WO2022054641A1 - 加工装置及び加工方法 - Google Patents

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WO2022054641A1
WO2022054641A1 PCT/JP2021/031898 JP2021031898W WO2022054641A1 WO 2022054641 A1 WO2022054641 A1 WO 2022054641A1 JP 2021031898 W JP2021031898 W JP 2021031898W WO 2022054641 A1 WO2022054641 A1 WO 2022054641A1
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grinding
substrate
processing
water
wafer
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PCT/JP2021/031898
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Inventor
宗久 児玉
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東京エレクトロン株式会社
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    • B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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    • B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
    • B24B49/03—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent according to the final size of the previously ground workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Definitions

  • This disclosure relates to processing equipment and processing methods.
  • Patent Document 1 communicates with a grinding wheel for grinding a workpiece held on a chuck table, a grinding water supply means for supplying grinding water to the ground surface of the workpiece and the grinding wheel, and a grinding water supply means.
  • a grinding device having a grinding water source and a grinding device is disclosed.
  • the technology according to the present disclosure appropriately processes the substrate into a desired shape in a processing apparatus that processes the substrate while supplying grinding water.
  • One aspect of the present disclosure is a processing device for processing a substrate, which includes a grinding mechanism provided with an annular grinding wheel for processing the substrate held by a holding mechanism, and grinding for supplying grinding water to the processed surface of the substrate.
  • a processing apparatus having a water supply mechanism and a regulated water supply mechanism for supplying regulated water that cools an arbitrary position on the machined surface of the substrate.
  • the substrate in a processing apparatus for processing a substrate while supplying grinding water, the substrate can be appropriately processed into a desired shape.
  • wafer a semiconductor substrate in which a plurality of devices such as electronic circuits are formed on the surface is ground to thin the wafer. Is being done.
  • Grinding of a wafer is performed, for example, by bringing the grinding wheel of the grinding mechanism into contact with the grinding surface of the wafer while rotating the holding mechanism while holding the surface opposite to the grinding surface of the wafer by the holding mechanism. .. Further, when grinding this wafer, frictional heat and grinding debris generated by grinding are removed, and grinding water is supplied to keep the grinding atmosphere and the grinding wheel clean.
  • Patent Document 1 discloses a grinding device that grinds while supplying grinding water to a work piece (wafer). According to the processing apparatus described in Patent Document 1, the flow path formed through the inside of the spindle, the mount and the grinding wheel, and the grinding water supply port formed by opening at the lower part of the grinding wheel are used. Grinding water is supplied to the grinding surface of the wafer and the grinding wheel. By supplying grinding water when grinding the wafer in this way, it is possible to remove frictional heat and grinding debris generated by grinding.
  • the technology according to the present disclosure appropriately processes the substrate into a desired shape in a processing apparatus that processes the substrate while supplying grinding water.
  • a processing apparatus that processes the substrate while supplying grinding water.
  • the wafer W as a substrate is ground and thinned.
  • the wafer W is a semiconductor wafer such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer.
  • a device is formed on the wafer W, and a surface opposite to the formation surface of the device is subjected to processing such as grinding.
  • the surface of the wafer W on which the device is formed and which is held by the chuck as a holding mechanism is referred to as a "holding surface", and processing such as grinding on the side opposite to the holding surface is performed.
  • the surface may be referred to as the "ground surface”.
  • the processing apparatus 1 has a configuration in which the loading / unloading station 2 and the processing station 3 are integrally connected.
  • a cassette C capable of accommodating a plurality of wafers W is loaded / unloaded from the outside.
  • the processing station 3 includes various processing devices that perform desired processing on the wafer W.
  • the loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10. Further, on the Y-axis positive direction side of the cassette mounting table 10, a wafer transfer area 20 is provided adjacent to the cassette mounting table 10. The wafer transfer region 20 is provided with a wafer transfer device 22 configured to be movable on a transfer path 21 extending in the X-axis direction.
  • the wafer transfer device 22 has a transfer fork 23 that holds and conveys the wafer W.
  • the transport fork 23 is configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, the horizontal axis, and the vertical axis.
  • the wafer transfer device 22 is configured to be able to transfer the wafer W to the cassette C of the cassette mounting table 10, the alignment unit 50 described later, and the first cleaning unit 60 described later.
  • the processing station 3 includes a transport unit 30 that transports the wafer W, a grinding unit 40 that grinds the wafer W, an alignment unit 50 that adjusts the horizontal orientation of the wafer W before the grinding process, and a pre-grinding process or a process. It has a first cleaning unit 60 for cleaning the subsequent wafer W and a second cleaning unit 70.
  • the transport unit 30 is an articulated robot equipped with a plurality of, for example, three arms 31. Each of the three arms 31 is configured to be rotatable. A transport pad 32 that attracts and holds the wafer W is attached to the arm 31 at the tip. Further, the arm 31 at the base end is attached to an elevating mechanism 33 that raises and lowers the arm 31 in the vertical direction.
  • the transfer unit 30 is configured to be able to transfer the wafer W to the delivery position A0 of the grinding unit 40, the alignment unit 50, the first cleaning unit 60, and the second cleaning unit 70.
  • the grinding unit 40 is provided with a rotary table 41.
  • a rotary table 41 On the rotary table 41, four chucks 42 as a holding mechanism for sucking and holding the wafer W are provided.
  • a porous chuck is used for the chuck 42 to suck and hold the holding surface of the wafer W.
  • the surface of the chuck 42 has a convex shape in which the central portion protrudes from the end portion in the side view. Although the protrusion of the central portion is small, in FIG. 2, the protrusion of the central portion of the chuck 42 is largely illustrated for the sake of clarity of explanation.
  • the chuck 42 is held by the chuck base 43.
  • the chuck base 43 is provided with various grinding mechanisms (a rough grinding section 80, a medium grinding section 90 and a finish grinding section 100, which will be described later) and a tilt adjusting section 44 for adjusting the relative tilt of the chuck 42.
  • the tilt adjusting unit 44 can tilt the chuck 42 and the chuck base 43, whereby the relative tilt between the various grinding mechanisms at the machining positions A1 to A3 and the upper surface of the chuck 42 can be adjusted.
  • the configuration of the tilt adjusting unit 44 is not particularly limited, and can be arbitrarily selected as long as the relative angle (parallelism) of the chuck 42 with respect to the grinding wheel can be adjusted.
  • the four chucks 42 can be moved to the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3 by rotating the rotary table 41. Further, each of the four chucks 42 is configured to be rotatable around a vertical axis by a rotation mechanism (not shown).
  • the wafer W is delivered by the transport unit 30.
  • a rough grinding section 80 is arranged at the machining position A1 to roughly grind the wafer W.
  • a medium grinding unit 90 is arranged at the processing position A2, and the wafer W is medium-grinded.
  • a finish grinding unit 100 is arranged at the processing position A3 to finish grind the wafer W.
  • the rough grinding section 80 includes a rough grinding wheel 81 having an annular rough grinding wheel 81a on the lower surface, a mount 82 for supporting the rough grinding wheel 81, a spindle 83 for rotating the rough grinding wheel 81 via the mount 82, and a rough grinding wheel 83.
  • a drive unit 84 containing a motor not shown.
  • the rough grinding portion 80 is configured to be movable in the vertical direction along the support column 85 shown in FIG.
  • the chuck 42 has a convex shape at the center of the holding surface. Therefore, when the wafer W is ground using the rough grinding portion 80, a part of the annular rough grinding wheel 81a comes into contact with the wafer W as a processing point R, as shown by the thick line portion in FIG. More specifically, the annular rough grinding wheel 81a and the outer peripheral end portion of the wafer W are in contact with each other in an arcuate shape, and the chuck 42 and the rough grinding wheel 81 are rotated in such a state to rotate the wafer W. The entire surface of the is ground.
  • a first grinding water flow path 86a formed so as to penetrate in the axial direction of the spindle 83 is formed inside the spindle 83.
  • a grinding water supply source 87 is connected to one end of the first grinding water flow path 86a. Further, the other end of the first grinding water flow path 86a communicates with the second grinding water flow path 86b, which will be described later, formed inside the mount 82.
  • the rough grinding wheel 81 has a flange 81b and a radiation plate 81c attached to the lower center of the mount 82.
  • the annular rough grinding wheel 81a is attached to the radial outer lower portion of the flange 81b.
  • the diameter of the radiation plate 81c is formed to be smaller than the inner diameter of the coarse grinding wheel 81a attached to the lower part of the flange 81b.
  • a second grinding water flow path 86b is formed inside the mount 82.
  • One end of the second grinding water flow path 86b communicates with the above-mentioned first grinding water flow path 86a.
  • the other end of the second grinding water flow path 86b is connected to a dispersion chamber 88 formed as a radial slit between the mount 82 and the radiation plate 81c. Further, the dispersion chamber 88 communicates with the gap between the mount 82 as the third grinding water flow path 86c and the radiation plate 81c.
  • the grinding water from the grinding water supply source 87 reaches the dispersion chamber 88 via the first grinding water flow path 86a and the second grinding water flow path 86b as shown by the black arrow in FIG. 6, and reaches the radiation plate.
  • the grinding water dispersed in the dispersion chamber 88 in the radial direction is passed through the third grinding water flow path 86c, the lower surface of the mount 82, and the flange 81b by the centrifugal force accompanying the rotation of the spindle 83 (coarse grinding wheel 81). It is supplied to the rough grinding wheel 81a and the grinding surface of the wafer W.
  • the grinding water from the grinding water supply source 87 is cleaned by removing grinding debris and the like generated by grinding from the third grinding water flow path 86c, the lower surface of the mount 82, the flange 81b and the rough grinding wheel 81a, and is generated by grinding.
