JP6917233B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents

Description

ウエーハを加工するウエーハの加工方法に関する。

一般に、半導体デバイスが表面に形成されたシリコンなどからなる半導体ウエーハや、光デバイスが形成されたサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などからなる光デバイスウエーハなどの各種ウエーハは、裏面側が研削砥石で研削されて薄化された（例えば、特許文献１参照）後、裏面が研磨される。この種のウエーハを加工する加工装置として、ウエーハをそれぞれ保持する複数のチャックテーブルと、複数のチャックテーブルが配設されるターンテーブルと、チャックテーブルの上方にそれぞれ設けられる粗研削用の研削手段、仕上げ研削用の研削手段及び研磨手段と、を有し、１枚のウエーハを粗研削、仕上げ研削、研磨、という順序で連続して加工するものが知られている。

この種の加工装置では、加工後のウエーハの厚みばらつきを抑えるために、仕上げ研削用の研削手段に対して、チャックテーブルの回転軸の傾きが調整される。複数のチャックテーブルは、それぞれチャックテーブルを支える部材（土台部やポーラス部）の高さや形状に個体差がある。このため、チャックテーブル毎に回転軸の傾きが異なる状態が生じる場合がある。これに対して、最終加工を行う研磨用の研磨手段では、従来、チャックテーブルの回転軸の傾きの調整は行われていない。

この理由は、（１）研磨する量が数ｕｍと微少であること、（２）研磨パッドは研削用ホイールに比べて柔らかい素材であるため、ウエーハを保持するチャックテーブルの回転軸の傾きが、チャックテーブル毎に多少異なっていても、研磨パッドをウエーハに押し当てて研削する際に研磨パッドが変形してウエーハに押し当てられて研磨がされること、（３）たとえ研磨不良が発生しても、品質に影響のない範囲であったためである。

特開２０１３−１１９１２３号公報

ところで、近年、研磨パッドの材質が多様化しており、チャックテーブルの回転軸の傾きに追従して変形できない固さを有する研磨パッドも存在している。この種の研磨パッドを用いて、研磨加工を行った場合、チャックテーブルの回転軸の傾きによっては、ウエーハの加工面に品質に支障をきたす未加工領域や焦げ等の研磨不良が発生するといった問題があった。また。品質に影響が無い場合も見栄えが悪いという理由で加工面の未加工領域や焦げを解消したいという要望があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ウエーハの研磨不良の低減を図ったウエーハの加工方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、ウエーハを回転可能に保持するチャックテーブルと、該ウエーハを研削する研削手段と、該研削手段によって研削されたウエーハを研磨する研磨手段と、該チャックテーブルを複数配設した回転可能なターンテーブルと、各構成要素を駆動制御する制御部と、を少なくとも備える加工装置によって、該ウエーハを所定厚みまで薄化するウエーハの加工方法であって、該チャックテーブルは、該ウエーハを保持する保持面と、該保持面の中心を通る回転軸と、該回転軸の傾きを調整する傾き調整手段と、を少なくとも備え、該研磨手段に対する該回転軸の適切な傾きを規定値として設定する規定値設定ステップと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを該研削手段によって研削する研削ステップと、該研削ステップにおいて研削されたウエーハを、該ターンテーブルを回転させて該研磨手段の下に位置づける研磨準備ステップと、該制御部が該傾き調整手段を駆動させ、該研磨手段の下に位置する該チャックテーブルの該回転軸の傾きを該規定値に調整する回転軸調整ステップと、該研磨手段によって該ウエーハを研磨する研磨ステップと、を備え、該規定値設定ステップにおいて、該回転軸の傾きの規定値は、研磨対象となるウエーハの種別、及び、該研磨手段が備える研磨パッドの種別をそれぞれ組み合わせたパターンごとに、事前に実験に基づいて設定されており、該ウエーハの種別及び該研磨パッドの種別が選択されると、該回転軸調整ステップにおいて、制御部は、該回転軸の傾きを該当するパターンに応じた規定値に調整することを特徴とする。

