WO2021095588A1 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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WO2021095588A1
WO2021095588A1 PCT/JP2020/041073 JP2020041073W WO2021095588A1 WO 2021095588 A1 WO2021095588 A1 WO 2021095588A1 JP 2020041073 W JP2020041073 W JP 2020041073W WO 2021095588 A1 WO2021095588 A1 WO 2021095588A1
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WO
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substrate
polymerized
wafer
grinding
thickness distribution
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PCT/JP2020/041073
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信貴 福永
松本　武志
知広 金子
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B24B7/04—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving a rotary work-table
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Definitions

  • This disclosure relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.
  • Patent Document 1 in a plate-shaped work formed by laminating a first plate-shaped work and a second plate-shaped work, measurement of at least three points of the first plate-shaped work held on a holding table is performed.
  • a grinding method including a step of measuring the thickness at a position, a step of adjusting the parallelism of the first plate-shaped work according to the measured thickness, and a step of grinding the second plate-shaped work after adjusting the parallelism.
  • the technique according to the present disclosure appropriately improves the flatness of the first substrate in the polymerized substrate in which the first substrate and the second substrate are bonded.
  • One aspect of the present disclosure is a method of finishing and grinding the rough-ground first substrate in a substrate processing apparatus on a polymerized substrate in which a first substrate and a second substrate are joined, and the substrate processing is performed.
  • a plurality of polymerized substrates are continuously processed, and the thickness distribution of one of the first substrates before finish grinding in one polymerized substrate is measured, and the first before finish grinding in another polymerized substrate is measured.
  • the substrate holding portion for holding the other polymerization substrate and the polymerization substrate To determine the relative inclination with respect to the grinding portion for finish grinding, and to finish grind the first substrate in the other polymerized substrate while holding the other polymerized substrate at the determined inclination. And, including.
  • the flatness of the first substrate can be appropriately improved.
  • first substrate a polymer substrate in which a device such as a plurality of electronic circuits is formed on the surface
  • second substrate a polymer substrate in which a device such as a plurality of electronic circuits is formed on the surface
  • the thinning of the first substrate is performed by bringing a grinding wheel into contact with the back surface of the first substrate in a state where the back surface of the second substrate is held by the substrate holding portion and grinding.
  • TTV Total Tickness Variation
  • the grinding method described in Patent Document 1 described above detects a variation in the thickness of the second substrate (first plate-shaped work) and adjusts the inclination of the substrate holding portion (holding table).
  • This is a grinding method for grinding the substrate (second plate-shaped work) of No. 1 with a uniform thickness.
  • the second substrate (first plate-shaped work) is generated by the measurement light emitted from the non-contact type thickness measuring means provided above the polymerized substrate (plate-shaped work). The thickness of is calculated directly. The measurement light passes through the first substrate (second plate-shaped work).
  • the thickness of the second substrate including the metal film cannot be calculated appropriately.
  • the measurement light for example, IR light
  • the metal can be obtained from either the first substrate side or the second substrate side.
  • the thickness of the second substrate including the film cannot be measured appropriately. Since the thickness distribution of the second substrate containing the metal film cannot be appropriately measured in this way, the inclination of the grinding wheel that comes into contact with the first substrate, that is, the grinding amount can be appropriately calculated.
  • the technique according to the present disclosure appropriately improves the flatness of the first substrate in the polymerized substrate in which the first substrate and the second substrate are bonded.
  • the processing apparatus as the substrate processing apparatus and the processing method as the substrate processing method according to the present embodiment will be described with reference to the drawings.
  • elements having substantially the same functional configuration are designated by the same reference numerals, so that duplicate description will be omitted.
  • the processing apparatus 1 As a polymerization substrate in which the first wafer W as the first substrate and the second wafer S as the second substrate are bonded.
  • the polymerized wafer T is processed.
  • the first wafer W is thinned.
  • the surface on the side to be joined to the second wafer S is referred to as a front surface Wa
  • the surface opposite to the front surface Wa is referred to as a back surface Wb.
  • the surface on the side to be joined to the first wafer W is referred to as the front surface Sa
  • the surface opposite to the front surface Sa is referred to as the back surface Sb.
  • the first wafer W is a semiconductor wafer such as a silicon substrate, and a device layer D including a plurality of devices is formed on the surface Wa.
  • a surface film F is further formed on the device layer D, and is bonded to the second wafer S via the surface film F.
  • the surface film F include an oxide film (SiO 2 film, TEOS film), a SiC film, a SiCN film, and an adhesive.
  • the peripheral edge of the first wafer W is removed in advance in order to prevent the peripheral portion from being formed with a sharply pointed shape (so-called knife edge shape) by the grinding process in the processing apparatus 1.
  • the peripheral edge portion is, for example, in the range of 0.5 mm to 3 mm in the radial direction from the outer end portion of the first wafer W.
  • the second wafer S has the same structure as the first wafer W, for example, and the device layer D and the surface film F are formed on the surface Sa. Further, the peripheral edge portion of the second wafer S is chamfered, and the cross section of the peripheral edge portion becomes thinner toward the tip thereof.
  • the second wafer S does not have to be a device wafer on which the device layer D is formed, and may be, for example, a support wafer that supports the first wafer W. In such a case, the second wafer S functions as a protective material for protecting the device layer D on the surface Wa of the first wafer W.
  • the device layer D and the surface film F may be shown together and numbered as the device layer and the surface film "DF".
  • the processing apparatus 1 has a configuration in which the loading / unloading station 2 and the processing station 3 are integrally connected.
  • the carry-in / out station 2 carries in / out a cassette Ct capable of accommodating a plurality of polymerized wafers T with, for example, the outside.
  • the processing station 3 is provided with various processing devices that perform desired processing on the polymerized wafer T.
  • the loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting stand 10.
  • a cassette mounting stand 10 In the illustrated example, a plurality of, for example, four cassette Cts can be freely mounted in a row on the cassette mounting table 10 in the X-axis direction.
  • the number of cassettes Ct mounted on the cassette mounting table 10 is not limited to this embodiment and can be arbitrarily determined.
  • the loading / unloading station 2 is provided with a wafer transfer area 20 adjacent to the cassette mounting table 10 on the Y-axis positive direction side of the cassette mounting table 10.
  • the wafer transfer region 20 is provided with a wafer transfer device 22 configured to be movable on a transfer path 21 extending in the X-axis direction.
  • the wafer transfer device 22 has a transfer fork 23 that holds and conveys the polymerized wafer T.
  • the tip of the transport fork 23 is branched into two, and the polymerized wafer T is adsorbed and held.
  • the transport fork 23, for example, transports the polymerized wafer T before and after the grinding process.
  • the transport fork 23 is configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, the horizontal axis, and the vertical axis.
  • the configuration of the wafer transfer device 22 is not limited to this embodiment, and any configuration can be adopted.
  • the wafer transfer device 22 may include two transfer forks 23 that transfer the polymerized wafer T before and after the grinding process.
  • the processing station 3 includes a rotary table 30, a transport unit 40, an alignment unit 50, a first cleaning unit 60, a second cleaning unit 70, a rough grinding unit 80, a medium grinding unit 90, and a finishing grinding unit as a finishing grinding unit. Has 100.
  • the rotary table 30 is rotatably configured by a rotary mechanism (not shown).
  • a rotary mechanism (not shown).
  • four chucks 31 are provided as substrate holding portions for sucking and holding the polymerized wafer T.
  • the chucks 31 are arranged evenly on the same circumference as the rotary table 30, that is, every 90 degrees.
  • the four chucks 31 can be moved to the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3 by rotating the rotary table 30.
  • each of the four chucks 31 is configured to be rotatable around a vertical axis by a rotation mechanism (not shown).
  • the delivery position A0 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the rotary table 30, and a second delivery position A0 is on the Y-axis negative direction side.
  • a cleaning unit 70, an alignment unit 50, and a first cleaning unit 60 are arranged.
  • the alignment unit 50 and the first cleaning unit 60 are stacked and arranged in this order from above.
  • the first machining position A1 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis positive direction side of the rotary table 30, and the rough grinding unit 80 is arranged.
  • the second machining position A2 is a position on the X-axis negative direction side and the Y-axis positive direction side of the rotary table 30, and the intermediate grinding unit 90 is arranged.
  • the third machining position A3 is a position on the X-axis negative direction side and the Y-axis negative direction side of the rotary table 30, and the finish grinding unit 100 is arranged.
  • a porous chuck is used for the chuck 31.
  • the chuck 31 attracts and holds the back surface Sb of the second wafer S forming the polymerization wafer T.
  • the surface of the chuck 31, that is, the holding surface of the polymerized wafer T has a convex shape in which the central portion thereof protrudes from the end portion in a side view. Since the protrusion at the center is very small, the convex shape of the chuck 31 is not shown in the following description.
  • the chuck 31 is held by the chuck base 32.
  • the four chuck bases located at the machining positions A1 to A3 and the delivery position A0 are used as the first chuck base 321 and the second chuck base 322 and the third chuck base, respectively. It may be called 323 or the fourth chuck base 324.
  • the chuck bases 321 to 324 hold the chucks 311 to 314, respectively.
  • the chuck base 32 is provided with an inclination adjusting unit 33 for adjusting the inclination of the chuck 31 and the chuck base 32 from the horizontal direction.