  • the frictional heat is removed from the grinding surface of the rough grinding wheel 81a and the wafer W.
  • the grinding water supplied from the grinding water supply source 87 to the wafer W via the mount 82 may be referred to as “flange grinding water”.
  • a thickness measuring mechanism 110 for measuring the thickness of the wafer W during or after the rough grinding process is provided at the processing position A1.
  • the configuration of the thickness measuring mechanism 110 can be arbitrarily selected, but has, for example, a contact type sensor (not shown), a non-contact type sensor (not shown), and a calculation unit (not shown). There is.
  • the medium grinding unit 90 has the same configuration as the rough grinding unit 80. That is, the medium grinding unit 90 has a medium grinding wheel 91 including an annular medium grinding wheel 91a, a mount 92, a spindle 93, a driving unit 94, and a support column 95. Further, inside the medium grinding unit 90, a grinding water flow path 96 for supplying the grinding water from the grinding water supply source 97 to the grinding surface of the medium grinding wheel 91a and the wafer W, and a dispersion chamber 98 are formed. There is. The grain size of the grindstone of the medium grinding wheel is smaller than the grain size of the grindstone of the coarse grinding wheel.
  • the processing position A2 is provided with a thickness measuring mechanism 110 for measuring the thickness of the wafer W during or after the middle grinding process, as in the processing position A1.
  • the configuration of the thickness measuring mechanism 110 can be arbitrarily selected, but has, for example, a contact type sensor (not shown), a non-contact type sensor (not shown), and a calculation unit (not shown). There is.
  • the finish grinding unit 100 has the same configuration as the rough grinding unit 80. That is, the finish grinding unit 100 has a finish grinding wheel 101 including an annular finish grinding wheel 101a, a mount 102, a spindle 103, a drive unit 104, and a support column 105. Further, inside the finish grinding unit 100, a finishing grinding wheel 101a for supplying the grinding water from the grinding water supply source 107, a grinding water flow path 106 for supplying the grinding surface of the wafer W, and a dispersion chamber 108 are formed. There is. The grain size of the grindstone of the medium grinding wheel is smaller than the grain size of the grindstone of the coarse grinding wheel.
  • the processing position A3 is provided with a thickness measuring mechanism 110 for measuring the thickness of the wafer W during or after the finish grinding process, similarly to the processing positions A1 and A2.
  • the configuration of the thickness measuring mechanism 110 can be arbitrarily selected, and has, for example, a non-contact type sensor (not shown) and a calculation unit (not shown). Further, at the processing position A3, the thickness measuring mechanism 110 can acquire the thickness distribution of the wafer W from the measurement results (thickness of the wafer W) at a plurality of points by the sensor and calculate the TTV of the wafer W.
  • the processing position A3 (finishing grinding unit 100) is provided with a adjusting water supply mechanism that supplies adjusting water to the ground surface of the wafer W during the finishing grinding process of the wafer W.
  • a adjusting water supply mechanism that supplies adjusting water to the ground surface of the wafer W during the finishing grinding process of the wafer W.
  • the outer nozzle 120 is provided above the chuck 42, and is configured to be able to supply the adjusting water from the adjusting water supply source 121 to the grinding surface of the wafer W on the radial outside of the finishing grinding wheel 101a. There is. Further, the outer nozzle 120 is configured so that the supply position of the adjusting water with respect to the grinding surface of the wafer W can be arbitrarily set by the operation of the supply position adjusting mechanism 122.
  • the configuration of the supply position adjusting mechanism 122 is not particularly limited, and for example, by scanning and moving the outer nozzle 120 above the wafer W, the relative position of the outer nozzle 120 with respect to the grinding surface of the wafer W can be adjusted. It may be configured.
  • the inclination angle of the outer nozzle 120 with respect to the grinding surface of the wafer W may be adjustable so that the supply direction of the adjusting water can be set. Further, it is preferable that the outer nozzle 120 is configured so that the supply amount of the adjusted water to the ground surface of the wafer W can be set by the flow rate adjusting mechanism 123.
  • the inner nozzle 130 is provided below the finishing grinding wheel 101 so that the adjusting water from the adjusting water supply source 131 can be supplied to the grinding surface of the wafer W inside the finishing grinding wheel 101a in the radial direction.
  • the inner nozzle 130 is configured so that the supply position of the adjusting water with respect to the grinding surface of the wafer W can be arbitrarily set by the operation of the supply position adjusting mechanism 132.
  • the configuration of the supply position adjusting mechanism 132 is not particularly limited, and may be configured so that the supply position of the adjusting water can be set by moving the inner nozzle 130, for example.
  • the inclination angle of the inner nozzle 130 with respect to the horizontal direction may be adjustable so that the supply direction of the adjusted water can be set. Further, it is preferable that the inner nozzle 130 is configured so that the supply amount of the adjusting water to the ground surface of the wafer W can be set by the flow rate adjusting mechanism 133.
  • the outer nozzle 120 and the inner nozzle 130 are configured to be movable in an arbitrary direction by the operation of the supply position adjusting mechanisms 122 and 132 in order to supply the adjusting water to an arbitrary position on the grinding surface. Is desirable. However, from the viewpoint of appropriately removing grinding debris, frictional heat, etc. generated when grinding the wafer W, the outer nozzle 120 and the inner nozzle 130 are configured to be at least movable along the processing point R shown in FIG. It is especially desirable to be done.
  • the method of adjusting the supply position of the adjusted water to the machined surface by the supply position adjusting mechanisms 122 and 132 and the method of adjusting the supply amount of the adjusted water to the machined surface by the flow rate adjusting mechanisms 123 and 133 can be arbitrarily determined. For example, it may be automatically adjusted according to the measurement result (in-plane thickness distribution of the wafer W) by the thickness measuring mechanism 110, or may be manually adjusted by the operator according to the measurement result.
  • the supply position of the adjustment water from the outer nozzle 120 is controlled by the operation of the supply position adjustment mechanism 122, but the control method of the adjustment water supply position is not limited to this.
  • a plurality of outer nozzles 120a, 120b, 120c capable of independently supplying the adjusting water to different positions of the wafer W may be provided, and in the illustrated example, three outer nozzles 120a, 120b, 120c may be provided.
  • an arbitrary outer nozzle 120 is selected according to the supply position of the adjusting water, and the adjusting water is supplied from the selected outer nozzle 120 to an arbitrary position of the wafer W by controlling the switching valve 124.
  • each of the plurality of outer nozzles 120 corresponds to the "adjusted water supply nozzle" according to the technique of the present disclosure. It is preferable that the outer nozzles 120a, 120b, and 120c are configured so that the supply amount of the adjusting water to the grinding surface of the wafer W can be set by the flow rate adjusting mechanism 123.
  • a plurality of inner nozzles 130 for independently supplying the adjusting water to different positions of the wafer W may be provided.
  • the outer nozzle 120 and / or the inner nozzle 130 as the adjusting water supply mechanism has a machining position A1 (rough grinding section 80) and a machining position A2 (medium grinding section) in addition to the machining position A3 (finish grinding section 100). It may be further provided in 90).
  • the above processing device 1 is provided with a control unit 140.
  • the control unit 140 is, for example, a computer equipped with a CPU, a memory, or the like, and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program that controls the processing of the wafer W in the processing apparatus 1. Further, a program for controlling the grinding process operation, which will be described later, is further stored in the program storage unit.
  • the program may be recorded on a storage medium H readable by a computer and may be installed on the control unit 140 from the storage medium H.
  • the storage medium H may be temporary or non-temporary.
  • the processing apparatus 1 according to the present embodiment is configured as described above.
  • the amount of flange grinding water supplied to the grinding surface is smaller than the total amount of flange grinding water supplied from the grinding water supply source, and in particular, the thickness of the central portion of the wafer W after the grinding process is the thickness of the outer peripheral portion. (The amount of grinding in the center is large). This is because the central portion of the wafer W tends to expand due to the concentration of frictional heat, and when grinding is performed by supplying only flange grinding water as described above, the amount of cooling in the central portion of the wafer W is insufficient. This is considered to be due to the fact that the expansion of the wafer W cannot be appropriately suppressed.
  • the thickness is small due to the influence of the concentration of frictional heat and the like (hereinafter, the region where the thickness is small in the plane of the wafer W is referred to as a “singular point”. ), but depending on the conditions of grinding, for example, singular points may occur at other points in the plane of the wafer W.
  • the TTV of the wafer W after the grinding process is obtained by supplying the adjusting water from the adjusting water supply mechanism to the predicted position of the occurrence of the singular point. I found that it could be improved. That is, for example, prior to the wafer W processing process (actual processing), the grinding processing result of the preceding wafer (for example, a dummy wafer or another wafer W previously processed by the processing apparatus 1) in the processing apparatus 1 and the TTV. It has been found that the TTV of the wafer W can be improved by predicting the position where the singularity is generated and performing the actual processing of the wafer W based on the grinding process result.
  • the present inventors supply the adjusting water from the outer nozzle 120 as the adjusting water supply mechanism to perform the grinding process of the wafer W in the finishing grinding section 100 of the processing apparatus 1, and the grinding process result of the wafer W is performed.
  • Measurement result of the thickness of the wafer W was acquired. That is, the rough grinding and the medium grinding of the wafer W are sequentially performed while supplying the flange grinding water, and the finish grinding is performed while supplying the flange grinding water and the adjusting water to obtain the finished shape of the wafer W after the finish grinding process.
  • the in-plane thickness distribution was measured by the thickness measuring mechanism 110.
  • the case where the outer nozzle 120 is used as the adjusting water supply mechanism will be described as an example, but of course, the inner nozzle 130 may be used as the adjusting water supply mechanism.
