JP2021005626A - 単結晶シリコンの抵抗率測定方法 - Google Patents
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Abstract
Description
10 直胴部
10a トップ部
10b 直胴部
10c テイル部
11 シリコンブロック
12 サンプルウェーハ
13 サンプル片
20 片面平面研削盤
21 吸着ステージ
22 研削ヘッド
22a 砥石
S11 インゴット用意工程
S12 サンプルウェーハ切り出し工程
S13 サンプル片切り出し工程
S14 研削工程
S15 洗浄工程
S16 抵抗率測定工程
S17 ドナーキラー熱処理
Claims (9)
- 単結晶シリコンインゴットを径方向に切断してサンプルウェーハを切り出す工程と、
前記サンプルウェーハを切断してサンプル片を切り出す工程と、
前記サンプル片の表面を研削加工する工程と、
前記研削加工後の前記サンプル片の抵抗率を測定する工程とを備えることを特徴とする単結晶シリコンの抵抗率測定方法。 - 前記サンプル片の抵抗率を測定する前に、前記サンプル片にドナーキラー熱処理を行う工程をさらに備える、請求項1に記載の単結晶シリコンの抵抗率測定方法。
- 前記サンプル片の表面を研削加工した後に前記ドナーキラー熱処理を行う、請求項2に記載の単結晶シリコンの抵抗率測定方法。
- 前記サンプルウェーハを切り出す工程は、
バンドソー、内周刃又は外周刃を用いて前記単結晶シリコンインゴットからシリコンブロックを切り出す工程と、
前記シリコンブロックの端部から前記サンプルウェーハを切り出す工程とを含む、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの抵抗率測定方法。 - 前記サンプル片を切り出す工程は、
ダイシングにより前記サンプルウェーハを分割する工程を含む、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの抵抗率測定方法。 - 前記サンプル片の表面を研削加工する工程は、
前記サンプル片の表面粗さRaが0.01μm以上0.5μm以下となるように研削する工程である、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの抵抗率測定方法。 - 前記サンプル片の表面を研削加工する工程は、
抵抗率が1000Ωcm以上のサンプル片に対して表面粗さRaが0.1μm以下となるように研削する工程である、請求項6に記載の単結晶シリコンの抵抗率測定方法。 - 前記サンプル片の表面を研削加工する工程は、
前記サンプル片の平坦度TTVが6.0μm以下となるように研削する工程である、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの抵抗率測定方法。 - 前記サンプル片の抵抗率を測定する工程は、前記サンプル片の抵抗率を四探針法により測定する、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の単結晶シリコンの抵抗率測定方法。
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