  • the tilt adjusting unit 33 has a fixed shaft 34 and a plurality of elevating shafts 35 provided on the lower surface of the chuck base 32. Each elevating shaft 35 is configured to be expandable and contractible, and elevates and lowers the chuck base 32.
  • the tilt adjusting portion 33 raises and lowers the other end of the chuck base 32 in the vertical direction by the elevating shaft 35 with one end (position corresponding to the fixed shaft 34) as the base point, thereby causing the chuck 31 and the chuck base. 32 can be tilted.
  • the configuration of the inclination adjusting unit 33 is not limited to this, and can be arbitrarily selected as long as the relative angle (parallelism) of the first wafer W with respect to the grinding wheel can be adjusted.
  • the transport unit 40 is an articulated robot provided with a plurality of, for example, three arms 41.
  • Each of the three arms 41 is configured to be rotatable.
  • a transport pad 42 that attracts and holds the polymerized wafer T is attached to the arm 41 at the tip.
  • the arm 41 at the base end is attached to an elevating mechanism 43 that elevates and elevates the arm 41 in the vertical direction. Then, the transfer unit 40 having such a configuration can transfer the polymerization wafer T to the delivery position A0, the alignment unit 50, the first cleaning unit 60, and the second cleaning unit 70.
  • the alignment unit 50 adjusts the horizontal orientation of the polymerized wafer T before grinding. For example, while rotating the polymerization wafer T held by the spin chuck (not shown), the position of the notch portion of the first wafer W is detected by the detection unit (not shown), so that the position of the notch portion can be determined. Adjust to adjust the horizontal orientation of the polymerization wafer T.
  • the back surface Wb of the first wafer W after the grinding process is cleaned, more specifically, spin-cleaned.
  • the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle (not shown) to the back surface Wb of the first wafer W. Then, the supplied cleaning liquid diffuses on the back surface Wb, and the back surface Wb is washed.
  • the back surface Sb of the second wafer S in a state where the superposed wafer T after the grinding process is held by the transfer pad 42 is cleaned, and the transfer pad 42 is also cleaned.
  • the rough grinding unit 80 roughly grinds the back surface Wb of the first wafer W.
  • the rough grinding unit 80 has a rough grinding section 81.
  • the rough grinding unit 81 includes a rough grinding wheel 82, a mount 83, a spindle 84, and a drive unit 85.
  • the rough grinding wheel 82 is provided with a rough grinding wheel on the lower surface and has an annular shape.
  • the rough grinding wheel 82 is supported by the mount 83.
  • the mount 83 is provided with a drive unit 85 via a spindle 84.
  • the drive unit 85 incorporates, for example, a motor (not shown) to rotate the rough grinding wheel 82 and move it in the vertical direction along the support column 86 shown in FIG.
  • the chuck 31 and the rough grinding wheel 82 are brought into contact with each other in a state where the first wafer W of the polymerized wafer T held by the chuck 31 and a part of the arc of the rough grinding wheel 82 are in contact with each other.
  • the back surface Wb of the first wafer W is roughly ground.
  • the back surface Wb of the first wafer W is medium ground.
  • the configuration of the medium grinding unit 90 is almost the same as the configuration of the rough grinding unit 80 as shown in FIGS. 3 and 5, and the medium grinding unit 91, the medium rough grinding wheel 92, the mount 93, the spindle 94, the drive unit 95 and It has a support 96.
  • the particle size of the abrasive grains of the medium grinding wheel is smaller than the particle size of the abrasive grains of the coarse grinding wheel.
  • the finish grinding unit 100 finish grinds the back surface Wb of the first wafer W.
  • the configuration of the finish grinding unit 100 is almost the same as the configuration of the rough grinding unit 80 and the medium grinding unit 90, and the finish grinding unit 101, the finish grinding wheel 102, the mount 103, the spindle 104, and the drive It has a part 105 and a support column 106.
  • the particle size of the abrasive grains of the finishing grinding wheel is smaller than the particle size of the abrasive grains of the medium grinding wheel.
  • the processing station 3 is provided with thickness measuring units 110 and 120 for measuring the thickness of the first wafer W after the completion of the middle grinding and the thickness of the first wafer W after the completion of the finish grinding, respectively. ..
  • the thickness measuring unit 110 is provided at, for example, the processing position A2 or the processing position A3.
  • the thickness measuring unit 120 is provided at, for example, the processing position A3 or the delivery position A0.
  • a thickness measuring mechanism (not shown) for detecting the end point of various grinding processes at each machining position is provided. When the thickness of the wafer W measured by the thickness measuring mechanism reaches the target thickness, the rotary table 30 is rotated to move the wafer W.
  • the thickness measuring units 110 and 120 described above may be used as the thickness measuring mechanism for detecting the end point.
  • the thickness measuring unit 110 as the first thickness distribution measuring unit has a sensor 111 and a calculation unit 112 as shown in FIG.
  • the sensor 111 is, for example, a non-contact type sensor, and measures the thickness of the first wafer W before finish grinding.
  • the sensor 111 measures the thickness of a plurality of points on the first wafer W.
  • the measurement result of the sensor 111 is output to the calculation unit 112.
  • the calculation unit 112 acquires the thickness distribution of the first wafer W from the measurement results (thickness of the first wafer W) at a plurality of points of the sensor 111. At this time, the TTV data of the first wafer W can be further calculated.
  • the thickness of the first wafer W measured by the thickness measuring unit 110 is the thickness of the silicon portion of the first wafer W, and does not include the thickness of the device layer D and the surface film F.
  • the thickness measuring unit 120 as the second thickness distribution measuring unit has substantially the same configuration as the thickness measuring unit 110, and has a sensor 121 and a calculation unit 122.
  • the thickness measuring unit 120 acquires the thickness of the first wafer W after finish grinding by the sensor 121, and the calculation unit 122 calculates the TTV data.
  • the thickness of the first wafer W is measured at a plurality of measurement points in the radial direction of the first wafer W. At each measurement point in the radial direction, the thickness of the first wafer W is measured at a plurality of points in the circumferential direction while rotating the layered wafer T. Then, the moving average value or the moving median value of the thickness measured at a plurality of points in the circumferential direction can be calculated, and the calculated value can be used as the thickness of the first wafer W at the measurement points in the radial direction.
  • the thickness of the first wafer W at arbitrary designated coordinates is measured, and the measured thickness is a representative value. As a result, it may be used as the thickness of the first wafer W.
  • the configurations of the thickness measuring units 110 and 120 are not limited to this embodiment, and can be arbitrarily selected as long as the thickness distribution of the first wafer W can be acquired and TTV data can be calculated. ..
  • the above processing apparatus 1 is provided with a control unit 130.
  • the control unit 130 is, for example, a computer equipped with a CPU, a memory, or the like, and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program that controls the processing of the polymerized wafer T in the processing apparatus 1. Further, the program storage unit also stores a program for controlling the operation of the drive system of the above-mentioned various processing units and transfer devices to realize the processing described later in the processing device 1.
  • the program may be recorded on a computer-readable storage medium H and may be installed on the control unit 130 from the storage medium H.
  • the first wafer W and the second wafer S are bonded to each other in an external bonding device (not shown) of the processing device 1, and a polymerization wafer T is formed in advance. Further, the peripheral edge portion of the first wafer W has been removed in advance.
  • the cassette Ct containing the plurality of polymerized wafers T is placed on the cassette mounting table 10 of the loading / unloading station 2.
  • the polymerized wafer T in the cassette Ct is taken out by the transfer fork 23 of the wafer transfer device 22, and is transferred to the alignment unit 50 of the processing station 3.
  • the position of the notch portion of the first wafer W is adjusted while rotating the polymerization wafer T held by the spin chuck (not shown) as described above, so that the polymerization wafer T is in the horizontal direction.
  • the orientation of is adjusted.
  • the polymerized wafer T is conveyed from the alignment unit 50 to the delivery position A0 by the transfer unit 40, and is delivered to the chuck 31 at the delivery position A0. After that, the chuck 31 is moved to the first processing position A1. Then, the back surface Wb of the first wafer W is roughly ground by the rough grinding unit 80.
  • the chuck 31 is moved to the second processing position A2. Then, the back surface Wb of the first wafer W is medium-ground by the medium-grinding unit 90.
  • the finish grinding unit 100 finish grinds the back surface Wb of the first wafer W.
  • the detailed method of finish grinding in this embodiment will be described later.
  • the back surface Wb of the first wafer W is roughly cleaned by the cleaning liquid using a cleaning liquid nozzle (not shown). In this step, cleaning is performed to remove dirt on the back surface Wb to some extent.
  • the polymerized wafer T is conveyed from the delivery position A0 to the second cleaning unit 70 by the transfer unit 40. Then, in the second washing unit 70, the back surface Sb of the second wafer S is washed and dried while the polymerization wafer T is held by the transport pad 42.
  • the polymerized wafer T is conveyed from the second cleaning unit 70 to the first cleaning unit 60 by the transfer unit 40. Then, in the first cleaning unit 60, the back surface Wb of the first wafer W is finished and cleaned by the cleaning liquid using a cleaning liquid nozzle (not shown). In this step, the back surface Wb is washed and dried to a desired degree of cleanliness.