  • FIG. 9 is a graph showing the grinding process result (thickness measurement result: thickness distribution) of the wafer W after performing the finish grinding process by supplying the flange grinding water and the adjusting water from the outer nozzle 120.
  • Experimental Example 1 is a comparative example when the adjusting water from the outer nozzle 120 is supplied to the central portion of the wafer W
  • Experimental Example 2 is a comparative example when the adjusting water from the outer nozzle 120 is supplied to the outer peripheral portion of the wafer W. Shows the results of the grinding process in the case where the adjusting water from the outer nozzle 120 is not supplied.
  • the supply amount of flange grinding water was the same in all of Experimental Examples 1, 2 and Comparative Examples.
  • the in-plane thickness of the wafer W after the finish grinding process is made uniform by performing the finish grinding process while supplying the adjusting water to the central portion (position where the singular point is generated) of the wafer W. It was found that TTV was improved. It is considered that this is because the temperature influence that causes the deterioration of TTV can be alleviated by promoting the cooling of the central portion where the frictional heat generated by the grinding of the wafer W tends to concentrate as described above.
  • FIG. 10 is a graph showing the grinding treatment result (thickness distribution) of the wafer W after the finish grinding treatment when the supply amount of the adjusted water to the central portion of the wafer W is changed.
  • the amount of flange grinding water supplied was kept constant even when the grinding process results shown in FIG. 10 were obtained.
  • the measurement result of the thickness of the wafer W after the finish grinding process greatly changes depending on the amount of the adjusting water supplied to the ground surface (above the chuck 42) of the wafer W. Specifically, it was found that by increasing the supply amount of the adjusting water to the central portion of the wafer W, the grinding amount in the central portion of the wafer W can be reduced and the TTV can be improved. Further, as shown in FIG. 10, it was found that the finished shape of the central portion of the wafer W becomes convex by further increasing the supply amount of the adjusting water to the central portion of the wafer W. In other words, we have found the possibility that the finished shape of the wafer W after the grinding process can be arbitrarily controlled by controlling the supply amount of the adjusted water to the wafer W.
  • the verification is performed by taking as an example the case where the adjusting water is supplied to the central portion of the wafer W where the singularity is generated, but the supply position and the supply amount of the adjusting water are in the plane of the wafer W. It has been found that the shape of the wafer W after the grinding process can be arbitrarily controlled by selectively controlling the wafer W.
  • the TTV of the wafer after the grinding process is measured in advance, and the adjusting water is supplied to the position where the singular point is generated (the position where the thickness is desired to be increased) based on the obtained measurement result.
  • the processing apparatus 1 first, when setting up the processing apparatus 1 or setting conditions for the wafer W processing process, what is the finished shape of the wafer W after various grinding processes by the processing apparatus 1? Check if such a tendency occurs. The tendency of the finished shape is confirmed, for example, by actually grinding a dummy wafer or the like in the processing apparatus 1.
  • the cassette C containing the dummy wafer is placed on the cassette mounting table 10 of the loading / unloading station 2.
  • the dummy wafer is taken out from the cassette C by the transfer fork 23 of the wafer transfer device 22, and is transferred to the alignment unit 50 of the processing station 3.
  • the horizontal orientation of the dummy wafer is adjusted by adjusting the position of the notch portion (not shown) formed on the dummy wafer.
  • the dummy wafer whose horizontal orientation is adjusted is then conveyed from the alignment unit 50 by the transfer unit 30 and delivered to the chuck 42 at the delivery position A0. Subsequently, the rotary table 41 is rotated to sequentially move the dummy wafer held by the chuck 42 to the processing positions A1 to A3.
  • the rough grinding section 80 roughly grinds the ground surface of the dummy wafer.
  • the ground surface of the dummy wafer is medium-ground by the medium-grinding unit 90.
  • the finishing grinding unit 100 finish-grinds the ground surface of the dummy wafer.
  • Various grinding processes (rough grinding, medium grinding and finish grinding) of these dummy wafers are performed while supplying flange grinding water to the grinding surface of the dummy wafer (and the inner peripheral surface of the grinding wheel).
  • the thickness measuring mechanism 110 measures the thickness of a plurality of points including the vicinity of the central portion and the peripheral portion of the dummy wafer while rotating the dummy wafer, whereby the thickness distribution of the dummy wafer is measured. And flatness (TTV) is calculated.
  • the calculated thickness distribution and TTV are output to, for example, the control unit 140. Then, based on the measurement result by the thickness measuring mechanism 110, a position (singular point) where the thickness is thin is detected in the plane of the dummy wafer. The detected singularity is output to, for example, the control unit 140, and is feedback-controlled to the actual processing of the wafer W as described later.
  • the chuck 42 holding the dummy wafer is then moved to the delivery position A0 by rotating the rotary table 41. After that, the dummy wafer is transferred from the delivery position A0 to the cassette C of the cassette mounting table 10 via the second cleaning unit 70 and the first cleaning unit 60, whereby the finished shape of the finished shape is performed prior to the actual processing of the wafer W.
  • the trend confirmation operation ends.
  • the cassette C containing a plurality of wafers W is placed on the cassette mounting table 10 of the loading / unloading station 2.
  • the wafer W is taken out from the cassette C by the transfer fork 23 of the wafer transfer device 22, the horizontal direction is adjusted by the alignment unit 50, and then the wafer W is transferred to the chuck 42 at the transfer position A0 by the transfer unit 30. ..
  • the rotary table 41 is subsequently rotated to sequentially move the wafer W held by the chuck 42 to the processing positions A1 to A3.
  • the rough grinding portion 80 roughly grinds the ground surface of the wafer W.
  • the ground surface of the wafer W is medium-ground by the medium-grinding unit 90.
  • the finishing grinding unit 100 finish-grinds the ground surface of the wafer W.
  • flange grinding water is applied to the grinding surface of the wafer W (and the inner peripheral surface of the grinding wheel) in the same manner as the grinding process for the dummy wafer. It is done while supplying.
  • the adjusting water is further supplied to the radial position corresponding to the singular point detected by grinding the dummy wafer.
  • the wafer W after the finish grinding process has a small portion (singular point) with respect to the wafer W (chuck 42) only with the flange grinding water supplied to the entire circumference of the finish grinding wheel 101. It is considered that the cooling capacity is insufficient and the wafer W (chuck 42) expands.
  • the expansion of the wafer W (chuck 42) is suppressed by further supplying the adjusting water from the outer nozzle 120 to the predicted position of the occurrence of the singular point. It is possible to prevent the wafer W after the finish grinding process from having a small portion (singular point). That is, the TTV of the wafer W after the finish grinding process can be improved.
  • the heat that causes the expansion of the wafer W (chuck 42) in the processing apparatus 1 is mainly frictional heat generated by processing the wafer W.
  • the amount of frictional heat generated during processing is determined by the process conditions of the grinding process performed on the wafer W. In other words, even when the grinding process is performed on a plurality of different wafers W, the amount of frictional heat generated is considered to be substantially constant if the grinding process is performed under the same process conditions. For this reason, it is not necessary to determine the supply position and supply amount of the adjusted water for each wafer W to be ground, and as described above, the finished shape is used when setting up the processing apparatus 1 or when setting the conditions for the wafer W processing process. By confirming the tendency of the above, the TTV required for the actual processing of the wafer W can be appropriately improved.
  • the supply position of the adjusting water from the outer nozzle 120 is preferably set immediately after the downstream side of the processing point R in the rotation direction of the wafer W (chuck 42). In other words, it is preferable to set the supply position of the adjusting water so that the frictional heat generated by the processing can be removed immediately after the frictional heat is generated (immediately after the temperature of the wafer W rises due to the frictional heat).
  • the adjusting water from the outer nozzle 120 and / or the inner nozzle 130 may be constantly supplied during the finish grinding process for the wafer W, or may be started from the middle of the finish grinding process. That is, if the frictional heat generated during the finish grinding process can be removed and the finished shape of the wafer W can be appropriately adjusted, the supply start timing and supply time of the adjusted water to the wafer W can be arbitrarily changed. By changing the supply start timing and supply time of the adjustment water in this way, the supply amount of the adjustment water to the wafer W can be reduced, and the amount of the adjustment water used in the finish grinding process can be saved.
  • the thickness measuring mechanism 110 measures the thickness of a plurality of points including the vicinity of the central portion and the vicinity of the peripheral portion of the wafer W while rotating the wafer W, whereby the thickness of the wafer W is measured.
  • the thickness distribution and flatness (TTV) of the are calculated.
  • the calculated thickness distribution and TTV are output to, for example, the control unit 140.
  • the rotary table 41 is rotated to move the chuck 42 to the delivery position A0.
  • the wafer W is conveyed from the delivery position A0 to the second cleaning unit 70 by the transfer unit 30, and is washed and dried while being held by the transfer pad 32.
  • the wafer W is transported from the second cleaning unit 70 to the first cleaning unit 60 by the transport unit 30, and is cleaned using a cleaning liquid nozzle (not shown).
  • the wafer W to which all the processing has been performed is transferred to the cassette C of the cassette mounting table 10 by the transfer fork 23 of the wafer transfer device 22. In this way, a series of machining processes in the machining apparatus 1 are completed.
  • the thickness distribution and TTV of the dummy wafer after the finish grinding process were measured, and the supply of adjusted water during the actual processing of the wafer W was controlled based on the measurement results.
  • the calculated TTV value falls within a predetermined threshold value, it is determined that no singular point is generated in the wafer W after the finish grinding process, and it is determined that the supply of the adjusting water is unnecessary. You can also do it. That is, when the calculated TTV value deviates from the threshold value, the singular point may be calculated and the supply position and supply amount of the adjusted water may be adjusted.
  • the processing may be controlled under such conditions (for example, supply position, supply amount).