この構成によれば、研磨手段に対する適切なチャックテーブルの回転軸の傾きの規定値を事前に設定しているため、研磨開始前にチャックテーブルの回転軸の傾きを調整することができ、ウエーハの研磨不良を防止することができる。

本発明によれば、研磨手段に対する適切なチャックテーブルの回転軸の傾きの規定値を事前に設定しているため、研磨開始前にチャックテーブルの回転軸の傾きを調整することができ、ウエーハの研磨不良を防止することができる。

図１は、本実施形態に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの斜視図である。 図２は、本実施形態に係るウエーハの加工方法で用いられる研削研磨装置の構成例の斜視図である。 図３は、図２に示す研削研磨装置の研磨ユニット、チャックテーブル及び傾き調整機構を示す側面図である。 図４は、図３に示す傾き調整機構を構成する位置調整ユニットの配置例を示す平面図である。 図５は、研磨ユニットに対してチャックテーブルを傾けた状態を示す模式図である。 図６は、本実施形態に係るウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

本実施形態に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの斜視図である。図２は、本実施形態に係るウエーハの加工方法で用いられる研削研磨装置の構成例の斜視図である。図３は、図２に示す研削研磨装置の研磨ユニット、チャックテーブル及び傾き調整機構を示す側面図である。図４は、図３に示す傾き調整機構を構成する位置調整ユニットの配置例を示す平面図である。図５は、研磨ユニットに対してチャックテーブルを傾けた状態を示す模式図である。

本実施形態に係るウエーハの加工方法は、図１に示すウエーハ２００の裏面２０１を研削及び研磨する加工方法であって、ウエーハ２００を所定の仕上げ厚さに薄化する方法である。本実施形態に係るウエーハの加工方法の加工対象であるウエーハ２００は、シリコンを母材とする円板状の半導体ウエーハやサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などを母材とする光デバイスウエーハである。ウエーハ２００は、図１に示すように、表面２０２に形成された格子状の分割予定ライン２０３に区画された複数の領域にデバイス２０４が形成されている。ウエーハ２００は、図２に示すように、表面２０２に保護部材２０５が貼着された状態で、研削研磨装置１によって裏面２０１に研削が施されて、所定の厚さまで薄化された後に、該裏面２０１に研磨が施される。保護部材２０５は、ウエーハ２００と同じ大きさの円板状に形成され、可撓性を有する合成樹脂により構成されている。

研削研磨装置１は、図２に示すように、装置本体２と、粗研削ユニット（研削手段）３と、仕上げ研削ユニット（研削手段）４と、研磨ユニット（研磨手段）５と、研磨ユニット移動機構６と、加工液供給ユニット７と、ターンテーブル８上に設置された例えば４つのチャックテーブル９（９ａ〜９ｄ）と、カセット１１，１２と、ポジションテーブル１３と、搬送アーム１５と、ロボットピック１６と、スピンナー洗浄装置１７と、制御装置（制御部）１００とを主に備えている。

粗研削ユニット３は、スピンドル３ａの下端に装着された粗研削ホイール３ｂを回転させながら、チャックテーブル９に保持されたウエーハ２００の裏面２０１に押圧することによって、該ウエーハ２００の裏面２０１を粗研削加工する。同様に、仕上げ研削ユニット４は、スピンドル４ａに装着された仕上げ研削ホイール４ｂを回転させながら、上記粗研削された後のウエーハ２００の裏面２０１に押圧することによって、該ウエーハ２００の裏面２０１で仕上げ研削加工する。

研磨ユニット５は、図３に示すように、スピンドル５ａの下端に研磨マウント５ｃを介して装着された研磨パッド５ｂを備える。研磨パッド５ｂは、スピンドル５ａと共に、この研磨パッド５ｂの中心を通る図３中に一点鎖線で示す回転軸５３を中心に回転しながら、チャックテーブル９に保持された仕上げ研削加工後のウエーハ２００の裏面２０１に押圧することによって、該ウエーハ２００の裏面２０１を研磨加工する。研磨パッド５ｂは、研磨対象となるウエーハ２００の形状に追従して変形し、研磨パッド５ｂの下面は、ウエーハ２００の裏面２０１に接触して該裏面２０１の研磨面となる。

