JP2004200526A - 半導体ウェハ研削装置及び研削方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ウェハ研削工程において研削用の砥石が目詰まりを起こし、研削されるウェハにダメージを与え、目詰まりした砥石には再生工程としてドレッシング工程が必要となり、さらに、砥石の目詰まりには至らない迄も、研削後のウェハ表面においてダメージ層が厚くなるのを回避する。
【解決手段】半導体ウェハ研削装置において、ウェハ1の上面と砥石軸5との間にノズル6を設け、ノズル6のノズル終端12の開口部をウェハ研削部位10の内周側13へ向けて配設し、ウェハ研削の際は、ノズル終端12より研削液3を、ウェハ研削部位10の内周側13へ向けて供給方向を規制することで、確実に大量の研削液3を供給し、供給された研削液3はウェハ研削部位10を通過し、研削切粉の排出および砥石2の冷却を行う。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体ウェハ研削装置において、ウェハ1の上面と砥石軸5との間にノズル6を設け、ノズル6のノズル終端12の開口部をウェハ研削部位10の内周側13へ向けて配設し、ウェハ研削の際は、ノズル終端12より研削液3を、ウェハ研削部位10の内周側13へ向けて供給方向を規制することで、確実に大量の研削液3を供給し、供給された研削液3はウェハ研削部位10を通過し、研削切粉の排出および砥石2の冷却を行う。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハを研削する半導体ウェハ研削装置および半導体ウェハ研削方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体分野、光学分野等において多様なウェハが使用されているが、これらのウェハは、原材料である結晶塊から切り出され研削装置による研削、研磨装置による研磨等の加工を施して指定の形状に仕上げられる。
【0003】
例えばSi、GaAs等の半導体ウェハの場合、研削装置は、ウェハを例えば25枚収納するウェハカセットを1〜4個有するカセット部、ウェハカセットからウェハを出し搬送するロボット部、ロボット部により搬送されたウェハを研削する研削部、研削部にて研削されたウェハを洗浄するスピンナー部を有しており、ウェハカセットに収容された全ウェハの処理を1枚ずつ連続的に行う。(例えば、特許文献1参照。)
ここで、従来の技術に係る研削部の縦断面図である図5を用いて、ウェハの研削を説明する。
【0004】
研削部に搬送されてきたウェハ1は、ウェハチャックテーブル4に真空チャック(図示していない)を用いて固定され、ウェハチャックテーブル回転軸7を中心に回転するウェハチャックテーブル4と共に回転する。一方、ウェハチャックテーブル4の上方には砥石回転軸8を中心に回転する砥石軸5が設けられており、砥石軸5におけるウェハチャックテーブル4との対向面の外周部には、砥石アタッチメント15を介してセグメント状の複数の砥石2が設けられている。
【0005】
この砥石軸5と共に回転する砥石2が下降してウェハ1に接触し、この接触部位であるウェハ研削部位10にて研削が行われる。ウェハ1の研削中は、砥石軸5内に設けられた研削液通路9を介して、砥石軸5におけるウェハ1との対向面に設けられた通路終端11より研削液3が供給され、研削液3の液圧と砥石軸5より与えられる遠心力とによりウェハ研削部位10へ供給され、砥石2の冷却および研削切粉の排出が行われる。
【0006】
【特許文献1】
特開平07−130692号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来技術においては、ウェハ1研削中の砥石2が研削切粉のために目詰まりを起こし、この目詰まりを起こした砥石2でウェハ1の研削を行うと、ウェハに深い傷が入ってしまうという問題が発生することがある。この深い傷の入ったウェハはその深い傷のため製品として使用出来なくなる。さらに、目詰まりを起こした砥石2を再び使用可能とするためには、研削切粉を除去するためにドレッシング工程が必要となる。
【0008】