  • the occurrence predicted position of the singular point in the grinding surface of the wafer W is determined based on the tendency of the finished shape acquired in advance by the grinding process of the dummy wafer.
  • Supply conditioning water As a result, the thermal expansion of the wafer W (chuck 42) at the supply position of the adjusted water is suppressed, and as a result, the deterioration of the TTV of the wafer W due to the thermal expansion is appropriately suppressed.
  • the adjusting water from the outer nozzle 120 (inner nozzle 130) can be supplied to an arbitrary position in the grinding surface of the wafer W.
  • the adjusting water can be supplied to the position where the singular point is generated, that is, the TTV of the wafer W can be appropriately improved.
  • the supply flow rate of the adjusting water supplied in the plane of the wafer W can be appropriately changed.
  • the cooling amount of the wafer W can be arbitrarily set to determine the grinding amount, and the finished shape of the wafer W can be appropriately controlled.
  • the flange grinding water is supplied through the flow path formed inside the various grinding mechanisms. Therefore, the grinding debris generated during the grinding process can be appropriately discharged. In addition, the inside of the grinding wheel and the mount can be kept clean.
  • the supply amount of the flange grinding water to the grinding surface is the grinding water supply. It is less than the total amount of flange grinding water supplied from the source. Therefore, if it is attempted to remove the frictional heat generated during the grinding of the wafer W by using only the flange grinding water, the supply amount of the flange grinding water becomes enormous.
  • the wafer W in addition to the supply of the flange grinding water, it is necessary to increase the supply amount of the flange grinding water in order to further supply the adjusting water from the adjusting water supply mechanism to the predicted position of the occurrence of the singular point. do not have. That is, the wafer W can be processed into a desired shape by appropriately removing frictional heat while appropriately cleaning the grinding wheel and the mount without using a large amount of flange grinding water.
  • the technique according to the present disclosure is of a type that supplies the flange grinding water according to the present embodiment when the amount of grinding water supplied to the grinding surface of the wafer W cannot be sufficiently secured during the grinding process of the wafer W. It can be particularly preferably applied in a processing apparatus).
  • this description describes a processing device that does not use flange grinding water for grinding the wafer W, specifically, a processing device that uses water supplied from the inner nozzle 130 as grinding water instead of flange grinding water, as will be described later. , Does not prevent the technology according to this disclosure from being applied.
  • the thickness distribution and TTV of the dummy wafer after the finish grinding process were measured, and based on the measurement result, the finish grinding unit 100 performed the grinding process using the adjusting water.
  • the grinding process using the adjusting water is not limited to the finish grinding unit 100. That is, as described above, the outer nozzle 120 and the inner nozzle 130 as the adjusting water supply mechanism are provided in the rough grinding section 80 and the middle grinding section 90, and the rough grinding process and the middle grinding process are performed using the adjusting water. good.
  • the wafer W can be appropriately processed into a desired shape, particularly when it is clear that the cause of the occurrence of the singularity is the rough grinding portion 80 or the medium grinding portion 90.
  • the thickness distribution and TTV of the wafer W after the rough grinding process and the medium grinding process are acquired.
  • the acquisition of the thickness data may be performed by, for example, the thickness measuring mechanism 110 provided at each of the machining positions A1 and A2, or may be sequentially performed by, for example, the thickness measuring mechanism 110 provided at the machining position A3.
  • the adjusted water may be supplied from the adjusting water supply mechanism based on the thickness data of the wafer W after the acquired rough grinding process and the intermediate grinding process, and the grinding process may be performed. ..
  • the adjusting water for the grinding process is supplied from the outer nozzle 120
  • the adjusting water may be supplied from the inner nozzle 130.
  • the TTV of the wafer W after the finish grinding process can be appropriately improved as in the case of supplying the adjusting water from the outer nozzle 120. ..
  • the shape of the wafer W can be appropriately controlled. Specifically, for example, even if the shape of the wafer W after the finish grinding process has a tendency of the W component (singular points are generated at two points different in the radial direction), the shape of the wafer W can be changed. Can be controlled appropriately.
  • the case where the wafer W is ground by using the flange grinding water from the grinding water supply source 87 has been described as an example, but as described above, the inner is used instead of the flange grinding water.