研磨ユニット移動機構６は、図２に示すように、研磨ユニット５を水平方向（研磨パッド５ｂの径方向、図２ではＸ軸方向）および垂直方向（スピンドル５ａの軸方向、図２ではＺ軸方向）に移動させることができる。加工液供給ユニット７は、研磨加工時に、研削加工後のウエーハ２００の裏面２０１に研磨液と洗浄液とを選択的に供給する。この加工液供給ユニット７は、加工液供給路７２を介して、研磨ユニット５の上端部と連結され、研磨ユニット５に研磨液または洗浄液を供給する。

ターンテーブル８は、装置本体２の上面に設けられた円盤状のテーブルであり、水平方向に回転可能に設けられ、所定のタイミングで回転駆動される。このターンテーブル８上には，例えば、４つのチャックテーブル９（９ａ〜９ｄ）が、例えば９０度の位相角で等間隔に配設されている。

チャックテーブル９は、図３に示すように、ウエーハ２００の表面２０２側を、保護部材２０５を介して保持する保持面９１と、保持面９１の中心を通る図３中に一点鎖線で示す回転軸９２と、この回転軸９２を鉛直方向に対して傾斜させる傾き調整機構（傾き調整手段）４０とを備える。チャックテーブル９は、保持面９１に真空チャックを備えたチャックテーブル構造のものであり、保持面９１に載置されたウエーハ２００を真空吸着して保持する。

保持面９１は、図５に詳細に示すように、外周部９１Ｂが中心９１Ａに比べて僅かに低い円錐状に形成されている。即ち、保持面９１は、中心９１Ａを頂点とした円錐面に形成されて、中心９１Ａから外周部９１Ｂに向けて下降する傾斜を有する斜面に形成されている。チャックテーブル９は、加工対象のウエーハ２００を保持面９１の円錐面にならって保持する。なお、図５は、保持面９１の円錐面の傾斜を誇張して示しているが、保持面９１の円錐面の傾斜は、実際には肉眼では認識できないほどの僅かな傾斜である。

傾き調整機構４０は、各チャックテーブル９に取り付けられている。傾き調整機構４０は、回転軸９２の鉛直方向（Ｚ方向）に対する傾きθ（図５）を変更（調整）するためのものである。傾き調整機構４０は、図３に示すように、支持台２２と、支持台２２に連結された位置調整ユニット２３とを備える。支持台２２は、図示しない軸受を介してチャックテーブル９を回転自在に支持する円筒状に形成された支持筒部２２０と、支持筒部２２０から拡径したフランジ部２２１とを備える。傾き調整機構４０は、フランジ部２２１の傾きを調整することにより、回転軸９２の傾きθを調整する。

位置調整ユニット２３は、図４に示すように、フランジ部２２１の円弧に沿って、等間隔に２つ以上設けられている。本実施形態において、傾き調整機構４０は、１２０度間隔で２つの位置調整ユニット２３と、フランジ部２２１を固定する固定部２３ａとを配置しているが、本発明では、位置調整ユニット２３を３つ以上配置しても良い。

位置調整ユニット２３は、図３に示すように、ターンテーブル８に固定された筒部２３０と、筒部２３０を貫通するシャフト２３１と、シャフト２３１の下端に連結された駆動部２３２と、シャフト２３１の上端においてフランジ部２２１に固定された固定部２３３とを備える。駆動部２３２は、シャフト２３１を回転させるモータ２３２ａと、シャフト２３１の回転速度を弱めるとともにターンテーブル８に固定された減速機２３２ｂとを備える。

固定部２３３は、シャフト２３１の上端部に形成された図示しない雄ねじが螺合する図示しない雌ねじが設けられている。位置調整ユニット２３は、モータ２３２ａが減速機２３２ｂを介してシャフト２３１を軸心回りに回転することで、回転軸９２の傾きθを調整する。また、ターンテーブル８には、チャックテーブル９を回転軸９２を中心に回転するモータ２４が取り付けられている。