このドッレッシング工程の実施頻度は、砥石2の種類により異なるが、概ねウェハ100〜1000枚毎に実施されている。
【0009】
さらに上述した砥石の目詰まりには至らない迄も、研削中の砥石における研削切粉の排出が不十分なため、研削後のウェハ1表面におけるダメージ層の厚みが10〜20μmとなってしまうという問題もある。
【0010】
本発明者らは、上述の問題を解決するため研究を重ねた結果、上述の問題の原因はウェハ1上のウェハ研削部位10への研削液3の供給不足であることに想到した。
【0011】
すなわち従来の技術において、ウェハ1の研削中、研削液3は、砥石軸5中に垂直に設けられた研削液通路9を通りウェハ対向面に設けられた通路終端11より供給され、研削液3の液圧と砥石軸5より与えられる遠心力とによりウェハ研削部位10に供給されるのだが、この場合、研削液3はウェハ研削部位10以外にも広範囲に供給される。この結果、例えばウェハ研削部位10以外のウェハ上面に到達した研削液3は、ウェハチャックテーブル4の遠心力により直ちに排出されてしまい、また砥石2に到達した研削液3は、砥石2の遠心力により複数砥石間のセグメント隙間より排出されてしまうため、供給される研削液3の大部分が無益に排出されてしまう。このため肝心なウェハ研削部位10は、研削液3の供給不足となり研削切粉の排出が十分に行われず、砥石2の目詰まりが発生していたのである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための第1の手段は、ウェハの研削部位へ研削液を供給しながら研削をおこなう半導体ウェハ研削装置であって、
前記研削液の供給方向を、所定の部位へ向けて規制する供給方向規制部を有し、
前記供給方向規制部は、前記研削液の供給方向を前記ウェハの研削部位へ規制していることを特徴とする半導体ウェハ研削装置である。
【0013】
半導体ウェハ研削装置に設けられた供給方向規制部により、研削液の供給方向をウェハの研削部位へ規制することで、研削中の研削部位における研削液の液量不足を回避し、研削部位にて発生する研削切粉を十分に除去し、且つ研削材および研削部位を十分に冷却することで、研削材の目詰まり発生を抑制することができ、且つウェハのダメージ層を薄くすることができた。
【0014】
第2の手段は、前記供給方向規制部は、ノズル形状を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ研削装置である。
【0015】
供給方向規制部をノズル形状とすることで、供給方向規制部が研削液を供給する部分を、ウェハ研削部位直近に配設することが可能となり、ウェハ研削部位に十分な量の研削液を供給できるので、研削中の研削部位における研削液の液量不足を回避し、ウェハ研削部位にて発生する研削切粉を十分に除去し、且つ研削材およびウェハ研削部位を十分に冷却することで、研削材の目詰まり発生を抑制することができ、且つ研削後のウェハのダメージ層を薄くすることができた。
【0016】
第3の手段は、ウェハの研削部位へ研削液を供給しながら研削をおこなうウェハ研削方法であって、
前記研削液の供給方向を所定の方向へ規制する供給方向規制部を用い、
前記研削液の供給方向を前記ウェハの研削部位へ規制しながら研削を行うことを特徴とする半導体ウェハ研削方法である。
【0017】
研削液を供給しながら、研削材によりウェハを研削する際、研削液の供給方向をウェハの研削部位へ向けて規制する供給方向規制部を用いて、研削液をウェハ研削部位へ十分に供給することで、ウェハ研削部位にて発生する研削切粉を十分に除去し、且つ研削材およびウェハ研削部位を十分に冷却することが可能となり、研削材の目詰まり発生を抑制することができ、且つ研削後のウェハのダメージ層を薄くすることができた。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態例について、図1を参照しながら説明する。
【0019】
図1は、本発明に係る半導体ウェハ研削装置(以下、ウェハ研削装置と記載する)における研削部の模式的な断面図である。
【0020】
本実施の形態例に係るウェハ研削装置は、ウェハチャックテーブル4と、砥石軸5と、研削液の供給方向規制部であるノズル6を有している。
【0021】