  • the polymerized wafer T that has been subjected to all the processing is transferred to the cassette Ct of the cassette mounting table 10 by the transfer fork 23 of the wafer transfer device 22. Then, when the processing for all the polymerized wafers T in the cassette Ct is completed, a series of processing processes in the processing apparatus 1 are completed.
  • the processing apparatus 1 the processing of the polymerized wafer T may be performed on a single sheet, that is, the processing of the other polymerized wafer T may be started after the processing of one polymerized wafer T is completed.
  • the processing on the plurality of polymerized wafers T may be continuously performed, that is, the processing of the plurality of polymerized wafers T may be performed simultaneously in the processing apparatus 1.
  • the plurality of polymerized wafers T housed in the cassette Ct are continuously processed. Then, in order to uniformly perform the grinding process in the processing apparatus 1 for each polymerized wafer T, that is, in order to uniformly control the thickness distribution of the first wafer W in each polymerized wafer T after finish grinding. Needs to consider the in-plane thickness distribution of the second wafer S as described above. Hereinafter, a finish grinding method for the first wafer W in consideration of the thickness distribution of the second wafer S in the processing apparatus 1 will be described.
  • the nth polymerized wafer T processed in the processing apparatus 1 may be referred to as "polymerized wafer Tn".
  • the first wafer W and the second wafer S constituting the nth polymerized wafer T may be referred to as “first wafer Wn” and “second wafer Sn”, respectively. is there.
  • the processing apparatus 1 includes a thickness measuring unit 110 for acquiring the thickness distribution of the first wafer W before finish grinding and a first thickness after finish grinding. It has a thickness measuring unit 120 for acquiring the thickness distribution of the wafer W of 1 and further calculating the TTV.
  • the thickness measuring units 110 and 120 measure the thickness of a plurality of points of the first wafer W by emitting IR light to the first wafer W, and the first wafer W is based on the measured thickness. Get the in-plane thickness distribution of. Further, the thickness measuring unit 120 calculates the TTV of the first wafer W after the finish grinding process based on the acquired in-plane thickness distribution.
  • the IR light is emitted from, for example, above the polymerization wafer T held by the chuck 31, that is, from the first wafer W side with respect to the polymerization wafer T.
  • the thickness measuring unit 110 can also be used to calculate the TTV of the first wafer W before the finish grinding process.
  • the thickness measuring unit 110 of the first wafer W1 before finish grinding is measured, and the film thickness distribution data D1 as one thickness distribution is acquired.
  • the acquired film thickness distribution data D1 is output to the control unit 130.
  • the back surface W1b of the first wafer W1 is finish-ground by the finish grinding unit 100.
  • the finish grinding of the first wafer W1 on the laminated wafer T1 it is detected based on the film thickness distribution data D1 so that the in-plane thickness of the first wafer W1 becomes uniform, that is, by the film thickness distribution data D1.
  • the amount of grinding in the plane is determined so that the flatness of the first wafer W1 is improved. Specifically, the amount of finish grinding is increased at a position in the plane of the first wafer W1 where the thickness is determined to be large, and the amount of finish grinding is decreased at a position where the thickness is determined to be small.
  • the thickness distribution of the polymerized wafer T1 is measured by the thickness measuring unit 120 at a plurality of points of the first wafer W1 after the finish grinding, and the film thickness distribution as the thickness distribution after the finish grinding. Acquire the data DD1.
  • the acquired film thickness distribution data DD1 is output to the control unit 130.
  • the first wafer W1 after the finish grinding is finish-ground based on the grinding amount determined based on the film thickness distribution data D1, so that the flatness of the first wafer W1 is improved, that is, It is desirable that the thickness of the first wafer W1 is uniform in the plane.
  • the flatness of the first wafer W1 may not be improved as shown in FIG. 6B due to, for example, wear of the finishing grinding wheel, parallelism between the chuck 31 and the finishing grinding wheel, and other device characteristics. ..
  • the difference data a between the film thickness distribution data D1 and the film thickness distribution data DD1 as the first difference data is acquired.
  • the acquired difference data a is output to the control unit 130.
  • the difference data a is acquired based on the film thickness distribution data D1 and DD1 acquired at the same point in the plane of the wafer W.
  • the difference data a is the difference between the film thickness distribution data of the first wafer W before and after the finish grinding in the finish grinding unit 100.
  • the difference data a it is possible to calculate the deterioration tendency of the flatness due to the device characteristics of the finish grinding unit 100.
  • the tendency of deterioration of flatness due to the device characteristics is offset based on the difference data a.
  • the amount of finish grinding is determined.
  • the flatness of the first wafer W can be appropriately improved in the processing of the second and subsequent polymerized wafers T.
  • the amount of finish grinding in the finish grinding unit 100 is adjusted by, for example, adjusting the relative inclination of the chuck base 32 with respect to the finish grinding wheel by the inclination adjusting unit 33.
  • the polymerized wafer T1 from which the film thickness distribution data DD1 has been acquired is then subjected to the flatness of the first wafer W1 due to the device characteristics based on the acquired difference data a as shown in FIG. 6 (c).
  • the first wafer W1 is regrinded so as to offset the deterioration tendency.
  • the regrinding of the first wafer W1 is performed in the finish grinding unit 100. If there is no difference between the film thickness distribution data D1 and the film thickness distribution data DD1, that is, if there is no problem in the device characteristics of the finish grinding unit 100, the regrinding of the first wafer W1 is omitted. can do.
  • the polymerized wafer T1 whose processing is completed is conveyed to the cassette Ct via the second cleaning unit 70 and the first cleaning unit 60. Then, the processing process for the second polymerized wafer T2 is started.
  • the thickness measuring unit 110 measures the thickness of a plurality of points of the first wafer W2 before finish grinding, and the film thickness distribution data as one thickness distribution. Acquire D2. The acquired film thickness distribution data D2 is output to the control unit 130.
  • the flatness of the first wafer W2 is improved by determining the finish grinding amount based on the grinding amount determined based on the difference data a, that is, the first wafer W2. It is desirable that the thickness of the wafer W2 is uniform in the plane. However, as shown in FIGS. 6A and 6D, when the shape characteristics of the second wafer S1 and the second wafer S2 are different, the first wafer W1 and the first wafer W2 are used. If grinding is performed under the same conditions, the flatness of the first wafer W2 may not be improved. Specifically, as shown in FIG.
  • the difference data A between the film thickness distribution data D1 and the film thickness distribution data D2 as the second difference data is acquired.
  • the acquired difference data A is output to the control unit 130.
  • the difference data A is the difference between the film thickness distribution data of the first wafer W1 before the finish grinding and the first wafer W2 before the finish grinding in the finish grinding unit 100.
  • the tendency of deterioration of flatness due to the shape characteristics of the second wafer S can be calculated.
  • the chuck base 32 is formed so as to cancel the deterioration tendency of the flatness due to the shape characteristics based on the difference data A.
  • the inclination is adjusted to determine the amount of finish grinding in the plane of the first wafer W2.
  • the back surface W2b of the first wafer W2 is finish-ground by the finish grinding unit 100.
  • the finish grinding of the first wafer W2 in addition to the inclination adjustment of the chuck base 32 based on the difference data a as described above, the inclination of the chuck base 32 is further corrected based on the difference data A, and the finish grinding amount is determined. Will be done. Thereby, in the processing of the second polymerized wafer T2, the flatness of the first wafer W2 can be appropriately improved.
  • the thickness of the first wafer W2 after finish grinding is measured by the thickness measuring unit 120 of the polymerized wafer T2, and the film thickness distribution as the thickness distribution after finish grinding. Acquire the data DD2.
  • the acquired film thickness distribution data DD2 is output to the control unit 130.
  • the difference data b between the film thickness distribution data D2 and the film thickness distribution data DD2 as the first difference data is acquired.
  • the acquired difference data b is output to the control unit 130.
  • the difference data b is acquired based on the film thickness distribution data D2 and DD2 acquired at the same point in the plane of the wafer W.
  • the difference data b is the difference between the film thickness distribution data of the first wafer W2 before and after the finish grinding in the finish grinding unit 100.
  • the finish grinding unit 100 changes the device characteristics over time due to, for example, wear of the finish grinding wheel. Further, for example, the device characteristics may change with time due to environmental factors (for example, atmospheric temperature) when performing finish grinding. Therefore, in the grinding process according to the present embodiment, the inclination of the chuck base 32 is adjusted by following the deterioration tendency of the flatness due to the characteristics of the apparatus over time, and the finishing grinding amount is determined. As a result, the flatness of the first wafer W can be appropriately improved even in the processing of the third and subsequent laminated wafers T.
  • the polymerized wafer T2 from which the film thickness distribution data DD2 has been acquired is then conveyed to the cassette Ct via the second cleaning unit 70 and the first cleaning unit 60.
  • the third polymerized wafer T3 is taken out from the cassette Ct, and the processing process for the polymerized wafer T3 is started.
  • the thickness measuring unit 110 measures the thickness of a plurality of points of the first wafer W3 before finish grinding, and the film thickness distribution data as one thickness distribution. Acquire D3. The acquired film thickness distribution data D3 is output to the control unit 130.
  • the difference data B between the film thickness distribution data D1 and the film thickness distribution data D3 as the second difference data, which is the shape characteristic of the second wafer S3, is acquired.
  • the acquired difference data B is output to the control unit 130.