  • the adjusting water from the nozzle 130 may be used as the grinding water. Specifically, when the grinding water is supplied from the inner nozzle 130 to the vicinity of the center of the machined surface of the wafer W instead of the flange grinding water, and a singular point is generated in the surface of the wafer W after the finish grinding process. Further, the adjusting water may be supplied from the outer nozzle 120 to the position where the singularity is generated.
  • the inner nozzle 130 corresponds to the "grinding water supply mechanism" and the "grinding water supply nozzle" according to the technique of the present disclosure.
  • the inner nozzle 130 is used as the grinding water supply mechanism in this way, in addition to supplying the adjusting water from the outer nozzle 120 to the outside in the radial direction of the finishing grinding wheel 101a, the radial direction of the finishing grinding wheel 101a It may be configured so that the adjusting water can be supplied to the inside. That is, for example, an inner nozzle for adjusting water (not shown) for supplying adjusting water may be further provided below the finish grinding wheel 101.
  • the case where the dummy wafer is ground when the tendency of the finished shape in the processing apparatus 1 is confirmed has been described as an example, but the processing is performed before the one wafer W which is the improvement target of the TTV.
  • the grinding process result (TTV data) of the other wafer W in which the above is performed may be fed back to the grinding process of one wafer W.
  • the feedback control associated with the grinding process result of the other wafer W may be performed on the wafer W for each lot carried into the processing apparatus 1, for example, or may be performed on the wafer W sheet to be processed. ..
  • the actual processing of the wafer W is started after confirming the tendency of the finished shape after the finishing grinding process using the dummy wafer, but after confirming that the acquired TTV value is within a predetermined threshold value. It is more preferable to start the actual processing of the wafer W.
  • Processing equipment Chuck 100 Finishing grindstone 101a Finishing grinding wheel 107 Grinding water supply source 120 Outer nozzle 130 Inner nozzle W wafer

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Abstract

基板を加工する加工装置であって、保持機構により保持された前記基板を加工する環状の研削砥石を備える研削機構と、前記基板の加工面に研削水を供給する研削水供給機構と、前記基板の加工面上における任意の位置を冷却する調整水を供給する調整水供給機構と、を有する加工装置。

Description

加工装置及び加工方法
　本開示は、加工装置及び加工方法に関する。
　特許文献１には、チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削ホイールと、被加工物の研削面及び研削ホイールに研削水を供給する研削水供給手段と、研削水供給手段に連通する研削水供給源と、を有する研削装置が開示されている。
日本国　特開２０１５－３００５５号公報
　本開示にかかる技術は、研削水を供給しながら基板を加工する加工装置において、当該基板を適切に所望の形状に加工する。
　本開示の一態様は、基板を加工する加工装置であって、保持機構により保持された前記基板を加工する環状の研削砥石を備える研削機構と、前記基板の加工面に研削水を供給する研削水供給機構と、前記基板の加工面上における任意の位置を冷却する調整水を供給する調整水供給機構と、を有する加工装置。
　本開示によれば、研削水を供給しながら基板を加工する加工装置において、当該基板を適切に所望の形状に加工することができる。
本実施形態にかかる加工装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。 各種研削機構及びチャックの構成の一例を示す側面図である。 ウェハの研削処理の様子を示す説明図である。 各種研削機構の内部に形成された研削水流路を示す縦断面図である。 研削ホイールの構成の概略を模式的に示す縦断面図である。 フランジ研削水の供給の様子を模式的に示す説明図である。 調整水供給機構の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。 調整水供給機構の他の構成例を示す斜視図である。 フランジ研削水及びアウターノズルからの調整水を供給した際におけるウェハの研削結果の一例を示すグラフである。 アウターノズルからの調整水の供給量を変化させた際におけるウェハの研削結果の一例を示すグラフである。
　近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体基板（以下、「ウェハ」という。）に対し、当該ウェハを研削して、ウェハを薄化することが行われている。
　ウェハの研削は、例えば保持機構でウェハの研削面とは反対側の面を保持した状態で当該保持機構を回転させながら、ウェハの研削面に研削機構の研削砥石を当接させることにより行われる。また、このウェハの研削に際しては、研削により発生する摩擦熱や研削屑等を除去して、研削雰囲気や研削砥石を清浄に保つための研削水の供給が行われている。
　特許文献１には、被加工物（ウェハ）に研削水を供給しながら研削を行う研削装置が開示されている。特許文献１に記載の加工装置によれば、スピンドル、マウント及び研削ホイールの内部を貫通して形成された流路、及び研削ホイールの下部に開口して形成された研削水供給口を介して、ウェハの研削面及び研削ホイールに対して研削水を供給している。このようにウェハの研削に際して研削水の供給を行うことにより、研削により発生する摩擦熱や研削屑等を除去することを図っている。
　しかしながら、本発明者らが鋭意検討したところ、このような従来の方法により研削水の供給しながら研削を行うと、研削処理後のウェハを所望の形状及び平坦度（ＴＴＶ：Ｔｏｔａｌ　Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）にできない場合があることがわかった。具体的には、特許文献１に示したように、研削水を研削ホイールの下部に形成された研削水供給口のみから供給した場合、摩擦熱の除去が適切に行われずにウェハ（保持機構）の面内で局所的に膨張が生じ、この結果、当該膨張部分において研削量が増加してＴＴＶが悪化するおそれがあることがわかった。
　本開示にかかる技術は、研削水を供給しながら基板を加工する加工装置において、当該基板を適切に所望の形状に加工する。以下、本実施形態にかかる加工装置、及び加工方法ついて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　本実施形態にかかる加工装置１では、基板としてのウェハＷを研削して薄化する。ウェハＷは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。ウェハＷにはデバイスが形成されており、当該デバイスの形成面とは逆側の面に対して研削等の処理が行われる。なお、以下の説明においては、ウェハＷにおけるデバイスの形成面であって保持機構としてのチャックに保持される側の面を「保持面」、保持面とは逆側の研削等の処理が行われる面を「研削面」、という場合がある。
　図１に示すように加工装置１は、搬入出ステーション２と処理ステーション３を一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション２では、例えば外部との間で複数のウェハＷを収容可能なカセットＣが搬入出される。処理ステーション３は、ウェハＷに対して所望の処理を施す各種処理装置を備えている。
　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。また、カセット載置台１０のＹ軸正方向側には、当該カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送領域２０が設けられている。ウェハ搬送領域２０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在に構成されたウェハ搬送装置２２が設けられている。
　ウェハ搬送装置２２は、ウェハＷを保持して搬送する搬送フォーク２３を有している。搬送フォーク２３は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸回りに移動自在に構成されている。そして、ウェハ搬送装置２２は、カセット載置台１０のカセットＣ、後述のアライメント部５０、及び後述の第１の洗浄部６０に対して、ウェハＷを搬送可能に構成されている。
　処理ステーション３では、ウェハＷに対して研削や洗浄などの処理が行われる。処理ステーション３は、ウェハＷの搬送を行う搬送部３０、ウェハＷの研削処理を行う研削部４０、研削処理前のウェハＷの水平方向の向きを調整するアライメント部５０、研削処理前、又は処理後のウェハＷを洗浄する第１の洗浄部６０、及び第２の洗浄部７０を有している。