ウェハチャックテーブル4は、テーブル上に、図示していない真空チャックによりウェハ1を固定し、研削中はウェハチャックテーブル回転軸7を回転軸として回転している。
【0022】
砥石軸5は、砥石回転軸8を回転軸としてウェハチャックテーブル4の上方に設けられており、砥石軸5におけるウェハチャックテーブル4との対向面の外周部には、砥石アタッチメント15を介してセグメント状の複数の砥石2が設けられている。
【0023】
そして砥石軸5が下降し、砥石2がウェハ1上のウェハ研削部位10に接触して研削が行われる。
【0024】
ノズル6は、研削液3の供給路としてウェハ1の上面と砥石軸5との間に設けられ、そのノズル終端12はウェハ研削部位10の直近において、その開口部をウェハ研削部位10の内周側であるウェハ研削部位内周側(以下、内周側と記載する)13へ向けて配設される。尚、研削液3としては、水が好個に用いられる。
【0025】
ウェハ研削は次のように実施される。まず、前工程よりウェハ1が搬送されウェハチャックテーブル4の上の載置されると、真空チャック等によりウェハチャックテーブル4上に固定され、ウェハチャックテーブル4が回転を開始する。
【0026】
ここで、ノズル6のノズル終端12より研削液3を、ウェハ研削部位10の内周側13へ向けて供給方向を規制し供給を開始する。そして砥石軸5と共に回転する砥石2を下降させてウェハ1に接触させウェハ研削部位10にて研削を行う。このとき、内周側13には確実に十分な研削液3が供給されるので、供給された研削液3はウェハ研削部位10を通過し、研削切粉の排出および砥石2の冷却を行う。
【0027】
この結果、数千枚のウェハ研削加工を、連続的に実施しても砥石の目詰まりは発生せず、大きなダメージの入ったウェハが無くなったことからウェハ研削装置の歩留まりが向上した。また、ドレッシング工程が不要になり、ウェハ研削装置の稼働率が向上すると共に、ドレッシング作業分の工数が削減できた。加えて、研削後のウェハ表面におけるダメージ層の厚みも減少させることができ、ウェハ品質が向上した。さらに、砥石の磨耗量が低減されるという効果もあった。
【0028】
(実施の形態の変形例1)
本発明の実施の形態の変形例1について、図2を参照しながら説明する。
【0029】
図2は、実施の形態の変形例1に係るウェハ研削装置における研削部の模式的な断面図である。
【0030】
変形例1においては、ウェハチャックテーブル4へのウェハの固定と、砥石軸5への砥石2の設置と、ウェハ1の上面と砥石軸5との間へのノズル6の設置とは上述した実施の形態と同様であるが、さらに、砥石軸5、砥石アタッチメント15内に研削液3の通路である研削液通路9が設けられ、砥石アタッチメント15におけるウェハ対向面には通路終端11が設けられている。
【0031】
ウェハ研削の際は、上述した実施の形態と同様に、ウェハ1をウェハチャックテーブル4上に固定して回転を開始し、研削液3の供給方向規制部であるノズル6のノズル終端12より、研削液3をウェハ研削部位10の内周側13へ向け供給方向を規制して供給するが、変形例1においては、さらに、研削液通路9を介し通路終端11からも研削液3を内周側13へ供給する。このノズル6と研削液通路9との併用により、内周側13には確実に十分な研削液3が供給されるので、供給された研削液3はウェハ研削部位10を通過し研削切粉の排出および砥石2の冷却を行うことができる。
【0032】
この結果、実施の形態で述べたものと同様の効果をあげることができた。
【0033】
(実施の形態の変形例2)
本発明の実施の形態の変形例2について、図3を参照しながら説明する。
【0034】
図3は、実施の形態の変形例2に係るウェハ研削装置における研削部の模式的な断面図である。
【0035】
変形例2においては、ウェハチャックテーブル4へのウェハ1の固定と、砥石軸5への砥石2の設置と、ウェハ1の上面と砥石軸5との間へのノズル6の設置とは上述した実施の形態と同様であるが、さらに、ウェハ1の上面で砥石軸5の外側にノズル6’が設けられている。そしてノズル6’の終端であるノズル終端12’はウェハ研削部位10の直近において、その開口部をウェハ研削部位10の外周側であるウェハ研削部位外周側(以下、外周側と記載する)14へ向けて配設される。