  • the difference data B may be the difference between the film thickness distribution data D2 and the film thickness distribution data D3 as long as the shape characteristics of the second wafer S3 can be acquired.
  • the back surface W3b of the first wafer W3 is finish-ground by the finish grinding unit 100.
  • the inclination of the chuck base 32 is adjusted based on the difference data b and the difference data B, and the finish grinding amount is determined.
  • the flatness of the first wafer W3 can be appropriately improved. If no difference is found between the difference data a and the difference data b, that is, if there is no change in the device characteristics of the finish grinding unit 100, the difference data a is found in the finish grinding of the first wafer W3. , And the inclination may be adjusted based on the difference data B, that is, the finish grinding amount may be determined.
  • the thickness of a plurality of points of the first wafer W3 after finish grinding is measured by the thickness measuring unit 120, and the film thickness distribution as the thickness distribution after finish grinding. Acquire the data DD3.
  • the acquired film thickness distribution data DD3 is output to the control unit 130.
  • the difference data c between the film thickness distribution data D3 and the film thickness distribution data DD3 as the first difference data is acquired.
  • the acquired difference data c is output to the control unit 130.
  • the difference data c is acquired based on the film thickness distribution data D3 and DD3 acquired at the same point in the plane of the wafer W.
  • the second wafer S in each polymerized wafer T Difference data A, B, ..., which are differences in shape characteristics, are acquired. Then, since the inclination of the chuck base 32 is adjusted (corrected) based on the difference data to determine the finish grinding amount of the first wafer W, the finish thickness of the first wafer W can be uniformly controlled. That is, the flatness of the first wafer W can be appropriately improved.
  • the shape characteristics of the second wafer S can be acquired only by measuring the thickness of the first wafer W by the thickness measuring unit 110 and the thickness measuring unit 120. That is, for example, even when the device layer D is formed on the surface Wa of the first wafer W and the total thickness of the polymerized wafer T or the thickness of the second wafer S cannot be measured, the second wafer is appropriately used.
  • the shape characteristics of the wafer S can be acquired, and the flatness of the first wafer W can be improved.
  • the difference data a which is the device characteristic of the finish grinding unit 100, is acquired based on the film thickness distribution data before and after the finish grinding of the first polymerized wafer T1. Then, in order to adjust (correct) the inclination of the chuck base 32 based on the difference data a and determine the finish grinding amount of the first wafer W, the finish thickness of the first wafer W is controlled more appropriately and uniformly. it can. That is, the flatness of the first wafer W can be further appropriately improved.
  • the difference data b, c, ..., which are the device characteristics of the finish grinding unit 100 are acquired based on the film thickness distribution data before and after the finish grinding of the second and subsequent polymerized wafers Tn. ..
  • the inclination of the chuck base 32 is adjusted (corrected) according to the time change of the device characteristics, and the first wafer is used. Since the finish grinding amount of W can be determined, the flatness of the first wafer W can be improved more appropriately.
  • the difference data a which is the device characteristic of the finish grinding unit 100 was acquired at the time of processing the first polymerized wafer T1, but the difference data a can be used as, for example, a dummy polymerization substrate. It may be acquired in advance by grinding the polymerized wafer T0.
  • the device characteristics in advance using the dummy substrate it is not necessary to acquire the device characteristics in the processing process of the first polymerized wafer T1 in the cassette Ct. That is, it is not necessary to perform the above-mentioned regrinding in the processing of the polymerized wafer T1, and the throughput required for the finish grinding of the polymerized wafer T1 can be improved.
  • the chuck base 32 is tilted by the tilt adjusting unit 33 to adjust the finish grinding amount of the first wafer W, thereby improving the flatness of the first wafer W.
  • the method for adjusting the finish grinding amount is not limited to this.
  • the inclination adjusting unit 33 may adjust the finish grinding amount of the first wafer W by inclining the grinding wheel. Further, for example, if the finish grinding amount of the first wafer W can be adjusted, the inclination adjusting unit 33 may not be used.
  • the film thickness distribution data before and after the finish grinding of the first wafer W1 is acquired, and the flatness of the first wafer W1 is adjusted based on the acquired film thickness distribution data.