チャックテーブル９は、研削時及び研磨時には、回転軸９２を中心として、モータ２４により回転駆動される。このようなチャックテーブル９は、ターンテーブル８の回転によって、図２に示すように、搬入搬出領域Ａ、粗研削領域Ｂ、仕上げ研削領域Ｃ、研磨領域Ｄの順番に移動して周回する。

カセット１１，１２は、複数のスロットを有するウエーハ２００用の収容器である。一方のカセット１１は、研削研磨前のウエーハ２００を収容し、他方のカセット１２は、研磨加工後のウエーハ２００を収容する。ポジションテーブル１３は、カセット１１から取り出されたウエーハ２００が仮置きされて，その中心位置合わせを行うためのテーブルである。

搬送アーム１５は，水平方向（Ｙ軸方向）に移動可能に構成されており、ポジションテーブル１３に載置された研削研磨前のウエーハ２００を搬送して，搬入搬出領域Ａに位置するチャックテーブル９ａに載置する。また，搬送アーム１５は，搬入搬出領域Ａに位置するチャックテーブル９ａに載置された研磨後のウエーハ２００を搬送して、スピンナー洗浄装置１７のスピンナーテーブルに載置する。

ロボットピック１６は，ウエーハ保持部（例えば，Ｕ字型ハンド）１６Ａを備え，このウエーハ保持部１６Ａによってウエーハ２００を吸着保持して搬送する。具体的には，ロボットピック１６は，研削研磨前のウエーハ２００をカセット１１からポジションテーブル１３へ搬送する。また，研磨後のウエーハ２００をスピンナー洗浄装置１７からカセット１２へ搬送する。スピンナー洗浄装置１７は，研磨後のウエーハ２００を洗浄して、研削および研磨された加工面に付着している研削屑や研磨屑等のコンタミネーションを除去する。

制御装置１００は、研削研磨装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御装置１００は、ウエーハ２００に対する研削研磨動作を研削研磨装置１に実行させるものである。制御装置１００は、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御装置１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理部１０１と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶部１０２と、入出力インタフェース装置とを有する。演算処理部１０１は、ＲＯＭに記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、研削研磨装置１を制御するための制御信号を生成し、生成された制御信号は入出力インタフェース装置を介して研削研磨装置１の各構成要素に出力される。

また、本実施形態の記憶部１０２には、研磨加工を行う際に、研磨ユニット５に対するチャックテーブル９の回転軸９２の傾きθの規定値が設定されたデータベース１０３が記憶されている。このデータベース１０３には、例えば、ウエーハ２００の種別（材質や大きさ）と、研磨パッド５ｂの種別（例えば、研磨パッド５ｂの素材や硬度、研磨パッド５ｂの砥粒の有無や砥粒の種類）とをそれぞれ組み合わせたパターンごとに、適切な傾きθの規定値が設定されている。この規定値は、仕上げ研削後のウエーハ２００を複数用意し、これらのウエーハ２００に対して、上記したパターンごとに回転軸９２の傾きθを変更しながら研磨する実験を事前に行い、研磨後の状態をそれぞれ観察することにより設定される。

また、本実施形態のように、複数（４つ）のチャックテーブル９（９ａ〜９ｄ）がターンテーブル８と共に回転する構成では、チャックテーブル９ａ〜９ｄの個体差も発生するため、上記した実験を実機（チャックテーブル９ａ〜９ｄ）に載せて行い、データベース１０３には、チャックテーブル９ａ〜９ｄの番号を記憶しておくことが好ましい。また、データベース１０３に、ウエーハ２００に対する研磨加工の条件（化学的機械的研磨やゲッタリング層加工など）を追加してもよい。この構成では、事前に様々なパターンに応じて、チャックテーブル９の傾きθの規定値を設定しておくため、実際の研磨ステップにおいて、該当するパターンに対応する規定値を選んでチャックテーブル９の位置調整ユニット２３を駆動させればよい。このため、研磨対象のウエーハ２００や研磨パッド５ｂの種別が変わっても、適切な研磨加工を行うことができ、研磨不良の発生を防止することができる。