【0036】
ウェハ研削の際は、上述した実施の形態と同様に、ウェハ1をウェハチャックテーブル4上に固定して回転を開始し、研削液3を、ノズル終端12よりウェハ研削部位10の内周側13へ向け、ノズル終端12’より外周側14へ向けて供給方向を規制し供給を開始する。すると、砥石2の外周側14および内周側13には確実に十分な研削液3が供給されるので、供給された研削液3は、ウェハ研削部位10を通過し研削切粉の排出を行うと共に、砥石2を内周側および外周側の両側から効果的に冷却する。
【0037】
この結果、実施の形態で述べたものと同様の効果をあげることができた。
【0038】
(実施の形態の変形例3)
本発明の実施の形態の変形例3について、図4を参照しながら説明する。
【0039】
図4は、実施の形態の変形例3に係るウェハ研削装置における研削部の模式的な断面図である。
【0040】
変形例3においては、ウェハチャックテーブル4へのウェハ1の固定と、砥石軸5への砥石2の設置とは、上述した実施の形態と同様であるが、ウェハ1の上面と砥石軸5との間へノズルを設置する替わりに、砥石軸5、砥石アタッチメント15内に研削液通路9を設け、砥石アタッチメント15におけるウェハ対向面に、研削液3の供給方向を規制する機能を有する方向規制通路終端11’が設けられている。
【0041】
方向規制通路終端11’は、ここから供給される研削液3の供給方向を規制し、研削液3の液圧と砥石軸5より与えられる遠心力とにより、ウェハ研削部位10の内周側13へ集中して供給されるようにするもので、その構造としては、例えば、研削液通路の終端に内周側13へ向いたノズルを設ける、研削液通路9をウェハ1に対して垂直ではなく内周部13へ向かう傾斜を持たせて砥石アタッチメント15に開口させる、等がある。
【0042】
この構成によっても、内周側13には確実に研削液3が供給されるので、供給された研削液3はウェハ研削部位10を通過し研削切粉の排出および砥石の冷却を行うことができる。
【0043】
この結果、実施の形態で述べたものと同様の効果をあげることができた。
【0044】
(実施例)
本実施の形態にて説明した、ウェハの上面と砥石軸との間の空間に設けられるノズルを砥石の内周側に設け、研削液を内周側に供給するウェハ研削装置を用い、100φのGaAsウェハの研削加工を実施した。
【0045】
このとき、ウェハの1回当たりの総研削量は50μm、砥石の粗さは♯2000、砥石の回転数は4000rpm、チャックテーブルの回転数は100rpm、研削時の砥石の送り速度は0.5μm/sec、研削液には水を用い液量は5L/minとした。
【0046】
この結果、3000枚のウェハ研削加工を実施しても砥石の目詰まりは発生せず、研削後のウェハ表面におけるダメージ層の厚みも5μmであった。さらに、砥石の磨耗量も従来技術においては1〜2μm/枚であったものが0.5μm/枚に低減された。
【0047】
【発明の効果】
以上、詳述したように本発明は、ウェハの研削部位へ研削液を射出して供給しながら研削をおこなう半導体ウェハ研削装置であって、前記研削液の射出方向を、前記研削部位へ向けて規制する射出規制部を有し、前記射出規制部は、前記研削液の射出方向を前記ウェハの研削部位へ規制していることを特徴とする半導体ウェハ研削装置であって、前記射出規制部により、研削液の射出方向をウェハの研削部位へ規制することで、研削中の研削部位における研削液の液量不足を回避し、研削部位にて発生する研削切粉を十分に除去し、且つ研削材および研削部位を十分に冷却することで、研削材の目詰まり発生を抑制することができ、且つウェハのダメージ層を薄くすることができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るウェハ研削装置における研削部の模式的な断面図である。
【図2】本発明に係るウェハ研削装置の変形例における研削部の模式的な断面図である。
【図3】本発明に係るウェハ研削装置の変形例における研削部の模式的な断面図である。
【図4】本発明に係るウェハ研削装置の変形例における研削部の模式的な断面図である。
【図5】従来の技術に係るウェハ研削装置における研削部の模式的な断面図である。