  • the adjustment of the flat portion may be performed at the time of rough grinding or medium grinding of the first wafer W1. That is, the film thickness distribution data before and after rough grinding and before and after medium grinding are further acquired, and based on the acquired film thickness distribution data, the relative inclination of the chuck base 32 with respect to the grinding wheel during rough grinding and medium grinding is determined. You may adjust.
  • the technique according to the present disclosure can be suitably applied not only when the polymerized wafer T has a metal film but also in any case where the thickness of the second wafer S cannot be calculated appropriately.

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Abstract

第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、粗研削された前記第１の基板を基板処理装置において仕上研削処理する方法であって、前記基板処理装置においては複数の重合基板が連続的に処理され、一の重合基板における仕上研削前の第１の基板の一の厚み分布を測定することと、他の重合基板における仕上研削前の第１の基板の他の厚み分布を測定することと、前記一の厚み分布と前記他の厚み分布との第１の差分データに基づいて、前記他の重合基板を保持する基板保持部と、前記重合基板を仕上研削する研削部との相対的な傾きを決定することと、決定された前記傾きで前記他の重合基板を保持した状態で、前記他の重合基板における第１の基板を仕上研削することと、を含む。

Description

基板処理方法及び基板処理装置
　本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
　特許文献１には、第１の板状ワークと第２の板状ワークとが貼り合わせて形成された板状ワークにおいて、保持テーブルに保持された第１の板状ワークの少なくとも３箇所の測定位置で厚みを測定する工程と、測定された厚みによって第１の板状ワークの平行度を調整する工程と、平行度の調整後に第２の板状ワークを研削する工程と、を含む研削方法が開示されている。
特開２０１４－２２６７４９号公報
　本開示にかかる技術は、第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、第１の基板の平坦度を適切に向上させる。
　本開示の一態様は、第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、粗研削された前記第１の基板を基板処理装置において仕上研削処理する方法であって、前記基板処理装置においては複数の重合基板が連続的に処理され、一の重合基板における仕上研削前の第１の基板の一の厚み分布を測定することと、他の重合基板における仕上研削前の第１の基板の他の厚み分布を測定することと、前記一の厚み分布と前記他の厚み分布との第１の差分データに基づいて、前記他の重合基板を保持する基板保持部と、前記重合基板を仕上研削する研削部との相対的な傾きを決定することと、決定された前記傾きで前記他の重合基板を保持した状態で、前記他の重合基板における第１の基板を仕上研削することと、を含む。
　本開示によれば、第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、第１の基板の平坦度を適切に向上させることができる。
従来の第１のウェハのＴＴＶ悪化の様子を模式的に示す説明図である。 重合ウェハの構成の一例を示す説明図である。 加工装置の構成の一例を模式的に示す平面図である。 回転テーブルの構成の概略を示す平面図である。 各研削ユニットの構成の概略を示す側面図である。 加工処理の主な工程の一例を示す説明図である。 第１のウェハのＴＴＶ悪化の様子を模式的に示す説明図である。
　近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体基板（以下、「第１の基板」という。）と第２の基板が接合された重合基板に対し、当該第１の基板の裏面を研削して薄化することが行われている。
　この第１の基板の薄化は、第２の基板の裏面を基板保持部により保持した状態で、第１の基板の裏面に研削砥石を当接させ、研削することにより行われる。しかしながら、このように第１の基板の研削を行う場合、基板保持部により保持された第２の基板の径方向の厚み分布が均一でないと、研削後の第１の基板の平坦度（ＴＴＶ：Ｔｏｔａｌ　Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が悪化するおそれがある。具体的には、図１に示すように、重合基板Ｔの面内において第２の基板Ｓの厚みが小さい部分においては第１の基板Ｗの厚みが大きくなり、第２の基板Ｓの厚みが大きい部分においては第１の基板Ｗの厚みが小さくなる。
　上述した特許文献１に記載の研削方法は、この第２の基板（第１の板状ワーク）の厚みのばらつきを検出して、基板保持部（保持テーブル）の傾きを調整することで、第１の基板（第２の板状ワーク）を均一な厚みで研削するための研削方法である。特許文献１に記載の研削方法では、重合基板（板状ワーク）の上方に設けられた非接触式の厚み測定手段から出射される測定光により、第２の基板（第１の板状ワーク）の厚みを直接算出している。なお、測定光は第１の基板（第２の板状ワーク）を透過する。
　しかしながら、例えば上述のように第１の基板の表面にデバイスが形成されている場合、すなわち、第１の基板と第２の基板との間に金属膜であるデバイス層が介在している場合、当該金属膜を含めた第２の基板の厚みを適切に算出することができない。具体的には、金属膜であるデバイス層を測定光（例えばＩＲ光）が透過することができないため、第１の基板側から、または第２の基板側からのいずれからであっても、金属膜を含めた第２の基板の厚みを適切に計測することができない。そして、このように金属膜を含む第２の基板の厚み分布を適切に計測することができないため、第１の基板に当接させる研削砥石の傾き、すなわち研削量を適切に算出することができず、研削後の第１の基板の平坦度を向上させることが困難になる。したがって、従来の第１の基板を均一な厚みにするための研削方法には改善の余地がある。
　そこで本開示にかかる技術は、第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、第１の基板の平坦度を適切に向上させる。以下、本実施形態にかかる基板処理装置としての加工装置、及び基板処理方法としての加工方法ついて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　本実施形態にかかる後述の加工装置１では、図２に示すように第１の基板としての第１のウェハＷと第２の基板としての第２のウェハＳとが接合された重合基板としての重合ウェハＴに対して処理を行う。そして加工装置１では、当該第１のウェハＷを薄化する。以下、第１のウェハＷにおいて、第２のウェハＳと接合される側の面を表面Ｗａといい、表面Ｗａと反対側の面を裏面Ｗｂという。同様に、第２のウェハＳにおいて、第１のウェハＷと接合される側の面を表面Ｓａといい、表面Ｓａと反対側の面を裏面Ｓｂという。
　第１のウェハＷは、例えばシリコン基板等の半導体ウェハであって、表面Ｗａに複数のデバイスを含むデバイス層Ｄが形成されている。デバイス層Ｄにはさらに、表面膜Ｆが形成され、当該表面膜Ｆを介して第２のウェハＳと接合されている。表面膜Ｆとしては、例えば酸化膜（ＳｉＯ２膜、ＴＥＯＳ膜）、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜又は接着剤などが挙げられる。なお第１のウェハＷは、加工装置１における研削処理により周縁部に鋭く尖った形状（いわゆるナイフエッジ形状）が形成されるのを抑制するため、当該周縁部が予め除去されている。周縁部は、例えば第１のウェハＷの外端部から径方向に０．５ｍｍ～３ｍｍの範囲である。
　第２のウェハＳは、例えば第１のウェハＷと同様の構成を有しており、表面Ｓａにはデバイス層Ｄ及び表面膜Ｆが形成されている。また、第２のウェハＳの周縁部は面取り加工がされており、周縁部の断面はその先端に向かって厚みが小さくなっている。なお、第２のウェハＳはデバイス層Ｄが形成されたデバイスウェハである必要はなく、例えば第１のウェハＷを支持する支持ウェハであってもよい。かかる場合、第２のウェハＳは第１のウェハＷの表面Ｗａのデバイス層Ｄを保護する保護材として機能する。
　なお、以下の説明においては、図示の煩雑さを回避するため、デバイス層Ｄと表面膜Ｆとを併せて示し、デバイス層及び表面膜「ＤＦ」と付番する場合がある。
　図３に示すように加工装置１は、搬入出ステーション２と処理ステーション３を一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション２は、例えば外部との間で複数の重合ウェハＴを収容可能なカセットＣｔが搬入出される。処理ステーション３は、重合ウェハＴに対して所望の処理を施す各種処理装置を備えている。
　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセットＣｔをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。なお、カセット載置台１０に載置されるカセットＣｔの個数は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。
　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０のＹ軸正方向側において、当該カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送領域２０が設けられている。ウェハ搬送領域２０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在に構成されたウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、重合ウェハＴを保持して搬送する、搬送フォーク２３を有している。搬送フォーク２３は、その先端が２本に分岐し、重合ウェハＴを吸着保持する。搬送フォーク２３は、例えば研削処理前後の重合ウェハＴを搬送する。そして、搬送フォーク２３は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。
　なお、ウェハ搬送装置２２の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。例えばウェハ搬送装置２２は、研削処理前、研削処理後の重合ウェハＴをそれぞれ搬送する２本の搬送フォーク２３を備えていてもよい。
