JP2006261680A - 半導体基板を材料除去処理するための方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1と、該半導体基板の回転中心が砥石車の作業領域鎖に含まれるように砥石車2とを横方向にずらして配置する。研削は半導体基板と砥石車を独立して回転させ、基板面と砥石車面が対面し相互に接近する方向に送りをかける。このとき半導体基板1の1回転中に、砥石車2と半導体基板1とを相互に接近する方向にストローク0.03〜0.5μmだけ送る。
【選択図】図1
Description
x=R/n
半導体基板の1回転中に、といし車と半導体基板とは互いにストロークxだけ侵入せしめられる。
図2は、研削された表面及び研削段部を有する半導体基板を示し、
図3は、といし車の歯及び、大きい侵入ストローク、つまり深い研削の場合の、といし車の歯の主作用領域を示し、
図4は、といし車の歯及び、深い研削の場合の、といし車の歯の摩耗後の研削ポイントを示し、
図5は、といし車の歯、半導体基板の区分及び、小さい侵入ストローク、つまり浅い研削の場合のといし車の歯の主作用領域を示し、
図6は、といし車の歯、半導体基板の区分及び、浅い研削の場合のといし車の歯の摩耗後の研削ポイントを示し、
図7は、半導体基板及び、浅い研削の場合のといし車の主作用領域を示し、
図8は、半導体基板及び、深い研削の場合のといし車の主作用領域を示し、
図9は、浅い研削後の半導体基板におけるGBIR−測定結果を示し、
図10は、深い研削後の半導体基板におけるGBIR−測定結果を示す。
本発明に従って、直径300mmの半導体基板が、小さい侵入ストロークx=0.033μmで処理され、次いで粗度及びGBIRに関して検査された。
得られた粗さの値は次の通り:
同様に直径300mmの半導体基板の表面が研削されているが、この場合、侵入ストロークx=2μmで処理され、次いで同様に粗度及びGBIRに関して検査された。
得られた粗さの値は次の通り:
Claims (7)
- 半導体基板を材料除去処理するための方法であって、基板ホルダ上で保持された半導体基板と、この半導体基板に向き合うといし車とを互いに独立して回転させ、この際に、といし車を半導体基板に対して横方向にずらして配置して、半導体基板の軸方向中心をといし車の作業領域にもたらし、この際に、といし車を送り速度で半導体基板に向かって移動させ、それによってといし車と半導体基板とを相互に侵入させ、この間に半導体基板とといし車とを互いに平行な軸線を中心にして回転させることによって、半導体基板の表面を研削し、この際に、所定の材料除去が得られてからといし車を戻し案内速度で戻し案内する方法において、
半導体基板の1回転中に、といし車と半導体基板とをストローク0.03〜0.5μmだけ侵入運動させることを特徴とする、半導体基板を材料除去するための方法。 - 粒度♯2000又はそれよりも微細な粒度を有するといし車を使用する、請求項1記載の方法。
- といし車の回転数を1000〜5000min−1とする、請求項1又は2記載の方法。
- 研削中、スパークアウト中及びといし車の戻り案内中に、半導体基板の回転数を50〜300min−1とする、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 半導体基板の回転数を200〜300min−1とする、請求項4記載の方法。
- 送り速度を毎分10〜20μmとする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- といし車と半導体基板とを、半導体基板の1回転中に、ストローク0.03〜0.1μmだけ相互に侵入させる、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
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