【符号の説明】
1 ウェハ
2 砥石
3 研削液
4 ウェハチャックテーブル
5 砥石軸
6 ノズル
10 ウェハ研削部位
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハを研削する半導体ウェハ研削装置および半導体ウェハ研削方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体分野、光学分野等において多様なウェハが使用されているが、これらのウェハは、原材料である結晶塊から切り出され研削装置による研削、研磨装置による研磨等の加工を施して指定の形状に仕上げられる。
【0003】
例えばSi、GaAs等の半導体ウェハの場合、研削装置は、ウェハを例えば25枚収納するウェハカセットを1〜4個有するカセット部、ウェハカセットからウェハを出し搬送するロボット部、ロボット部により搬送されたウェハを研削する研削部、研削部にて研削されたウェハを洗浄するスピンナー部を有しており、ウェハカセットに収容された全ウェハの処理を1枚ずつ連続的に行う。(例えば、特許文献1参照。)
ここで、従来の技術に係る研削部の縦断面図である図5を用いて、ウェハの研削を説明する。
【0004】
研削部に搬送されてきたウェハ1は、ウェハチャックテーブル4に真空チャック(図示していない)を用いて固定され、ウェハチャックテーブル回転軸7を中心に回転するウェハチャックテーブル4と共に回転する。一方、ウェハチャックテーブル4の上方には砥石回転軸8を中心に回転する砥石軸5が設けられており、砥石軸5におけるウェハチャックテーブル4との対向面の外周部には、砥石アタッチメント15を介してセグメント状の複数の砥石2が設けられている。
【0005】
この砥石軸5と共に回転する砥石2が下降してウェハ1に接触し、この接触部位であるウェハ研削部位10にて研削が行われる。ウェハ1の研削中は、砥石軸5内に設けられた研削液通路9を介して、砥石軸5におけるウェハ1との対向面に設けられた通路終端11より研削液3が供給され、研削液3の液圧と砥石軸5より与えられる遠心力とによりウェハ研削部位10へ供給され、砥石2の冷却および研削切粉の排出が行われる。
【0006】
【特許文献1】
特開平07−130692号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来技術においては、ウェハ1研削中の砥石2が研削切粉のために目詰まりを起こし、この目詰まりを起こした砥石2でウェハ1の研削を行うと、ウェハに深い傷が入ってしまうという問題が発生することがある。この深い傷の入ったウェハはその深い傷のため製品として使用出来なくなる。さらに、目詰まりを起こした砥石2を再び使用可能とするためには、研削切粉を除去するためにドレッシング工程が必要となる。
【0008】
このドッレッシング工程の実施頻度は、砥石2の種類により異なるが、概ねウェハ100〜1000枚毎に実施されている。
【0009】
さらに上述した砥石の目詰まりには至らない迄も、研削中の砥石における研削切粉の排出が不十分なため、研削後のウェハ1表面におけるダメージ層の厚みが10〜20μmとなってしまうという問題もある。
【0010】
本発明者らは、上述の問題を解決するため研究を重ねた結果、上述の問題の原因はウェハ1上のウェハ研削部位10への研削液3の供給不足であることに想到した。
【0011】
すなわち従来の技術において、ウェハ1の研削中、研削液3は、砥石軸5中に垂直に設けられた研削液通路9を通りウェハ対向面に設けられた通路終端11より供給され、研削液3の液圧と砥石軸5より与えられる遠心力とによりウェハ研削部位10に供給されるのだが、この場合、研削液3はウェハ研削部位10以外にも広範囲に供給される。この結果、例えばウェハ研削部位10以外のウェハ上面に到達した研削液3は、ウェハチャックテーブル4の遠心力により直ちに排出されてしまい、また砥石2に到達した研削液3は、砥石2の遠心力により複数砥石間のセグメント隙間より排出されてしまうため、供給される研削液3の大部分が無益に排出されてしまう。このため肝心なウェハ研削部位10は、研削液3の供給不足となり研削切粉の排出が十分に行われず、砥石2の目詰まりが発生していたのである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための第1の手段は、ウェハの研削部位へ研削液を供給しながら研削をおこなう半導体ウェハ研削装置であって、