　処理ステーション３では、重合ウェハＴに対して研削や洗浄などの加工処理が行われる。処理ステーション３は、回転テーブル３０、搬送ユニット４０、アライメントユニット５０、第１の洗浄ユニット６０、第２の洗浄ユニット７０、粗研削ユニット８０、中研削ユニット９０、及び仕上研削部としての仕上研削ユニット１００を有している。
　回転テーブル３０は、回転機構（図示せず）によって回転自在に構成されている。回転テーブル３０上には、重合ウェハＴを吸着保持する基板保持部としてのチャック３１が４つ設けられている。チャック３１は、回転テーブル３０と同一円周上に均等、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック３１は、回転テーブル３０が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１～Ａ３に移動可能になっている。また、４つのチャック３１はそれぞれ、回転機構（図示せず）によって鉛直軸回りに回転可能に構成されている。
　図３に示すように本実施形態では、受渡位置Ａ０は回転テーブル３０のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、受渡位置Ａ０のＹ軸負方向側には、第２の洗浄ユニット７０、アライメントユニット５０及び第１の洗浄ユニット６０が配置される。アライメントユニット５０と第１の洗浄ユニット６０は上方からこの順で積層されて配置される。第１の加工位置Ａ１は回転テーブル３０のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット８０が配置される。第２の加工位置Ａ２は回転テーブル３０のＸ軸負方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、中研削ユニット９０が配置される。第３の加工位置Ａ３は回転テーブル３０のＸ軸負方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット１００が配置される。
　チャック３１には、例えばポーラスチャックが用いられる。チャック３１は重合ウェハＴを形成する第２のウェハＳの裏面Ｓｂを吸着保持する。チャック３１の表面、すなわち重合ウェハＴの保持面は側面視において、その中央部が端部に比べて突出した凸形状を有している。なお、この中央部の突出は微小であるため、以下の説明ではチャック３１の凸形状の図示を省略している。
　チャック３１は、チャックベース３２に保持されている。以下の説明では、図４に示すように、加工位置Ａ１～Ａ３及び受渡位置Ａ０に位置する４つのチャックベースをそれぞれ、第１のチャックベース３２１、第２のチャックベース３２２、第３のチャックベース３２３、第４のチャックベース３２４という場合がある。チャックベース３２１～３２４は、それぞれチャック３１１～３１４を保持する。
　図５に示すようにチャックベース３２には、チャック３１及びチャックベース３２の水平方向からの傾きを調整する傾き調整部３３が設けられてる。傾き調整部３３は、チャックベース３２の下面に設けられた、固定軸３４と複数の昇降軸３５を有している。各昇降軸３５は伸縮自在に構成され、チャックベース３２を昇降させる。この傾き調整部３３によって、チャックベース３２の外周部の一端部（固定軸３４に対応する位置）を基点に、他端部を昇降軸３５によって鉛直方向に昇降させることで、チャック３１及びチャックベース３２を傾斜させることができる。そしてこれにより、加工位置Ａ１～Ａ３の各種研削ユニットが備える研削砥石に対する、研削面である第１のウェハＷの裏面Ｗｂの傾きを調整することができる。
　なお、傾き調整部３３の構成はこれに限定されず、研削砥石に対する第１のウェハＷの相対的な角度（平行度）を調節することができれば、任意に選択することができる。
　図３に示すように搬送ユニット４０は、複数、例えば３つのアーム４１を備えた多関節型のロボットである。３つのアーム４１は、それぞれが旋回自在に構成されている。先端のアーム４１には、重合ウェハＴを吸着保持する搬送パッド４２が取り付けられている。また、基端のアーム４１は、アーム４１を鉛直方向に昇降させる昇降機構４３に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット４０は、受渡位置Ａ０、アライメントユニット５０、第１の洗浄ユニット６０、及び第２の洗浄ユニット７０に対して、重合ウェハＴを搬送できる。
　アライメントユニット５０では、研削処理前の重合ウェハＴの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持された重合ウェハＴを回転させながら、検出部（図示せず）で第１のウェハＷのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節して重合ウェハＴの水平方向の向きを調節する。
　第１の洗浄ユニット６０では、研削処理後の第１のウェハＷの裏面Ｗｂを洗浄、より具体的にはスピン洗浄する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持された重合ウェハＴを回転させながら、洗浄液ノズル（図示せず）から第１のウェハＷの裏面Ｗｂに洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液は裏面Ｗｂ上を拡散し、当該裏面Ｗｂが洗浄される。
　第２の洗浄ユニット７０では、研削処理後の重合ウェハＴが搬送パッド４２に保持された状態の第２のウェハＳの裏面Ｓｂを洗浄するとともに、搬送パッド４２を洗浄する。
　粗研削ユニット８０では、第１のウェハＷの裏面Ｗｂを粗研削する。粗研削ユニット８０は、粗研削部８１を有している。図５に示すように粗研削部８１は、粗研削ホイール８２、マウント８３、スピンドル８４、及び駆動部８５を有している。粗研削ホイール８２は、下面に粗研削砥石を備え、環状形状を有している。粗研削ホイール８２は、マウント８３に支持されている。マウント８３には、スピンドル８４を介して駆動部８５が設けられている。駆動部８５は例えばモータ（図示せず）を内蔵し、粗研削ホイール８２を回転させると共に、図３に示す支柱８６に沿って鉛直方向に移動させる。そして、粗研削ユニット８０では、チャック３１に保持された重合ウェハＴの第１のウェハＷと粗研削ホイール８２の円弧の一部を当接させた状態で、チャック３１と粗研削ホイール８２をそれぞれ回転させることによって、第１のウェハＷの裏面Ｗｂを粗研削する。
　中研削ユニット９０では、第１のウェハＷの裏面Ｗｂを中研削する。中研削ユニット９０の構成は、図３及び図５に示すように粗研削ユニット８０の構成とほぼ同様であり、中研削部９１、中粗研削ホイール９２、マウント９３、スピンドル９４、駆動部９５及び支柱９６を有している。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。
　仕上研削ユニット１００では、第１のウェハＷの裏面Ｗｂを仕上研削する。仕上研削ユニット１００の構成は、図３及び図５示すように粗研削ユニット８０及び中研削ユニット９０の構成とほぼ同様であり、仕上研削部１０１、仕上研削ホイール１０２、マウント１０３、スピンドル１０４、駆動部１０５及び支柱１０６を有している。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。
　また処理ステーション３には、中研削終了後の第１のウェハＷの厚み、及び、仕上研削終了後の第１のウェハＷの厚みをそれぞれ計測する厚み測定部１１０、１２０がそれぞれ設けられている。厚み測定部１１０は、例えば加工位置Ａ２又は加工位置Ａ３に設けられる。厚み測定部１２０は、例えば加工位置Ａ３又は受渡位置Ａ０に設けられる。また、加工位置Ａ１～Ａ３には、それぞれの加工位置における各種研削処理の終点検知を行うための厚み測定機構（図示せず）が設けられている。当該厚み測定機構による測定されるウェハＷの厚みが目標厚みに到達すると、回転テーブル３０を回転させてウェハＷを移動させる。なお、加工位置Ａ２及びＡ３においては、前述の厚み測定部１１０、１２０を、終点検知を行うための当該厚み測定機構として用いてもよい。
　第１の厚み分布測定部としての厚み測定部１１０は、図４に示すようにセンサ１１１と演算部１１２を有している。センサ１１１は、例えば非接触式のセンサであり、仕上研削前の第１のウェハＷの厚みを測定する。センサ１１１は、第１のウェハＷにおいて複数点の厚みを測定する。センサ１１１の測定結果は、演算部１１２に出力される。演算部１１２では、センサ１１１の複数点の測定結果（第１のウェハＷの厚み）から、第１のウェハＷの厚み分布を取得する。この時、更に第１のウェハＷのＴＴＶデータを算出することもできる。なお、厚み測定部１１０で測定される第１のウェハＷの厚みは、第１のウェハＷにおけるシリコン部分の厚みであり、デバイス層Ｄと表面膜Ｆの厚みを含まない。
　第２の厚み分布測定部としての厚み測定部１２０は、図４に示すように厚み測定部１１０の構成とほぼ同様であり、センサ１２１と演算部１２２を有している。厚み測定部１２０は、仕上研削後の第１のウェハＷの厚みをセンサ１２１により取得し、演算部１２２においてＴＴＶデータを算出する。
　なお、厚み測定部１１０、１２０を用いた第１のウェハＷの厚み測定においては、第１のウェハＷの径方向における複数の測定点において、第１のウェハＷの厚みを測定する。また径方向における各測定点においては、重合ウェハＴを回転させながら、第１のウェハＷの厚みを周方向に複数点で測定する。そして、周方向の複数点において測定された厚みの移動平均値又は移動中央値を算出し、算出された値を径方向の測定点における第１のウェハＷの厚みとして用いることができる。
　なお、複数点の移動平均値又は移動中央値を第１のウェハＷの厚みとすることに代え、例えば任意の指定座標における第１のウェハＷの厚みを測定し、測定された厚みを代表値として、第１のウェハＷの厚みとして用いてもよい。
　なお、厚み測定部１１０、１２０の構成は本実施形態に限定されるものではなく、第１のウェハＷの厚み分布を取得し、更にＴＴＶデータを算出することができれば任意に選択することができる。
　図３に示すように以上の加工装置１には、制御部１３０が設けられている。制御部１３０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、加工装置１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理ユニットや搬送装置などの駆動系の動作を制御して、加工装置１における後述の加工処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部１３０にインストールされたものであってもよい。
　次に、以上のように構成された加工装置１を用いて行われる加工方法について説明する。なお、本実施形態では、加工装置１の外部の接合装置（図示せず）において、第１のウェハＷと第２のウェハＳが接合され、予め重合ウェハＴが形成されている。また、第１のウェハＷの周縁部は予め除去されている。
　先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣｔが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。
　次に、ウェハ搬送装置２２の搬送フォーク２３によりカセットＣｔ内の重合ウェハＴが取り出され、処理ステーション３のアライメントユニット５０に搬送される。
　アライメントユニット５０では、上述のようにスピンチャック（図示せず）に保持された重合ウェハＴを回転させながら、第１のウェハＷのノッチ部の位置を調節することで、重合ウェハＴの水平方向の向きが調節される。
　次に、重合ウェハＴは搬送ユニット４０により、アライメントユニット５０から受渡位置Ａ０に搬送され、当該受渡位置Ａ０のチャック３１に受け渡される。その後、チャック３１を第１の加工位置Ａ１に移動させる。そして、粗研削ユニット８０によって、第１のウェハＷの裏面Ｗｂが粗研削される。
