の場合は、上記揺動に加えて、あるいは単独で各棒
材300c、301cを、各棒材300c、301cの
軸を中心として回転させる。これにより、各下端面20
0a、201a、300a及び301aは、圧力調整手
段による圧力91により研磨パッド2上に押しつけら
れ、かつ各下端面200a、201a、300a及び3
01aと研磨パッド2が相互に摺動しているので、研磨
パッド2のたるみが防止されると同時に研磨パッド2の
目立て層100は精度良くドレッシングされることにな
る。
【0029】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、研磨
パッドのたるみを防止することができ、またドレッシン
グを合理化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の化学的機械研磨装置の第1の実施形
態の主要部を示す概略斜視図。
【図2】この発明の化学的機械研磨装置の第1の実施形
態の全体構成を示す概略平面図。
【図3】図2のA−A’線断面側面図。
【図4】この発明の化学的機械研磨装置の第2の実施形
態の主要部を示す概略斜視図。
【図5】この発明の化学的機械研磨装置の第2の実施形
態の全体構成を示す概略平面図。
【図6】この発明の化学的機械研磨装置の第3の実施形
態の主要部を示す概略斜視図。
【図7】この発明の化学的機械研磨装置の第3の実施形
態の全体構成を示す概略平面図。
【図8】この発明の化学的機械研磨装置の第4の実施形
態の主要部を示す概略斜視図。
【図9】この発明の化学的機械研磨装置の第4の実施形
態の全体構成を示す概略平面図。
【図10】従来の化学的機械研磨装置の一例を示す概略
図。
【図11】従来の他の化学的機械研磨装置の一例を示す
概略平面図。
【符号の説明】
1・・・回転軸、2・・・研磨パッド、3・・・研磨プ
レート、4・・・ウェーハ(被処理基板)、5・・・キ
ャリア、6・・・ノズル、7・・・研磨スラリー供給装
置、8・・・回転軸、9・・・研磨圧力、10・・・研
磨スラリー、11・・・バッキングフィルム、20、2
1、30、31・・・化学的機械研磨装置、91・・・
圧力、100・・・目立て層、101・・・ドレッサ
ー、102・・・ダイア、150・・・たるみ、20
0、201・・・たるみ防止板、300、301・・・
たるみ防止棒、200a、201a、300a、301
a・・・下端面、210・・・リング

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 段差を有する被処理基板表面を研磨パッ
    ドに押圧して、化学的機械研磨により平坦化を行う化学
    的機械研磨装置において、 前記研磨パッドのたるみを防止するための補助部材が、
    前記研磨パッドの研磨面側であって、前記研磨パッドに
    対する前記被処理基板の相対的進行方向の前方に設けら
    れていることを特徴とする化学的機械研磨装置。
  2. 【請求項2】 前記研磨パッドの研磨面に対向する前記
    たるみ防止補助部材の面が、粗面に形成されている請求
    項1に記載の化学的機械研磨装置。
  3. 【請求項3】 前記たるみ防止補助部材が、前記被処理
    基板を囲むように形成されている請求項1に記載の化学
    的機械研磨装置。
  4. 【請求項4】 前記たるみ防止補助部材が、金属、硬質
    ゴム又はこれらの材料の組み合わせで構成されている請
    求項1に記載の化学的機械研磨装置。
  5. 【請求項5】 前記たるみ防止補助部材が、前記被処理
    基板の略中心部を軸として揺動するように構成されてい
    る請求項1に記載の化学的機械研磨装置。
  6. 【請求項6】 スラリーを供給するノズルが、前記被処
    理基板と前記たるみ防止補助部材の間に配置されている
    請求項1に記載の化学的機械研磨装置。
  7. 【請求項7】 前記たるみ防止補助部材が、板状に構成
    されている請求項1に記載の化学的機械研磨装置。
  8. 【請求項8】 前記たるみ防止板の先端が、複数に分割
    されている請求項7に記載の化学的機械研磨装置。
  9. 【請求項9】 前記たるみ防止補助部材が、複数の棒状
    に構成されている請求項1に記載の化学的機械研磨装
    置。
  10. 【請求項10】 前記研磨パッドに対する前記たるみ防
    止棒の相対的進行方向の棒の密度が、相対的に高くなる
    ように構成されている請求項9に記載の化学的機械研磨
    装置。
  11. 【請求項11】 前記たるみ防止棒が、その軸を中心と
    して回動するように構成されている請求項9に記載の化
    学的機械研磨装置。
JP8482397A 1997-02-05 1997-04-03 化学的機械研磨装置 Pending JPH10277922A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007317702A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Toshiba Corp 研磨方法及び半導体装置の製造方法
JP2018192555A (ja) * 2017-05-16 2018-12-06 三重富士通セミコンダクター株式会社 研磨装置及び研磨方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007317702A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Toshiba Corp 研磨方法及び半導体装置の製造方法
JP2018192555A (ja) * 2017-05-16 2018-12-06 三重富士通セミコンダクター株式会社 研磨装置及び研磨方法

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