前記研削液の供給方向を、所定の部位へ向けて規制する供給方向規制部を有し、
前記供給方向規制部は、前記研削液の供給方向を前記ウェハの研削部位へ規制していることを特徴とする半導体ウェハ研削装置である。
【0013】
半導体ウェハ研削装置に設けられた供給方向規制部により、研削液の供給方向をウェハの研削部位へ規制することで、研削中の研削部位における研削液の液量不足を回避し、研削部位にて発生する研削切粉を十分に除去し、且つ研削材および研削部位を十分に冷却することで、研削材の目詰まり発生を抑制することができ、且つウェハのダメージ層を薄くすることができた。
【0014】
第2の手段は、前記供給方向規制部は、ノズル形状を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ研削装置である。
【0015】
供給方向規制部をノズル形状とすることで、供給方向規制部が研削液を供給する部分を、ウェハ研削部位直近に配設することが可能となり、ウェハ研削部位に十分な量の研削液を供給できるので、研削中の研削部位における研削液の液量不足を回避し、ウェハ研削部位にて発生する研削切粉を十分に除去し、且つ研削材およびウェハ研削部位を十分に冷却することで、研削材の目詰まり発生を抑制することができ、且つ研削後のウェハのダメージ層を薄くすることができた。
【0016】
第3の手段は、ウェハの研削部位へ研削液を供給しながら研削をおこなうウェハ研削方法であって、
前記研削液の供給方向を所定の方向へ規制する供給方向規制部を用い、
前記研削液の供給方向を前記ウェハの研削部位へ規制しながら研削を行うことを特徴とする半導体ウェハ研削方法である。
【0017】
研削液を供給しながら、研削材によりウェハを研削する際、研削液の供給方向をウェハの研削部位へ向けて規制する供給方向規制部を用いて、研削液をウェハ研削部位へ十分に供給することで、ウェハ研削部位にて発生する研削切粉を十分に除去し、且つ研削材およびウェハ研削部位を十分に冷却することが可能となり、研削材の目詰まり発生を抑制することができ、且つ研削後のウェハのダメージ層を薄くすることができた。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態例について、図1を参照しながら説明する。
【0019】
図1は、本発明に係る半導体ウェハ研削装置(以下、ウェハ研削装置と記載する)における研削部の模式的な断面図である。
【0020】
本実施の形態例に係るウェハ研削装置は、ウェハチャックテーブル4と、砥石軸5と、研削液の供給方向規制部であるノズル6を有している。
【0021】
ウェハチャックテーブル4は、テーブル上に、図示していない真空チャックによりウェハ1を固定し、研削中はウェハチャックテーブル回転軸7を回転軸として回転している。
【0022】
砥石軸5は、砥石回転軸8を回転軸としてウェハチャックテーブル4の上方に設けられており、砥石軸5におけるウェハチャックテーブル4との対向面の外周部には、砥石アタッチメント15を介してセグメント状の複数の砥石2が設けられている。
【0023】
そして砥石軸5が下降し、砥石2がウェハ1上のウェハ研削部位10に接触して研削が行われる。
【0024】
ノズル6は、研削液3の供給路としてウェハ1の上面と砥石軸5との間に設けられ、そのノズル終端12はウェハ研削部位10の直近において、その開口部をウェハ研削部位10の内周側であるウェハ研削部位内周側(以下、内周側と記載する)13へ向けて配設される。尚、研削液3としては、水が好個に用いられる。
【0025】
ウェハ研削は次のように実施される。まず、前工程よりウェハ1が搬送されウェハチャックテーブル4の上の載置されると、真空チャック等によりウェハチャックテーブル4上に固定され、ウェハチャックテーブル4が回転を開始する。
【0026】