　次に、チャック３１を第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、中研削ユニット９０によって、第１のウェハＷの裏面Ｗｂが中研削される。
　次に、チャック３１を第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、仕上研削ユニット１００によって、第１のウェハＷの裏面Ｗｂが仕上研削される。なお、本実施形態における仕上研削の詳細な方法については後述する。
　次に、チャック３１を受渡位置Ａ０に移動させる。ここでは、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、第１のウェハＷの裏面Ｗｂが洗浄液によって粗洗浄される。この工程では、裏面Ｗｂの汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。
　次に、重合ウェハＴは搬送ユニット４０により、受渡位置Ａ０から第２の洗浄ユニット７０に搬送される。そして、第２の洗浄ユニット７０では、重合ウェハＴが搬送パッド４２に保持された状態で、第２のウェハＳの裏面Ｓｂが洗浄し、乾燥される。
　次に、重合ウェハＴは搬送ユニット４０によって、第２の洗浄ユニット７０から第１の洗浄ユニット６０に搬送される。そして、第１の洗浄ユニット６０では、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、第１のウェハＷの裏面Ｗｂが洗浄液によって仕上洗浄される。この工程では、裏面Ｗｂが所望の清浄度まで洗浄し乾燥される。
　その後、すべての処理が施された重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置２２の搬送フォーク２３によってカセット載置台１０のカセットＣｔに搬送される。そして、カセットＣｔ内のすべての重合ウェハＴに対しての処理が終了すると、加工装置１における一連の加工処理が終了する。なお加工装置１においては、重合ウェハＴの加工処理が枚葉に、すなわち、一の重合ウェハＴの加工処理が完了した後に他の重合ウェハＴの加工処理を開始するようにしてもよいし、複数の重合ウェハＴに対する処理が連続的に、すなわち、加工装置１において複数枚の重合ウェハＴの処理が同時に行われるようにしてもよい。
　以上のように加工装置１では、カセットＣｔに収容された複数の重合ウェハＴに対して、連続的に処理が行われる。そして、加工装置１での研削処理を各重合ウェハＴに対して均一に行うためには、すなわち、仕上研削後の各重合ウェハＴにおける第１のウェハＷの厚み分布を均一に制御するためには、上述のように第２のウェハＳの面内における厚み分布を考慮する必要がある。以下、加工装置１における第２のウェハＳの厚み分布を考慮した第１のウェハＷの仕上研削方法について説明する。
　なお、以下の説明において加工装置１においてｎ枚目に処理される重合ウェハＴを、それぞれ「重合ウェハＴｎ」という場合がある。同様に、ｎ枚目に処理される重合ウェハＴを構成する第１のウェハＷ、及び、第２のウェハＳを、それぞれ「第１のウェハＷｎ」、「第２のウェハＳｎ」という場合がある。
　上記研削方法を実現するに際し、加工装置１は、図３及び図４に示したように、仕上研削前の第１のウェハＷの厚み分布を取得する厚み測定部１１０と、仕上研削後の第１のウェハＷの厚み分布を取得し、更にＴＴＶを算出するための厚み測定部１２０を有している。厚み測定部１１０、１２０は例えばＩＲ光を第１のウェハＷに対して出射することで当該第１のウェハＷの複数点の厚みを測定し、測定された厚みに基づいて第１のウェハＷの面内厚み分布を取得する。更に厚み測定部１２０は、取得された面内厚み分布に基づいて、仕上研削処理後の第１のウェハＷのＴＴＶを算出する。ＩＲ光は例えばチャック３１に保持された重合ウェハＴの上方、すなわち第１のウェハＷ側から重合ウェハＴに対して出射される。なお、上述したように、厚み測定部１１０を用いて、仕上研削処理前の第１のウェハＷのＴＴＶを算出することもできる。
　本実施形態においては、先ず、複数の重合ウェハＴのうち１枚目の重合ウェハＴ１の処理において、図６（ａ）に示すように厚み測定部１１０により仕上研削前の第１のウェハＷ１の複数点の厚みを測定し、一の厚み分布としての膜厚分布データＤ１を取得する。取得された膜厚分布データＤ１は、制御部１３０に出力される。
　次に重合ウェハＴ１は、仕上研削ユニット１００によって第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂが仕上研削される。
　重合ウェハＴ１における第１のウェハＷ１の仕上研削においては、膜厚分布データＤ１に基づいて、当該第１のウェハＷ１の面内厚みが均一となるように、すなわち、膜厚分布データＤ１により検知された第１のウェハＷ１の平坦度が改善されるように、その面内における研削量が決定される。具体的には、第１のウェハＷ１の面内において厚みが大きいと判断される位置においては仕上研削量を増やし、厚みが小さいと判断される位置においては仕上研削量を減らす。
　次に重合ウェハＴ１は、図６（ｂ）に示すように厚み測定部１２０により仕上研削後の第１のウェハＷ１の複数点の厚みを測定し、仕上研削後の厚み分布としての膜厚分布データＤＤ１を取得する。取得された膜厚分布データＤＤ１は、制御部１３０に出力される。
　ここで、仕上研削後の第１のウェハＷ１は、膜厚分布データＤ１に基づいて決定された研削量に基づいて仕上研削されることにより、当該第１のウェハＷ１の平坦度が向上、すなわち、第１のウェハＷ１の厚みが面内において均一となっていることが望ましい。しかしながら、例えば仕上研削砥石の摩耗、チャック３１と仕上研削砥石の平行度や、その他の装置特性により、図６（ｂ）に示したように第１のウェハＷ１の平坦度が改善されない場合がある。
　そこで本実施形態にかかる加工処理においては、第１の差分データとしての膜厚分布データＤ１と膜厚分布データＤＤ１との差分データａを取得する。取得された差分データａは、制御部１３０に出力される。なお、差分データａは、ウェハＷの面内における同一のポイントで取得された膜厚分布データＤ１、ＤＤ１に基づいて取得される。
　差分データａは、仕上研削ユニット１００における仕上研削前後の第１のウェハＷの膜厚分布データの差分である。換言すれば、差分データａに基づいて、仕上研削ユニット１００における装置特性に起因する平坦度の悪化傾向を算出することができる。そして本実施形態にかかる加工処理においては、２枚目以降の重合ウェハＴｎ（ｎ≧２）の処理においては、かかる差分データａに基づいて、装置特性に起因する平坦度の悪化傾向を相殺するように、仕上研削量を決定する。これにより、２枚目以降の重合ウェハＴの処理にあたっては、第１のウェハＷの平坦度を適切に向上させることができる。
　なお、仕上研削ユニット１００における仕上研削量は、例えば傾き調整部３３により仕上研削砥石に対するチャックベース３２の相対的な傾きを調整することにより調整される。
　膜厚分布データＤＤ１が取得された重合ウェハＴ１は、次に、図６（ｃ）に示すように取得された差分データａに基づいて、装置特性に起因する第１のウェハＷ１の平坦度の悪化傾向を相殺するように、第１のウェハＷ１を再研削する。第１のウェハＷ１の再研削は、仕上研削ユニット１００において行われる。なお、膜厚分布データＤ１と膜厚分布データＤＤ１とで差分が見られない場合、すなわち、仕上研削ユニット１００の装置特性に問題が見られない場合、当該第１のウェハＷ１の再研削は省略することができる。
　その後、加工処理が完了した重合ウェハＴ１は、第２の洗浄ユニット７０及び第１の洗浄ユニット６０を介してカセットＣｔへと搬送される。そして次に、２枚目の重合ウェハＴ２に対する加工処理が開始される。
　重合ウェハＴ２の処理においては、図６（ｄ）に示すように厚み測定部１１０により仕上研削前の第１のウェハＷ２の複数点の厚みを測定し、一の厚み分布としての膜厚分布データＤ２を取得する。取得された膜厚分布データＤ２は、制御部１３０に出力される。
　ここで、第１のウェハＷ２は、差分データａに基づいて決定された研削量に基づいて仕上研削量が決定されることにより、当該第１のウェハＷ２の平坦度が向上、すなわち、第１のウェハＷ２の厚みが面内において均一となっていることが望ましい。しかしながら、図６（ａ）及び図６（ｄ）に示すように、第２のウェハＳ１と第２のウェハＳ２とで形状特性が異なる場合、第１のウェハＷ１と第１のウェハＷ２とを同様の条件で研削を行うと、第１のウェハＷ２の平坦度が改善されない恐れがある。具体的には、図７に示すように、例えば第２のウェハＳｎが中凸形状、第２のウェハＳｎ＋１が中凹形状であった場合、第１のウェハＷｎと第１のウェハＷｎ＋１とを同様の条件で研削を行うと、第１のウェハＷｎ＋１は外周側のみが研削され、中心部が研削されない。
　そこで本実施形態にかかる加工処理においては、第２の差分データとしての膜厚分布データＤ１と膜厚分布データＤ２との差分データＡを取得する。取得された差分データＡは、制御部１３０に出力される。
　差分データＡは、仕上研削ユニット１００における仕上研削前の第１のウェハＷ１と、同様に仕上研削前の第１のウェハＷ２との膜厚分布データの差分である。換言すれば、差分データＡに基づいて、第２のウェハＳの形状特性に起因する平坦度の悪化傾向を算出することができる。そして本実施形態にかかる加工処理においては、２枚目の重合ウェハＴ２の処理においては、かかる差分データＡに基づいて、形状特性に起因する平坦度の悪化傾向を相殺するようにチャックベース３２の傾きを調節し、第１のウェハＷ２の面内における仕上研削量を決定する。これにより、重合ウェハＴ２の処理にあたっては、第１のウェハＷ２の平坦度を適切に向上させることができる。
　このように、膜厚分布データＤ２が取得された重合ウェハＴ２は、仕上研削ユニット１００によって第１のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂが仕上研削される。第１のウェハＷ２の仕上研削にあたっては、上述のように差分データａに基づくチャックベース３２の傾き調整に加え、差分データＡに基づいて更にチャックベース３２の傾きが補正され、仕上研削量が決定される。これにより、２枚目の重合ウェハＴ２の処理にあたっては、第１のウェハＷ２の平坦度を適切に向上させることができる。
　次に重合ウェハＴ２は、図６（ｅ）に示すように厚み測定部１２０により仕上研削後の第１のウェハＷ２の複数点の厚みを測定し、仕上研削後の厚み分布としての膜厚分布データＤＤ２を取得する。取得された膜厚分布データＤＤ２は、制御部１３０に出力される。
　膜厚分布データＤＤ２が取得されると、次に、第１の差分データとしての膜厚分布データＤ２と膜厚分布データＤＤ２との差分データｂを取得する。取得された差分データｂは、制御部１３０に出力される。なお、差分データｂは、ウェハＷの面内における同一のポイントで取得された膜厚分布データＤ２、ＤＤ２に基づいて取得される。
　差分データｂは、仕上研削ユニット１００における仕上研削前後の第１のウェハＷ２の膜厚分布データの差分である。仕上研削ユニット１００は、複数の重合ウェハＴにおける第１のウェハＷの仕上研削を繰り返し行うことにより、例えば仕上研削砥石の摩耗に起因する装置特性が経時的に変化する。また例えば、仕上研削を行う際における環境要因（例えば雰囲気温度等）によっても、装置特性が経時変化する場合がある。そこで、本実施形態にかかる研削処理においては、装置特性に起因する平坦度の悪化傾向に対して経時的に追従してチャックベース３２の傾きを調整し、仕上研削量を決定する。これにより、３枚目以降の重合ウェハＴの処理においても、第１のウェハＷの平坦度を適切に向上させることができる。
　膜厚分布データＤＤ２が取得された重合ウェハＴ２は、その後、第２の洗浄ユニット７０及び第１の洗浄ユニット６０を介してカセットＣｔへと搬送される。そして次に、カセットＣｔから３枚目の重合ウェハＴ３が取り出され、当該重合ウェハＴ３に対する加工処理が開始される。