　搬送部３０は、複数、例えば３つのアーム３１を備えた多関節型のロボットである。３つのアーム３１は、それぞれが旋回自在に構成されている。先端のアーム３１には、ウェハＷを吸着保持する搬送パッド３２が取り付けられている。また、基端のアーム３１は、アーム３１を鉛直方向に昇降させる昇降機構３３に取り付けられている。そして、搬送部３０は、研削部４０の受渡位置Ａ０、アライメント部５０、第１の洗浄部６０、及び第２の洗浄部７０に対して、ウェハＷを搬送可能に構成されている。
　研削部４０には回転テーブル４１が設けられている。回転テーブル４１上には、ウェハＷを吸着保持する保持機構としてのチャック４２が４つ設けられている。チャック４２には例えばポーラスチャックが用いられ、ウェハＷの保持面を吸着保持する。チャック４２の表面は、側面視において中央部が端部に比べて突出した凸形状を有している。なおこの中央部の突出は微小であるが、図２においては、説明の明瞭化のためチャック４２の中央部の突出を大きく図示している。
　図２に示すように、チャック４２はチャックベース４３に保持されている。チャックベース４３には、各種研削機構（後述する粗研削部８０、中研削部９０及び仕上研削部１００）とチャック４２の相対的な傾きを調整する傾き調整部４４が設けられている。傾き調整部４４はチャック４２及びチャックベース４３を傾斜させることができ、これにより、加工位置Ａ１～Ａ３の各種研削機構とチャック４２の上面との相対的な傾きを調整できる。なお、傾き調整部４４の構成は特に限定されるものではなく、研削砥石に対するチャック４２の相対的な角度（平行度）を調整することができれば、任意に選択できる。
　４つのチャック４２は、回転テーブル４１が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１～Ａ３に移動可能になっている。また、４つのチャック４２はそれぞれ、回転機構（図示せず）によって鉛直軸回りに回転可能に構成されている。
　受渡位置Ａ０では、搬送部３０によるウェハＷの受け渡しが行われる。加工位置Ａ１には粗研削部８０が配置され、ウェハＷを粗研削する。加工位置Ａ２には中研削部９０が配置され、ウェハＷを中研削する。加工位置Ａ３には仕上研削部１００が配置され、ウェハＷを仕上研削する。
　粗研削部８０は、下面に環状の粗研削砥石８１ａを備える粗研削ホイール８１、当該粗研削ホイール８１を支持するマウント８２、当該マウント８２を介して粗研削ホイール８１を回転させるスピンドル８３、及び、例えばモータ（図示せず）を内蔵する駆動部８４を有している。また粗研削部８０は、図１に示す支柱８５に沿って鉛直方向に移動可能に構成されている。
　ここで、上述したようにチャック４２は保持面の中央部に凸形状を有している。このため、粗研削部８０を用いたウェハＷの研削処理に際しては、図３の太線部に示すように、環状の粗研削砥石８１ａの一部が加工点ＲとしてウェハＷと接触する。より具体的には、環状の粗研削砥石８１ａとウェハＷの中心部から外周端部までが円弧線状に接触し、かかる状態でチャック４２と粗研削ホイール８１をそれぞれ回転させることによって、ウェハＷの全面が研削処理される。
　図４に示すように、スピンドル８３の内部には、当該スピンドル８３の軸方向に貫通して形成された第１の研削水流路８６ａが形成されている。第１の研削水流路８６ａの一端部には、研削水供給源８７が接続されている。また、第１の研削水流路８６ａの他端部は、マウント８２の内部に形成された後述の第２の研削水流路８６ｂと連通している。
　図５に示すように粗研削ホイール８１は、フランジ８１ｂと、マウント８２の中央下部に取り付けられる放射プレート８１ｃと、を有している。環状の粗研削砥石８１ａは、当該フランジ８１ｂの径方向外側下部に取り付けられる。また、放射プレート８１ｃの直径は、フランジ８１ｂの下部に取り付けられる粗研削砥石８１ａの内径よりも小さく形成されている。
　マウント８２の内部には、第２の研削水流路８６ｂが形成されている。第２の研削水流路８６ｂの一端部は、先述の第１の研削水流路８６ａと連通している。第２の研削水流路８６ｂの他端部は、マウント８２と放射プレート８１ｃの間で放射状のスリットとして形成された分散室８８に接続されている。また分散室８８には、第３の研削水流路８６ｃとしてのマウント８２と放射プレート８１ｃとの間隙に連通している。
　そして、研削水供給源８７からの研削水は、図６の黒矢印に示すように第１の研削水流路８６ａ、及び第２の研削水流路８６ｂを介して分散室８８に到達し、放射プレート８１ｃの上面において、当該放射プレート８１ｃの径方向に分散される。その後、分散室８８で径方向に分散された研削水は、スピンドル８３（粗研削ホイール８１）の回転に伴う遠心力により、第３の研削水流路８６ｃ、マウント８２の下面、及びフランジ８１ｂを通じて、粗研削砥石８１ａ、及びウェハＷの研削面に供給される。そして研削水供給源８７からの研削水は、研削により生じる研削屑等を第３の研削水流路８６ｃ、マウント８２の下面、フランジ８１ｂ及び粗研削砥石８１ａから除去して洗浄するとともに、研削により生じる摩擦熱を粗研削砥石８１ａ及びウェハＷの研削面から除去する。なお、以下の説明において、研削水供給源８７からマウント８２を介してウェハＷに供給される研削水を、「フランジ研削水」と言う場合がある。
　また図１に示すように、加工位置Ａ１には、粗研削処理中、又は処理後のウェハＷの厚みを計測する厚み測定機構１１０が設けられている。厚み測定機構１１０の構成は任意に選択することができるが、例えば接触式のセンサ（図示せず）や非接触式のセンサ（図示せず）、及び演算部（図示せず）を有している。
　中研削部９０は粗研削部８０と同様の構成を有している。すなわち中研削部９０は、環状の中研削砥石９１ａを備える中研削ホイール９１、マウント９２、スピンドル９３、駆動部９４、及び支柱９５を有している。また、中研削部９０の内部には、研削水供給源９７からの研削水を中研削砥石９１ａ、及びウェハＷの研削面に供給するための研削水流路９６、及び分散室９８が形成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。
　また加工位置Ａ２には、加工位置Ａ１と同様に、中研削処理中、又は処理後のウェハＷの厚みを計測する厚み測定機構１１０が設けられている。厚み測定機構１１０の構成は任意に選択することができるが、例えば接触式のセンサ（図示せず）や非接触式のセンサ（図示せず）、及び演算部（図示せず）を有している。
　仕上研削部１００は粗研削部８０と同様の構成を有している。すなわち仕上研削部１００は、環状の仕上研削砥石１０１ａを備える仕上研削ホイール１０１、マウント１０２、スピンドル１０３、駆動部１０４、及び支柱１０５を有している。また、仕上研削部１００の内部には、研削水供給源１０７からの研削水を仕上研削砥石１０１ａ、及びウェハＷの研削面に供給するための研削水流路１０６、及び分散室１０８が形成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。
　また加工位置Ａ３には、加工位置Ａ１、Ａ２と同様に、仕上研削処理中、又は処理後のウェハＷの厚みを計測する厚み測定機構１１０が設けられている。厚み測定機構１１０の構成は任意に選択することができるが、例えば非接触式のセンサ（図示せず）と、演算部（図示せず）を有している。また加工位置Ａ３では、厚み測定機構１１０は、センサによる複数点の測定結果（ウェハＷの厚み）からウェハＷの厚み分布を取得し、当該ウェハＷのＴＴＶを算出することが可能である。
　また加工位置Ａ３（仕上研削部１００）には、ウェハＷの仕上研削処理に際して当該ウェハＷの研削面に調整水を供給する、調整水供給機構が設けられている。調整水供給機構としては、チャック４２の上方に設けられるアウターノズル１２０、又は、仕上研削ホイール１０１の下方に設けられるインナーノズル１３０のうち、少なくともいずれかを選択することができる。
　図７に示すようにアウターノズル１２０はチャック４２の上方に設けられ、仕上研削砥石１０１ａの径方向外側において、調整水供給源１２１からの調整水をウェハＷの研削面に供給可能に構成されている。またアウターノズル１２０は、供給位置調整機構１２２の動作により、ウェハＷの研削面に対する調整水の供給位置を任意に設定可能に構成されている。供給位置調整機構１２２の構成は特に限定されるものではなく、例えばアウターノズル１２０をウェハＷの上方でスキャン移動させることで、ウェハＷの研削面に対するアウターノズル１２０の相対的な位置を調整可能に構成されていてもよい。また例えば、ウェハＷの研削面に対するアウターノズル１２０の傾斜角度を調整可能に構成することで、調整水の供給方向を設定可能に構成されていてもよい。また、アウターノズル１２０は、流量調整機構１２３により、ウェハＷの研削面に対する調整水の供給量を設定可能に構成されることが好ましい。
　図７に示すようにインナーノズル１３０は仕上研削ホイール１０１の下方に設けられ、仕上研削砥石１０１ａの径方向内側において、調整水供給源１３１からの調整水をウェハＷの研削面に供給可能に構成されている。またインナーノズル１３０は、供給位置調整機構１３２の動作により、ウェハＷの研削面に対する調整水の供給位置を任意に設定可能に構成されている。供給位置調整機構１３２の構成は特に限定されるものではなく、例えばインナーノズル１３０を移動させることで、調整水の供給位置を設定可能に構成されていてもよい。また例えば、水平方向に対するインナーノズル１３０の傾斜角度を調整可能に構成することで、調整水の供給方向を設定可能に構成されていてもよい。また、インナーノズル１３０は、流量調整機構１３３により、ウェハＷの研削面に対する調整水の供給量を設定可能に構成されることが好ましい。
　なお、上述したようにアウターノズル１２０及びインナーノズル１３０は、研削面における任意の位置に調整水を供給するため、供給位置調整機構１２２、１３２の動作により任意の方向に移動可能に構成されることが望ましい。ただし、ウェハＷの研削に際して発生する研削屑や摩擦熱等を適切に除去するという観点からは、アウターノズル１２０及びインナーノズル１３０は、図３に示した加工点Ｒに沿って少なくとも移動可能に構成されることが、特に望ましい。
　なお、供給位置調整機構１２２、１３２による加工面に対する調整水の供給位置、及び流量調整機構１２３、１３３による加工面に対する調整水の供給量の調整方法は任意に決定することができる。例えば厚み測定機構１１０による測定結果（ウェハＷの面内厚み分布）に応じて自動的に調整されてもよいし、又は測定結果に応じてオペレータにより手動で行われてもよい。
　また、上記例においてはアウターノズル１２０からの調整水の供給位置を供給位置調整機構１２２の動作により制御したが、調整水の供給位置の制御方法はこれに限定されない。例えば図８に示すように、ウェハＷの異なる位置に対して調整水を独立して供給可能な複数、図示の例では３つのアウターノズル１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃを設けてもよい。かかる場合、調整水の供給位置に応じて任意のアウターノズル１２０を選択し、切換えバルブ１２４の制御により、選択されたアウターノズル１２０からウェハＷの任意の位置に対して調整水を供給する。かかる場合、複数のアウターノズル１２０のそれぞれが、本開示の技術に係る「調整水供給ノズル」に相当する。なお、アウターノズル１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃは、流量調整機構１２３により、ウェハＷの研削面に対する調整水の供給量をそれぞれ設定可能に構成されることが好ましい。
　また同様に、ウェハＷの異なる位置に対して調整水を独立して供給するための複数のインナーノズル１３０が設けられてもよい。
　なお、調整水供給機構としてのアウターノズル１２０、及び／又は、インナーノズル１３０は、加工位置Ａ３（仕上研削部１００）に加え、加工位置Ａ１（粗研削部８０）や加工位置Ａ２（中研削部９０）に更に設けられてもよい。
　以上の加工装置１には制御部１４０が設けられている。制御部１４０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、加工装置１におけるウェハＷの加工処理を制御するプログラムが格納されている。またプログラム格納部には、後述の研削処理動作を制御するプログラムが更に格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部１４０にインストールされたものであってもよい。記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。