ここで、ノズル6のノズル終端12より研削液3を、ウェハ研削部位10の内周側13へ向けて供給方向を規制し供給を開始する。そして砥石軸5と共に回転する砥石2を下降させてウェハ1に接触させウェハ研削部位10にて研削を行う。このとき、内周側13には確実に十分な研削液3が供給されるので、供給された研削液3はウェハ研削部位10を通過し、研削切粉の排出および砥石2の冷却を行う。
【0027】
この結果、数千枚のウェハ研削加工を、連続的に実施しても砥石の目詰まりは発生せず、大きなダメージの入ったウェハが無くなったことからウェハ研削装置の歩留まりが向上した。また、ドレッシング工程が不要になり、ウェハ研削装置の稼働率が向上すると共に、ドレッシング作業分の工数が削減できた。加えて、研削後のウェハ表面におけるダメージ層の厚みも減少させることができ、ウェハ品質が向上した。さらに、砥石の磨耗量が低減されるという効果もあった。
【0028】
(実施の形態の変形例1)
本発明の実施の形態の変形例1について、図2を参照しながら説明する。
【0029】
図2は、実施の形態の変形例1に係るウェハ研削装置における研削部の模式的な断面図である。
【0030】
変形例1においては、ウェハチャックテーブル4へのウェハの固定と、砥石軸5への砥石2の設置と、ウェハ1の上面と砥石軸5との間へのノズル6の設置とは上述した実施の形態と同様であるが、さらに、砥石軸5、砥石アタッチメント15内に研削液3の通路である研削液通路9が設けられ、砥石アタッチメント15におけるウェハ対向面には通路終端11が設けられている。
【0031】
ウェハ研削の際は、上述した実施の形態と同様に、ウェハ1をウェハチャックテーブル4上に固定して回転を開始し、研削液3の供給方向規制部であるノズル6のノズル終端12より、研削液3をウェハ研削部位10の内周側13へ向け供給方向を規制して供給するが、変形例1においては、さらに、研削液通路9を介し通路終端11からも研削液3を内周側13へ供給する。このノズル6と研削液通路9との併用により、内周側13には確実に十分な研削液3が供給されるので、供給された研削液3はウェハ研削部位10を通過し研削切粉の排出および砥石2の冷却を行うことができる。
【0032】
この結果、実施の形態で述べたものと同様の効果をあげることができた。
【0033】
(実施の形態の変形例2)
本発明の実施の形態の変形例2について、図3を参照しながら説明する。
【0034】
図3は、実施の形態の変形例2に係るウェハ研削装置における研削部の模式的な断面図である。
【0035】
変形例2においては、ウェハチャックテーブル4へのウェハ1の固定と、砥石軸5への砥石2の設置と、ウェハ1の上面と砥石軸5との間へのノズル6の設置とは上述した実施の形態と同様であるが、さらに、ウェハ1の上面で砥石軸5の外側にノズル6’が設けられている。そしてノズル6’の終端であるノズル終端12’はウェハ研削部位10の直近において、その開口部をウェハ研削部位10の外周側であるウェハ研削部位外周側(以下、外周側と記載する)14へ向けて配設される。
【0036】
ウェハ研削の際は、上述した実施の形態と同様に、ウェハ1をウェハチャックテーブル4上に固定して回転を開始し、研削液3を、ノズル終端12よりウェハ研削部位10の内周側13へ向け、ノズル終端12’より外周側14へ向けて供給方向を規制し供給を開始する。すると、砥石2の外周側14および内周側13には確実に十分な研削液3が供給されるので、供給された研削液3は、ウェハ研削部位10を通過し研削切粉の排出を行うと共に、砥石2を内周側および外周側の両側から効果的に冷却する。
【0037】
この結果、実施の形態で述べたものと同様の効果をあげることができた。
【0038】
(実施の形態の変形例3)
本発明の実施の形態の変形例3について、図4を参照しながら説明する。
【0039】
図4は、実施の形態の変形例3に係るウェハ研削装置における研削部の模式的な断面図である。
【0040】
変形例3においては、ウェハチャックテーブル4へのウェハ1の固定と、砥石軸5への砥石2の設置とは、上述した実施の形態と同様であるが、ウェハ1の上面と砥石軸5との間へノズルを設置する替わりに、砥石軸5、砥石アタッチメント15内に研削液通路9を設け、砥石アタッチメント15におけるウェハ対向面に、研削液3の供給方向を規制する機能を有する方向規制通路終端11’が設けられている。
【0041】