次に、本実施形態に係るウエーハの加工方法について説明する。図６は、ウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。まず、研磨ユニット５に対するチャックテーブル９の回転軸９２の適切な傾きθを規定値として設定する（ステップＳ１；規定値設定ステップ）。この規定値設定ステップは、実際のウエーハ２００の加工よりも前に行われる。例えば、研磨対象としてのウエーハ２００が素材や大きさを異ならせて複数種類存在し、研磨パッド５ｂの素材や硬さ、もしくは、砥粒の有無、砥粒の種類を異ならせて複数種類存在する。

作業者は、複数種類（種別）のウエーハ２００と研磨パッド５ｂとの組み合わせのパターンを作成する。そして、１つの組み合わせのパターンごとに、チャックテーブル９の保持面９１に保持された複数のウエーハ２００を、研磨ユニット５に対するチャックテーブル９の回転軸９２の傾きθを変更しつつ研磨加工を行う実験を行う。そして、研磨後の加工状態の良否を判別し、適切な（最適な）加工状態に研磨加工できた傾きθを、ウエーハ２００及び研磨パッド５ｂの組み合わせのパターンと共にデータベース１０３に記憶させる。

この作業は、使用されるウエーハ及び研磨パッドの組み合わせの数だけ事前に実行し、その適切な（最適な）傾きθを組み合わせのパターンと共にデータベース１０３に記憶する。ここで、本実施形態で使用される研削研磨装置１のように、複数（４つ）のチャックテーブル９（９ａ〜９ｄ）がターンテーブル８と共に回転する構成では、チャックテーブル９ａ〜９ｄの個体差も発生するため、上記した実験をチャックテーブル９ａ〜９ｄごとに行い、データベース１０３には、チャックテーブル９ａ〜９ｄの番号を合わせて記憶しておくことが好ましい。また、ウエーハ２００に対する研磨加工の条件が複数存在する場合には、各条件（例えば、化学的機械的研磨やゲッタリング層加工など）をデータベース１０３に追加することが好ましい。

上記した規定値設定ステップを事前に行い、この規定値設定ステップで設定された規定値に基づいて研削研磨加工が実行される。この研削研磨加工を開始する際に、加工対象であるウエーハ２００の種別や、研磨ユニット５に設けられた研磨パッド５ｂの種別が選択されて登録される。

次に、ウエーハ２００をチャックテーブル９の保持面９１に保持する（ステップＳ２；保持ステップ）。ウエーハ２００は、表面２０２側に保護部材２０５が貼着され、裏面２０１側を上方に向けて、ターンテーブル８の搬入搬出領域Ａにてチャックテーブル９の保持面９１に保持される。

次に、チャックテーブル９に保持されたウエーハ２００に対して粗研削及び仕上げ研削加工を施す（ステップＳ３；研削ステップ）。チャックテーブル９に保持されたウエーハ２００は、ターンテーブル８の回転によって、粗研削領域Ｂに移動する。この粗研削領域Ｂでは、チャックテーブル９を回転させた状態で、粗研削ユニット３の粗研削ホイール３ｂを回転させつつ下降させ、回転する粗研削ホイール３ｂをウエーハ２００の裏面２０１に接触させて所定厚みまで薄化する粗研削を行う。粗研削の終了後、ターンテーブル８をさらに回転させることにより、粗研削されたウエーハ２００を保持するチャックテーブル９は、ターンテーブル８の回転によって、仕上げ研削領域Ｃに移動する。この仕上げ研削領域Ｃでは、チャックテーブル９を回転させた状態で、仕上げ研削ユニット４の仕上げ研削ホイール４ｂを回転させつつ下降させ、回転する仕上げ研削ホイール４ｂをウエーハ２００の裏面２０１に接触させて所定の仕上げ厚さまで薄化する仕上げ研削を行う。この場合、チャックテーブル９の回転軸９２は、仕上げ研削加工に応じて設定された傾きに調整されており、仕上げ研削ホイール４ｂが常にウエーハ２００の裏面２０１の回転中心に接触するようになっている。