　本実施形態にかかる加工装置１は、以上のように構成されている。
　ここで、ウェハＷの研削に際して当該ウェハＷの研削面に対してフランジ研削水のみを供給した場合、上述したように、研削により生じた摩擦熱の除去が適切に行われず、研削処理後のウェハＷのＴＴＶが悪化するおそれがあることがわかった。具体的には図６に示したように、研削水供給源からのフランジ研削水は、マウントの下面や研削ホイール等の洗浄を兼ねて供給されるため、分散室により周方向に分散してウェハＷの研削面まで供給される。このため、研削面に対するフランジ研削水の供給量が、研削水供給源から供給されるフランジ研削水の総量に対して少なくなり、特に研削処理後のウェハＷの中央部の厚みが外周部の厚みと比較して小さく（中心部における研削量が大きく）なる。これは、ウェハＷの中心部は摩擦熱が集中することで膨張しやすく、上述のようにフランジ研削水のみを供給して研削を行った場合、当該ウェハＷの中央部における冷却量が不十分になり、当該ウェハＷの膨張を適切に抑制できないことに起因すると考えられる。
　また上述したように、特にウェハＷの中心部において、摩擦熱の集中等の影響により厚みが小さく（以下、このようにウェハＷの面内において厚みの小さくなった領域を「特異点」という。）なりやすい傾向にあるが、例えば研削の諸条件によっては、ウェハＷの面内における他の箇所にも特異点が生じ得る。
　そこで本発明者らが鋭意検討を行ったところ、ウェハＷの研削に際して、特異点の発生予測位置に対して調整水供給機構から調整水を供給することにより、研削処理後のウェハＷのＴＴＶを改善できることを見出した。すなわち、例えばウェハＷの処理プロセス（実処理）に先立って、加工装置１における先行ウェハ（例えばダミーウェハや、以前に加工装置１で処理された他のウェハＷ等）の研削処理結果、及びＴＴＶから特異点の発生位置を予測し、当該研削処理結果に基づいてウェハＷの実処理を行うことで、当該ウェハＷのＴＴＶを改善できることを見出した。
　具体的に本発明者らは、加工装置１の仕上研削部１００において、調整水供給機構としてのアウターノズル１２０から調整水を供給してウェハＷの研削処理を行い、当該ウェハＷの研削処理結果（ウェハＷの厚みの測定結果）を取得した。すなわち、フランジ研削水を供給しながらウェハＷの粗研削及び中研削を順次行い、更に、フランジ研削水及び調整水を供給しながら仕上研削を行い、仕上研削処理後のウェハＷの仕上げ形状としての面内厚み分布を厚み測定機構１１０により測定した。なお、以下の説明においては調整水供給機構としてアウターノズル１２０を用いる場合を例に説明を行うが、当然に、インナーノズル１３０を調整水供給機構として用いてもよい。
　図９は、フランジ研削水及びアウターノズル１２０からの調整水を供給して仕上研削処理を施した後のウェハＷの研削処理結果（厚みの測定結果：厚み分布）を示すグラフである。図９において、実験例１はアウターノズル１２０からの調整水をウェハＷの中央部に供給した場合、実験例２はアウターノズル１２０からの調整水をウェハＷの外周部に供給した場合、比較例はアウターノズル１２０からの調整水を供給しなかった場合、における研削処理結果をそれぞれ示している。なお、図９に示す研削処理結果の取得に際しては、実験例１、２及び比較例のいずれの場合においても、フランジ研削水の供給量は同じにした。
　図９を参照すると、特にウェハＷの中央部（特異点の発生位置）に調整水を供給しながら仕上研削処理を行うことにより、仕上研削処理後のウェハＷの面内厚みが均一化され、ＴＴＶが改善されることがわかった。これは、上述のようにウェハＷの研削により生じる摩擦熱が集中しやすい中央部の冷却を促進することにより、ＴＴＶの悪化の原因となる温度影響を緩和できたことに起因すると考えられる。
　続いて図１０は、ウェハＷの中央部に対する調整水の供給量を変化させた場合における、仕上研削処理を施した後のウェハＷの研削処理結果（厚み分布）を示すグラフである。なお、図１０に示す研削処理結果の取得に際しても、フランジ研削水の供給量は一定とした。
　図１０を参照すると、ウェハＷの研削面（チャック４２の上）に対する調整水の供給量により、仕上研削処理後のウェハＷの厚みの測定結果が大きく変化することがわかった。具体的には、ウェハＷの中央部に対する調整水の供給量を増加させることにより、当該ウェハＷの中央部における研削量を減少させ、ＴＴＶを改善できることがわかった。また図１０に示されるように、ウェハＷの中央部に対する調整水の供給量を更に増加させることにより、ウェハＷの中央部の仕上り形状が凸形状になることがわかった。換言すれば、ウェハＷに対する調整水の供給量を制御することにより、研削処理後のウェハＷの仕上り形状を任意に制御することができる可能性を見出した。
　また、本実施形態においては特異点が発生したウェハＷの中央部に対して調整水を供給する場合を例に検証を行ったが、当該調整水の供給位置及び供給量をウェハＷの面内で選択的に制御することにより、研削処理後のウェハＷの形状を任意に制御できる可能性を見出した。
　そこで次に、以上の知見に基づいて行われる加工装置１におけるウェハＷの研削処理方法について説明する。具体的に本実施形態においては、研削処理後のウェハのＴＴＶを予め測定し、得られた測定結果に基づいて、特異点の発生位置（厚みを大きくしたい位置）に調整水を供給する。
　本実施形態にかかる加工装置１においては、先ず、当該加工装置１のセットアップ時や、ウェハＷの処理プロセスの条件出し時において、当該加工装置１による各種研削処理後のウェハＷの仕上り形状にどのような傾向が生じるかを確認する。当該仕上り形状の傾向確認は、例えば加工装置１において実際にダミーウェハ等を研削処理することにより行われる。
　具体的には、例えばダミーウェハを収納したカセットＣが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。次に、ウェハ搬送装置２２の搬送フォーク２３によりカセットＣ内からダミーウェハが取り出され、処理ステーション３のアライメント部５０に搬送される。アライメント部５０では、ダミーウェハに形成されたノッチ部（図示せず）の位置を調節することで、ダミーウェハの水平方向の向きが調節される。
　水平方向の向きが調節されたダミーウェハは、次に、搬送部３０によりアライメント部５０から搬送され、受渡位置Ａ０のチャック４２に受け渡される。続いて、回転テーブル４１を回転させて、チャック４２に保持されたダミーウェハを加工位置Ａ１～Ａ３に順次移動させる。
　加工位置Ａ１では、粗研削部８０によってダミーウェハの研削面を粗研削する。加工位置Ａ２では、中研削部９０によってダミーウェハの研削面を中研削する。さらに加工位置Ａ３では、仕上研削部１００によってダミーウェハの研削面を仕上研削する。これらダミーウェハの各種研削処理（粗研削、中研削及び仕上研削）は、ダミーウェハの研削面（及び研削ホイールの内周面）に対して、フランジ研削水を供給しながら行う。
　ダミーウェハの仕上研削処理が完了すると、次に、ダミーウェハを回転させながら厚み測定機構１１０によりダミーウェハの中央部付近と、周縁部付近を含む複数点の厚みが測定され、これにより当該ダミーウェハの厚み分布、及び平坦度（ＴＴＶ）が算出される。
　算出された厚み分布及びＴＴＶは、例えば制御部１４０に出力される。そして、この厚み測定機構１１０による測定結果に基づいて、ダミーウェハの面内において厚みが薄くなっている位置（特異点）が検出される。検出された特異点は例えば制御部１４０に出力され、後述するようにウェハＷの実処理にフィードバック制御される。
　ダミーウェハの厚み分布及びＴＴＶを取得すると、次に、回転テーブル４１を回転させることにより当該ダミーウェハを保持したチャック４２を受渡位置Ａ０に移動させる。その後、受渡位置Ａ０から第２の洗浄部７０及び第１の洗浄部６０を介してカセット載置台１０のカセットＣにダミーウェハが搬送され、これによりウェハＷの実処理に先立って行われる仕上り形状の傾向確認動作が終了する。
　このようにダミーウェハを用いた仕上り形状の傾向確認が行われると、次に、加工装置１におけるウェハＷの実処理が開始される。
　先ず、ウェハＷを複数収納したカセットＣが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。次に、ウェハ搬送装置２２の搬送フォーク２３によりカセットＣ内からウェハＷが取り出され、アライメント部５０で水平方向の向きが調節された後、搬送部３０により受渡位置Ａ０のチャック４２に受け渡される。チャック４２にウェハＷが受け渡されると、続いて、回転テーブル４１を回転させて、チャック４２に保持されたウェハＷを加工位置Ａ１～Ａ３に順次移動させる。
　加工位置Ａ１では、粗研削部８０によってウェハＷの研削面を粗研削する。加工位置Ａ２では、中研削部９０によってウェハＷの研削面を中研削する。さらに加工位置Ａ３では、仕上研削部１００によってウェハＷの研削面を仕上研削する。
　ここで、加工位置Ａ１における粗研削、及び、加工位置Ａ２における中研削は、ダミーウェハに対する研削処理と同様に、ウェハＷの研削面（及び研削ホイールの内周面）に対して、フランジ研削水を供給しながら行われる。一方、加工位置Ａ３における仕上研削処理に際しては、フランジ研削水に加え、ダミーウェハの研削により検出された特異点と対応する径方向位置に対して調整水の供給が更に行われる。
　上述したように、仕上研削処理後のウェハＷに厚みの小さい部分（特異点）が生じるのは、仕上研削ホイール１０１の全周に供給されるフランジ研削水のみでは、ウェハＷ（チャック４２）に対する冷却能力が不十分であり、当該ウェハＷ（チャック４２）が膨張することに起因すると考えられる。本実施形態においては、フランジ研削水の供給に加え、このようにアウターノズル１２０から特異点の発生予測位置に対して調整水を更に供給することにより、ウェハＷ（チャック４２）の膨張を抑制し、仕上研削処理後のウェハＷに厚みの小さい部分（特異点）が生じることを抑制できる。すなわち仕上研削処理後のウェハＷのＴＴＶを改善できる。
　また、加工装置１におけるウェハＷ（チャック４２）の膨張の原因となる熱は、主としてウェハＷの加工に伴って発生する摩擦熱である。一般的に、加工に伴って発生する摩擦熱の量は、ウェハＷに対して行われる研削処理のプロセス条件により決定される。換言すれば、複数の異なるウェハＷに対して研削処理を行う場合であっても、同一のプロセス条件により研削処理を行う場合であれば、発生する摩擦熱量は略一定であると考えられる。このことから、研削処理を行うウェハＷ毎に調整水の供給位置、供給量を決定する必要はなく、上述したように加工装置１のセットアップ時や、ウェハＷの処理プロセスの条件出し時に仕上り形状の傾向を確認することで、適切にウェハＷの実処理にかかるＴＴＶを改善できる。
　なお、アウターノズル１２０からの調整水の供給位置は、ウェハＷ（チャック４２）の回転方向における加工点Ｒの下流側直後に設定されることが好ましい。換言すれば、加工に伴って発生する摩擦熱を、その発生直後（摩擦熱によるウェハＷの温度の上昇直後）に除去できるように、調整水の供給位置を設定することが好ましい。
　なお、アウターノズル１２０及び／又はインナーノズル１３０からの調整水は、ウェハＷに対する仕上研削処理に際して常時供給されていてもよいし、当該仕上研削処理の途中から供給が開始されてもよい。すなわち、仕上研削処理に際して発生する摩擦熱を除去して、適切にウェハＷの仕上り形状を調整できれば、ウェハＷに対する調整水の供給開始タイミングや供給時間等は任意に変更できる。このように、調整水の供給開始タイミングや供給時間を変更することで、ウェハＷに対する調整水の供給量を減らし、仕上研削処理で使用される調整水の量を節約できる。
　ウェハＷの仕上研削処理が完了すると、次に、ウェハＷを回転させながら厚み測定機構１１０によりウェハＷの中央部付近と、周縁部付近を含む複数点の厚みが測定され、これにより当該ウェハＷの厚み分布及び平坦度（ＴＴＶ）が算出される。算出された厚み分布及びＴＴＶは、例えば制御部１４０に出力される。
　次に回転テーブル４１を回転させて、チャック４２を受渡位置Ａ０に移動させる。続いてウェハＷは、搬送部３０により受渡位置Ａ０から第２の洗浄部７０に搬送され、搬送パッド３２に保持された状態で洗浄、及び、乾燥される。
　次にウェハＷは、搬送部３０により第２の洗浄部７０から第１の洗浄部６０に搬送され、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、洗浄される。