方向規制通路終端11’は、ここから供給される研削液3の供給方向を規制し、研削液3の液圧と砥石軸5より与えられる遠心力とにより、ウェハ研削部位10の内周側13へ集中して供給されるようにするもので、その構造としては、例えば、研削液通路の終端に内周側13へ向いたノズルを設ける、研削液通路9をウェハ1に対して垂直ではなく内周部13へ向かう傾斜を持たせて砥石アタッチメント15に開口させる、等がある。
【0042】
この構成によっても、内周側13には確実に研削液3が供給されるので、供給された研削液3はウェハ研削部位10を通過し研削切粉の排出および砥石の冷却を行うことができる。
【0043】
この結果、実施の形態で述べたものと同様の効果をあげることができた。
【0044】
(実施例)
本実施の形態にて説明した、ウェハの上面と砥石軸との間の空間に設けられるノズルを砥石の内周側に設け、研削液を内周側に供給するウェハ研削装置を用い、100φのGaAsウェハの研削加工を実施した。
【0045】
このとき、ウェハの1回当たりの総研削量は50μm、砥石の粗さは♯2000、砥石の回転数は4000rpm、チャックテーブルの回転数は100rpm、研削時の砥石の送り速度は0.5μm/sec、研削液には水を用い液量は5L/minとした。
【0046】
この結果、3000枚のウェハ研削加工を実施しても砥石の目詰まりは発生せず、研削後のウェハ表面におけるダメージ層の厚みも5μmであった。さらに、砥石の磨耗量も従来技術においては1〜2μm/枚であったものが0.5μm/枚に低減された。
【0047】
【発明の効果】
以上、詳述したように本発明は、ウェハの研削部位へ研削液を射出して供給しながら研削をおこなう半導体ウェハ研削装置であって、前記研削液の射出方向を、前記研削部位へ向けて規制する射出規制部を有し、前記射出規制部は、前記研削液の射出方向を前記ウェハの研削部位へ規制していることを特徴とする半導体ウェハ研削装置であって、前記射出規制部により、研削液の射出方向をウェハの研削部位へ規制することで、研削中の研削部位における研削液の液量不足を回避し、研削部位にて発生する研削切粉を十分に除去し、且つ研削材および研削部位を十分に冷却することで、研削材の目詰まり発生を抑制することができ、且つウェハのダメージ層を薄くすることができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るウェハ研削装置における研削部の模式的な断面図である。
【図2】本発明に係るウェハ研削装置の変形例における研削部の模式的な断面図である。
【図3】本発明に係るウェハ研削装置の変形例における研削部の模式的な断面図である。
【図4】本発明に係るウェハ研削装置の変形例における研削部の模式的な断面図である。
【図5】従来の技術に係るウェハ研削装置における研削部の模式的な断面図である。
【符号の説明】
1 ウェハ
2 砥石
3 研削液
4 ウェハチャックテーブル
5 砥石軸
6 ノズル
10 ウェハ研削部位
Claims (3)
- ウェハの研削部位へ研削液を供給しながら研削をおこなう半導体ウェハ研削装置であって、
前記研削液の供給方向を、所定の部位へ向けて規制する供給方向規制部を有し、
前記供給方向規制部は、前記研削液の供給方向を前記ウェハの研削部位へ規制していることを特徴とする半導体ウェハ研削装置。 - 前記供給方向規制部は、ノズル形状を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ研削装置。
- ウェハの研削部位へ研削液を供給しながら研削をおこなうウェハ研削方法であって、
前記研削液の供給方向を所定の方向へ規制する供給方向規制部を用い、
前記研削液の供給方向を前記ウェハの研削部位へ規制しながら研削を行うことを特徴とする半導体ウェハ研削方法。
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- 2002-12-20 JP JP2002369115A patent/JP2004200526A/ja not_active Withdrawn
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