　重合ウェハＴ３の処理においては、図６（ｆ）に示すように厚み測定部１１０により仕上研削前の第１のウェハＷ３の複数点の厚みを測定し、一の厚み分布としての膜厚分布データＤ３を取得する。取得された膜厚分布データＤ３は、制御部１３０に出力される。
　また重合ウェハＴ３の処理においては、第２のウェハＳ３の形状特性である第２の差分データとしての膜厚分布データＤ１と膜厚分布データＤ３との差分データＢを取得する。取得された差分データＢは、制御部１３０に出力される。なお、差分データＢは、第２のウェハＳ３の形状特性を取得することができれば、膜厚分布データＤ２と膜厚分布データＤ３の差分であってもよい。
　膜厚分布データＤ３が取得された重合ウェハＴ３は、仕上研削ユニット１００によって第１のウェハＷ３の裏面Ｗ３ｂが仕上研削される。第１のウェハＷ３の仕上研削にあたっては、差分データｂ、及び、差分データＢに基づいてチャックベース３２の傾きを調整し、仕上研削量が決定される。これにより、３枚目の重合ウェハＴ３の処理にあたっては、第１のウェハＷ３の平坦度を適切に向上させることができる。なお、差分データａと差分データｂとで差分が見られない場合、すなわち、仕上研削ユニット１００の装置特性に変化が見られない場合、当該第１のウェハＷ３の仕上研削においては、差分データａ、及び、差分データＢに基づいて傾きが調整、すなわち、仕上研削量が決定されてもよい。
　次に重合ウェハＴ２は、図６（ｇ）に示すように厚み測定部１２０により仕上研削後の第１のウェハＷ３の複数点の厚みを測定し、仕上研削後の厚み分布としての膜厚分布データＤＤ３を取得する。取得された膜厚分布データＤＤ３は、制御部１３０に出力される。
　膜厚分布データＤＤ３が取得されると、次に、第１の差分データとしての膜厚分布データＤ３と膜厚分布データＤＤ３との差分データｃを取得する。取得された差分データｃは、制御部１３０に出力される。なお、差分データｃは、ウェハＷの面内における同一のポイントで取得された膜厚分布データＤ３、ＤＤ３に基づいて取得される。
　以上の実施形態によれば、加工装置１において処理される複数の重合ウェハＴのそれぞれにおいて取得される仕上研削前の膜厚分布データに基づいて、それぞれの重合ウェハＴにおける第２のウェハＳの形状特性の違いである差分データＡ、Ｂ、・・・を取得する。そして、かかる差分データに基づいてチャックベース３２の傾きを調整（補正）して第１のウェハＷの仕上研削量を決定するため、第１のウェハＷの仕上厚みを均一に制御できる。すなわち、第１のウェハＷの平坦度を適切に向上させることができる。
　この際、本実施形態によれば、厚み測定部１１０及び厚み測定部１２０により第１のウェハＷの厚みを測定することのみによって、第２のウェハＳの形状特性を取得することができる。すなわち、例えば第１のウェハＷの表面Ｗａにデバイス層Ｄが形成され、重合ウェハＴの総厚や第２のウェハＳの厚みを測定することができない場合であっても、適切に第２のウェハＳの形状特性を取得し、第１のウェハＷの平坦度を向上できる。
　また、本実施形態では、１枚目の重合ウェハＴ１における仕上研削前後の膜厚分布データに基づいて、仕上研削ユニット１００の装置特性である差分データａを取得する。そして、かかる差分データａに基づいてチャックベース３２の傾きを調整（補正）して第１のウェハＷの仕上研削量を決定するため、第１のウェハＷの仕上厚みをさらに適切に均一に制御できる。すなわち、第１のウェハＷの平坦度を更に適切に向上させることができる。
　また更に、本実施形態では、２枚目以降の重合ウェハＴｎにおける仕上研削前後の膜厚分布データに基づいて、仕上研削ユニット１００の装置特性である差分データｂ、ｃ、・・・を取得する。これにより、仕上研削ユニット１００の装置特性が種々の要因により経時変化した場合であっても、当該装置特性の経時変化に追従してチャックベース３２の傾きを調整（補正）して第１のウェハＷの仕上研削量を決定することができるため、更に適切に第１のウェハＷの平坦度を向上できる。
　またここで、２枚目以降の重合ウェハＴｎにおける仕上研削においては、１枚目の重合ウェハＴ１の仕上研削時のように再研削を行う必要がない。これは、１枚目の重合ウェハＴ１の仕上研削時において、既に差分データａに基づいて装置特性に起因するＴＴＶ調整を行っているため、再研削を行う必要が生じるほどのＴＴＶ悪化の発生が抑制されることに依る。そして、このように重合ウェハＴ２以降においては再研削を行う必要がないため、適切に第１のウェハＷの仕上研削にかかるスループットを向上させることができる。
　なお、以上の実施形態では、１枚目の重合ウェハＴ１の加工処理時において、仕上研削ユニット１００の装置特性である差分データａを取得したが、差分データａは、例えばダミーの重合基板としての重合ウェハＴ０を研削することにより予め取得していてもよい。このようにダミー基板を用いて装置特性を予め取得することにより、カセットＣｔにおける１枚目の重合ウェハＴ１の加工処理において装置特性を取得する必要がない。すなわち、重合ウェハＴ１の加工処理において上述の再研削を行う必要がなく、重合ウェハＴ１の仕上研削にかかるスループットを向上させることができる。
　なお、以上の実施形態では、傾き調整部３３によりチャックベース３２を傾斜させることにより、第１のウェハＷの仕上研削量を調整し、これにより第１のウェハＷの平坦度を改善したが、仕上研削量を調整方法はこれに限定されるものではない。例えば、傾き調整部３３が研削砥石を傾斜させることにより第１のウェハＷの仕上研削量を調整してもよい。また例えば、第１のウェハＷの仕上研削量を調整することができれば、傾き調整部３３を用いなくともよい。
　また、以上の実施形態では、第１のウェハＷ１の仕上研削前後の膜厚分布データを取得し、取得した膜厚分布データに基づいて第１のウェハＷ１の平坦度の調節を行ったが、かかる平坦部の調節は、第１のウェハＷ１の粗研削や中研削の際に行われてもよい。すなわち、粗研削前後や中研削前後の膜厚分布データを更に取得し、取得した膜厚分布データに基づいて、粗研削や中研削を行う際の研削砥石に対するチャックベース３２の相対的な傾きを調節してもよい。
　また、以上の実施形態では第１のウェハＷと第２のウェハＳとの間に介在する金属膜（デバイス層）の影響により、当該金属膜を含めた第２の基板の厚みを算出できない場合を例に説明を行った。しかしながら本開示にかかる技術は、重合ウェハＴが金属膜を有する場合に限らず、第２のウェハＳの厚みを適切に算出することができない任意の場合において、好適に適用することができる。
　今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　　１　　　加工装置
　　１００　仕上研削ユニット
　　１１０　厚み測定部
　　１３０　制御部
　　Ｗ　　　第１のウェハ
　　Ｓ　　　第２のウェハ
　　Ｔ　　　重合ウェハ
 

Claims (10)

  1. 第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、粗研削された前記第１の基板を基板処理装置において仕上研削処理する方法であって、
    前記基板処理装置においては複数の重合基板が連続的に処理され、
    一の重合基板における仕上研削前の第１の基板の一の厚み分布を測定することと、
    他の重合基板における仕上研削前の第１の基板の他の厚み分布を測定することと、
    前記一の厚み分布と前記他の厚み分布との第１の差分データに基づいて、前記他の重合基板を保持する基板保持部と、前記重合基板を仕上研削する研削部との相対的な傾きを決定することと、
    決定された前記傾きで前記他の重合基板を保持した状態で、前記他の重合基板における第１の基板を仕上研削することと、を含む基板処理方法。
  2. 前記一の重合基板における仕上研削後の第１の基板の厚み分布を測定することを含み、
    前記他の重合基板を保持する前記基板保持部と前記研削部との相対的な傾きは、
    前記第１の差分データに加え、
    前記一の重合基板における仕上研削前の第１の基板の一の厚み分布と前記一の重合基板における仕上研削後の第１の基板の厚み分布との第２の差分データに基づいて決定される、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記一の重合基板は、前記基板処理装置において前記複数の重合基板の処理よりも前に処理されるダミーの重合基板である、請求項１または２に記載の基板処理方法。
  4. 前記一の重合基板は、前記複数の重合基板のうち、前記他の重合基板よりも前に処理される重合基板である、請求項１又は２に記載の基板処理方法。
  5. 前記一の重合基板が、前記複数の重合基板のうち、前記基板処理装置において１枚目に処理される重合基板である場合において、
    前記一の重合基板における仕上研削後の第１の基板の厚み分布を測定することと、
    前記一の重合基板における仕上研削前の第１の基板の一の厚み分布と当該一の重合基板における仕上研削後の第１の基板の厚み分布との第２の差分データに基づいて前記一の重合基板を保持する前記基板保持部と前記研削部との相対的な傾きを決定し、前記一の重合基板における第１の基板を再研削することと、を含む、請求項４に記載の基板処理方法。
  6. 第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、当該第１の基板を研削処理する基板処理装置であって
    前記重合基板を保持する基板保持部と、
    粗研削された前記第１の基板を仕上研削する仕上研削部と、
    仕上研削前の前記第１の基板の厚み分布を測定する第１の厚み分布測定部と、
    前記仕上研削部の動作を制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、前記基板処理装置において複数の重合基板を連続的に処理し、
    一の重合基板における仕上研削前の第１の基板の一の厚み分布と、
    他の重合基板における仕上研削前の第１の基板の他の厚み分布と、
    の差分である第１の差分データに基づいて、前記他の重合基板の仕上研削時における前記基板保持部と前記仕上研削部との相対的な傾きを決定する、基板処理装置。
  7. 仕上研削後の前記第１の基板の厚み分布を測定する第２の厚み分布測定部を備え、
    前記制御部は、前記第１の差分データに加え、
    前記一の重合基板における仕上研削前の第１の基板の一の厚み分布と、
    一の重合基板における仕上研削後の第１の基板の厚み分布と、
    の差分である第２の差分データに基づいて、前記他の重合基板を保持する前記基板保持部と前記仕上研削部との相対的な傾きを決定する、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記一の重合基板は、前記基板処理装置において前記複数の重合基板の処理よりも前に処理されるダミーの重合基板である、請求項６または７に記載の基板処理装置。
  9. 前記一の重合基板は、前記複数の重合基板のうち、前記他の重合基板よりも前に処理される重合基板である、請求項６又は７に記載の基板処理装置。
  10. 仕上研削後の前記第１の基板の厚み分布を測定する第２の厚み分布測定部を備え、
    前記制御部は、前記一の重合基板が、前記複数の重合基板のうち１枚目に処理される重合基板である場合において、
    前記一の重合基板における仕上研削前の第１の基板の一の厚み分布と、
    一の重合基板における仕上研削後の第１の基板の厚み分布と、
    の差分である第２の差分データに基づいて前記一の重合基板を保持する基板保持部と前記仕上研削部との相対的な傾きを決定し、前記一の重合基板における第１の基板を再研削することと、を含む、請求項９に記載の基板処理装置。
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