次に、仕上げ研削されたウエーハ２００を保持するチャックテーブル９は、ターンテーブル８の回転によって、研磨領域Ｄに移動し、研磨ユニット５の下に位置づける（ステップＳ４；研磨準備ステップ）。そして、次に、傾き調整機構４０を駆動させて、研磨ユニット５の下に位置するチャックテーブル９の回転軸９２の傾きを規定値に調整する（ステップＳ５；回転軸調整ステップ）。制御装置１００の演算処理部１０１は、加工開始時に登録されたウエーハ２００及び研磨パッド５ｂの種類の組み合わせのパターンに応じた傾きθの規定値を、記憶部１０２のデータベース１０３から読み出し、チャックテーブル９の回転軸９２の傾きθをこの規定値に調整する。これにより、チャックテーブル９の回転軸９２の傾きθを、ウエーハ２００と研磨パッド５ｂの組み合わせのパターンに応じた適切な傾きに調整することができる。ここで、演算処理部１０１は、研磨領域Ｄに移動したチャックテーブル９が４つのチャックテーブル９ａ〜９ｄのいずれであるかを認識している。このため、データベース１０３にチャックテーブル９ａ〜９ｄの個体差も合わせて記憶されている場合には、研磨領域Ｄにあるチャックテーブル９ａ〜９ｄに対応する傾きθの規定値を読み出す。これにより、チャックテーブル９ａ〜９ｄの個体差を考慮し、チャックテーブル９の回転軸９２の傾きθをより適切な傾きに調整することができる。

次に、研磨ユニット５によってウエーハ２００を研磨する（ステップＳ６；研磨ステップ）。チャックテーブル９の回転軸９２の傾きθを規定値に調整した上で、このチャックテーブル９を回転させる。この状態で、研磨ユニット５の研磨パッド５ｂを回転させつつ下降させ、回転する研磨パッド５ｂをウエーハ２００の裏面２０１に接触させて研磨を行う。この場合、加工液供給ユニット７から加工液が供給されるため、研磨パッド５ｂと加工液とによって、ウエーハ２００の裏面２０１を化学的機械的研磨（ＣＭＰ研磨）することができる。また、加工液を使用しないで研磨するドライポリッシュを行うこともできる。

以上、本実施形態のウエーハの加工方法は、研磨ユニット５に対するチャックテーブル９の回転軸９２の適切な傾きθを規定値として設定する規定値設定ステップＳ１と、チャックテーブル９に保持されたウエーハ２００を粗研削ユニット３及び仕上げ研削ユニット４によって研削する研削ステップＳ３と、研削ステップＳ３において研削されたウエーハ２００を、ターンテーブル８を回転させて研磨ユニット５の下に位置づける研磨準備ステップＳ４と、制御装置１００に傾き調整機構４０を駆動させて、研磨ユニット５の下に位置するチャックテーブル９の回転軸９２の傾きθを上記した規定値に調整する回転軸調整ステップＳ５と、研磨ユニット５によってウエーハ２００を研磨する研磨ステップＳ６と、を備えるため、研磨ユニット５に対する適切なチャックテーブル９の回転軸９２の傾きθの規定値を事前に設定することにより、研磨開始前にチャックテーブル９の回転軸９２の傾きを調整することができ、ウエーハ２００の研磨不良を防止することができる。

また、本実施形態によれば、規定値設定ステップＳ１において、チャックテーブル９の回転軸９２の傾きθの規定値は、研磨対象となるウエーハ２００の種別、及び、研磨ユニット５が備える研磨パッド５ｂの種別をそれぞれ組み合わせたパターンごとに、事前に実験に基づいて設定されており、ウエーハ２００の種別及び研磨パッド５ｂの種別が選択されると、回転軸調整ステップＳ５において、制御装置１００は、回転軸９２の傾きθを、該当するパターンに応じた規定値に調整するため、ウエーハ２００や研磨パッド５ｂが変更された場合であっても、適切な回転軸９２の傾きθに調整されることにより、ウエーハ２００の研磨状態を良好に保つことができる。