　その後、すべての処理が施されたウェハＷは、ウェハ搬送装置２２の搬送フォーク２３によってカセット載置台１０のカセットＣに搬送される。こうして、加工装置１における一連の加工処理が終了する。
　なお、以上の研削処理動作においては、仕上研削処理後のダミーウェハの厚み分布及びＴＴＶを測定し、かかる測定結果に基づいて、ウェハＷの実処理に際しての調整水の供給が制御された。しかしながら、例えば算出されたＴＴＶ値が予め定められた閾値に収まる場合には、仕上研削処理後のウェハＷには特異点が発生していないと判断し、調整水の供給は不要であると判断することもできる。すなわち、算出されたＴＴＶ値が閾値を外れた場合に特異点を算出し、調整水の供給位置、供給量を調整するようにしてもよい。
　また、調整水の供給を伴う研削処理後、算出されたＴＴＶの値が予め定められた閾値に収まっていいた場合には、調整水の供給位置や供給量が適切であると判断し、以後、かかる条件（例えば供給位置、供給量）で処理を行うように制御してもよい。
　以上の実施形態によれば、加工装置１におけるウェハＷの研削処理に際して、ダミーウェハの研削処理により予め取得された仕上り形状の傾向に基づいて、ウェハＷの研削面内における特異点の発生予測位置に調整水を供給する。これにより、当該調整水の供給位置におけるウェハＷ（チャック４２）の熱膨張が抑制され、この結果、当該熱膨張に起因するウェハＷのＴＴＶの悪化が適切に抑制される。
　また本実施形態によれば、アウターノズル１２０（インナーノズル１３０）からの調整水は、ウェハＷの研削面内における任意の位置に供給可能に構成されている。これにより、ウェハＷの面内におけるどの位置に特異点が発生したとしても、当該特異点の発生位置に調整水を供給することができ、すなわち、適切にウェハＷのＴＴＶを改善できる。
　また更に、本実施形態によればウェハＷの面内に供給される調整水の供給流量も適宜変更することができる。これにより、ウェハＷの冷却量を任意に設定して研削量を決定することができ、当該ウェハＷの仕上り形状を適切に制御することができる。
　また、本実施形態にかかるウェハＷの研削処理に際しては、各種研削機構の内部に形成された流路を介して、フランジ研削水の供給が行われている。このため、研削処理に際して発生した研削屑等を適切に排出することができる。また、研削ホイールの内部、及びマウントを清浄な状態に維持することができる。
　また上述したように、研削水供給源からのフランジ研削水は、分散室により周方向に分散してウェハＷの研削面まで供給されため、研削面に対するフランジ研削水の供給量が、研削水供給源から供給されるフランジ研削水の総量に対して少なくなる。このため、フランジ研削水のみを用いて、ウェハＷの研削に際して発生した摩擦熱を除去しようとすると、当該フランジ研削水の供給量が膨大になる。この点本実施形態においては、フランジ研削水の供給に加えて、特異点の発生予測位置に対して調整水供給機構からの調整水を更に供給するため、フランジ研削水の供給量を増やす必要がない。すなわち、フランジ研削水を大量に使用することなく、研削ホイール及びマウントの洗浄を適切に行いながら、摩擦熱を適切に除去してウェハＷを所望の形状に加工することができる。
　このように、本開示に係る技術は、ウェハＷの研削処理に際して当該ウェハＷの研削面に供給される研削水量が十分に確保できない場合（例えば本実施形態にかかるフランジ研削水を供給するタイプの加工装置）において、特に好適に適用することができる。ただし本記載は、ウェハＷの研削処理にフランジ研削水を用いない加工装置、具体的には、後述するようにフランジ研削水に代えてインナーノズル１３０からの供給水を研削水として用いる加工装置に、本開示に係る技術が適用されることを妨げるものではない。
　なお、以上の実施形態においては、仕上研削処理後のダミーウェハの厚み分布及びＴＴＶを測定し、かかる測定結果に基づいて仕上研削部１００で調整水を用いた研削処理を行った。しかしながら、調整水を用いた研削処理を行うのは仕上研削部１００には限られない。すなわち、上述したように粗研削部８０及び中研削部９０に調整水供給機構としてのアウターノズル１２０やインナーノズル１３０を設け、調整水を用いて粗研削処理や中研削処理を行うようにしてもよい。これにより、特に特異点の発生の原因が粗研削部８０や中研削部９０であることが明らかである場合において、適切にウェハＷを所望の形状に加工することができる。
　具体的には、例えばダミーウェハの研削時において粗研削処理後、及び中研削処理後のウェハＷの厚み分布及びＴＴＶをそれぞれ取得する。この厚みデータの取得は、例えば加工位置Ａ１及びＡ２にそれぞれ設けられた厚み測定機構１１０で行われてもよいし、例えば加工位置Ａ３に設けられた厚み測定機構１１０で逐次行われてもよい。そしてウェハＷの実処理に際しては、取得された粗研削処理後、中研削処理後のウェハＷの厚みデータに基づいて調整水供給機構から調整水を供給し、研削処理を行うようにしてもよい。
　なお、以上の実施形態においては研削処理に際しての調整水をアウターノズル１２０から供給する場合を例に説明を行ったが、当然に、調整水をインナーノズル１３０から供給してもよい。このように、インナーノズル１３０から調整水を供給する場合であっても、アウターノズル１２０から調整水を供給する場合と同様に、仕上研削処理後のウェハＷのＴＴＶを適切に改善することができる。
　また例えば、アウターノズル１２０とインナーノズル１３０から、同時にウェハＷの径方向の異なる位置に調整水を供給することにより、例えばウェハＷの研削面に複数の特異点が発生した場合であっても、当該ウェハＷの形状を適切に制御できる。具体的には、例えば仕上研削処理後のウェハＷの形状がＷ成分の傾向を有する（径方向の異なる２箇所に特異点が発生している）場合であっても、当該ウェハＷの形状を適切に制御できる。
　また例えば、上記実施形態においては研削水供給源８７からのフランジ研削水を用いてウェハＷの研削処理を行う場合を例に説明を行ったが、上述したように、フランジ研削水に代えてインナーノズル１３０からの調整水を研削水として用いてもよい。具体的には、フランジ研削水に代えてインナーノズル１３０からウェハＷの加工面の中心部近傍に対して研削水を供給し、更に仕上研削処理後のウェハＷの面内に特異点が生じる場合には、更に、当該特異点の発生位置に対してアウターノズル１２０から調整水を供給してもよい。かかる場合、インナーノズル１３０が、本開示の技術に係る「研削水供給機構」及び「研削水供給ノズル」に相当する。
　なお、このようにインナーノズル１３０を研削水供給機構として用いる場合であっても、アウターノズル１２０から仕上研削砥石１０１ａの径方向外側に調整水を供給することに加え、仕上研削砥石１０１ａの径方向内側に調整水を供給可能に構成してもよい。すなわち、例えば、仕上研削ホイール１０１の下方に調整水を供給するための調整水用インナーノズル（図示せず）が更に設けられてもよい。
　なお、以上の実施形態によれば、加工装置１における仕上り形状の傾向確認に際してダミーウェハの研削を行う場合を例に説明を行ったが、ＴＴＶの改善対象である一のウェハＷよりも前に処理が行われた他のウェハＷの研削処理結果（ＴＴＶデータ）を、一のウェハＷの研削処理にフィードバックしてもよい。かかる他のウェハＷの研削処理結果に伴うフィードバック制御は、例えば加工装置１に搬入されるロット毎のウェハＷに行われてもよいし、例えば処理されるウェハＷ枚葉で行われてもよい。
　なお、以上の実施形態においてはダミーウェハによる仕上研削処理後の仕上り形状の傾向確認後にウェハＷの実処理を開始したが、取得されるＴＴＶの値が予め定められた閾値に収まることを確認した後に、ウェハＷの実処理を開始することがより好ましい。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　　１　　　　加工装置
　　４２　　　チャック
　　１００　　仕上研削部
　　１０１ａ　仕上研削砥石
　　１０７　　研削水供給源
　　１２０　　アウターノズル
　　１３０　　インナーノズル
　　Ｗ　　　　ウェハ
 
 

Claims (18)

  1. 基板を加工する加工装置であって、
    保持機構により保持された前記基板を加工する環状の研削砥石を備える研削機構と、
    前記基板の加工面に研削水を供給する研削水供給機構と、
    前記基板の加工面上における任意の位置を冷却する調整水を供給する調整水供給機構と、を有する加工装置。
  2. 前記研削機構は、
    前記研削砥石を支持するフランジと、
    前記フランジを支持するマウントと、を備え、
    前記研削水供給機構は、前記マウント、前記フランジ及び前記研削砥石を介して加工面に研削水を供給する、請求項１に記載の加工装置。
  3. 前記研削機構は、前記研削砥石を備える研削ホイールを含み、
    前記研削水供給機構は、前記研削ホイールの下方に設けられる研削水供給ノズルから研削水を供給する、請求項１に記載の加工装置。
  4. 前記調整水供給機構は、前記基板の加工面に対する前記調整水の供給位置を調節する供給位置調整機構を備える、請求項１～３のいずれか一項に記載の加工装置。
  5. 前記調整水供給機構は、前記基板の加工面の異なる位置に独立して前記調整水を供給する、複数の調整水供給ノズルを備える、請求項１～３のいずれか一項に記載の加工装置。
  6. 前記研削機構による研削処理後の前記基板の面内厚み分布を測定する厚み測定機構を備え、
    前記調整水供給機構は、前記厚み測定機構による測定結果に応じて、前記調整水の供給位置を調整する、請求項４又は５に記載の加工装置。
  7. 前記調整水供給機構は、前記基板の加工面に対する前記調整水の供給量を調節する流量調整機構を備える、請求項１～６のいずれか一項に記載の加工装置。
  8. 前記研削機構による研削処理後の前記基板の面内厚み分布を測定する厚み測定機構を備え、
    前記流量調整機構は、前記厚み測定機構による測定結果に応じて、前記調整水の供給量を自動調整する、請求項７に記載の加工装置。
  9. 前記調整水供給機構は、前記基板の加工面上における、環状の前記研削砥石の径方向外側に前記調整水を供給する、請求項１～８のいずれか一項に記載の加工装置。
  10. 前記調整水供給機構は、前記基板の加工面上における、環状の前記研削砥石の径方向内側に前記調整水を供給する、請求項１～９のいずれか一項に記載の加工装置。
  11. 前記調整水供給機構による前記調整水の供給位置は、前記基板の加工面上において、前記研削機構による加工後に前記基板の厚みが相対的に小さくなる位置である、請求項１～１０のいずれか一項に記載の加工装置。
  12. 基板の加工方法であって、
    一の基板を研削水を供給しながら加工することと、
    加工後の前記一の基板の面内厚み分布を測定することと、
    前記一の基板の面内厚み分布の測定結果に基づいて他の基板を加工することと、を含み、
    前記他の基板の加工に際しては、前記研削水の供給に加え、加工後の前記一の基板の厚みが相対的に小さくなった位置と対応する位置に対して、調整水供給機構からの調整水を供給する、加工方法。
  13. 前記一の基板の面内厚み分布の測定結果に基づいて、前記他の基板に対する前記調整水の供給位置を調整する、請求項１２に記載の加工方法。
  14. 前記一の基板の面内厚み分布の測定結果に基づいて、前記他の基板に対する前記調整水の供給量を調整する、請求項１２又は１３に記載の加工方法。
  15. 前記基板の加工は、当該基板の加工面に環状の研削砥石を当接させることにより行われ、
    前記調整水を、前記他の基板の加工面上における、環状の前記研削砥石の径方向外側に供給する、請求項１２～１４のいずれか一項に記載の加工方法。
  16. 前記基板の加工は、当該基板の加工面に環状の研削砥石を当接させることにより行われ、
    前記調整水を、前記他の基板の加工面上における、環状の前記研削砥石の径方向内側に供給する、請求項１２～１５のいずれか一項に記載の加工方法。
  17. 前記調整水を、前記他の基板の加工に際して常時供給する、請求項１２～１６のいずれか一項に記載の加工方法。
  18. 前記調整水を、前記他の基板の加工の途中から供給開始する、請求項１２～１６のいずれか一項に記載の加工方法。
     
     
     
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