なお、上記した本実施形態に係る加工方法によれば、以下の研磨装置が得られる。
（付記１）
ウエーハを回転可能に保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持されたウエーハを研磨する研磨手段と、
各構成要素を駆動制御する制御部と、を少なくとも備えた加工装置であって、
該チャックテーブルは、該ウエーハを保持する保持面の中心を通る回転軸の傾きを調整する傾き調整手段を備え、
該制御部は、研磨対象となるウエーハの種別、及び、該研磨手段が備える研磨パッドの種別をそれぞれ組み合わせたパターンごとに、事前に実験に基づいて設定された該回転軸の傾きの規定値を記憶する記憶部と、
該ウエーハの種別及び該研磨パッドの種別が選択された場合に、
該傾き調整手段を駆動させ、該研磨手段の下に位置する該チャックテーブルの該回転軸の傾きを、該当するパターンに応じた規定値に調整する演算処理部とを備えることを特徴とする研磨装置。

上記研磨装置は、本実施形態に係る加工方法と同様に、研磨ユニット５に対する適切なチャックテーブル９の回転軸９２の傾きθの規定値を事前に設定するため、研磨開始前にチャックテーブル９の回転軸９２の傾きを適切に調整することができ、ウエーハ２００の研磨不良を防止することができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

１ 研削研磨装置（研磨装置）
２ 装置本体
３ 粗研削ユニット（研削手段）
３ａ スピンドル
３ｂ 粗研削ホイール
４ 仕上げ研削ユニット（研削手段）
４ａ スピンドル
４ｂ 仕上げ研削ホイール
５ 研磨ユニット（研磨手段）
５ａ スピンドル
５ｂ 研磨パッド
５ｃ 研磨マウント
７ 加工液供給ユニット
８ ターンテーブル
９、９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ チャックテーブル
２２ 支持台
２３ 位置調整ユニット
２３ａ 固定部
２４ モータ
４０ 傾き調整機構（傾き調整手段）
９１ 保持面
９１Ａ 中心
９１Ｂ 外周部
９２ 回転軸
１００ 制御装置（制御部）
１０１ 演算処理部
１０２ 記憶部
１０３ データベース
２００ ウエーハ
２０１ 裏面
２０２ 表面
２０３ 分割予定ライン
２０４ デバイス
２０５ 保護部材

Claims (1)

1. ウエーハを回転可能に保持するチャックテーブルと、
   該ウエーハを研削する研削手段と、
   該研削手段によって研削されたウエーハを研磨する研磨手段と、
   該チャックテーブルを複数配設した回転可能なターンテーブルと、
   各構成要素を駆動制御する制御部と、を少なくとも備える加工装置によって、該ウエーハを所定厚みまで薄化するウエーハの加工方法であって、
   該チャックテーブルは、該ウエーハを保持する保持面と、
   該保持面の中心を通る回転軸と、
   該回転軸の傾きを調整する傾き調整手段と、を少なくとも備え、
   該研磨手段に対する該回転軸の適切な傾きを規定値として設定する規定値設定ステップと、
   該チャックテーブルに保持されたウエーハを該研削手段によって研削する研削ステップと、
   該研削ステップにおいて研削されたウエーハを、該ターンテーブルを回転させて該研磨手段の下に位置づける研磨準備ステップと、
   該制御部が該傾き調整手段を駆動させ、該研磨手段の下に位置する該チャックテーブルの該回転軸の傾きを該規定値に調整する回転軸調整ステップと、
   該研磨手段によって該ウエーハを研磨する研磨ステップと、
   を備え、
   該規定値設定ステップにおいて、該回転軸の傾きの規定値は、研磨対象となるウエーハの種別、及び、該研磨手段が備える研磨パッドの種別をそれぞれ組み合わせたパターンごとに、事前に実験に基づいて設定されており、
   該ウエーハの種別及び該研磨パッドの種別が選択されると、該回転軸調整ステップにおいて、制御部は、該回転軸の傾きを、該当するパターンに応じた規定値に調整することを特徴とするウエーハの加工方法。

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